JPH0675433B2 - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPH0675433B2 JPH0675433B2 JP63277370A JP27737088A JPH0675433B2 JP H0675433 B2 JPH0675433 B2 JP H0675433B2 JP 63277370 A JP63277370 A JP 63277370A JP 27737088 A JP27737088 A JP 27737088A JP H0675433 B2 JPH0675433 B2 JP H0675433B2
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は薄膜EL（本明細書においてはエレクトロルミ
ネッセンスをELと記す）素子およびその製造方法に関
し、特に複数の色に発光するマルチカラーEL素子に好適
な薄膜EL素子およびその製造方法に関する。
ネッセンスをELと記す）素子およびその製造方法に関
し、特に複数の色に発光するマルチカラーEL素子に好適
な薄膜EL素子およびその製造方法に関する。
（従来技術） 従来の複数色の薄膜EL素子は第２図（ａ）〜（ｃ）に示
す如きプロセスにより製造されていた。すなわち、基板
１上に透明電極層２を形成し、透明電極層２上に第１の
誘電体層３を形成する。第１の誘電体層３上に第１の蛍
光体層４（ａ）を形成し、第１の蛍光体層４（ａ）上に
フォトレジスト10によりパターンニングし、第１の蛍光
体層４（ａ）をケミカルエッチングする（第２図
（ａ））。その後にレジストパターンを残したまま第２
の蛍光体層４（ｂ）を形成し、レジストを洗い流す（リ
フト・オフ方式）（第２図（ｂ））。第３の蛍光体層４
（ｃ）も同様にして複数の蛍光体層４（ａ）、４
（ｂ）、４（ｃ）を同一平面に形成して、蛍光体層のう
えに第２の誘電体層５を形成し、第２の誘電体層５上に
背面電極６を形成している（第２図（ｃ））。
す如きプロセスにより製造されていた。すなわち、基板
１上に透明電極層２を形成し、透明電極層２上に第１の
誘電体層３を形成する。第１の誘電体層３上に第１の蛍
光体層４（ａ）を形成し、第１の蛍光体層４（ａ）上に
フォトレジスト10によりパターンニングし、第１の蛍光
体層４（ａ）をケミカルエッチングする（第２図
（ａ））。その後にレジストパターンを残したまま第２
の蛍光体層４（ｂ）を形成し、レジストを洗い流す（リ
フト・オフ方式）（第２図（ｂ））。第３の蛍光体層４
（ｃ）も同様にして複数の蛍光体層４（ａ）、４
（ｂ）、４（ｃ）を同一平面に形成して、蛍光体層のう
えに第２の誘電体層５を形成し、第２の誘電体層５上に
背面電極６を形成している（第２図（ｃ））。
（発明が解決しようとする課題） 上記したような従来の薄膜EL素子では、第１の蛍光体層
は蛍光体層の種類をｎとすれば（ｎ−１）回レジストパ
ターンの形成、エッチングをしなければならず、パター
ン形成時の水洗や、ケミカルエッチングによるエッチン
グ液やその水洗等により蛍光体が水に晒され蛍光体の劣
化、剥離を引起こす問題点があった。
は蛍光体層の種類をｎとすれば（ｎ−１）回レジストパ
ターンの形成、エッチングをしなければならず、パター
ン形成時の水洗や、ケミカルエッチングによるエッチン
グ液やその水洗等により蛍光体が水に晒され蛍光体の劣
化、剥離を引起こす問題点があった。
この発明は蛍光体の劣化、剥離を引き起こさないマルチ
カラーの薄膜EL素子を提供することを目的とする。
カラーの薄膜EL素子を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 第１請求項の発明は、複数の発光色の異なる蛍光体層を
第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ
第１および第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透
明電導体からなる電極であるマルチカラー薄膜EL素子に
おいて、第１の誘電体層上の平面内に所望のパターンに
配置された複数の蛍光体層を第３の誘電体層に埋設した
ことを特徴とするものである。
第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ
第１および第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透
明電導体からなる電極であるマルチカラー薄膜EL素子に
おいて、第１の誘電体層上の平面内に所望のパターンに
配置された複数の蛍光体層を第３の誘電体層に埋設した
ことを特徴とするものである。
第２請求項の発明は、複数の発光色の異なる蛍光体層を
第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ
第１および第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透
明電導体からなる電極であるマルチカラー薄膜EL素子の
製造方法において、第１の誘電体層の上に第３の誘電体
層を形成し、第３の誘電体層上にレジストパターンを形
成した後第３の誘電体層を垂直にエッチングし、続いて
表面に蛍光体層を形成したうえ、蛍光体層上に第４の誘
電体層を形成し、ついでレジスト層を除去することを特
徴とするものである。
第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ
第１および第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透
明電導体からなる電極であるマルチカラー薄膜EL素子の
製造方法において、第１の誘電体層の上に第３の誘電体
層を形成し、第３の誘電体層上にレジストパターンを形
成した後第３の誘電体層を垂直にエッチングし、続いて
表面に蛍光体層を形成したうえ、蛍光体層上に第４の誘
電体層を形成し、ついでレジスト層を除去することを特
徴とするものである。
（作用） 第１請求項の発明によれば、蛍光体層は第３の誘電体層
に埋設されている。また第２請求項の発明によれば、第
３の誘電体層のエッチング後、その表面に蛍光体層が形
成され、その上に第４の誘電体層が形成されるために蛍
光体層は実質的に第３の誘電体層に埋設される。このた
め第３の誘電体層のパターン形成時の水洗や、ケミカル
エッチングによるエッチング液および水洗等により蛍光
体層が水に晒されることはなくなる。
に埋設されている。また第２請求項の発明によれば、第
３の誘電体層のエッチング後、その表面に蛍光体層が形
成され、その上に第４の誘電体層が形成されるために蛍
光体層は実質的に第３の誘電体層に埋設される。このた
め第３の誘電体層のパターン形成時の水洗や、ケミカル
エッチングによるエッチング液および水洗等により蛍光
体層が水に晒されることはなくなる。
したがって水洗による蛍光体層の剥離および劣化が引き
起されることはなくなる。
起されることはなくなる。
（実施例） 以下、この発明を実施例により説明する。
第１図（ｃ）はこの発明の一実施例の薄膜EL素子を示す
断面図であり、３色の発光を呈する薄膜EL素子の例を示
している。
断面図であり、３色の発光を呈する薄膜EL素子の例を示
している。
この実施例の薄膜EL素子は、基板１上に形成された透明
電極２の上に第１の誘電体層３が形成してある。第１の
誘電体層３と第２の誘電体層５との間に発光色の異なる
複数の蛍光体層４（ａ）、４（ｂ）、４（ｃ）が形成し
ある。
電極２の上に第１の誘電体層３が形成してある。第１の
誘電体層３と第２の誘電体層５との間に発光色の異なる
複数の蛍光体層４（ａ）、４（ｂ）、４（ｃ）が形成し
ある。
複数の蛍光体層４（ａ）、４（ｂ）、４（ｃ）の第１の
誘電体層３と第２の誘電体層５との間の形成は、第１の
誘電体層３上の平面内に所望パターンに配置された蛍光
体層４（ａ）、４（ｂ）、４（ｃ）を、第１の誘電体層
３と第２の誘電体層５との間に形成した第３の誘電体層
７に埋設してある。
誘電体層３と第２の誘電体層５との間の形成は、第１の
誘電体層３上の平面内に所望パターンに配置された蛍光
体層４（ａ）、４（ｂ）、４（ｃ）を、第１の誘電体層
３と第２の誘電体層５との間に形成した第３の誘電体層
７に埋設してある。
そこで、蛍光体層を所望のパターンに形成する際に、例
えばポジ型レジスト（AZ系、OFPR系）の現像後の水洗、
リムバー溶液、有機容剤によるリフト・オフエ程後の水
洗等による蛍光体層への影響、すなわち膜の剥離、劣化
を完全に防げる。これは次に述べる製造方法の実施例か
ら理解できよう。
えばポジ型レジスト（AZ系、OFPR系）の現像後の水洗、
リムバー溶液、有機容剤によるリフト・オフエ程後の水
洗等による蛍光体層への影響、すなわち膜の剥離、劣化
を完全に防げる。これは次に述べる製造方法の実施例か
ら理解できよう。
第１図（ａ）〜第１図（Ｃ）は、この発明の一実施例の
薄膜EL素子の製造プロセスを示す断面図である。
薄膜EL素子の製造プロセスを示す断面図である。
基板１上に透明電極２を所望パターンに形成した後、透
明電極２上に第１の誘電体層３を形成する。第１の誘電
体層３の形成後、蛍光体層４の厚さ（0.2〜1.0μｍ）以
上に第３の誘電体層７を第１の誘電体層３上に形成す
る。第３の誘電体層７はSiOx、SiONx等の反応性イオン
エッチング（RIE）装置において、CF4、CF4＋H2、CF4＋
O2ガスで容易にエッチングできる材質のものがよく、第
１の誘電体層３は上記のガスでエッチングされないか、
極端にエッチングレートの小さなAL2O3、Ta2O5等の材質
のものがよい。第３の誘電体層７の上にレジストパター
ン10を形成する（第１図ａ）。レジストパターン10を形
成後、RIE装置により第３の誘電体層７を垂直にエッチ
ングする。このエッチングはフッ酸等のケミカルエッチ
ングでもよい。このエッチング後、第１の蛍光体層４
（ａ）を蒸着またはスパツタ等により形成し、続いて第
１の蛍光体層４（ａ）上に第４の誘電体層８を形成する
（第１図（ｂ））。つぎにレジスタ層10を有機容剤、リ
ムバー溶液、プラズマ灰化等により除去する（リフト・
オフ）。
明電極２上に第１の誘電体層３を形成する。第１の誘電
体層３の形成後、蛍光体層４の厚さ（0.2〜1.0μｍ）以
上に第３の誘電体層７を第１の誘電体層３上に形成す
る。第３の誘電体層７はSiOx、SiONx等の反応性イオン
エッチング（RIE）装置において、CF4、CF4＋H2、CF4＋
O2ガスで容易にエッチングできる材質のものがよく、第
１の誘電体層３は上記のガスでエッチングされないか、
極端にエッチングレートの小さなAL2O3、Ta2O5等の材質
のものがよい。第３の誘電体層７の上にレジストパター
ン10を形成する（第１図ａ）。レジストパターン10を形
成後、RIE装置により第３の誘電体層７を垂直にエッチ
ングする。このエッチングはフッ酸等のケミカルエッチ
ングでもよい。このエッチング後、第１の蛍光体層４
（ａ）を蒸着またはスパツタ等により形成し、続いて第
１の蛍光体層４（ａ）上に第４の誘電体層８を形成する
（第１図（ｂ））。つぎにレジスタ層10を有機容剤、リ
ムバー溶液、プラズマ灰化等により除去する（リフト・
オフ）。
同様に第２の蛍光体層４（ｂ）と第４′の誘電体層８′
を、第３の蛍光体層４（ｃ）と第４″の誘電体層８″を
第３の誘電体層７中に埋め込む。続いてこのうえに第２
の誘電体層５を形成し、第２の誘電体層５上に背面電極
６を形成する（第１図（ｃ））。したがって第３の誘電
体層７に蛍光体層４（ａ）、４（ｂ）および４（ｃ）が
埋設された状態となる。
を、第３の蛍光体層４（ｃ）と第４″の誘電体層８″を
第３の誘電体層７中に埋め込む。続いてこのうえに第２
の誘電体層５を形成し、第２の誘電体層５上に背面電極
６を形成する（第１図（ｃ））。したがって第３の誘電
体層７に蛍光体層４（ａ）、４（ｂ）および４（ｃ）が
埋設された状態となる。
（発明の効果） 以上説明した如くこの発明によれば、蛍光体層を所望の
パターンに形成し、その上に第４の誘電体層を形成する
ため、例えばポジ型レジスト（Az系、OFPR系）の現像後
の水洗、リムバー容液、有機容剤によるリフト・オフエ
程後の水洗等が蛍光体層へ影響を与えることはなく、蛍
光体層の膜の剥離、劣化等は完全に防ぐことができる。
また側面は第３の誘電体で、上面は第４の誘電体で完全
に保護される。
パターンに形成し、その上に第４の誘電体層を形成する
ため、例えばポジ型レジスト（Az系、OFPR系）の現像後
の水洗、リムバー容液、有機容剤によるリフト・オフエ
程後の水洗等が蛍光体層へ影響を与えることはなく、蛍
光体層の膜の剥離、劣化等は完全に防ぐことができる。
また側面は第３の誘電体で、上面は第４の誘電体で完全
に保護される。
したがって、薄膜EL素子製造の際における蛍光体層への
水の影響を完全阻止することができるため、歩留りの向
上が計れ、コストが低減できる。
水の影響を完全阻止することができるため、歩留りの向
上が計れ、コストが低減できる。
第１図はこの発明に係る薄膜EL素子を示す断面図であ
り、第１図（ａ）は第３の誘電体層エッチングのレジス
トパターン形成までの状態を、第１図（ｂ）は第１の蛍
光体層を形成し、第４の誘電体形成までの状態を、第１
図（ｃ）は背面電極形成までの状態を示す断面図。 第２図は従来例の薄膜EL素子を示す断面図であり、第２
図（ａ）は第１の蛍光体層をエッチングするためのレジ
ストパターン形成までの状態を、第２図（ｂ）は第２の
蛍光体層を形成までの状態を、第２図（ｃ）は背面電極
形成までの状態を示す断面図。 １……基板、２……透明電極、３……第１の誘電体層、
４（ａ）,4（ｂ）および４（ｃ）……第１、第２および
第３の蛍光体層、５……第２の誘電体層、６……背面電
極、７……第３の誘電体、８、８′および８″……第４
の誘電体、10……レジスト。
り、第１図（ａ）は第３の誘電体層エッチングのレジス
トパターン形成までの状態を、第１図（ｂ）は第１の蛍
光体層を形成し、第４の誘電体形成までの状態を、第１
図（ｃ）は背面電極形成までの状態を示す断面図。 第２図は従来例の薄膜EL素子を示す断面図であり、第２
図（ａ）は第１の蛍光体層をエッチングするためのレジ
ストパターン形成までの状態を、第２図（ｂ）は第２の
蛍光体層を形成までの状態を、第２図（ｃ）は背面電極
形成までの状態を示す断面図。 １……基板、２……透明電極、３……第１の誘電体層、
４（ａ）,4（ｂ）および４（ｃ）……第１、第２および
第３の蛍光体層、５……第２の誘電体層、６……背面電
極、７……第３の誘電体、８、８′および８″……第４
の誘電体、10……レジスト。
Claims (2)
- 【請求項１】複数の発光色の異なる蛍光体層を第１の誘
電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ第１およ
び第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透明電導体
からなる電極であるマルチカラー薄膜EL素子において、 第１の誘電体層上の平面内に所望のパターンに配置され
た複数の蛍光体層を第３の誘電体層の埋設してなること
を特徴とする薄膜EL素子。 - 【請求項２】複数の発光色の異なる蛍光体層を第１の誘
電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ第１およ
び第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透明電導体
からなる電極であるマルチカラー薄膜EL素子の製造方法
において、 第１の誘電体層の上に第３の誘電体層を形成し、第３の
誘電体層上にレジストパターンを形成した後第３の誘電
体層を垂直にエッチングし、続いて表面に蛍光体層を形
成したうえ、蛍光体層上に第４の誘電体層を形成し、つ
いでレジスト層を除去することを特徴とする薄膜EL素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277370A JPH0675433B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277370A JPH0675433B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126591A JPH02126591A (ja) | 1990-05-15 |
| JPH0675433B2 true JPH0675433B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=17582578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63277370A Expired - Lifetime JPH0675433B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675433B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2773243B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1998-07-09 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| JP3586939B2 (ja) * | 1994-12-22 | 2004-11-10 | 株式会社デンソー | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63277370A patent/JPH0675433B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02126591A (ja) | 1990-05-15 |
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