JPH067608B2 - Semiconductor laser light output adjustment device - Google Patents
Semiconductor laser light output adjustment deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体レーザ素子を駆動させる駆動回路など
において、半導体レーザ素子の光出力を調整する装置に
関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an apparatus for adjusting the optical output of a semiconductor laser element in a drive circuit for driving the semiconductor laser element.
(従来技術) 従来から、たとえば、ビデオディスクやレーザプリンタ
等に用いられている半導体レーザ素子を駆動させる回路
は、一般に例えば特開昭57−92884号公報に示さ
れるようなものがある。この駆動回路において、レーザ
ダイオードからのレーザ光はフォトダイオードに与えら
れ、そのフォトダイオードの出力は抵抗を介して演算増
幅器の反転入力に与えられる。そして、前記演算増幅器
は、その非反転入力端子に抵抗を介して接続されている
非反転入力側の可変抵抗の調整で設定される基準電圧
と、その反転入力端子に抵抗を介して接続されている反
転入力側の可変抵抗の調整で設定される前記フォトダイ
オードの出力電圧とを比較増幅している。(Prior Art) Conventionally, for example, a circuit for driving a semiconductor laser element used in a video disk, a laser printer, etc. is generally disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 57-92884. In this drive circuit, the laser light from the laser diode is given to the photodiode, and the output of the photodiode is given to the inverting input of the operational amplifier via the resistor. The operational amplifier has a reference voltage set by adjusting a variable resistance on the non-inverting input side connected to the non-inverting input terminal via a resistor and a reference voltage connected to the inverting input terminal via the resistor. The output voltage of the photodiode, which is set by adjusting the variable resistance on the inverting input side, is compared and amplified.
ところで、前記反転入力側の可変抵抗は、演算増幅器の
反転入力端子に与えられるフォトダイオードからの出力
電圧を調整している。すなわち、レーザダイオードは動
作特性により光出力が異なり、それによってフォトダイ
オードを流れる電流が変化し、演算増幅器の反転入力端
子に与えられる電圧も変化する。したがって、前記反転
入力側の可変抵抗でもって、演算増幅器の反転入力端子
に与えられる電圧が所定レベルに調整され、また、前記
非反転入力側の可変抵抗でもって、演算増幅器の増幅度
を決定する基準電圧が調整され、かかる演算増幅器の出
力によりレーザダイオードの光出力が決定されている。By the way, the variable resistor on the inverting input side adjusts the output voltage from the photodiode applied to the inverting input terminal of the operational amplifier. That is, the laser diode has a different optical output depending on the operating characteristics, which changes the current flowing through the photodiode and changes the voltage applied to the inverting input terminal of the operational amplifier. Therefore, the voltage applied to the inverting input terminal of the operational amplifier is adjusted to a predetermined level by the variable resistor on the inverting input side, and the amplification degree of the operational amplifier is determined by the variable resistor on the non-inverting input side. The reference voltage is adjusted, and the output of the operational amplifier determines the optical output of the laser diode.
このように従来回路では、1個の演算増幅器に対して2
個の可変抵抗により、レーザダイオードの光出力を調整
している。したがって、レーザダイオードの特性のばら
つきがあった場合、前記反転入力側の可変抵抗を調整
し、それに伴って演算増幅器の動作特性も変わるので前
記非反転入力側の可変抵抗も調整しなければならないと
いった問題を有している。さらには、1個の演算増幅器
で比較増幅しているので、その増幅率を大きくすれば回
路の異常発振動作等が発生するので、可変抵抗による出
力電圧の調整範囲が狭くなり、光出力調整の作業が困難
であるという問題を有していた。As described above, in the conventional circuit, two circuits are provided for one operational amplifier.
The optical output of the laser diode is adjusted by the individual variable resistors. Therefore, when there are variations in the characteristics of the laser diode, the variable resistance on the inverting input side is adjusted, and the operating characteristics of the operational amplifier are changed accordingly, so that the variable resistance on the non-inverting input side must also be adjusted. I have a problem. Further, since one operational amplifier is used for comparison and amplification, if the amplification factor is increased, abnormal oscillation operation of the circuit or the like occurs, so that the adjustment range of the output voltage by the variable resistor is narrowed and the optical output adjustment is performed. There was a problem that the work was difficult.
(発明の目的) 本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、半
導体レーザ素子の動作特性のばらつきがあっても、半導
体レーザ素子の光出力を簡単に調整することができる半
導体レーザ光出力調整装置を提供することを目的とす
る。(Object of the Invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and a semiconductor laser capable of easily adjusting the optical output of the semiconductor laser element even if the operating characteristics of the semiconductor laser element vary. An object is to provide a light output adjusting device.
(発明の構成) 本発明は、半導体レーザ素子からのレーザ光を受光する
受光素子に流れる電流の大きさに対応した第1出力電圧
と、所定の第1基準電圧とを比較増幅し、第2出力電圧
を導出する第1増幅回路と、上記第1増幅回路の増幅度
を可変させ、上記半導体レーザ素子特性のばらつきによ
り生じる上記第2出力電圧の変化を所定レベルに調整す
る第1可変抵抗と、上記第2出力電圧と所定の第2の基
準電圧とを比較増幅し、上記半導体レーザ素子からの光
出力を決定するレーザ光出力電圧を導出する第2増幅回
路と、上記第2増幅回路の増幅度を可変させ、上記半導
体レーザ素子の光出力を調整する第2可変抵抗とを有す
るものである。(Structure of the Invention) The present invention compares and amplifies a first output voltage corresponding to the magnitude of a current flowing through a light receiving element that receives laser light from a semiconductor laser element and a predetermined first reference voltage, A first amplifier circuit for deriving an output voltage, and a first variable resistor for varying the amplification factor of the first amplifier circuit to adjust a change in the second output voltage caused by variations in the characteristics of the semiconductor laser device to a predetermined level. A second amplifier circuit for comparing and amplifying the second output voltage and a predetermined second reference voltage to derive a laser light output voltage for determining the light output from the semiconductor laser device; It has a second variable resistor for varying the amplification degree and adjusting the optical output of the semiconductor laser device.
この構成により、半導体レーザ素子特性のばらつきによ
るその光出力の変動は第1可変抵抗で調整することがで
き、半導体レーザ素子の光出力は第2可変抵抗で調整す
ることができる。With this configuration, the fluctuation of the optical output due to the variation in the characteristics of the semiconductor laser device can be adjusted by the first variable resistor, and the optical output of the semiconductor laser device can be adjusted by the second variable resistor.
(実施例) 第1図は、本発明の一実施例による半導体レーザ光出力
調整装置の全体構成を示すブロック図である。第1図に
おいて、半導体レーザ素子であるレーザダイオードLD
は、トランジスタTRの能動状態において変調回路Aか
らの変調信号に応答して、レーザ光を受光素子であるフ
ォトダイオードPDに与える。増幅回路Bは、後述する
ような増幅動作を行なって、抵抗R1間の電圧を所定レ
ベルに増幅する。サンプルホールド回路Cは、サンプリ
ング信号発生回路Fからのサンプリング信号に応答して
増幅回路Bからの出力をサンプルホールドする。比較増
幅器Dは、所定の基準電圧とサンプルホールド回路Cか
らの出力とのレベル比較を行ない、増幅する。演算増幅
器Gは、比較増幅器Dからの出力を増幅し、トランジス
タTRを能動化させ、レーザダイオードLDを駆動す
る。(Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of a semiconductor laser light output adjusting apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a laser diode LD which is a semiconductor laser device
Responds to the modulation signal from the modulation circuit A in the active state of the transistor TR, and supplies the laser light to the photodiode PD which is a light receiving element. The amplifier circuit B performs an amplifying operation as described later to amplify the voltage across the resistor R1 to a predetermined level. The sample hold circuit C samples and holds the output from the amplifier circuit B in response to the sampling signal from the sampling signal generating circuit F. The comparison amplifier D compares the level of a predetermined reference voltage with the output from the sample hold circuit C and amplifies the level. The operational amplifier G amplifies the output from the comparison amplifier D, activates the transistor TR, and drives the laser diode LD.
第2図は、本発明の特徴である第1図で示す増幅回路B
の電気回路図である。2 is an amplifier circuit B shown in FIG. 1 which is a feature of the present invention.
It is an electric circuit diagram of.
第2図において、レーザダイオードLDは、前述したよ
うな動作によりレーザ光を出力する。フォトダイオード
PDは、レーザダイオードLDからのレーザ光を受光
し、抵抗R1にモニタ電流I1を流す。したがって、フ
ォトダイオードPDのアノードと抵抗R1の接続点に
は、抵抗R1の抵抗値とモニタ電流I1とにより決定さ
れる第1出力電圧V1が発生し、その第1出力電圧V1
は第1増幅回路である第1演算増幅器1の非反転入力端
子に与えられる。第1演算増幅器1の反転入力端子に
は、第1可変抵抗VR1と抵抗R2とにより設定される
第1基準電圧E1が与えられている。第1可変抵抗VR
1は、レーザダイオードLDの動作特性のばらつきで、
モニタ電流I1が変化しても、第1演算増幅器1の出力
である第2出力電圧V2が予め定めたレベルになるよう
に第1基準電圧E1を調整するためのものである。した
がって、第1演算増幅器1は、第1可変抵抗VR1の調
整により設定された第1基準電圧E1と、非反転入力端
子に与えられる第1出力電圧V1とをレベル比較し増幅
して第2出力電圧V2を導出する。In FIG. 2, the laser diode LD outputs laser light by the operation as described above. The photodiode PD receives the laser light from the laser diode LD and causes the monitor current I1 to flow through the resistor R1. Therefore, a first output voltage V1 determined by the resistance value of the resistor R1 and the monitor current I1 is generated at the connection point between the anode of the photodiode PD and the resistor R1, and the first output voltage V1 is generated.
Is applied to the non-inverting input terminal of the first operational amplifier 1 which is the first amplifier circuit. The inverting input terminal of the first operational amplifier 1 is supplied with the first reference voltage E1 set by the first variable resistor VR1 and the resistor R2. First variable resistor VR
1 is the variation of the operating characteristics of the laser diode LD,
This is for adjusting the first reference voltage E1 so that the second output voltage V2, which is the output of the first operational amplifier 1, becomes a predetermined level even if the monitor current I1 changes. Therefore, the first operational amplifier 1 compares the level of the first reference voltage E1 set by adjusting the first variable resistor VR1 with the first output voltage V1 applied to the non-inverting input terminal, amplifies the level, and outputs the second output. The voltage V2 is derived.
第2増幅回路である第2演算増幅器2は、その非反転入
力端子に与えられた第2出力電圧V2と、第2可変抵抗
VR2と抵抗R3とにより設定される第2基準電圧E2
とをレベル比較し増幅して、レーザダイオードLDから
のレーザ光に応答したレーザ光出力電圧V3を導出す
る。第2演算増幅器2の出力端子とその反転入力端子と
に接続されている第2可変抵抗VR2は、その反転入力
端子に与えられる第2基準電圧E2のレベルを調整する
ことにより、第2演算増幅器2の増幅度を変化させ、そ
の出力端子から導出されるレーザ光出力電圧V3のレベ
ルを調整するものである。The second operational amplifier 2, which is the second amplifier circuit, has a second output voltage V2 applied to its non-inverting input terminal and a second reference voltage E2 set by a second variable resistor VR2 and a resistor R3.
Are compared in level and amplified to derive a laser light output voltage V3 in response to the laser light from the laser diode LD. The second variable resistor VR2 connected to the output terminal of the second operational amplifier 2 and its inverting input terminal adjusts the level of the second reference voltage E2 applied to its inverting input terminal, thereby providing the second operational amplifier. The level of the laser light output voltage V3 derived from the output terminal is adjusted by changing the amplification degree of No.2.
ここで、増幅回路Bの増幅動作を関係式を用いて説明す
る。Here, the amplification operation of the amplification circuit B will be described using a relational expression.
第1演算増幅器1において、その非反転入力端子に与え
られる電圧をV1、その出力端子に与えられる電圧をV
2、抵抗R2の抵抗値をr2、第1可変抵抗VR1の抵
抗値をVr1とすると、 V1=r2/(r2+Vr1)・V2…(1) となる。In the first operational amplifier 1, the voltage applied to its non-inverting input terminal is V1, and the voltage applied to its output terminal is V1.
2. If the resistance value of the resistor R2 is r2 and the resistance value of the first variable resistor VR1 is Vr1, then V1 = r2 / (r2 + Vr1) .V2 ... (1)
第2演算増幅器2において、その非反転入力端子に与え
られる電圧をV2、その出力端子に導出する電圧をV
3、抵抗R3の抵抗値をr3、第2可変抵抗VR2の抵
抗値をVr2とすると、 V2=r3/(r3+Vr2)・V3…(2) となる。In the second operational amplifier 2, the voltage applied to its non-inverting input terminal is V2, and the voltage derived at its output terminal is V2.
3, the resistance value of the resistor R3 is r3, and the resistance value of the second variable resistor VR2 is Vr2, V2 = r3 / (r3 + Vr2) · V3 ... (2)
また、第1式の電圧V1は、次の第3式により求められ
る。Further, the voltage V1 of the first expression is obtained by the following third expression.
V1=r1・I1 …(3) ただし、r1は抵抗R1の抵抗値であり、I1は抵抗R
1を流れる電流である。V1 = r1 · I1 (3) where r1 is the resistance value of the resistor R1 and I1 is the resistance R
It is a current flowing through 1.
或るレーザダイオードLDの光出力がP0で、その時フ
ォトダイオードPDおよび抵抗R1を流れるモニター電
流がI0とすると、 P0=αI0 …(4) ただし、αはレーザダイオードLDの動作特性により定
まる比例定数である。If the optical output of a certain laser diode LD is P0 and the monitor current flowing through the photodiode PD and the resistor R1 at that time is I0, P0 = αI0 (4) where α is a proportional constant determined by the operating characteristics of the laser diode LD. is there.
したがって、任意のレーザダイオードLDの光出力は、
前記第1式〜第4式より、 P=αI1 =P0/I0・V1/r1 =P0/I0・V3/r1・r2/(r2 +Vr1)・r3/(r3+Vr2)…(5) となる。この第5式において、P0/I0・V3/r1
・r2/(r2+Vr1)は、レーザダイオードLDの
動作特性のばらつきによるモニタ電流I0を第1可変抵
抗VR1で調整されるもので、r3/(r3+Vr2)
は、レーザダイオードLDの光出力を第2可変抵抗VR
2により調整されるものである。Therefore, the optical output of any laser diode LD is
From the first to fourth equations, P = αI1 = P0 / I0.V1 / r1 = P0 / I0.V3 / r1.r2 / (r2 + Vr1) .r3 / (r3 + Vr2) (5). In this fifth formula, P0 / I0 · V3 / r1
R2 / (r2 + Vr1) is a value that the monitor current I0 due to the variation in the operating characteristics of the laser diode LD is adjusted by the first variable resistor VR1, and r3 / (r3 + Vr2)
Is the optical output of the laser diode LD to the second variable resistor VR.
It is adjusted by 2.
次に、具体的なレーザダイオードLDの光出力調整操作
について説明する。Next, a specific light output adjusting operation of the laser diode LD will be described.
たとえば、レーザダイオードLDの最大光出力を5mW
とし、抵抗R1,R2,R3の抵抗値を1KΩ、第1可
変抵抗VR1,VR2の抵抗値を30KΩとする。ま
た、第2演算増幅器2の出力電圧V3を第1図に示す比
較増幅器Dに与えられる基準電圧とほぼ等しくなるよう
に3Vと設定する。また、或るレーザダイオードLDの
光出力、すなわち第4式で示したP0を3mWとする。For example, the maximum light output of the laser diode LD is 5 mW
And the resistance values of the resistors R1, R2 and R3 are 1 KΩ and the resistance values of the first variable resistors VR1 and VR2 are 30 KΩ. Further, the output voltage V3 of the second operational amplifier 2 is set to 3V so as to be substantially equal to the reference voltage applied to the comparison amplifier D shown in FIG. Further, the optical output of a certain laser diode LD, that is, P0 shown in the fourth equation is set to 3 mW.
したがって、任意のレーザダイオードLDの駆動状態に
おける光出力は、第5式により P=3/I0・3/1・1/(1+Vr1)・1/(1+Vr2) …(6) たとえば、レーザダイオードLDの使用最大出力を4m
Wに設定する場合、第6式の右辺の第1項〜第3項の値
が数値4であればよい。すなわち、 9/I0(1+Vr1)=4 …(7) となる。この第7式の関係により、レーザダイオードL
Dの動作特性のばらつきによってモニタ電流I0が変化
しても第1可変抵抗VR1の抵抗値Vr1を調整するこ
とでレーザダイオードLDの最大出力を一定に保つこと
ができる。たとえば、I0=0.1,0.3,1.0の
ときVr1=21.5,6.5,1.25となるように
第1可変抵抗VR1を調整すればよい。また、このよう
に第1可変抵抗VR1が調整されるとき、レーザダイオ
ードLDの光出力は第2可変抵抗VR2でたとえば4m
Wから0.13mWまで調整することができる。Therefore, the optical output in the drive state of an arbitrary laser diode LD is P = 3 / I0 · 3/1 · 1 / (1 + Vr1) · 1 / (1 + Vr2) (6) Use maximum output 4m
When set to W, the values of the first term to the third term on the right side of the sixth expression may be the numerical value 4. That is, 9 / I0 (1 + Vr1) = 4 (7) Due to the relationship of the seventh equation, the laser diode L
Even if the monitor current I0 changes due to variations in the operating characteristics of D, the maximum output of the laser diode LD can be kept constant by adjusting the resistance value Vr1 of the first variable resistor VR1. For example, the first variable resistor VR1 may be adjusted so that Vr1 = 21.5, 6.5, 1.25 when I0 = 0.1, 0.3, 1.0. When the first variable resistor VR1 is adjusted in this way, the optical output of the laser diode LD is, for example, 4 m at the second variable resistor VR2.
It can be adjusted from W to 0.13 mW.
以上述べたように、第1可変抵抗VR1でレーザダイオ
ードLDの動作特性のばらつきによるレーザダイオード
LDの光出力の変動を調整することができ、第2可変抵
抗VR2でレーザダイオードLDの光出力を調整するこ
とができる。As described above, the variation of the optical output of the laser diode LD due to the variation of the operating characteristics of the laser diode LD can be adjusted by the first variable resistor VR1, and the optical output of the laser diode LD is adjusted by the second variable resistor VR2. can do.
なお、第1演算増幅器1および第2演算増幅器2の動作
に必要な抵抗R2,第1可変抵抗VR1および抵抗R
3、第2可変抵抗VR2の接続は上記実施例構成に限ら
れず、同様な動作を行なう種々の接続構成が適用でき
る。The resistor R2, the first variable resistor VR1 and the resistor R2 necessary for the operation of the first operational amplifier 1 and the second operational amplifier 2
3. The connection of the second variable resistor VR2 is not limited to the configuration of the above-described embodiment, and various connection configurations performing similar operations can be applied.
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、半導体レーザ素子からの
レーザ光を受光する受光素子に流れる電流の大きさに対
応した第1出力電圧と、所定の第1基準電圧とを比較増
幅し第2出力電圧を導出する第1増幅回路の増幅度を可
変させる第1可変抵抗で、上記半導体レーザ素子特性の
ばらつきにより生じる上記第2出力電圧の変化を所定レ
ベルに調整することができ、上記第2出力電圧と所定の
第2基準電圧とを比較増幅し、上記半導体レーザ素子か
らの光出力を決定するレーザ光出力電圧を導出する第2
増幅回路の増幅度を可変させる第2可変抵抗で上記半導
体レーザ素子の光出力を調整することができる。(Effect of the Invention) As described above, according to the present invention, the first output voltage corresponding to the magnitude of the current flowing in the light receiving element that receives the laser beam from the semiconductor laser element and the predetermined first reference voltage are set. The first variable resistor for varying the amplification degree of the first amplifier circuit that performs comparative amplification to derive the second output voltage can adjust the change in the second output voltage caused by the variation in the characteristics of the semiconductor laser device to a predetermined level. A second laser light output voltage that determines the light output from the semiconductor laser device by comparing and amplifying the second output voltage and a predetermined second reference voltage.
The optical output of the semiconductor laser device can be adjusted by the second variable resistor that changes the amplification degree of the amplifier circuit.
したがって、半導体レーザ素子特性のばらつきの調整
と、半導体レーザ素子の光出力の調整とを分担して行な
うことができるので、使用時や製造時の調整作業が簡単
になる。また、同じ使用規格の半導体レーザ素子に限ら
ず、他の使用規格の半導体レーザ素子であっても、前述
したような調整を行なえば同様に使用することができる
ので、半導体レーザ素子の使用範囲が広くなる。Therefore, the adjustment of the variation in the characteristics of the semiconductor laser device and the adjustment of the optical output of the semiconductor laser device can be shared, and the adjustment work at the time of use or manufacturing can be simplified. Further, not only the semiconductor laser element of the same usage standard, but also the semiconductor laser element of other usage standards can be used similarly if the adjustment as described above is performed, so that the usage range of the semiconductor laser element is Get wider
また、半導体レーザ素子の光出力を、第1増幅回路と第
2増幅回路との2段で増幅し、第1可変抵抗と第2可変
抵抗とでそれぞれ増幅度調整を行なっているので、第
1、第2増幅回路の各増幅度が低い範囲で動作させるこ
とができ、異常発振動作が生じにくくなり、回路動作が
安定する。Further, the optical output of the semiconductor laser device is amplified in two stages of the first amplifier circuit and the second amplifier circuit, and the amplification degree is adjusted by the first variable resistor and the second variable resistor, respectively. The second amplification circuit can be operated in a range in which each amplification degree is low, an abnormal oscillation is less likely to occur, and the circuit operation is stable.
第1図は本発明の一実施例による半導体レーザ光出力調
整装置の全体構成を示すブロック図、第2図は第1図に
示す増幅回路Bの電気回路図である。 1…第1演算増幅器、2…第2演算増幅器、LD…レー
ザダイオード、PD…フォトダイオード、VR1…第1
可変抵抗、VR2…第2可変抵抗。FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of a semiconductor laser light output adjusting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an electric circuit diagram of an amplifier circuit B shown in FIG. 1 ... 1st operational amplifier, 2 ... 2nd operational amplifier, LD ... Laser diode, PD ... Photodiode, VR1 ... 1st
Variable resistance, VR2 ... Second variable resistance.
Claims (1)
る受光素子に流れる電流の大きさに対応した第1出力電
圧と、所定の第1の基準電圧とを比較増幅し、第2出力
電圧を導出する第1増幅回路と、上記第1増幅回路の増
幅度を可変させ、上記半導体レーザ素子特性のばらつき
により生じる上記第2出力電圧の変化を所定レベルに調
整する第1可変抵抗と、上記第2出力電圧と所定の第2
の基準電圧とを比較増幅し、上記半導体レーザ素子から
の光出力を決定するレーザ光出力電圧を導出する第2増
幅回路と、上記第2増幅回路の増幅度を可変させ、上記
半導体レーザ素子の光出力を調整する第2可変抵抗とを
有することを特徴とする半導体レーザ光出力調整装置。1. A second output voltage is obtained by comparing and amplifying a first output voltage corresponding to the magnitude of a current flowing through a light receiving element for receiving a laser beam from a semiconductor laser element and a predetermined first reference voltage. A first amplifier circuit to be derived, a first variable resistor for varying the amplification factor of the first amplifier circuit, and adjusting a change in the second output voltage caused by variations in the characteristics of the semiconductor laser device to a predetermined level; 2 output voltage and predetermined second
Of the semiconductor laser device by varying the amplification degree of the second amplifier circuit for comparing and amplifying the laser light output voltage for determining the light output from the semiconductor laser device, A semiconductor laser light output adjusting device comprising: a second variable resistor for adjusting a light output.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159696A JPH067608B2 (en) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | Semiconductor laser light output adjustment device |
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|---|---|---|---|
| JP60159696A JPH067608B2 (en) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | Semiconductor laser light output adjustment device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220385A JPS6220385A (en) | 1987-01-28 |
| JPH067608B2 true JPH067608B2 (en) | 1994-01-26 |
Family
ID=15699316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60159696A Expired - Lifetime JPH067608B2 (en) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | Semiconductor laser light output adjustment device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067608B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246027A (en) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser driving circuit |
| CN117895325B (en) * | 2024-01-05 | 2025-02-07 | 瀚湄信息科技(上海)有限公司 | A constant power driving circuit for semiconductor laser |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP60159696A patent/JPH067608B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6220385A (en) | 1987-01-28 |
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