JPH067631B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光情報処理用光源等に用いることができる半導
体レーザ装置に関するものである。

従来の技術 近年、半導体レーザ装置は小型でかつ効率が高く、駆動
電流による変調が可能であるなどの多くの優れた特徴を
有しているため、光通信や光情報処理用の光源として利
用されている。

以下、図面を参照しながら、上述したような従来の半導
体レーザ装置について説明する。

第３図は従来の半導体レーザ装置の構成の正面図を示す
ものである。第３図において、１は実際にレーザ光を発
する半導体レーザチップである。２はシリコンサブマウ
ントで、半導体レーザチップ１の固定と放熱の役割をす
る。３は半導体レーザ装置の台の役割をするステムであ
り、４はモニタ電流を発生するＰＩＮフォトダイオード
である。５はモニタ電流を外部に導くＰＩＮフォトダイ
オード電極で、６は半導体レーザチップ１に電流を供給
する半導体レーザ電極である。

以上のように構成された半導体レーザ装置について、以
下その動作を説明する。

シリコンサブマウント２はステム３に設けられた平面上
にボンディングされており、半導体レーザチップ１とス
テム３のボンディングの仲介をしている。シリコンサブ
マウント２には、半導体レーザチップ１とステム３の熱
膨張係数の違いを緩和する働きと、組立工程を合理化す
る働きがある。シリコンサブマウント２は、ステム３の
平面のほぼ中央にボンディングされており、半導体レー
ザチップ１はシリコンサブマウント２のほぼ中央にボン
ディングされている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、半導体レーザチ
ップ１をステム３の中央に位置させるための目印が存在
せず、光軸の角度合せも半導体レーザチップ１とシリコ
ンサブマウント２の前面のみを合せる方法でしか行なえ
ない。従って、光軸が不正確になるという問題点を有し
ていた。また、シリコンサブマウント２は、熱伝導度が
あまり大きくなく、熱抵抗が大きくなり、熱抵抗を減ら
すためにシリコンサブマウント２を薄くすると、組立作
業性が低下するという問題点を有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、光軸を正確に合せることが
でき、かつ熱抵抗を減少させることのできる半導体レー
ザ装置を提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置は、シリコンサブマウントの厚みよりも低い段差を有
する銅ステムにシリコンサブマウントが段差側面に接し
てボンディングされ、シリコンサブマウントの銅ステム
の段差側の手前の角の部分に半導体レーザチップがボン
ディングされて構成されている。

作 用 この構成によって、半導体レーザチップは、銅ステム上
の決った位置に正確に角度ずれも少なくボンディングす
ることができると同時に、半導体レーザチップと銅ステ
ムがシリコンサブマウントの厚みに依存することなく、
至近距離に位置するので、熱抵抗を小さく押えることが
できる。

実 施 例 第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例の正面
図、第２図はその斜視図で、共にパッケージを除いてあ
る。これらの図において、３は、用いるシリコンサブマ
ウント２の厚みよりやや低い段差を、そのボンディング
ステージ上に有する銅ステムである。シリコンサブマウ
ント２上の手前の角に側面を合わせて半導体レーザチッ
プ１をボンディングし、このシリコンサブマウント２を
銅ステムの前面および段差側の側面を合せる様にボンデ
ィングしたものである。この銅ステム３は、上記の様に
半導体レーザチップ１がボンディングされたシリコンサ
ブマウント２を、銅ステム３にボンディングする際、半
導体レーザチップ１の発光部が、銅ステム３の中央に自
動的に位置する様にその寸法を設計してある。

なお、上述の実施例では、段差として、正面から見た場
合、左側を低くしてあるが、工程の都合で右側を低くし
ても何らの不都合も生じない。

発明の効果 以上の様に本発明は、シリコンサブマウントの角の部分
に半導体レーザチップをボンディングすることによって
２面を合せてボンディングすることが可能となり、シリ
コンサブマウントと半導体レーザチップが正確に同一方
向を向くため光軸のずれが生じにくく、位置決めも容易
で正確である。さらにこのシリコンサブマウントを、段
差を有する銅ステムにボンディングすることにより、光
軸を自動的に合わせることができるとともに、サブマウ
ントの厚みが大きい場合でも、半導体レーザチップと銅
ステムが接近するため、熱抵抗を下げることが可能とな
る。さらに製造上、この本発明を採用するための変更点
は、ほとんど銅ステムの形状を変更することのみである
ため、大なる工業的効果が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例の正面
図、第２図はその斜視図、第３図は従来の半導体レーザ
装置の正面図である。 １……半導体レーザチップ、２……シリコンサブマウン
ト、３……銅ステム、４……ＰＩＮフォトダイオード、
５……ＰＩＮフォトダイオード電極、６……半導体レー
ザ電極、７……金ワイヤー。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体レーザチップがシリコンサブマウン
   ト上の角に、前記半導体レーザチップの出射面および一
   側面がそれぞれ前記シリコンサブマウントの二側面と同
   一面となるようにボンディングされていることを特徴と
   する半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】シリコンサブマウントがシリコンサブマウ
   ントの厚みと同じか、あるいはそれよりも低い段差を有
   するステムの低い方の面上に段差側面に接してボンディ
   ングされていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の半導体レーザ装置。