JPH067678B2 - Balanced modulation circuit with clamp - Google Patents
Balanced modulation circuit with clampInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、前段にクランプ回路を付加したクランプ付き
平衡変調回路に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a balanced modulation circuit with a clamp, in which a clamp circuit is added to the front stage.
(従来の技術) 搬送波抑圧変調を行なう平衡変調回路として、例えばカ
ラーエンコーダ(符号化回路)は、R-Y信号およびB-Y信
号からなるクロマ信号(chroma signal)を周波数3.58M
Hzのサブキャリヤ(色搬送波)で変調し、得られた被変
調波出力信号をコンポジット信号(複合信号)の一部と
する回路である。このような平衡変調回路においては、
与えられるクロマ信号と該変調回路の入力直流バイアス
点が異なるため、通常、クロマ信号を変調回路に接続す
るには、コンデンサ結合が行なわれる。この際、クロマ
信号自体に直流成分を含むため、結合コンデンサは大容
量のものが使用される。ところが、大容量の結合コンデ
ンサを用いると、直流平均値(APL)に相当する直流成
分のため、変調回路の入力直流バイアス点を移動させる
ことになるため、通常、クランプ回路を前置する手段を
講じるている。(Prior Art) As a balanced modulation circuit for performing carrier wave suppression modulation, for example, a color encoder (encoding circuit) uses a chroma signal composed of a RY signal and a BY signal at a frequency of 3.58M.
It is a circuit that modulates with a subcarrier of Hz (color carrier) and uses the obtained modulated wave output signal as a part of a composite signal (composite signal). In such a balanced modulation circuit,
Since the applied chroma signal is different from the input DC bias point of the modulation circuit, capacitor coupling is usually used to connect the chroma signal to the modulation circuit. At this time, since the chroma signal itself contains a DC component, a large capacity coupling capacitor is used. However, when a large-capacity coupling capacitor is used, the input DC bias point of the modulation circuit is moved due to the DC component corresponding to the DC average value (APL). I am taking it.
従来、このようなクランプ付き平衡変調回路として、例
えば第2図のようなものがあった。以下、その構成を図
を用いて説明する。Conventionally, as such a balanced modulation circuit with a clamp, for example, there is one as shown in FIG. The configuration will be described below with reference to the drawings.
第2図は従来のクランプ付き平衡変調回路の構成を示す
ブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a conventional balanced modulation circuit with a clamp.
第2図において、1はクランプ回路、および2は平衡変
調回路である。クランプ回路1は、クロマ信号等の入力
信号Viが与えられる入力端子3と、クランプパルスVcp
を入力する端子4とを有し、出力端5,6を介して平衡
変調回路2に接続されている。平衡変調回路2は、サブ
キャリヤ等の搬送波Vsを入力する端子7,8と、被変調
波Voを出力する出力端子9とを有している。In FIG. 2, 1 is a clamp circuit, and 2 is a balanced modulation circuit. The clamp circuit 1 includes an input terminal 3 to which an input signal Vi such as a chroma signal is applied and a clamp pulse Vcp.
And a terminal 4 for inputting the input signal, and is connected to the balanced modulation circuit 2 through output terminals 5 and 6. The balanced modulation circuit 2 has terminals 7 and 8 for inputting a carrier wave Vs such as a subcarrier and an output terminal 9 for outputting a modulated wave Vo.
そして、クランプ回路1では入力信号Viをクランプパル
スVcpによりクランプし、その出力を出力端5,6を介
して平衡変調回路2へ送出する。すると平衡変調回路2
では、クランプ回路1の出力信号を変調信号としてその
変調信号を搬送波Vsによって変調し、搬送波成分を除去
した後、被変調波Voを端子9から出力する。Then, in the clamp circuit 1, the input signal Vi is clamped by the clamp pulse Vcp, and its output is sent to the balanced modulation circuit 2 via the output terminals 5 and 6. Then the balanced modulation circuit 2
Then, the output signal of the clamp circuit 1 is used as a modulation signal, the modulation signal is modulated by the carrier wave Vs, the carrier wave component is removed, and the modulated wave Vo is output from the terminal 9.
第3図は、第2図の回路構成例を示すものである。第3
図において、10は電源電圧Vccが印加される電源端子、
および11は接地電位Vgに保持されるアース端子である。
入力端子3には、入力信号発生器12で発生した入力信号
ViがコンデンサC1を介して与えられる。また、端子7,
8には、搬送波発振器13で発生した搬送波Vsが与えられ
る。FIG. 3 shows an example of the circuit configuration of FIG. Third
In the figure, 10 is a power supply terminal to which a power supply voltage Vcc is applied,
Reference numerals 11 and 11 are ground terminals that are held at the ground potential Vg.
The input signal generated by the input signal generator 12 is input to the input terminal 3.
Vi is given through the capacitor C1. In addition, terminal 7,
The carrier wave Vs generated by the carrier wave oscillator 13 is given to 8.
クランプ回路1は、電流ミラー接続線14,15と、電源端
子10に接続された電源線16と、アース端子11に接続され
たアース線17とを有している。入力端子3には、スイッ
チング素子、例えばNPN型スイッチングトランジスタQ1
のコレクタが接続され、このスイッチングトランジスタ
Q1のベースが抵抗R1を介して端子4に、エミッタが基準
電圧Vrを有する基準電圧点18に、それぞれ接続されてい
る。The clamp circuit 1 has current mirror connection lines 14 and 15, a power supply line 16 connected to the power supply terminal 10, and a ground wire 17 connected to the ground terminal 11. The input terminal 3 has a switching element, for example, an NPN type switching transistor Q1.
The collector of this switching transistor is connected
The base of Q1 is connected to the terminal 4 through the resistor R1, and the emitter is connected to the reference voltage point 18 having the reference voltage Vr.
スイッチングトランジスタQ1のコレクタにはPNP型トラ
ンジスタQ2のベースが接続され、このトランジスタQ2の
エミッタが、定電流負荷用トランジスタQ3を介して電源
線16に、コレクタがアース線17に、それぞれ接続されて
いる。ここで、トランジスタQ2は、トランジスタQ3を定
電流負荷とするエミッタホロワ段(エミッタホロワ増幅
回路)を構成している。The collector of the switching transistor Q1 is connected to the base of a PNP type transistor Q2, the emitter of this transistor Q2 is connected to the power supply line 16 via the constant current load transistor Q3, and the collector is connected to the ground line 17 respectively. . Here, the transistor Q2 constitutes an emitter follower stage (emitter follower amplifier circuit) in which the transistor Q3 serves as a constant current load.
一方、スイッチングトランジスタQ1のエミッタが接続さ
れる基準電圧点18には、PNP型トランジスタQ4のベース
が接続されている。さらにトランジスタQ4のエミッタに
は、定電流負荷用トランジスタQ5を介して電源線16が、
コレクタにはアース線17が、それぞれ接続されている。
ここで、トランジスタQ4は、トランジスタQ5を定電流源
負荷とするエミッタホロワ段を構成している。そして、
トランジスタQ5のベースは、前記トランジスタQ3のベー
スと電流ミラー接続線15によって相互に接続され、トラ
ンジスタQ5とトランジスタQ3が電流ミラー回路を構成し
ている。On the other hand, the base of the PNP transistor Q4 is connected to the reference voltage point 18 to which the emitter of the switching transistor Q1 is connected. Further, the power supply line 16 is connected to the emitter of the transistor Q4 via the constant current load transistor Q5.
A ground wire 17 is connected to each collector.
Here, the transistor Q4 constitutes an emitter follower stage in which the transistor Q5 serves as a constant current source load. And
The base of the transistor Q5 is connected to the base of the transistor Q3 by a current mirror connection line 15, and the transistors Q5 and Q3 form a current mirror circuit.
電流ミラー回路を構成するトランジスタQ3の左側には、
トランジスタQ6と定電流負荷用トランジスタQ7の直列回
路が設けられている。トランジスタQ6のコレクタは電源
線16に、エミッタはトランジスタQ7のコレクタに、ベー
スはスイッチングトランジスタQ2のエミッタに、それぞ
れ接続されている。トランジスタQ7のエミッタはアース
線17に、ベースは電流ミラー接続線14に、それぞれ接続
されている。そしてトランジスタQ6は、トランジスタQ7
を定電流源負荷とするエミッタホロワ段を構成し、該ト
ランジスタQ6のエミッタが出力端6に接続される。On the left side of the transistor Q3 that constitutes the current mirror circuit,
A series circuit of a transistor Q6 and a constant current load transistor Q7 is provided. The collector of the transistor Q6 is connected to the power supply line 16, the emitter is connected to the collector of the transistor Q7, and the base is connected to the emitter of the switching transistor Q2. The emitter of the transistor Q7 is connected to the ground line 17, and the base is connected to the current mirror connection line 14. And transistor Q6 is transistor Q7
Constitutes a follower stage having a constant current source load, and the emitter of the transistor Q6 is connected to the output terminal 6.
電流ミラー回路を構成するトランジスタQ5の右側には、
トランジスタQ8と定電流負荷用トランジスタQ9の直列回
路が設けられている。トランジスタQ8のコレクタは電源
線16に、エミッタはトランジスタQ9のコレクタに、ベー
スはトランジスタQ4のエミッタに、それぞれ接続されて
いる。トランジスタQ9のエミッタはアース線17に、ベー
スは電流ミラー接続線14に、それぞれ接続されている。
そしてトランジスタQ8は、トランジスタQ9を定電流源負
荷とするエミッタホロワ段を構成し、該トランジスタQ8
のエミッタが出力端5に接続される。ここで、トランジ
スタQ9は、電流ミラー接続線14を介してトランジスタQ7
と接続され、両者が電流ミラー回路を構成している。On the right side of the transistor Q5 that constitutes the current mirror circuit,
A series circuit of a transistor Q8 and a constant current load transistor Q9 is provided. The collector of the transistor Q8 is connected to the power supply line 16, the emitter is connected to the collector of the transistor Q9, and the base is connected to the emitter of the transistor Q4. The emitter of the transistor Q9 is connected to the ground line 17, and the base thereof is connected to the current mirror connection line 14.
The transistor Q8 constitutes an emitter follower stage using the transistor Q9 as a constant current source load.
Is connected to the output terminal 5. Here, the transistor Q9 is connected to the transistor Q7 via the current mirror connection line 14.
Are connected to each other to form a current mirror circuit.
また、トランジスタ7,9間には、定電流負荷用トラン
ジスタQ10,Q11及び抵抗R2,R3の直列回路からなる基準電
圧源が設けられている。トランジスタQ10のエミッタは
電源線16に、ベースは電流ミラー接続線15に、コレクタ
は自己のベースと抵抗R2の一端に、それぞれ接続されて
いる。抵抗R2の他端は基準電圧点18に接続され、この基
準電圧点18に基準電圧Vrを与える。基準電圧点18には抵
抗R3を介してトランジスタQ11のコレクタが接続され、
このトランジスタQ11のベースが自己のコレクタと電流
ミラー接続線14に、エミッタがアース線17にそれぞれ接
続されている。そして、このトランジスタQ10,Q11及び
抵抗R2,R3で決定される。電流11と等しい電流が、両側
に設けられた各トランジスタQ3,Q5,Q7,Q9のコレクタ電
流となる。Further, a reference voltage source composed of a series circuit of transistors Q10 and Q11 for constant current load and resistors R2 and R3 is provided between the transistors 7 and 9. The transistor Q10 has an emitter connected to the power supply line 16, a base connected to the current mirror connection line 15, and a collector connected to its own base and one end of the resistor R2. The other end of the resistor R2 is connected to the reference voltage point 18, and the reference voltage Vr is applied to this reference voltage point 18. The collector of the transistor Q11 is connected to the reference voltage point 18 via the resistor R3,
The base of the transistor Q11 is connected to its own collector and the current mirror connection line 14, and the emitter thereof is connected to the ground line 17. Then, it is determined by the transistors Q10 and Q11 and the resistors R2 and R3. A current equal to the current 11 becomes the collector current of each of the transistors Q3, Q5, Q7, Q9 provided on both sides.
クランプ回路1の出力側に設けられる平衡変調回路2
は、差動増幅器を構成するトランジスタQ12,Q13と、一
対の定電流負荷用トランジスタQ14,Q15と、スイッチン
グ回路を構成する一対のトランジスタQ16,Q17及びトラ
ンジスタQ18,Q19と、抵抗R4,R5,R6とを備えており、ギ
ルバード回路とも呼ばれている。Balanced modulation circuit 2 provided on the output side of the clamp circuit 1
Are transistors Q12 and Q13 forming a differential amplifier, a pair of constant current load transistors Q14 and Q15, a pair of transistors Q16 and Q17 and transistors Q18 and Q19 forming a switching circuit, and resistors R4, R5 and R6. It is equipped with and is also called the Gilbird circuit.
ここで、差動増幅器を構成する一方のトランジスタQ12
は、そのベースが出力端子5に、コレクタが各トランジ
スタQ16,Q17のエミッタに、エミッタがトランジスタQ14
のコレクタに、それぞれ接続されている。他方のトラン
ジスタQ13は、そのベース素子が出力端6に、コレクタ
が各トランジスタQ18,Q19のエミッタに、エミッタがト
ランジスタQ15のコレクタに、それぞれ接続されてい
る。さらに各トランジスタQ12,Q13のエミッタは、抵抗R
4を介して相互に接続されている。Here, one transistor Q12 that constitutes the differential amplifier
Has its base at the output terminal 5, its collector at the emitter of each transistor Q16, Q17, and its emitter at the transistor Q14.
Connected to each collector. The other transistor Q13 has its base element connected to the output terminal 6, its collector connected to the emitters of the transistors Q18 and Q19, and its emitter connected to the collector of the transistor Q15. Furthermore, the emitter of each transistor Q12, Q13 is
Connected to each other through 4.
各定電流負荷用トランジスタQ14,Q15のエミッタは、電
源線17に、ベースは電流ミラー接続線14に、それぞれ接
続されている。そしてクランプ回路1中の電流I1と等し
い電流が、各トランジスタQ14,Q15のコレクタに流れ
る。The emitters of the constant current load transistors Q14 and Q15 are connected to the power supply line 17, and the bases thereof are connected to the current mirror connection line 14. Then, a current equal to the current I1 in the clamp circuit 1 flows through the collectors of the transistors Q14 and Q15.
スイッチング回路を構成する一方のトランジスタQ16,Q1
7のうち、トランジスタQ16のベースは端子7に、コレク
タは抵抗R5を介して電源線16に、それぞれ接続され、ま
た、トランジスタQ17のベースは端子8に、コレクタは
抵抗R6を介して電源線16に、それぞれ接続されている。
他方のトランジスタQ18,Q19のうち、トランジスタQ18の
ベースは端子8に、コレクタは抵抗R5を介して電源線16
に、それぞれ接続され、またトランジスタQ19のベース
は端子7に、コレクタは抵抗R6を介して電源線16に、そ
れぞれ接続されている。さらにトランジスタQ19のコレ
クタは、出力端子9に接続されている。One of the transistors Q16 and Q1 that make up the switching circuit
Of the seven, the base of the transistor Q16 is connected to the terminal 7, the collector is connected to the power supply line 16 via the resistor R5, the base of the transistor Q17 is connected to the terminal 8 and the collector is connected to the power supply line 16 via the resistor R6. , Respectively.
Of the other transistors Q18 and Q19, the base of the transistor Q18 is the terminal 8 and the collector is the power supply line 16 via the resistor R5.
Further, the base of the transistor Q19 is connected to the terminal 7 and the collector is connected to the power supply line 16 via the resistor R6. Further, the collector of the transistor Q19 is connected to the output terminal 9.
以上のように構成されるクランプ付き平行変調回路の動
作を、第4図を参照しつつ説明する。なお、第4図は入
力信号Vi、クランプパルスVcp、出力端6の電圧、およ
び出力である被変調波Voの波形図である。The operation of the parallel modulation circuit with the clamp configured as described above will be described with reference to FIG. Note that FIG. 4 is a waveform diagram of the input signal Vi, the clamp pulse Vcp, the voltage of the output end 6, and the modulated wave Vo that is the output.
入力信号発生器12で発生した入力信号ViがコンデンサC1
を介して入力端子3に与えられると共に、クランプパル
スVcpが端子4に与えられる。The input signal Vi generated by the input signal generator 12 is the capacitor C1.
And the clamp pulse Vcp is applied to the terminal 4.
クランプパルスVcpが電位Vccの高レベル(以下、Hレベ
ルという)のときは、電流I2が流れてスイッチングトラ
ンジスタQ1がオン状態となる。これよりトランジスタQ
2のベース直流バイアスは基準電圧Vrにクランプされ
る。そして、クランプパルスVcpで電位Vgの低レベル
(以下、Lレベルという)となり、スイッチングトラン
ジスタQ1がオフ状態となっても、トランジスタQ2のベー
ス直流バイアスはコンデンサC1により電圧Vrに保持され
る。When the clamp pulse Vcp is at the high level of the potential Vcc (hereinafter referred to as H level), the current I2 flows and the switching transistor Q1 is turned on. From this transistor Q
The base DC bias of 2 is clamped to the reference voltage Vr. Then, even if the potential Vg becomes low level (hereinafter referred to as L level) by the clamp pulse Vcp and the switching transistor Q1 is turned off, the base DC bias of the transistor Q2 is held at the voltage Vr by the capacitor C1.
このようにしてトランジスタQ2のベース直流バイアスが
設定された後は、この電圧Vrに入力信号がViが重畳され
る。すると、この重畳された信号は、いわゆるレベルシ
フト段を構成するトランジスタQ2,Q6によりインピーダ
ンス変換が行なわれ、安定化した電圧(Vr+Vi)として
出力端6に印加される。そのため出力端子6に接続され
る平行変調回路2中のトランジスタQ13のベースには、
一定の電圧(Vr+Vi)が与えられる。After the base DC bias of the transistor Q2 is set in this way, the input signal Vi is superimposed on this voltage Vr. Then, the superimposed signal is subjected to impedance conversion by the transistors Q2 and Q6 forming a so-called level shift stage, and is applied to the output terminal 6 as a stabilized voltage (Vr + Vi). Therefore, the base of the transistor Q13 in the parallel modulation circuit 2 connected to the output terminal 6 is
A constant voltage (Vr + Vi) is applied.
一方、基準電圧点18の基準電圧Vrは、いわゆるレベルシ
フト段を構成するトランジスタQ4,Q8によりインピーダ
ンス変換が行なわれて安定化したバイアス電圧Vrとな
り、このバイアス電圧Vrが出力端5を介して平衡変調回
路2中のトランジスタQ12のベースに与えられる。On the other hand, the reference voltage Vr at the reference voltage point 18 is impedance-converted by the transistors Q4 and Q8 forming a so-called level shift stage to become a stabilized bias voltage Vr, and this bias voltage Vr is balanced through the output terminal 5. It is given to the base of the transistor Q12 in the modulation circuit 2.
平衡変調回路2では、電圧VrがトランジスタQ12のベー
スに、電圧(Vr+Vi)がトランジスタQ13のベースに、そ
れぞれ入力されると共に、搬送波発振器13で発生した搬
送波Vsが端子7,8を介して各トランジスタQ16〜Q19の
ベースに与えられる。差動増幅器を構成するトランジス
タQ12,Q13は、両入力電圧の差Viを利得R6/R4にて増幅
してスイッチング回路を構成する各トランジスタQ16〜Q
19のエミッタに与える。各トランジスタQ16〜19はオ
ン、オフして搬送波Vsを位相反転する。そのため、この
平衡変調回路2は入力信号Viと搬送波Vsを乗算するよう
に働き、第4図に示すような包絡線の被変調波Voを出力
端子9から送出する。In the balanced modulation circuit 2, the voltage Vr is input to the base of the transistor Q12, the voltage (Vr + Vi) is input to the base of the transistor Q13, and the carrier Vs generated by the carrier oscillator 13 is input via the terminals 7 and 8. It is provided to the bases of the transistors Q16 to Q19. Transistors Q12 and Q13 that form the differential amplifier amplify the difference Vi between both input voltages with a gain R6 / R4 to form transistors Q16 to Q that form a switching circuit.
Give to 19 emitters. Each of the transistors Q16 to 19 turns on and off to invert the phase of the carrier wave Vs. Therefore, the balanced modulation circuit 2 works to multiply the input signal Vi and the carrier wave Vs, and sends out the modulated wave Vo having the envelope as shown in FIG. 4 from the output terminal 9.
なお、動作中における変調器2の入力直流バイアス点の
移動を修正するために、クランプパルスVcpが一定の周
期でLレベル(接地電位Vg)となる。すると、このLレ
ベル期間に、出力端6の電圧が基準電圧にクランプさ
れ、これによって出力端5,6が同電圧Vrとなって、出
力である被変調波Voが零となる。In order to correct the movement of the input DC bias point of the modulator 2 during operation, the clamp pulse Vcp becomes L level (ground potential Vg) at a constant cycle. Then, during this L level period, the voltage at the output end 6 is clamped to the reference voltage, whereby the output ends 5 and 6 become the same voltage Vr, and the modulated wave Vo that is the output becomes zero.
以上のようなクランプ付き平衡変調回路において、回路
の平衡がとれていないと、搬送波が出力に漏出し(これ
をキャリヤリークという)、出力側における雑音発生等
の弊害をもたらす。ここで、キャリヤリークを最小にす
るための回路の平衡条件としては、(1)差動増幅器を構
成するトランジスタQ12,Q13の入力側に接続された出力
端5と6の間に、直流バイアスの差(これをオフセット
という)がないこと、および(2)スイッチング回路を構
成するトランジスタQ16〜Q19の入力側に接続された端子
7と8の間に直流バイアスの差がないことの2つが重要
な要素である。In the above-described clamped balanced modulation circuit, if the circuit is not balanced, the carrier leaks to the output (this is called carrier leak), which causes adverse effects such as noise generation on the output side. Here, the circuit equilibrium conditions for minimizing the carrier leak are as follows: (1) Between the output terminals 5 and 6 connected to the input side of the transistors Q12 and Q13 forming the differential amplifier, a DC bias is applied. It is important that there is no difference (this is called offset) and that (2) there is no difference in DC bias between the terminals 7 and 8 connected to the input side of the transistors Q16 to Q19 that form the switching circuit. Is an element.
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記構成のクランプ付き平衡変調回路で
は、端子7,8間のオフセットを除去できるものの、端
子5,6間にオフセットが生じる。すなわち、クランプ
回路1において、スイッチングトランジスタQ1のオン時
の抵抗によって生じるコレクタ・エミッタ間電圧Vcesat
の分だけ、トランジスタQ6の出力端6の電圧が、トラン
ジスタQ8の出力端5の電圧Vrよりも高くなるため、平衡
変調回路2の平衡度がくずれ、これによってキャリヤリ
ークが発生するという問題点があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the balanced modulation circuit with a clamp having the above configuration, although the offset between the terminals 7 and 8 can be removed, an offset occurs between the terminals 5 and 6. That is, in the clamp circuit 1, the collector-emitter voltage Vcesat generated by the resistance when the switching transistor Q1 is on.
Therefore, the voltage at the output terminal 6 of the transistor Q6 becomes higher than the voltage Vr at the output terminal 5 of the transistor Q8, so that the balance modulation circuit 2 loses its balance, which causes carrier leakage. there were.
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、ク
ランプ回路の2出力間にオフセットが生じるという点に
ついて解決したクランプ付き平衡変調回路を提供するも
のである。The present invention provides a balanced modulation circuit with a clamp, which solves the problem that the above-mentioned prior art has, that an offset occurs between two outputs of the clamp circuit.
(問題点を解決するための手段) 本発明は、前記問題点を解決するために、基準電圧を作
る基準電圧源と、コンデンサを介して入力される入力信
号と前記基準電圧を重畳させるスイッチング素子とを有
するクランプ回路と、前記基準電圧と前記スイッチング
素子の出力とを変調信号として入力し、これを搬送波で
変調して搬送波成分を抑圧した被変調波信号を出力する
平衡変調回路とを備えたクランプ付き平衡変調回路にお
いて、前記スイッチング素子のオン時の電圧降下値と同
一の値だけ電圧を降下させるスイッチ手段を設け、この
スイッチ手段を介して前記基準電圧を前記平衡変調回路
へ入力するようにしたものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a reference voltage source that generates a reference voltage, a switching element that superimposes an input signal input via a capacitor and the reference voltage. And a balanced modulation circuit that inputs the reference voltage and the output of the switching element as a modulation signal, modulates this with a carrier wave, and outputs a modulated wave signal in which a carrier wave component is suppressed. In the balanced modulation circuit with a clamp, a switch means for dropping the voltage by the same value as the voltage drop value when the switching element is turned on is provided, and the reference voltage is input to the balanced modulation circuit via the switch means. It was done.
(作用) 本発明によれば、以上のようにクランプ付き平衡変調回
路を構成したので、スイッチ手段は基準電圧源から与え
られる基準電圧を、スイッチング素子のオン時と同一の
電圧値だけ降下させて平衡変調回路に与える。これによ
りクランプ回路から平衡変調回路へ与えられる2入力間
の直流バイアス差(オフセット)が零となる。したがっ
て、前記問題点を除去できるのである。(Operation) According to the present invention, since the balanced modulation circuit with a clamp is configured as described above, the switching means lowers the reference voltage applied from the reference voltage source by the same voltage value as when the switching element is turned on. Apply to balanced modulation circuit. As a result, the DC bias difference (offset) between the two inputs applied to the balanced modulation circuit from the clamp circuit becomes zero. Therefore, the problem can be eliminated.
(実施例) 第1図は本発明の実施例を示すクランプ付き平衡変調回
路の回路図である。なお、第1図において、第3図中の
要素と同一の要素には同一の符号が付されている。(Embodiment) FIG. 1 is a circuit diagram of a balanced modulation circuit with a clamp showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the same elements as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals.
そしてこのクランプ付き平衡変調回路の第3図のものと
異なる点は、次の通りである。第3図のNPN型のスイッ
チングトランジスタQ1を飽和電圧の小さいPNP型スイッ
チングトランジスタ(スイッチング素子)Q21とし、こ
のトランジスタQ21のベース・エミッタ間に抵抗R21を挿
入して、トランジスタQ21のオフ時の動作速度を速くし
ている。第3図のPNP型トランジスタQ2をNPN型トランジ
スタQ22にすると共に、第3図の定電流負荷用トランジ
スタQ3を抵抗R23に置き換え、この抵抗R23を、ダーリン
トン接続したトランジスタQ22,Q6中のトランジスタQ6の
ベース・エミッタ間に接続している。同様に、第3図中
のPNP型トランジスタQ4をNPNトランジスタQ24にすると
共に、第3図中の定電流負荷用トランジスタQ5を抵抗R2
5に置き換え、この抵抗R25を、ダーリントン接続したト
ランジスタQ24,Q8中のトランジスタQ8のベース・エミッ
タ間に接続している。さらに本実施例では、基準電圧点
18とトランジスタQ24のベースとの間に、スイッチ手
段、即ちスイッチ回路30を接続している。スイッチ回路
30は、スイッチングトランジスタQ21及び抵抗R1,R21と
同一の特性を有する飽和電圧の小さいPNP型スイッチン
グトランジスタQ30と抵抗R30,R31とを備えている。PNP
型スイッチングトランジスタQ30のエミッタは、基準電
圧点18に、コレクタはトランジスタQ24のベースに、ベ
ースは抵抗R31を介してアース線17に、それぞれ接続さ
れると共に、抵抗21との整合をとるため、抵抗R30がト
ランジスタQ30のエミッタ・ベース間に接続されてい
る。The difference of this balanced modulation circuit with clamp from that of FIG. 3 is as follows. The NPN type switching transistor Q1 in Fig. 3 is a PNP type switching transistor (switching element) Q21 with a small saturation voltage. A resistor R21 is inserted between the base and emitter of this transistor Q21 to turn off the transistor Q21. Is making faster. The PNP transistor Q2 in FIG. 3 is replaced by an NPN transistor Q22, the constant current load transistor Q3 in FIG. 3 is replaced by a resistor R23, and this resistor R23 is replaced by a transistor Q6 in the transistors Q22, Q6 connected in Darlington. It is connected between the base and emitter. Similarly, the PNP transistor Q4 in FIG. 3 is replaced by the NPN transistor Q24, and the constant current load transistor Q5 in FIG. 3 is replaced by the resistor R2.
5 and the resistor R25 is connected between the base and emitter of the transistor Q8 in the transistors Q24 and Q8 connected in Darlington. Furthermore, in this embodiment, the reference voltage point
Switch means, that is, a switch circuit 30, is connected between 18 and the base of the transistor Q24. Switch circuit
30 includes a PNP type switching transistor Q30 having the same characteristics as the switching transistor Q21 and the resistors R1 and R21 and a small saturation voltage, and resistors R30 and R31. PNP
The emitter of the switching transistor Q30 is connected to the reference voltage point 18, the collector is connected to the base of the transistor Q24, and the base is connected to the earth line 17 via the resistor R31. R30 is connected between the emitter and base of transistor Q30.
なお、第1図中、I3は抵抗R1を、I4は抵抗R31を、それ
ぞれ流れる電流である。また第1図の回路では、平衡変
調回路2における端子7,8間の搬送波オフセットが零
であり、しかもクランプ回路1及び平衡変調回路2を構
成する各トランジスタ、抵抗などの素子特性は整合がさ
れているものとする。In FIG. 1, I3 is a current flowing through the resistor R1 and I4 is a current flowing through the resistor R31. Further, in the circuit of FIG. 1, the carrier offset between the terminals 7 and 8 in the balanced modulation circuit 2 is zero, and moreover, the element characteristics of the transistors, resistors and the like which form the clamp circuit 1 and the balanced modulation circuit 2 are matched. It is assumed that
以上のような構成されるクランプ付き平衡変調回路にお
いて、スイッチングトランジスタQ21のベース・エミッ
タ間を電圧Vbeとすると、端子4に与えられるクランプ
パルスVcpがLレベルのとき、抵抗R1に流れる電流I3
は、 となり、該トランジスタQ21がオン状態となる。する
と、(基準電圧Vr−トランジスタQ21の飽和電圧Vcesa
t)という電圧がトランジスタQ21のコレクタにかかり、
この電圧がトランジスタQ22,Q6でインピーダンス変換さ
れて出力端6に与えられる。In the clamped balanced modulation circuit configured as described above, assuming that the voltage Vbe is between the base and the emitter of the switching transistor Q21, when the clamp pulse Vcp applied to the terminal 4 is at the L level, the current I3 flowing through the resistor R1.
Is And the transistor Q21 is turned on. Then, (reference voltage Vr-saturation voltage Vcesa of transistor Q21
voltage t) is applied to the collector of transistor Q21,
This voltage is impedance-converted by the transistors Q22 and Q6 and given to the output terminal 6.
ところが、本実施例ではスイッチ回路30が設けられ、こ
のスイッチ回路30中の抵抗31の一端が接地されているの
で、トランジスタQ30のベース・エミッタ間電圧をQ21と
等しいと仮定しVbeとすると、抵抗R31に流れる電流I4
は、 となる。ここで、抵抗R1=R31、R21=R30に選定されるた
め、電流I3=I4となり、各トランジスタQ21,Q30のコレ
クタ電流及びベース電流はそれぞれ等しくなって、両ト
ランジスタQ21,Q30の飽和電圧が等しくなる。そのた
め、トランジスタQ30のコレクタには、トランジスタQ21
のコレクタ電圧と同一の電圧がかかり、この電圧がトラ
ンジスタQ24,Q8でインピーダンス変換されて出力端5に
与えられる。However, in this embodiment, the switch circuit 30 is provided, and one end of the resistor 31 in the switch circuit 30 is grounded. Therefore, assuming that the base-emitter voltage of the transistor Q30 is equal to Q21, Vbe is the resistance. Current I4 flowing through R31
Is Becomes Here, the resistors R1 = R31 and R21 = R30 are selected, so the current I3 = I4, the collector current and base current of each transistor Q21, Q30 become equal, and the saturation voltage of both transistors Q21, Q30 becomes equal. Become. Therefore, the collector of the transistor Q30 is connected to the transistor Q21.
The same voltage as the collector voltage is applied, and this voltage is impedance-converted by the transistors Q24 and Q8 and given to the output terminal 5.
このように、スイッチ回路30を設けたので、各トランジ
スタQ22,Q24のベース直流バイアス点が同電位になり、
これによってクランプ回路出力端5,6には同電位のバ
イアス電圧が印加され、オフセットが零となる。従って
平衡変調回路2の平衡度が均一に保持され、キャリヤリ
ークの発生が防止できる。また、スイッチ回路30、特に
スイッチ素子であるトランジスタQ30は、スイッチング
トランジスタQ21と同一特性のものが使用されるため、
両トランジスタQ21,Q30の整合が容易に行なえる。Since the switch circuit 30 is provided in this way, the base DC bias points of the transistors Q22 and Q24 become the same potential,
As a result, the bias voltage of the same potential is applied to the clamp circuit output terminals 5 and 6, and the offset becomes zero. Therefore, the balance degree of the balanced modulation circuit 2 is kept uniform, and the occurrence of carrier leak can be prevented. Further, since the switch circuit 30, especially the transistor Q30 which is a switch element, has the same characteristics as the switching transistor Q21,
Both transistors Q21 and Q30 can be easily matched.
なお、上記実施例において、平衡変調回路2は、いわゆ
るギルバート回路で構成したが、本発明はこれに限定さ
れず、搬送波抑圧両側波帯方式の変調回路(DSB-SC)、
搬送波抑圧単側波帯方式の変調回路(SSD)等にも適用
できる。また、上記実施例では、スイッチング素子であ
るPNPスイッチングトランジスタQ21と同一特性のPNP型
トランジスタQ30を設けているが、両トランジスタQ21,Q
30を同一特性の他のトランジスタ、例えばNPN型トラン
ジスタ、MOS型トランジスタ等で構成してもよい。さら
に、これ以外のクランプ回路1及び平衡変調回路2中の
他の回路要素(すなわちトランジスタ及び抵抗)を、整
合のとれた他の回路要素で構成することもできる。例え
ば、トランジスタQ21,Q30以外のトランジスタをPNP型ト
ランジスタ、MOS型トランジスタ等で構成したり、各抵
抗を負荷用トランジスタで構成してもよい。Although the balanced modulation circuit 2 is configured by a so-called Gilbert circuit in the above embodiment, the present invention is not limited to this, and a carrier suppression double sideband modulation circuit (DSB-SC),
It can also be applied to carrier suppression single sideband modulation circuits (SSD). Also, in the above embodiment, the PNP type transistor Q30 having the same characteristics as the PNP switching transistor Q21 which is the switching element is provided.
The transistor 30 may be composed of another transistor having the same characteristics, such as an NPN transistor or a MOS transistor. Further, other circuit elements (that is, transistors and resistors) in the clamp circuit 1 and the balanced modulation circuit 2 other than the above can be configured by other matched circuit elements. For example, transistors other than the transistors Q21 and Q30 may be PNP type transistors, MOS type transistors, etc., or each resistor may be a load transistor.
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、スイッチ
ング素子のオン時の電位降下値と同一の値だけ電圧を降
下させるスイッチ手段を設け、このスイッチ手段を介し
て基準電圧を平衡変調回路へ入力するようにしたので、
スイッチング素子の機能に不完全さがあるとき、例えば
スイッチング素子のオン時の電圧降下があっても、これ
を他に設けたスイッチ手段で相殺してクランプ回路の2
出力間に生じるオフセットを零にでき、これによって平
衡変調回路出力のキャリヤリークを除去できる。(Effect of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, the switch means for dropping the voltage by the same value as the potential drop value when the switching element is turned on is provided, and the reference voltage is supplied via this switch means. Since it was input to the balanced modulation circuit,
When the function of the switching element is imperfect, for example, even if there is a voltage drop when the switching element is on, this is canceled by another switch means provided and the clamp circuit 2
The offset generated between the outputs can be reduced to zero, and the carrier leak at the output of the balanced modulation circuit can be eliminated.
第1図は本発明の実施例を示すクランプ付き平衡変調回
路の回路図、第2図は従来のクランプ付き平衡変調回路
の概略構成図、第3図は第2図の回路図、第4図は第3
図の回路各部の信号波形図である。 1……クランプ回路、2……平衡変調回路、5,6……
出力端、18……基準電圧点、30……スイッチ回路(スイ
ッチ手段)、Vcc……電源電圧、Vi……入力信号、Vo…
…被変調信号、Vs……搬送波、C1……コンデンサ、R2,R
3,Q11……基準電圧源、Q21……スイッチングトランジス
タ(スイッチ素子)、Q30……トランジスタ。1 is a circuit diagram of a balanced modulation circuit with a clamp showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional balanced modulation circuit with a clamp, FIG. 3 is a circuit diagram of FIG. 2, and FIG. Is the third
It is a signal waveform diagram of each part of the circuit in the figure. 1 ... Clamp circuit, 2 ... Balanced modulation circuit, 5, 6 ...
Output terminal, 18 ... reference voltage point, 30 ... switch circuit (switch means), Vcc ... power supply voltage, Vi ... input signal, Vo ...
… Modulated signal, Vs …… Carrier, C1 …… Capacitor, R2, R
3, Q11 …… Reference voltage source, Q21 …… Switching transistor (switch element), Q30 …… Transistor.
Claims (1)
準電圧源と、コンデンサを介して入力される入力信号と
前記基準電圧とが与えられクランプパルスによりオン、
オフして前記基準電圧に前記入力信号を重畳させるスイ
ッチング素子とを有するクランプ回路と、前記基準電圧
と前記スイッチング素子の出力とを変調信号として入力
し、この変調信号を搬送波で変調して搬送波成分を抑圧
して被変調波信号を出力する平衡変調回路とを備えたク
ランプ付き平衡変調回路において、 前記スイッチング素子のオン時の電圧降下値と同一の値
だけ電圧を降下させるスイッチ手段を設け、前記基準電
圧源から与えられる基準電圧を該スイッチ手段を介して
前記平衡変調回路へ入力することを特徴とするクランプ
付き平衡変調回路。1. A reference voltage source for generating a reference voltage from an applied power supply voltage, an input signal input via a capacitor and the reference voltage are applied to turn on a clamp pulse,
A clamp circuit having a switching element that is turned off and superimposes the input signal on the reference voltage, and the reference voltage and the output of the switching element are input as a modulation signal, and the modulation signal is modulated by a carrier to generate a carrier component. In a balanced modulation circuit with a clamp that suppresses the output of a modulated wave signal and outputs a modulated wave signal, switch means for dropping the voltage by the same value as the voltage drop value when the switching element is turned on is provided, A balanced modulation circuit with a clamp, wherein a reference voltage supplied from a reference voltage source is input to the balanced modulation circuit via the switch means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023076A JPH067678B2 (en) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | Balanced modulation circuit with clamp |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023076A JPH067678B2 (en) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | Balanced modulation circuit with clamp |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184077A JPS61184077A (en) | 1986-08-16 |
| JPH067678B2 true JPH067678B2 (en) | 1994-01-26 |
Family
ID=12100311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023076A Expired - Lifetime JPH067678B2 (en) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | Balanced modulation circuit with clamp |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067678B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2962877B2 (en) * | 1991-07-02 | 1999-10-12 | キヤノン株式会社 | Image signal processing device |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60023076A patent/JPH067678B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61184077A (en) | 1986-08-16 |
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