JPH0677443B2 - Ion processing device - Google Patents
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- JPH0677443B2 JPH0677443B2 JP61098884A JP9888486A JPH0677443B2 JP H0677443 B2 JPH0677443 B2 JP H0677443B2 JP 61098884 A JP61098884 A JP 61098884A JP 9888486 A JP9888486 A JP 9888486A JP H0677443 B2 JPH0677443 B2 JP H0677443B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばイオン注入装置等のイオン処理装置
に関し、特に、イオンビーム照射によるウエハの帯電現
象を軽減させるようにしたイオン処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion processing apparatus such as an ion implantation apparatus, and more particularly to an ion processing apparatus that reduces a wafer charging phenomenon due to ion beam irradiation.
イオン処理装置には、イオン注入装置、イオン注入と真
空蒸着を併用するイオン蒸着薄膜形成装置、イオンビー
ムエッチング装置等がある。以下においてはイオン注入
装置を例に説明する。The ion processing apparatus includes an ion implantation apparatus, an ion deposition thin film forming apparatus that uses both ion implantation and vacuum deposition, and an ion beam etching apparatus. In the following, an ion implanter will be described as an example.
第５図は、従来のイオン注入装置の一例を示す概略図で
ある。この例のイオン注入装置はいわゆるメカニカルス
キャン方式のものであり、真空雰囲気中において、イオ
ン源２から引き出されたイオンビーム４を弧状に曲がっ
た質量分析磁石６およびその下流側の板状の分析スリッ
ト８を通して質量分析して所望質量のものを選択すると
共に、板状のマスク10を通して整形した後、例えば矢印
Ａのように高速回転させられると共に矢印Ｂのように並
進させられるディスク14上に装着された複数枚のウエハ
16に順次照射してイオン注入するものである。尚、図中
の12は、イオンビーム４のビーム電流の計測系である。FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a conventional ion implantation apparatus. The ion implanter of this example is of a so-called mechanical scan type, and in a vacuum atmosphere, an ion beam 4 extracted from an ion source 2 is bent in an arc shape into a mass analysis magnet 6 and a plate-like analysis slit downstream thereof. After mass analysis through 8 to select a desired mass, and after shaping through a plate-shaped mask 10, it is mounted on a disk 14 which is rotated at high speed as indicated by arrow A and translated as indicated by arrow B. Multiple wafers
Ion implantation is performed by sequentially irradiating 16 ions. Incidentally, reference numeral 12 in the figure is a measuring system of the beam current of the ion beam 4.
上記のような装置においては、イオンビーム４のビーム
電流が大きくなるにつれて、イオンビーム４の照射によ
るウエハ16上の帯電現象が大きくなって無視できなくな
る。この帯電現象は、ウエハ16の表面にレジスト膜等の
絶縁膜を施しているような場合には特に生じ易い。そし
てこのような帯電を放置しておくと、ウエハ16の表面に
おいて放電が発生して、ウエハ16上のレジスト膜やウエ
ハ16を破壊する等して、デバイス製造上の歩留まりを悪
化させる等の支障を来すようになる。In the apparatus as described above, as the beam current of the ion beam 4 increases, the charging phenomenon on the wafer 16 due to the irradiation of the ion beam 4 increases and cannot be ignored. This charging phenomenon is particularly likely to occur when the surface of the wafer 16 is coated with an insulating film such as a resist film. Then, if such charging is left as it is, electric discharge occurs on the surface of the wafer 16 and the resist film on the wafer 16 or the wafer 16 is destroyed, resulting in deterioration of the device manufacturing yield. Will come to you.
そこでこの発明は、上記のようなウエハの帯電現象を軽
減させるようにしたイオン処理装置を提供することを目
的とする。Therefore, it is an object of the present invention to provide an ion processing apparatus that reduces the above-described wafer charging phenomenon.
この発明のイオン処理装置は、イオンビームをウエハに
照射して当該ウエハを処理する装置において、ウエハに
照射前のイオンビームの経路上に設けられていて、通過
するイオンビームの形状を変化させるビーム形状可変手
段と、ウエハの近傍に設けられていて、ウエハの電位を
検出するウエハ電位検出手段と、ウエハ電位検出手段に
応答してビーム形状可変手段を制御することによって、
ウエハに照射されるイオンビームの形状を制御する制御
手段とを備えることを特徴とする。The ion processing apparatus according to the present invention is an apparatus for irradiating a wafer with an ion beam to process the wafer. The ion processing apparatus is provided on the path of the ion beam before the irradiation of the wafer and changes the shape of the passing ion beam. By changing the beam shape changing means in response to the shape changing means, the wafer potential detecting means which is provided near the wafer and detects the potential of the wafer, and the wafer potential detecting means,
And a control means for controlling the shape of the ion beam with which the wafer is irradiated.
ビーム形状可変手段によってそこを通過するイオンビー
ムの形状が変化させられ、それによって例えばウエハに
照射されるイオンビームの断面積が増大させられる。そ
の場合、ウエハの帯電電圧は、照射されるイオンビーム
の電流密度にほぼ比例するため、換言すればビーム電流
等の他の条件を一定とするならばイオンビームの断面積
にほぼ反比例するため、イオンビームの断面積増大によ
ってウエハの帯電現象は軽減される。しかも、ウエハの
帯電電圧は、ウエハ電位検出手段によって検出され、制
御手段を介してビーム形状可変手段にフィードバックさ
れるので、それによってウエハに到達するイオンビーム
量の減少を抑えつつウエハの帯電を効果的に軽減させる
ことができる。The beam shape changing means changes the shape of the ion beam passing therethrough, thereby increasing the cross-sectional area of the ion beam with which the wafer is irradiated, for example. In that case, the charging voltage of the wafer is almost proportional to the current density of the ion beam to be irradiated. In other words, if other conditions such as the beam current are constant, it is almost inversely proportional to the cross-sectional area of the ion beam. The phenomenon of wafer charging is reduced by increasing the cross-sectional area of the ion beam. Moreover, since the wafer charging voltage is detected by the wafer potential detecting means and fed back to the beam shape changing means through the control means, the wafer charging effect is suppressed while suppressing the reduction of the ion beam amount reaching the wafer. Can be reduced.
第１図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
示す概略図である。第５図と同一または対応する部分に
は同一符号を付してその説明を省略する。FIG. 1 is a schematic diagram showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention. The same or corresponding parts as those in FIG. 5 are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
この実施例においては、ウエハ16に照射されるイオンビ
ーム４の経路上であって前述した分析スリット８とマス
ク10との間に、通過するイオンビーム４の形状を変化さ
せるビーム形状可変手段18を設け、更にディスク14上の
ウエハ16の近傍であってイオンビーム４が当たらないよ
うな所に、ウエハ16の帯電による電位を検出するウエハ
電位検出手段20を設け、そしてウエハ電位検出手段20か
らの信号を制御回路（制御手段）22に供給してそれに基
づいてビーム形状可変手段18を制御するよう構成してい
る。In this embodiment, a beam shape changing means 18 for changing the shape of the ion beam 4 passing therethrough is provided between the analysis slit 8 and the mask 10 on the path of the ion beam 4 with which the wafer 16 is irradiated. Further, a wafer potential detecting means 20 for detecting the potential due to the charging of the wafer 16 is provided in the vicinity of the wafer 16 on the disk 14 so as not to be hit by the ion beam 4, and from the wafer potential detecting means 20. A signal is supplied to a control circuit (control means) 22 and the beam shape changing means 18 is controlled based on the signal.
ビーム形状可変手段18は、具体例を示せば、例えば第２
図あるいは第３図に示すような構成のものである。The beam shape changing means 18 is, for example, the second
The configuration is as shown in the figure or FIG.
第２図のビーム形状可変手段18は、静電場によるレンズ
作用を利用するものであり、大地電位から絶縁して設け
られたエキスパンダー電極181と、それに例えば数KV〜
数十KV程度の負の直流電圧V1を印加する電源182とを備
えている。エキスパンダー電極181は、例えば図示例の
ような円筒状のもの以外に、他の筒状、リング状、平行
平板状等であっても良く、その内側をイオンビーム４が
通過するようになっている。電源182は、前述した制御
回路22によって制御される直流可変電圧電源である。The beam shape changing means 18 of FIG. 2 utilizes a lens effect by an electrostatic field, and includes an expander electrode 181 provided so as to be insulated from the ground potential and, for example, several KV.
The power supply 182 applies a negative DC voltage V 1 of about several tens KV. The expander electrode 181 may have, for example, a cylindrical shape, a ring shape, a parallel plate shape, or the like other than the cylindrical shape as shown in the drawing, and the ion beam 4 passes through the inside thereof. . The power supply 182 is a DC variable voltage power supply controlled by the control circuit 22 described above.
上記ビーム形状可変手段18においては、イオンビーム４
は、エキスパンダー電極181を通過すると、エキスパン
ダー電極181における静電場のレンズ作用を受けてその
形状が変化、例えば発散する。その結果、ディスク14上
のウエハ16に照射されるイオンビーム４の断面積（ウエ
ハ16の表面に対する断面積、以下同じ）が増大する。こ
のイオンビーム４の発散の程度は、エキスパンダー電極
181に印加する電圧V1によって調整可能である。In the beam shape changing means 18, the ion beam 4
When the light passes through the expander electrode 181, the shape of the light changes due to the lens effect of the electrostatic field in the expander electrode 181, for example, it diverges. As a result, the cross-sectional area of the ion beam 4 with which the wafer 16 on the disk 14 is irradiated (the cross-sectional area with respect to the surface of the wafer 16; the same applies hereinafter) increases. The degree of divergence of this ion beam 4 depends on the expander electrode.
It can be adjusted by the voltage V 1 applied to 181.
ところで、ウエハ16の帯電電圧は、照射されるイオンビ
ーム４の電流密度にほぼ比例するため、換言すればビー
ム電流等の他の条件を一定とするならばイオンビーム４
の断面積にほぼ反比例するため、上記のようにしてウエ
ハ16に照射するイオンビーム４の断面積を増大させる
と、それに応じてウエハ16の帯電現象は軽減される。し
かも、イオンビーム４の断面積増大によって、ウエハ16
の温度上昇が大幅に軽減されるという他の効果も得られ
る。By the way, the charging voltage of the wafer 16 is almost proportional to the current density of the ion beam 4 to be irradiated. In other words, if other conditions such as the beam current are constant, the ion beam 4 is
Since the cross-sectional area of the ion beam 4 irradiated on the wafer 16 is increased as described above, the charging phenomenon of the wafer 16 is correspondingly reduced. Moreover, due to the increase in the cross-sectional area of the ion beam 4, the wafer 16
Another effect of significantly reducing the temperature rise of is obtained.
ちなみに、イオン源２から引き出すイオンビーム４の断
面積を拡大することによって上記帯電現象を軽減しよう
としても、イオン源２や質量分析磁石６、分析スリット
８等において、ビーム電流の低下、ビームエミッタンス
の悪化、質量分解能の悪化等といった新たな問題が発生
するのでうまくいかない。By the way, even if an attempt is made to reduce the above-mentioned charging phenomenon by enlarging the cross-sectional area of the ion beam 4 extracted from the ion source 2, in the ion source 2, the mass analysis magnet 6, the analysis slit 8, etc., the beam current is reduced and the beam emittance is reduced. It will not work because new problems such as deterioration and mass resolution will occur.
第３図のビーム形状可変手段18は、イオンビーム４の正
の空間電荷を利用するものであり、例えば前述したよう
な構造のエキスパンダー電極181と、それに例えば数十
Ｖ〜数百Ｖ程度の正の直流電圧V2を印加する電源183
と、エキスパンダー電極181のすぐ上流側に設けられて
いて、イオンビーム４が通過する開口部184aを有するシ
ールド電極184と、シールド電極184に例えば数十Ｖ〜数
百Ｖ程度の負の電圧を印加する電源185とを備えてい
る。シールド電極184は、例えば図示例のような板状の
もの以外に、リング状、筒状等であっても良い。電源18
3は、前述した制御回路22によって制御される直流可変
電圧電源である。The beam shape changing means 18 of FIG. 3 utilizes the positive space charge of the ion beam 4, and includes, for example, an expander electrode 181 having the above-described structure and a positive voltage of about several tens V to several hundreds V. Power supply for applying DC voltage V 2 of 183
And a shield electrode 184 provided immediately upstream of the expander electrode 181 and having an opening 184a through which the ion beam 4 passes, and a negative voltage of, for example, several tens V to several hundreds V is applied to the shield electrode 184. Power supply 185. The shield electrode 184 may have, for example, a ring shape, a cylindrical shape, or the like other than the plate shape shown in the drawing. Power 18
Reference numeral 3 is a DC variable voltage power source controlled by the control circuit 22 described above.
上記ビーム形状可変手段18においては、エキスパンダー
電極181には正の電圧V2が印加されるため、エキスパン
ダー電極181は電子に対してはそれを吸収する働きをす
る。即ち、イオンビーム４には正の空間電荷中に電子が
幾分捕捉されているけれども、このイオンビーム４がエ
キスパンダー電極181を通過すると、捕捉されていた電
子はエキスパンダー電極181に吸収される。その結果、
イオンビーム４の正の空間電荷が顕わになって、いわゆ
る空間電荷によるイオンビーム４の広がりが起こり、そ
の断面積が増大する。このイオンビーム４の広がりの程
度は、エキスパンダー電極181に印加する電圧V2によっ
て調整可能である。それゆえ、第２図の場合と同様に、
ウエハ16の帯電現象、更にはウエハ16の温度上昇が軽減
される。In the beam shape changing means 18, since the positive voltage V 2 is applied to the expander electrode 181, the expander electrode 181 functions to absorb electrons. That is, although some electrons are trapped in the positive space charge in the ion beam 4, when the ion beam 4 passes through the expander electrode 181, the trapped electrons are absorbed by the expander electrode 181. as a result,
The positive space charges of the ion beam 4 become apparent, so-called space charges cause the ion beam 4 to spread, and the cross-sectional area increases. The degree of spread of the ion beam 4 can be adjusted by the voltage V 2 applied to the expander electrode 181. Therefore, as in the case of FIG.
The charging phenomenon of the wafer 16 and the temperature rise of the wafer 16 are reduced.
上記の場合、エキスパンダー電極181に印加する電圧V2
を、可変の直流電圧に高周波電圧を重畳させたようなも
のとしても良く、そのようにすれば、イオンビーム４の
広がりを滑らかに制御することができるようになる。こ
れは、高周波でイオンビーム４に言わば速い揺さぶりを
かけることによって、電圧V2（より具体的にはその直流
電圧）の変化に対するイオンビーム４の形状変化の追従
性を良くして、イオンビームの形状が急変するのを防ぐ
ことができるからである。In the above case, the voltage V 2 applied to the expander electrode 181
May be such that a high frequency voltage is superposed on a variable DC voltage, and by doing so, the spread of the ion beam 4 can be smoothly controlled. This is because the ion beam 4 is swung at a high frequency at a high speed, so that the shape change of the ion beam 4 with respect to the change of the voltage V 2 (more specifically, its DC voltage) is improved, and This is because it is possible to prevent the shape from changing suddenly.
尚、シールド電極184は、エキスパンダー電極181の効果
が当該シールド電極184よりも上流側に及ばないように
する働きをする。即ち、もしシールド電極184がなけれ
ば、イオンビーム４のビーム軸方向にはその中の電子は
自由に動けるから、上流側からもビーム中の電子が容易
にエキスパンダー電極181に流れ込む。従って、エキス
パンダー電極181の上流側においてもイオンビーム４の
正の空間電荷が顕わになり、結局、分析スリット８の相
当上流側からイオンビーム４が広がり始めることにな
る。そうなると、所望質量のイオンビーム４が分析ス
リット８の開口部を通過しきれずウエハ16に届くビーム
量が減少する、逆に分析スリット８の開口部を広げる
と質量分解能が低下する、等の問題を引き起こすことに
なる。ところが、負の電圧が印加されるシールド電極18
4があれば、それよりも上流側のイオンビーム４中の電
子は、シールド電極184による電位障壁を乗り越えるこ
とができないため、エキスパンダー電極181に流れ込む
ことはなくなる。その結果、シールド電極184より上流
側での空間電荷によるイオンビーム４の広がりは防止さ
れ、上記、のような問題はなくなる。一方、ウエハ
電位検出手段20は、具体例を示せば、例えば通常の振動
容量電位計等の電位計で良く、あるいは例えば第４図に
示すような構成のものでも良い。The shield electrode 184 functions to prevent the effect of the expander electrode 181 from reaching the upstream side of the shield electrode 184. That is, if the shield electrode 184 is not provided, the electrons in the beam can freely move in the beam axis direction of the ion beam 4, so that the electrons in the beam easily flow into the expander electrode 181 from the upstream side. Therefore, the positive space charge of the ion beam 4 becomes apparent also on the upstream side of the expander electrode 181, and eventually the ion beam 4 begins to spread from a considerable upstream side of the analysis slit 8. Then, the ion beam 4 having a desired mass cannot pass through the opening of the analysis slit 8 and the amount of the beam reaching the wafer 16 decreases, and conversely, if the opening of the analysis slit 8 is widened, the mass resolution decreases. Will cause it. However, the shield electrode 18 to which a negative voltage is applied
If there is 4, the electrons in the ion beam 4 on the upstream side thereof cannot flow over the potential barrier by the shield electrode 184, and therefore do not flow into the expander electrode 181. As a result, the spread of the ion beam 4 due to the space charge on the upstream side of the shield electrode 184 is prevented, and the above problems are eliminated. On the other hand, the wafer potential detecting means 20 may be, for example, an electrometer such as a normal vibration capacitance electrometer, or may have a structure as shown in FIG. 4, for example.
第４図のウエハ電位検出手段20は、ディスク14上のウエ
ハ16の近傍に大地電位から絶縁して設けられた検出電極
201と、当該検出電極201を接地する抵抗器202と、検出
電極201に接続されたアンプ203とを備えている。ディス
ク14上にはウエハ16が断続して装着されているため、イ
オンビーム４の照射によって帯電したウエハ16は、ディ
スク14の回転によって検出電極201の近傍を断続して通
過することになり、それに伴ってウエハ16の帯電電圧の
微分値に対応する電流ｉが抵抗器202に流れ、それが電
圧ｖの形でアンプ203から増幅して出力され、これが制
御回路22に供給される。The wafer potential detecting means 20 shown in FIG. 4 is a detection electrode provided in the vicinity of the wafer 16 on the disk 14 and insulated from the ground potential.
201, a resistor 202 that grounds the detection electrode 201, and an amplifier 203 connected to the detection electrode 201. Since the wafer 16 is intermittently mounted on the disk 14, the wafer 16 charged by the irradiation of the ion beam 4 intermittently passes near the detection electrode 201 by the rotation of the disk 14, and Along with this, a current i corresponding to the differential value of the charging voltage of the wafer 16 flows through the resistor 202, which is amplified and output from the amplifier 203 in the form of voltage v, which is supplied to the control circuit 22.
そして制御回路22は、比較手段等を備えており、ウエハ
電位検出手段20から供給される、ウエハ16の帯電電圧に
対応する信号、たとえば上記のような電圧ｖに基づい
て、ビーム形状可変手段18を、より具体的にはその上記
のような電源182あるいは183を制御して、イオンビーム
４の形状を最適状態に制御する。例えば、ウエハ16の帯
電電圧が所定の許容値よりも大きい場合は上記電圧V1あ
るいはV2を上げてイオンビーム４をより広げるように、
逆に帯電電圧が所定の許容値よりも小さい場合は上記電
圧V1あるいはV2を下げてイオンビーム４の広がりを抑え
るように制御する。これによって、例えばウエハ16の帯
電電圧を所定の許容値内に抑えつつ、無駄なイオンビー
ム４の広がりを抑えてウエハ16に到達するイオンビーム
量が最大となるような状態に、イオンビーム４の形状を
自動的に制御することができる。The control circuit 22 is provided with a comparing means and the like, and based on the signal corresponding to the charging voltage of the wafer 16 supplied from the wafer potential detecting means 20, for example, the voltage v as described above, the beam shape changing means 18 More specifically, by controlling the power supply 182 or 183 as described above, the shape of the ion beam 4 is controlled to the optimum state. For example, when the charged voltage of the wafer 16 is higher than a predetermined allowable value, the voltage V 1 or V 2 is increased to further expand the ion beam 4.
On the contrary, when the charging voltage is smaller than the predetermined allowable value, the voltage V 1 or V 2 is lowered to control the spread of the ion beam 4. As a result, for example, while suppressing the charging voltage of the wafer 16 within a predetermined allowable value, the useless spread of the ion beam 4 is suppressed, and the ion beam amount reaching the wafer 16 is maximized. The shape can be controlled automatically.
最後に、以上においてはイオン注入装置を例に説明した
けれども、この発明はそれに限定されるものではなく、
一番初めに例示したようなイオン処理装置に広く適用す
ることができるのは勿論である。Lastly, although the ion implantation apparatus has been described above as an example, the present invention is not limited thereto.
Needless to say, the present invention can be widely applied to the ion treatment apparatus as illustrated at the very beginning.
以上のようにこの発明によれば、ウエハに照射されるイ
オンビームの形状を制御することができ、それによって
ウエハの帯電現象を軽減させることができる。しかも、
ウエハの電位を検出してそれをイオンビームの形状制御
にフィードバックするよう構成しているので、ウエハに
到達するイオンビーム量の減少を抑えつつウエハの帯電
を効果的に軽減させることができる。As described above, according to the present invention, the shape of the ion beam with which the wafer is irradiated can be controlled, and thereby the charging phenomenon of the wafer can be reduced. Moreover,
Since the potential of the wafer is detected and fed back to the shape control of the ion beam, it is possible to effectively reduce the electrification of the wafer while suppressing the decrease in the amount of the ion beam reaching the wafer.
第１図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
示す概略図である。第２図および第３図は、それぞれ、
第１図のビーム形状可変手段の例を示す概略図である。
第４図は、第１図のウエハ電位検出手段の一例を示す概
略図である。第５図は、従来のイオン注入装置の一例を
示す概略図である。 ２……イオン源、４……イオンビーム、６……質量分析
磁石、８……分析スリット、10……マスク、14……ディ
スク、16……ウエハ、18……ビーム形状可変手段、20…
…ウエハ電位検出手段、22……制御回路（制御手段）。FIG. 1 is a schematic diagram showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 and 3 respectively,
It is a schematic diagram showing an example of a beam shape changing means of FIG.
FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the wafer potential detecting means of FIG. FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a conventional ion implantation apparatus. 2 ... Ion source, 4 ... Ion beam, 6 ... Mass analysis magnet, 8 ... Analysis slit, 10 ... Mask, 14 ... Disk, 16 ... Wafer, 18 ... Beam shape changing means, 20 ...
... Wafer potential detecting means, 22 ... Control circuit (control means).
Claims (1)
ハを処理する装置において、ウエハに照射前のイオンビ
ームの経路上に設けられていて、通過するイオンビーム
の形状を変化させるビーム形状可変手段と、ウエハの近
傍に設けられていて、ウエハの電位を検出するウエハ電
位検出手段と、ウエハ電位検出手段に応答してビーム形
状可変手段を制御することよって、ウエハに照射される
イオンビームの形状を制御する制御手段とを備えること
を特徴とするイオン処理装置。1. An apparatus for irradiating a wafer with an ion beam to process the wafer, wherein the beam shape changing means is provided on the path of the ion beam before the irradiation of the wafer and changes the shape of the passing ion beam. And the shape of the ion beam with which the wafer is irradiated by controlling the wafer potential detecting means provided near the wafer for detecting the potential of the wafer and the beam shape changing means in response to the wafer potential detecting means. And a control means for controlling the ion treatment apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61098884A JPH0677443B2 (en) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Ion processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61098884A JPH0677443B2 (en) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Ion processing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62254353A JPS62254353A (en) | 1987-11-06 |
| JPH0677443B2 true JPH0677443B2 (en) | 1994-09-28 |
Family
ID=14231570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61098884A Expired - Lifetime JPH0677443B2 (en) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Ion processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677443B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815063B2 (en) * | 1987-06-01 | 1996-02-14 | 富士通株式会社 | Ion beam irradiation apparatus and ion beam irradiation method |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61098884A patent/JPH0677443B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62254353A (en) | 1987-11-06 |
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