JPH0680643B2 - シリコン酸化膜のエツチング方法 - Google Patents
シリコン酸化膜のエツチング方法Info
- Publication number
- JPH0680643B2 JPH0680643B2 JP11261086A JP11261086A JPH0680643B2 JP H0680643 B2 JPH0680643 B2 JP H0680643B2 JP 11261086 A JP11261086 A JP 11261086A JP 11261086 A JP11261086 A JP 11261086A JP H0680643 B2 JPH0680643 B2 JP H0680643B2
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- JP
- Japan
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- etching
- oxide film
- silicon oxide
- gas
- silicon
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコン酸化膜のエッチング方法に係り、特
にシリコンおよびレジストとの高選択性エッチングに好
適なシリコン酸化膜のエッチング方法に関するものであ
る。
にシリコンおよびレジストとの高選択性エッチングに好
適なシリコン酸化膜のエッチング方法に関するものであ
る。
シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするに際
し、エッチングガスとしては、CHF3やCF4+H2混合ガス等
が用いられている。
し、エッチングガスとしては、CHF3やCF4+H2混合ガス等
が用いられている。
なお、この種の技術に関連するものとしては、例えば、
ソリッド・ステート・エレクトロニクス,18巻（197
5），第1146頁から第1147頁（Solid State Electronic
s,Vol.18（1975）,PP1146-1147），特開昭50-36075号，
特開昭56-158873号等が挙げられる。
ソリッド・ステート・エレクトロニクス,18巻（197
5），第1146頁から第1147頁（Solid State Electronic
s,Vol.18（1975）,PP1146-1147），特開昭50-36075号，
特開昭56-158873号等が挙げられる。
従来のCHF3やCF4+H2混合ガスをエッチングガスに用いた
シリコン酸化膜のエッチングでは、シリコンとの選択比
が10前後、レジストとの選択比は３前後であり、半導体
素子デバイスの信頼性や歩留りが低下する要因となって
いた。
シリコン酸化膜のエッチングでは、シリコンとの選択比
が10前後、レジストとの選択比は３前後であり、半導体
素子デバイスの信頼性や歩留りが低下する要因となって
いた。
本発明の目的は、シリコン酸化膜のシリコンおよびレジ
ストとの高選択性エッチングを可能とすることで、半導
体素子デバイスの信頼性や歩留りを向上できるシリコン
酸化膜のエッチング方法を提供することにある。
ストとの高選択性エッチングを可能とすることで、半導
体素子デバイスの信頼性や歩留りを向上できるシリコン
酸化膜のエッチング方法を提供することにある。
上記目的は、シリコン酸化膜のエッチングガスとして、
CHF3とCH2F2とO2との混合ガス若しくはCHF3とCH3FとO2
との混合ガスを用いることにより、達成される。
CHF3とCH2F2とO2との混合ガス若しくはCHF3とCH3FとO2
との混合ガスを用いることにより、達成される。
シリコン酸化膜をエッチングする場合、シリコンおよび
レジストとの選択比を得るために、重合物を生成し易い
ガスをエッチングガスに用いるが、該エッチングガスが
CHF3単独ガスでは、その制御性に限界がある。そこで、
さらに重合物を生成し易いCH2F2若しくはCH3FをCHF3に
添加し、また、生成された重合物を除去するためにO2を
添加することで、シリコン酸化膜のシリコンおよびレジ
ストとの高選択性エッチングを行うことができる。
レジストとの選択比を得るために、重合物を生成し易い
ガスをエッチングガスに用いるが、該エッチングガスが
CHF3単独ガスでは、その制御性に限界がある。そこで、
さらに重合物を生成し易いCH2F2若しくはCH3FをCHF3に
添加し、また、生成された重合物を除去するためにO2を
添加することで、シリコン酸化膜のシリコンおよびレジ
ストとの高選択性エッチングを行うことができる。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。CHF3ガ
ス6,CH2F2若しくはCH3Fガス7,O2ガス８をそれぞれ、マ
スフローコントローラ２を介し、エッチングチャンバ１
に導入し、コンダクタンスバルブ３により圧力を調整
し、高周波電源４によりエッチングチャンバ１内にプラ
ズマを発生させエッチングを行う。第１図は平行平板型
バッチ式ドライエッチング装置を例としたが、その他の
ドライエッチング装置においても適用可能である。
ス6,CH2F2若しくはCH3Fガス7,O2ガス８をそれぞれ、マ
スフローコントローラ２を介し、エッチングチャンバ１
に導入し、コンダクタンスバルブ３により圧力を調整
し、高周波電源４によりエッチングチャンバ１内にプラ
ズマを発生させエッチングを行う。第１図は平行平板型
バッチ式ドライエッチング装置を例としたが、その他の
ドライエッチング装置においても適用可能である。
発生したプラズマ中の種々のイオンの化学反応およびス
パッタ作用によりエッチングが進行すると同時に、Ｃ−
Ｈの結合により重合物が形成され、エッチングを阻止し
ようとする機能をもたし、そのバランスをCH2F2ガス７
とO2ガス８あるいはCH3Fガス７とO2ガス８の流量を調整
することにより、ウェハ５のシリコン酸化膜のエッチン
グにおいて、シリコンおよびレジストとの選択性が向上
する。
パッタ作用によりエッチングが進行すると同時に、Ｃ−
Ｈの結合により重合物が形成され、エッチングを阻止し
ようとする機能をもたし、そのバランスをCH2F2ガス７
とO2ガス８あるいはCH3Fガス７とO2ガス８の流量を調整
することにより、ウェハ５のシリコン酸化膜のエッチン
グにおいて、シリコンおよびレジストとの選択性が向上
する。
一例として、CHF3（流量：60SCCM）とCH2F2（流量：20
SCCM）とO2（流量：10SCCM）との混合ガスをエッチング
ガスに用い、また、第１図のエッチング装置を用いてシ
リコン酸化膜のエッチングを実施した結果、シリコンと
の選択比は約15、またレジストとの選択比は約５を得
た。
SCCM）とO2（流量：10SCCM）との混合ガスをエッチング
ガスに用い、また、第１図のエッチング装置を用いてシ
リコン酸化膜のエッチングを実施した結果、シリコンと
の選択比は約15、またレジストとの選択比は約５を得
た。
本実施例では、例えば、シリコンとの選択比が約15、レ
ジストとの選択比が約５となり、シリコン酸化膜のシリ
コンおよびレジストとの高選択性エッチングを達成でき
るため、半導体素子デバイスの信頼性や歩留りを向上さ
せることができる。
ジストとの選択比が約５となり、シリコン酸化膜のシリ
コンおよびレジストとの高選択性エッチングを達成でき
るため、半導体素子デバイスの信頼性や歩留りを向上さ
せることができる。
本発明によれば、シリコン酸化膜のプラズマによるエッ
チングでシリコンおよびレジストとの高選択性エッチン
グを達成できるので、半導体素子デバイスの信頼性や歩
留りを向上できるという効果がある。
チングでシリコンおよびレジストとの高選択性エッチン
グを達成できるので、半導体素子デバイスの信頼性や歩
留りを向上できるという効果がある。
第１図は、本発明を実施した平行平板型バッチ式ドライ
エッチング装置の一例を示す装置構成図である。 １……エッチングチャンバ、２……マスフローコントロ
ーラ、３……コンダクタンスバルブ、４……高周波電
源、６……CHF3,7……CH2F2若しくはCH3F、８……O2
エッチング装置の一例を示す装置構成図である。 １……エッチングチャンバ、２……マスフローコントロ
ーラ、３……コンダクタンスバルブ、４……高周波電
源、６……CHF3,7……CH2F2若しくはCH3F、８……O2
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 仁昭 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 西海 正治 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭55−164077（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン酸化膜をプラズマによりエッチン
グする方法において、エッチングガスにCHF3とCH2F2とO
2との混合ガス若しくはCHF3とCH3FとO2との混合ガスを
用いることを特徴とするシリコン酸化膜のエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261086A JPH0680643B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | シリコン酸化膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261086A JPH0680643B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | シリコン酸化膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269318A JPS62269318A (ja) | 1987-11-21 |
| JPH0680643B2 true JPH0680643B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14591039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11261086A Expired - Lifetime JPH0680643B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | シリコン酸化膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680643B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19707886C2 (de) * | 1997-02-27 | 2003-12-18 | Micronas Semiconductor Holding | Verfahren zum Erzeugen von Kontaktlöchern in einer Halbleiteranordnung |
| US5965035A (en) * | 1997-10-23 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Self aligned contact etch using difluoromethane and trifluoromethane |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11261086A patent/JPH0680643B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62269318A (ja) | 1987-11-21 |
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