JPH0682728B2 - Photomask defect monitoring method - Google Patents
Photomask defect monitoring methodInfo
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- JPH0682728B2 JPH0682728B2 JP62214057A JP21405787A JPH0682728B2 JP H0682728 B2 JPH0682728 B2 JP H0682728B2 JP 62214057 A JP62214057 A JP 62214057A JP 21405787 A JP21405787 A JP 21405787A JP H0682728 B2 JPH0682728 B2 JP H0682728B2
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はホトマスク欠陥モニタ方式に関し、特にレーザ
CVD（Chemical Vapor Deposition）法を用いてホトマス
ク上に遮光性物質を堆積させ、白点欠陥を修正するレー
ザ加工装置のホトマスク欠陥モニタ方式に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photomask defect monitoring system, and more particularly to a laser.
The present invention relates to a photomask defect monitoring system of a laser processing apparatus for correcting a white spot defect by depositing a light-shielding substance on a photomask by using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
従来技術 IC（集積回路）やLSI（大規模集積回路）などの製造に
用いられるホトマスクには黒点欠陥および白点欠点と呼
ばれる２種類の欠陥が存在する。2. Description of the Related Art Photomasks used for manufacturing ICs (integrated circuits) and LSIs (large-scale integrated circuits) have two types of defects called black spot defects and white spot defects.
黒点欠陥はホトマスク上の不要な部分に遮光膜となる金
属膜（通常はCr膜）が残存している欠陥である。これと
は逆に、白点欠陥はホトマスク上の必要な部分の金属膜
が欠如している欠陥である。The black spot defect is a defect in which a metal film (usually a Cr film) that serves as a light shielding film remains in an unnecessary portion on the photomask. On the contrary, the white spot defect is a defect in which a metal film in a necessary portion on the photomask is missing.
ホトマスク上にこれらの欠陥が存在すると、ICやLSIの
性能不良を引き起こし、ICやLSIなどの製造における歩
留りを低下させる原因となるため、これらの欠陥を修正
する必要が生じる。The presence of these defects on the photomask causes performance defects of ICs and LSIs and causes a decrease in yield in the manufacture of ICs and LSIs, so it is necessary to correct these defects.
現在、黒点欠陥の修正については、レーザ光によりホト
マスク上の不要な部分の金属膜を蒸発除去するレーザ加
工装置によって行われる。この方法は実際の生産ライン
で使用され、ICやLSIなどの製造における歩留り向上に
効果を上げている。Currently, a black spot defect is repaired by a laser processing apparatus that evaporates and removes an unnecessary portion of a metal film on a photomask by laser light. This method is used in actual production lines and is effective in improving the yield in the manufacture of ICs and LSIs.
一方、白点欠陥の修正については、古くはリフトオフ法
により行われていたが、この方法では修正工程に長時間
を要し、二次欠陥を引起こす可能性があり、また修正の
プロセスが複雑であるなどの欠点を有していた。On the other hand, white spot defects were repaired by the lift-off method in the past, but this method requires a long time for the repair process and may cause secondary defects, and the repair process is complicated. It had a defect such as
最近、このリフトオフ法によってかわる方法として、い
わゆるレーザCVD法による修正方法が提案されている
（特公昭60-196942）。Recently, a modification method by a so-called laser CVD method has been proposed as an alternative method to the lift-off method (Japanese Patent Publication No. 60-196942).
この修正方法は、第３図に示すような、レーザ光源41
と、ビームエキスパンダ42と、反射照明光源43と、接眼
レンズ44と、レンズ45と、修正容器47と、真空容器48
と、修正物質49と、ヒータ50,51と、真空ポンプ52と、
不活性ガスボンベ53と、制御装置54とにより構成された
レーザ加工装置において行われる。This correction method is based on the laser light source 41 as shown in FIG.
, Beam expander 42, reflected illumination light source 43, eyepiece lens 44, lens 45, correction container 47, and vacuum container 48.
A correction substance 49, heaters 50 and 51, a vacuum pump 52,
This is performed in the laser processing apparatus including the inert gas cylinder 53 and the control device 54.
ホトマスク46を修正容器47に設置し、修正容器47内に補
正物質49を導き、レーザ光源41からのレーザ光をビーム
エキスパンダ42とレンズ45とを介してホトマスク46上の
白点欠陥部に照射することにより修正物質49を分解し、
白点欠陥部に金属を析出させて白点欠陥部の修正を行う
ようにしたものである。このとき、修正物質49は真空容
器48においてはヒータ50により加熱され、修正容器47に
おいてはヒータ51により加熱されている。The photomask 46 is installed in the correction container 47, the correction substance 49 is guided into the correction container 47, and the laser light from the laser light source 41 is applied to the white spot defect portion on the photomask 46 via the beam expander 42 and the lens 45. By decomposing the correction substance 49,
The white spot defect portion is repaired by depositing metal on the white spot defect portion. At this time, the correction substance 49 is heated by the heater 50 in the vacuum container 48 and by the heater 51 in the correction container 47.
また、白点欠陥部における金属膜の析出過程の観察は、
反射照明光源43からの照明光の白点欠陥部への照射によ
り反射してきた反射光を接眼レンズ44を介して観察する
ことで行われている。In addition, observation of the deposition process of the metal film in the white spot defect portion is
This is performed by observing, through the eyepiece lens 44, the reflected light that has been reflected by the irradiation of the illumination light from the reflective illumination light source 43 on the white spot defect portion.
このような従来の白点欠陥の修正方法では、その修正状
況が反射照明光源43からの照明光を白点欠陥部へ照射す
ることにより観察されているので、白点欠陥部に析出し
た金属膜の光沢によって金属膜の析出の有無を確認する
ことができても、その金属膜の遮光性に関しては確認す
ることができないという欠点がある。したがって、ホト
マスクの白点欠陥の修正における信頼度が低下する可能
性がある。In such a conventional white spot defect repairing method, since the repair status is observed by irradiating the white spot defect portion with the illumination light from the reflected illumination light source 43, the metal film deposited on the white spot defect portion is observed. Even if it is possible to confirm whether or not the metal film is deposited by the luster, it is not possible to confirm the light-shielding property of the metal film. Therefore, there is a possibility that the reliability in repairing the white spot defect of the photomask may be reduced.
また、白点欠陥に析出された金属膜の遮光性を確認する
ためにホトマスク46を透過する照明光の光源を設置して
も、修正容器47には修正物質49を加熱するためのヒータ
51が設けられているので、この透過照明光が修正容器47
およびヒータ51を透過することができず、この透過照明
光によって金属膜の遮光性を確認することができない。
したがって、白点欠点部に析出された金属膜が充分な遮
光性を有するかどうかを直接に見ることができないとい
う欠点がある。In addition, even if a light source for the illumination light that passes through the photomask 46 is installed to confirm the light-shielding property of the metal film deposited on the white spot defect, the correction container 47 has a heater for heating the correction substance 49.
Since 51 is provided, the transmitted illumination light is corrected by the correction container 47.
Also, the heater 51 cannot be transmitted, and the light shielding property of the metal film cannot be confirmed by the transmitted illumination light.
Therefore, there is a drawback that it is not possible to directly see whether or not the metal film deposited on the white spot defect portion has a sufficient light shielding property.
発明の目的 本発明は上記のような従来のものの欠点を除去すべくな
されたもので、白点欠陥部に析出された金属膜が充分な
遮光性を有するかどうかを直接に見ることがき、ホトマ
スクの白点欠陥の修正における信頼度を向上させること
ができるホトマスク欠陥モニタ方式の提供を目的とす
る。OBJECT OF THE INVENTION The present invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional ones, and it is possible to directly see whether or not the metal film deposited on the white spot defect portion has a sufficient light-shielding property. It is an object of the present invention to provide a photomask defect monitor method capable of improving the reliability in the correction of the white spot defect of the.
発明の構成 本発明によるホトマスク欠陥モニタ方式は、レーザ光の
ホトマスク上への集光照射により修正される前記ホトマ
スクの欠陥状況をモニタするホトマスク欠陥モニタ方式
であって、前記ホトマスクの前記レーザ光の照射面の対
向面から照射光を照射する光源と、前記ホトマスクを加
熱しつつ保持し、かつ前記光源からの前記照明光が透過
するように構成された保持手段とを設け、前記保持手段
と前記ホトマスクとを透過する前記照明光によって前記
ホトマスクを欠陥状況をモニタするようにしたことを特
徴とする。The photomask defect monitoring method according to the present invention is a photomask defect monitoring method for monitoring the defect status of the photomask that is corrected by converging irradiation of laser light onto the photomask. A light source that emits irradiation light from a surface opposite to the surface, and holding means that is configured to hold the photomask while heating and to transmit the illumination light from the light source, the holding means and the photomask. The defect state of the photomask is monitored by the illumination light that transmits through
実施例 次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。Embodiment Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。図において、本発明の一実施例によるレーザ加工装
置のレーザ部は、レーザ光源１と、ビームエキスパンダ
２と、ダイクロイックミラー3,6,8と、矩形スリット４
と、スリット照明光源５と、レンズ７と、反射照明光源
９と、レーザ光カットフィルタ10と、観察光学系11とに
より構成されている。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. In the figure, a laser unit of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a laser light source 1, a beam expander 2, dichroic mirrors 3, 6, 8 and a rectangular slit 4.
The slit illumination light source 5, the lens 7, the reflection illumination light source 9, the laser light cut filter 10, and the observation optical system 11.
また、本発明の一実施例によるレーザ加工装置の白点欠
陥修正部は、ウィンド13,14が設けられたチェンバ12
と、透過照明光源15と、透過照明ユニット16と、マスク
ホルダ19と、ガラス状ヒータ20と、XYステージ21と、供
給ノズル22と、排気ノズル23と、真空容器24と、ヒータ
26と、マスフローメータ27と、不活性ガスボンベ28と、
トラップ29と、排気装置30とにより構成されている。In addition, the white spot defect correcting portion of the laser processing apparatus according to the embodiment of the present invention is a chamber 12 provided with windows 13 and 14.
A transmission illumination light source 15, a transmission illumination unit 16, a mask holder 19, a glass heater 20, an XY stage 21, a supply nozzle 22, an exhaust nozzle 23, a vacuum container 24, and a heater.
26, a mass flow meter 27, an inert gas cylinder 28,
It is composed of a trap 29 and an exhaust device 30.
白点欠陥を含むホトマスク18はチェンバ12内のガラス状
ヒータ20の上に設けられたマスクホルダ19により固定さ
れ、このガラス状ヒータ20の上にはホトマスク18が直接
載置されるように構成されている。The photomask 18 including white spot defects is fixed by a mask holder 19 provided on the glass-like heater 20 in the chamber 12, and the photomask 18 is directly placed on the glass-like heater 20. ing.
また、マスクホルダ19はホトマスク18のエッジ部、すな
わちホトマスク18上において回路パターンが形成されて
いない部分のみに接触してホトマスク18を固定できるよ
うになっている。Further, the mask holder 19 can fix the photomask 18 by contacting only the edge portion of the photomask 18, that is, the portion on the photomask 18 where the circuit pattern is not formed.
これはホトマスク18に傷やゴミをつけたりしないように
するためである。This is to prevent scratches or dust on the photomask 18.
マスクホルダ19およびガラス状ヒータ20は、図示せぬ微
調整機構を有するXYステージ21上に設置されており、ホ
トマスク18の欠陥データに基いてホトマスク18の位置決
めを行って、ホトマスク18の白点欠陥を観察光学系11の
観察点、すなわち、レーザ光の集光位置に移動できるよ
うになっている。The mask holder 19 and the glass heater 20 are installed on the XY stage 21 having a fine adjustment mechanism (not shown), and the photomask 18 is positioned based on the defect data of the photomask 18, and the white spot defect of the photomask 18 is detected. Can be moved to the observation point of the observation optical system 11, that is, to the focus position of the laser light.
また、XYステージ21には中央部にマスクサイズより大き
い図示せぬ空孔が設けられており、透過照明光源15から
の透過光がチェンバ12のウィンド14と透過照明ユニット
16とガラス状ヒータ20とを介してホトマスク18を下方か
ら照明できるようになっている。Further, the XY stage 21 is provided with a hole (not shown) larger than the mask size in the central portion, and the transmitted light from the transmitted illumination light source 15 is transmitted through the window 14 of the chamber 12 and the transmitted illumination unit.
The photomask 18 can be illuminated from below via 16 and the glass-like heater 20.
通常、この透過照明光には可視光線を用いるので、ガラ
ス状ヒータ20およびウィンド14は石英やBK7、およびパ
イレスクなどのガラス板を用いることができる。Since visible light is usually used for this transmitted illumination light, glass plates such as quartz, BK7, and Pilesk can be used for the glass heater 20 and the window 14.
このXYステージ21はチェンバ12内に設置されており、ウ
ィンド13を通してレーザ部からのレーザ光をホトマスク
18上に集光できるようになっている。This XY stage 21 is installed in the chamber 12 and photomasks the laser light from the laser section through the window 13.
It can be focused on 18.
第２図は第１図のガラス状ヒータ20の構成を示す構成図
である。図において、ガラス状ヒータ20は、ガラス板31
の片面上に透明導電膜［ITO（Indium Tin Oxide）膜な
ど］32を蒸着した後に、この透明導電膜32上の両サイド
に電極（Al,Cu,Auなど）33を蒸着させたものである。FIG. 2 is a structural diagram showing the structure of the glass-like heater 20 shown in FIG. In the figure, the glass heater 20 is a glass plate 31.
After depositing a transparent conductive film [ITO (Indium Tin Oxide) film, etc.] 32 on one surface of, the electrodes (Al, Cu, Au, etc.) 33 are deposited on both sides of this transparent conductive film 32. .
ここで、透明導電膜32の厚みとその抵抗値とは反比例の
関係にあり、またこの透明導電膜32に供給される電源電
圧が一定であるため、透明導電膜32を厚くするとその抵
抗値は小さくなって発熱量は大となるが、透明導電膜32
の膜厚が厚いので、透過光の透過率が低下する。Here, the thickness of the transparent conductive film 32 and its resistance value are in inverse proportion to each other, and since the power supply voltage supplied to this transparent conductive film 32 is constant, if the transparent conductive film 32 is thickened, its resistance value becomes Although it becomes small and the amount of heat generated becomes large, the transparent conductive film 32
Since the film thickness is large, the transmittance of transmitted light is reduced.
したがって、透明導電膜32の膜厚はホトマスク18の加熱
に必要な熱溶量と透過照明光として必要な光量とから適
度に選択する必要がある。Therefore, the film thickness of the transparent conductive film 32 needs to be appropriately selected from the amount of hot melt required for heating the photomask 18 and the amount of light required as transmitted illumination light.
本発明の一実施例においては透明導電膜32の膜厚を500
Åとすると、100Ω/cm2程度の抵抗値が得られる。この
ときの透明導電膜32の透過率は80％程度となるので、透
明導電膜32による透過光の光量ロスは無視することがで
きる。In one embodiment of the present invention, the transparent conductive film 32 has a thickness of 500.
Assuming Å, a resistance value of about 100 Ω / cm 2 can be obtained. Since the transmittance of the transparent conductive film 32 at this time is about 80%, the light amount loss of the transmitted light due to the transparent conductive film 32 can be ignored.
また、この透明導電膜32を用いた場合には７インチ角の
ホトマスク（板厚0.09インチ）を50℃位に加熱すること
ができ、本発明の一実施例における自点欠陥の修正に必
要とする最適な加熱温度が40℃であるので、このガラス
状ヒータ20は充分な加熱能力を有していることになる。Further, when this transparent conductive film 32 is used, a 7-inch square photomask (plate thickness: 0.09 inch) can be heated to about 50 ° C., and it is necessary to correct the self-point defect in one embodiment of the present invention. Since the optimum heating temperature to be used is 40 ° C., this glassy heater 20 has a sufficient heating capacity.
これら第１図および第２図を用いて本発明の一実施例に
よるレーザ加工装置の動作について説明する。The operation of the laser processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
レーザ光源１から出射されたレーザ光はビームエキスパ
ンダ２でビーム径が広げられ、ダイクロイックミラー３
で折返されて矩形スリット４に入射される。この入射さ
れたレーザ光は矩形スリット４で整形され、ダイクロイ
ックミラー６で折返されてレンズ７によりホトマスク18
上に集光される。The beam diameter of the laser light emitted from the laser light source 1 is expanded by the beam expander 2, and the dichroic mirror 3
It is turned back at and is incident on the rectangular slit 4. The incident laser light is shaped by the rectangular slit 4, folded by the dichroic mirror 6, and is reflected by the lens 7 by the photomask 18.
Focused on top.
ここで、矩形スリット４とホトマスク18との位置関係
は、矩形スリット４の形状によって生ずる像がレンズ７
により縮小され、かつ正確にホトマスク18上に結像され
るように夫々配置される。Here, regarding the positional relationship between the rectangular slit 4 and the photomask 18, an image generated by the shape of the rectangular slit 4 is formed by the lens 7
And are arranged so as to be accurately imaged on the photomask 18 by being reduced by.
また、この矩形スリット４の形状を確認するためにスリ
ット照明光源５から出射された可視光をレーザ光と同じ
光路を通らせてホトマスク18上に集光すると、この可視
光による矩形スリット４の形状によって生ずる像がホト
マスク18上に結像される。Further, in order to confirm the shape of the rectangular slit 4, when the visible light emitted from the slit illumination light source 5 passes through the same optical path as the laser light and is condensed on the photomask 18, the shape of the rectangular slit 4 due to the visible light. The resulting image is imaged on the photomask 18.
このホトマスク18上に結像された像は、反射照明光源９
あるいは透過照明光源15を用いることによって観察光学
系11で観察することができる。The image formed on the photomask 18 is the reflection illumination light source 9
Alternatively, it is possible to observe with the observation optical system 11 by using the transmitted illumination light source 15.
ここで、矩形スリット４は図示せぬ調整回路によって、
白点欠陥の形状に応じて自動的に調整されるか、あるい
はオペレータの手動操作によって開口幅と傾き角とが調
整できるようになっている。Here, the rectangular slit 4 is adjusted by an adjusting circuit (not shown).
The opening width and the tilt angle can be adjusted automatically according to the shape of the white spot defect, or manually by an operator.
チェンバ12内のホトマスク18上にはガス化された修正物
質16が供給されている。この修正物質［Cr（CO）6,Mo
（CO）６など］25は常温では固体の物質であり、真空容
器24内でヒータ26により昇華温度まで加熱されてガス化
される。この修正物質25はガス化されてから、不活性ガ
スボンベ28から供給され、かつマスフローメータ27で一
定の流量に制御された不活性ガス（He、Ne、Ar、N2な
ど）をキャリアガスとして、チェンバ12内のホトマスク
18上にガス化された修正物質16として供給ノズル22によ
り供給される。A gasified correction substance 16 is provided on a photomask 18 in the chamber 12. This modified substance [Cr (CO) 6 , Mo
(CO) 6, etc.] 25 is a solid substance at room temperature, and is heated to the sublimation temperature by the heater 26 in the vacuum container 24 and gasified. This correction substance 25 is gasified, then supplied from an inert gas cylinder 28, and an inert gas (He, Ne, Ar, N 2, etc.) controlled to a constant flow rate by the mass flow meter 27 as a carrier gas, Photomask in chamber 12
It is supplied by a supply nozzle 22 as gasified correction substance 16 on 18.
しかしながら、マスフローメータ27で一定の流量に制御
されたとしても、ホトマスク18上のガス化された修正物
質16にはよどみが発生したりするので、一定の流速にな
らない可能性がある。そこで、ガス化された修正物質16
の供給側の反対側に排気ノズル23を設け、一定速度で排
気するようにしている。However, even if the mass flow meter 27 controls the flow rate to a constant value, stagnation occurs in the gasified correction substance 16 on the photomask 18, and thus the constant flow rate may not be achieved. There, gasified correction substance 16
An exhaust nozzle 23 is provided on the opposite side of the supply side to exhaust at a constant speed.
この場合、排気装置30としては通常ロータリポンプが用
いられる。また、通常、レーザCVD法で用いられるガス
化された修正物質16は有害であるので、排気ガスとして
ダクトに排出される前にトラップ29でガス化された修正
物質16が全てトラップされるようになっているここで、
ガス化された修正物質16をトラップ29によってトラップ
する方法としては、−５℃以下の冷却トラップあるいは
200℃前後の熱分解トラップが用いられている。In this case, a rotary pump is usually used as the exhaust device 30. In addition, since the gasified correction substance 16 used in the laser CVD method is usually harmful, all the gasified correction substance 16 is trapped by the trap 29 before being discharged to the duct as exhaust gas. Where is becoming
As a method for trapping the gasified correction substance 16 by the trap 29, a cooling trap at -5 ° C or lower, or
A thermal decomposition trap at around 200 ° C is used.
チェンバ12の内圧は大気圧より少し低くして（0.9気圧
程度）、ガス化された修正物質16がチェンバ12外にリー
クしないようにしてある。さらに、ガス化された修正物
質16をホトマスク18上に供給する供給ノズル22は、レー
ザ光の集光点に極力近付けて、ガス化された修正物質16
がホトマスク18上の白点欠陥以外の周辺部に拡散しない
ようにしてある。The internal pressure of the chamber 12 is slightly lower than the atmospheric pressure (about 0.9 atm) so that the gasified correction substance 16 does not leak out of the chamber 12. Further, the supply nozzle 22 for supplying the gasified correction substance 16 onto the photomask 18 is brought as close as possible to the condensing point of the laser light, and the gasified correction substance 16 is supplied.
Are not diffused to the peripheral portion other than the white spot defect on the photomask 18.
このガス化された修正物質16による修正膜が、チェンバ
12のウィンド13の内側に析出するのを防止するために、
図示せぬパージガス吹付け機構によってウィンド13の内
側にパージガス（Ar、N2など）を吹付けるようにしてあ
る。このパージガスによってガス化された修正物質16の
流れに乱れ生じないようにパージガス吹付け機構は取付
けられている。The correction film made of this gasified correction substance 16 is
In order to prevent it from depositing inside the 12 windows 13,
A purge gas (Ar, N 2, etc.) is blown inside the window 13 by a purge gas blowing mechanism (not shown). The purge gas blowing mechanism is installed so that the flow of the correction substance 16 gasified by the purge gas is not disturbed.
尚、ホトマスク18上の金属膜の析出量は、レーザ光のパ
ワーおよび修正物質16の流量が一定である場合には、通
常、レーザ光の照射時間に比例する。したがって、ホト
マスク18の白点欠陥の修正を十分観察しながら行えるよ
うにレーザ光の照射時間を設定すれば、金属膜の析出に
よる遮光性の変化を透過照明光源15からの透過照明光に
よって観察しながらホトマスク18上の白点欠陥の修正作
業を行うことができる。すなわち、透過照明光源15から
の透過照明光による観察を行いながら、ホトマスク18上
の白点欠陥部に金属膜を析出させ、充分な遮光性が得ら
れたところでレーザ光の照射を停止することにより、ホ
トマスク18上の白点欠陥に対する修正作業を完了させる
ことができる。The amount of the metal film deposited on the photomask 18 is usually proportional to the irradiation time of the laser light when the power of the laser light and the flow rate of the correction substance 16 are constant. Therefore, if the irradiation time of the laser light is set so that the white spot defect of the photomask 18 can be sufficiently observed, the change of the light shielding property due to the deposition of the metal film is observed by the transmitted illumination light from the transmitted illumination light source 15. On the other hand, it is possible to correct the white spot defect on the photomask 18. That is, while observing with the transmitted illumination light from the transmitted illumination light source 15, by depositing a metal film on the white spot defect portion on the photomask 18, by stopping the irradiation of the laser light when sufficient light shielding property is obtained. The repair work for the white spot defect on the photomask 18 can be completed.
このように、ホトマスク18の加熱用のヒータとしてガラ
ス状ヒータ20を用いることによって、白点欠陥部に析出
される金属膜の遮光性を透過照明光源15からの透過照明
光により観察しながらホトマスク18の白点欠陥の修正を
行うことができる。したがって、従来のような反射照明
光のみで金属膜の析出を観察する方法に比べて、白点欠
陥修正の信頼度を向上させることができる。As described above, by using the glass-like heater 20 as a heater for heating the photomask 18, the photomask 18 is observed while observing the light shielding property of the metal film deposited on the white spot defect portion by the transmitted illumination light from the transmitted illumination light source 15. The white spot defect can be corrected. Therefore, the reliability of white spot defect correction can be improved as compared with the conventional method of observing the deposition of the metal film only with the reflected illumination light.
また、本発明の一実施例によるガラス状ヒータ20は従来
の抵抗線によるヒータに比べて構造が簡単でかつ取扱い
が容易な上、任意のサイズのものを簡単に製作できるの
で、最近の大型のホトマスクにも容易に対応することが
できる。また、ホトマスク１は直接ガラス状ヒータ20上
に載置されるので、加熱効率が高く、低電力の供給でホ
トマスク18を加熱させることができる。Further, the glass-like heater 20 according to one embodiment of the present invention has a simple structure and is easy to handle as compared with a conventional heater using a resistance wire, and since any size heater can be easily manufactured, a large-sized heater of recent years can be used. It can be easily applied to a photomask. Further, since the photomask 1 is placed directly on the glass-like heater 20, the heating efficiency is high and the photomask 18 can be heated by supplying low power.
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、ホトマスクを加熱
しつつ保持し、かつホトマスクのレーザ光の照射面の反
対側から照明光を透過するように構成された保持手段を
設けることによって、白点欠陥部に析出された金属膜が
充分な遮光性を有するかどうかを直接に見ることがで
き、ホトマスクの白点欠陥の修正における信頼度を向上
させることができるという効果がある。As described above, according to the present invention, by holding the photomask while heating, and by providing the holding means configured to transmit the illumination light from the side opposite to the irradiation surface of the laser light of the photomask. It is possible to directly see whether or not the metal film deposited on the white spot defect has a sufficient light-shielding property, and it is possible to improve the reliability in repairing the white spot defect of the photomask.
第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図、第
２図は第１図のガラス状ヒータの構成を示す構成図、第
３図は従来例の構成を示すブロック図である。 主要部分の符号の説明 11……観察光学系 15……透過照明光源 16……透過照明ユニット 19……マスクホルダ 20……ガラス状ヒータ 31……ガラス板 32……透明導電膜FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram showing the configuration of the glass-like heater of FIG. 1, and FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of a conventional example. Explanation of symbols for main parts 11 …… Observation optical system 15 …… Transmission illumination light source 16 …… Transmission illumination unit 19 …… Mask holder 20 …… Glass heater 31 …… Glass plate 32 …… Transparent conductive film
Claims (2)
り修正される前記ホトマスクの欠陥状況をモニタするホ
トマスク欠陥モニタ方式であって、前記ホトマスクの前
記レーザ光の照射面の対向面から照射光を照射する光源
と、前記ホトマスクを加熱しつつ保持し、かつ前記光源
からの前記照明光が透過するように構成された保持手段
とを設け、前記保持手段と前記ホトマスクとを透過する
前記照明光によって前記ホトマスクの欠陥状況をモニタ
するようにしたことを特徴とするホトマスク欠陥モニタ
方式。1. A photomask defect monitoring system for monitoring a defect condition of the photomask, which is corrected by converging and irradiating laser light onto the photomask, wherein the irradiation light is emitted from a surface of the photomask opposite to the laser light irradiation surface. And a holding means that holds the photomask while heating it and that is configured to transmit the illumination light from the light source, and the illumination light that passes through the holding means and the photomask. The photomask defect monitoring method is characterized in that the defect status of the photomask is monitored according to the above.
明体を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項のホ
トマスク欠陥モニタ方式。2. The photomask defect monitoring system according to claim 1, wherein said holding means includes a transparent body having a transparent conductive film deposited thereon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62214057A JPH0682728B2 (en) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | Photomask defect monitoring method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62214057A JPH0682728B2 (en) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | Photomask defect monitoring method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6457636A JPS6457636A (en) | 1989-03-03 |
| JPH0682728B2 true JPH0682728B2 (en) | 1994-10-19 |
Family
ID=16649550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62214057A Expired - Lifetime JPH0682728B2 (en) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | Photomask defect monitoring method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682728B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014210838A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-17 | Trumpf Laser Gmbh | Einkoppeloptik, laser welding head and laser welding device with vacuum chamber |
-
1987
- 1987-08-27 JP JP62214057A patent/JPH0682728B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6457636A (en) | 1989-03-03 |
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