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JPH0685397B2 - Electrode structure for cutting and grooving - Google Patents
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JPH0685397B2 - Electrode structure for cutting and grooving - Google Patents

Electrode structure for cutting and grooving

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JPH0685397B2
JPH0685397B2 JP13975191A JP13975191A JPH0685397B2 JP H0685397 B2 JPH0685397 B2 JP H0685397B2 JP 13975191 A JP13975191 A JP 13975191A JP 13975191 A JP13975191 A JP 13975191A JP H0685397 B2 JPH0685397 B2 JP H0685397B2
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cutting
grooving
electrode structure
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    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades

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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ラジカル反応を利用し
た無歪精密切断装置における切断及び溝切り用電極構造
体に係わり、更に詳しくは半導体製造用のシリコン及び
ゲルマニウム単結晶、又はガリウム−砒素化合物等を切
断してウェハーを製造するために用いる切断及び溝切り
用電極構造体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode structure for cutting and grooving in a strain-free precision cutting device utilizing a radical reaction, and more particularly to a silicon and germanium single crystal or gallium-arsenic for semiconductor manufacturing. The present invention relates to an electrode structure for cutting and grooving used for manufacturing a wafer by cutting a compound or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のシリコン単結晶等の切断には、ダ
イヤモンドホイールによるダイシング加工法が用いられ
ている。この加工原理は、微細クラックによる脆性破壊
を利用したものであることから、加工表面の結晶学的な
制御性がなく、しかも確率的に仕上加工層を上回る非常
に深いダメージを与え、このように切断したウェハーを
用いて半導体素子を製造した場合、歩留りが悪く、また
その電気的な性能を劣化させることになり、それにより
その集積度の限界を律する要因の一つにもなっていた。
2. Description of the Related Art A conventional dicing method using a diamond wheel has been used to cut a silicon single crystal or the like. Since this processing principle utilizes brittle fracture due to fine cracks, there is no crystallographic controllability of the processed surface, and it probabilistically causes extremely deep damage exceeding the finishing processed layer. When a semiconductor element is manufactured using a cut wafer, the yield is low and the electrical performance thereof is deteriorated, which is one of the factors that limit the limit of the degree of integration.

【0003】そこで、本出願人は、特開平1−125829号
公報にて開示される如く、反応ガスを含む雰囲気気体中
に被加工物とワイヤー電極を配し、該ワイヤー電極に高
周波電圧を印加して、被加工物と電極間に反応ガスに基
づくラジカルを発生させ、そのラジカルと被加工物を構
成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した
揮発性物質を気化、除去して切断する方法を提案した。
Therefore, the applicant of the present invention, as disclosed in JP-A-1-125829, arranges a workpiece and a wire electrode in an atmosphere gas containing a reaction gas and applies a high frequency voltage to the wire electrode. Then, a radical based on a reaction gas is generated between the workpiece and the electrode, and the volatile substance generated by the radical reaction between the radical and the atom or molecule constituting the workpiece is vaporized, removed, and cut. Proposed.

【0004】しかし、高価なシリコン単結晶等を切断し
てウェハーを製造する場合、材料を効率よく使用するた
めに、その切断加工幅はできるだけ狭くすることが要求
され、そのためには可能な限り細いワイヤー電極を使用
しなければならないが、ワイヤー電極の強度に問題があ
る。即ち、反応ガスとして腐食性の高いフッ素系、塩素
系等が用いられるが、ワイヤー電極の周囲に発生する反
応性に富んだラジカルによってワイヤー電極自体も消耗
し、また多結晶のものであれば粒界強度が低下して、ワ
イヤー電極の引張り強度が低下し、電極が切断するとい
った問題を有する。
However, when an expensive silicon single crystal or the like is cut to manufacture a wafer, it is required to make the cutting width as narrow as possible in order to use the material efficiently, and for that purpose, it is as thin as possible. Although the wire electrode must be used, there is a problem in the strength of the wire electrode. That is, a highly corrosive fluorine-based, chlorine-based, or the like is used as the reaction gas, but the wire electrode itself is also consumed by the highly reactive radicals generated around the wire electrode, and if it is a polycrystalline particle There is a problem that the field strength is lowered, the tensile strength of the wire electrode is lowered, and the electrode is cut.

【0005】そこで、本出願人らは、ラジカル反応を利
用した無歪精密切断装置の電極として、ブレード状電極
を使用することを提案している。このブレード状電極を
用いれば、切断加工幅を狭くすることができるととも
に、腐食性の反応ガスを用いる場合でも、その反応ガス
による電極の腐食及び強度劣化の問題は解決できるが、
多数のブレード状電極を並設する場合の保持構造が複雑
になること、狭い加工溝の内部に反応ガスを供給する手
段を必要とすること、といった新たな問題が生じる。
Therefore, the applicants have proposed to use a blade-shaped electrode as an electrode of a strain-free precision cutting device utilizing a radical reaction. If this blade-shaped electrode is used, the cutting width can be narrowed, and even when a corrosive reaction gas is used, the problems of corrosion and strength deterioration of the electrode due to the reaction gas can be solved,
New problems arise such that the holding structure becomes complicated when a large number of blade-shaped electrodes are arranged side by side, and a means for supplying a reaction gas into the narrow working groove is required.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は前述の状況に
鑑み、解決しようとするところは、電極として複数並設
したブレード状電極を用いることにより、切断加工幅の
問題の解決を図るとともに、それにより新たに生じた複
数のブレード状電極の保持構造を一体簡略化して、電極
の大量生産を可能とすることと、加工溝内への反応ガス
の供給を電極以外の部材をその加工溝内に挿入すること
なく行うことを可能とすること、を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above situation, the present invention aims to solve the problem of the cutting width by using a plurality of blade-shaped electrodes arranged in parallel as electrodes. As a result, the newly created holding structure for a plurality of blade-shaped electrodes is simplified and integrated, enabling mass production of electrodes, and supplying the reaction gas into the machining groove by using a member other than the electrode in the machining groove. The purpose is to be able to do without inserting into.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題解
決のために、電極に直流電圧若しくは交流電圧を印加
し、その電界によって反応ガスに基づく中性ラジカルを
生成し、該中性ラジカルと被加工物の加工面を構成する
原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性
物質を気化させて除去し、加工を進行させてなる無歪精
密加工装置の切断及び溝切り用電極構造体において、反
応ガスに対して耐食性を有する導電性材料の平板電極基
体に、周囲の枠体を残して複数のスリットを並設し、該
スリット間をブレード状電極としてなる切断及び溝切り
用電極構造体を構成した。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention applies a direct current voltage or an alternating current voltage to an electrode, generates a neutral radical based on a reaction gas by the electric field, and generates the neutral radical. Electrode structure for cutting and grooving in a strain-free precision machining device by vaporizing and removing volatile substances generated by radical reaction between atoms and molecules constituting the machining surface of a workpiece In, the electrode structure for cutting and grooving, in which a plurality of slits are juxtaposed while leaving the surrounding frame body in a flat plate electrode substrate made of a conductive material having corrosion resistance to a reaction gas, and the slits serve as blade electrodes. Made up the body.

【0008】また、反応ガスに対して耐食性を有する絶
縁性材料の平板電極基体に、周囲の枠体を残して複数の
スリットを並設し、該スリット間をブレード状電極基体
としてなるとともに、前記各ブレード状電極基体の先端
縁であってその幅の中央部とそれに連続する枠体にガイ
ド溝を形成し、該ガイド溝に沿って導電性のワイヤー電
極を走行させて、ブレード状電極を形成してなることも
好ましい。
Further, a plurality of slits are provided in parallel on the flat plate electrode base made of an insulating material having a corrosion resistance against the reaction gas, leaving the surrounding frame, and the slits serve as a blade-shaped electrode base. A guide groove is formed at the tip of each blade-like electrode base body, the widthwise central portion of the blade-like electrode base, and a frame body continuous with the center portion, and a conductive wire electrode is run along the guide groove to form a blade-like electrode. It is also preferable that

【0009】また、前記枠体の裏面側に、ガス供給室の
開口端縁を気密接合するか、若しくは前記枠体に、各ス
リットに連通するガス供給孔を形成するのが好ましい。
Further, it is preferable that the opening edge of the gas supply chamber is airtightly bonded to the back surface side of the frame body, or a gas supply hole communicating with each slit is formed in the frame body.

【0010】[0010]

【作用】以上の如き内容からなる本発明の切断及び溝切
り用電極構造体は、平板電極基体に高周波電源にて高周
波電圧を印加すると、一体形成された複数のブレード状
電極の端縁に電界が集中し、この端縁の近傍にのみ反応
ガスを含む雰囲気気体のプラズマが発生し、それによっ
て反応ガスに基づく中性ラジカルがこの端縁の近傍にの
み生成し、そして被加工物に該ブレード状電極を接近さ
せて平行に送り、中性ラジカルと被加工物の加工部を構
成する原子又は分子とのラジカル反応によって生じた揮
発性物質を気化させて該加工部から除去することによっ
て加工溝を形成し、その加工部の後退に応じてブレード
状電極を前進させて被加工物を切断若しくは溝切り加工
するのである。また、ブレード状電極は、平板電極基体
に複数のスリットを並設して形成したので、その周囲の
枠体と一体型となり、該枠体が補強材の作用をするとと
もに、各ブレード状電極間の間隔を一定に保つ作用をす
るのである。
With the electrode structure for cutting and grooving of the present invention having the above-mentioned contents, when a high-frequency voltage is applied to the flat plate electrode base by a high-frequency power source, an electric field is applied to the edges of the plurality of blade-shaped electrodes integrally formed. Are concentrated and a plasma of an atmospheric gas containing a reaction gas is generated only in the vicinity of this edge, whereby neutral radicals based on the reaction gas are generated only in the vicinity of this edge, and the blade is attached to the workpiece. -Shaped electrodes are made to approach each other in parallel and vaporized to remove volatile substances generated by radical reaction between neutral radicals and atoms or molecules constituting the processed part of the workpiece to be removed from the processed part. Is formed, and the blade-shaped electrode is advanced in accordance with the retreat of the processed portion to cut or groove the workpiece. Further, since the blade-like electrode is formed by arranging a plurality of slits in parallel on the flat plate electrode base, it becomes integral with the surrounding frame body, and the frame body acts as a reinforcing material, The effect is to keep the interval of constant.

【0011】また、絶縁性材料からなるブレード状電極
基体の先端縁に形成したガイド溝に沿って導電性のワイ
ヤー電極を走行させることにより、該ブレード状電極基
体とワイヤー電極とで構成したブレード状電極は、常に
新しい良好な状態の電極面によって加工を進行させるこ
とが可能となり、特に反応ガスに対して高腐食性の電極
材料を用いる場合には有効である。
Further, a conductive wire electrode is made to run along a guide groove formed at the tip edge of the blade-like electrode base body made of an insulating material, so that the blade-like electrode base body and the wire electrode are formed. The electrode can always be processed by a new and good electrode surface, and is particularly effective when an electrode material highly corrosive to the reaction gas is used.

【0012】また、枠体の裏面側に、ガス供給室の開口
端縁を気密接合した場合には、このガス供給室内に反応
ガスを含む雰囲気気体を供給することにより、又は枠体
に、各スリットに連通するガス供給孔を形成した場合に
は、このガス供給孔から反応ガスを含む雰囲気気体を供
給することにより、切断若しくは溝切り加工の進行中に
おいて、ブレード状電極間のスリットから反応ガス等
を、該ブレード状電極と被加工物の加工部間の反応空間
に供給することが可能である。
Further, when the opening edge of the gas supply chamber is airtightly joined to the back surface side of the frame body, the atmosphere gas containing the reaction gas is supplied into the gas supply chamber or the frame body When a gas supply hole communicating with the slit is formed, by supplying an atmosphere gas containing a reaction gas from this gas supply hole, the reaction gas is discharged from the slit between the blade-shaped electrodes during the cutting or grooving process. Etc. can be supplied to the reaction space between the blade-shaped electrode and the processed portion of the workpiece.

【0013】[0013]

【実施例】次に添付図面に示した実施例に基づき更に本
発明の詳細を説明する。図1は本発明の電極構造体Eの
代表的実施例を示し、図2はそれを用いて被加工物Wの
切断又は溝切り加工をする様子を示している。
The present invention will be described in more detail with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings. FIG. 1 shows a typical embodiment of an electrode structure E of the present invention, and FIG. 2 shows a state in which a workpiece W is cut or grooved using the same.

【0014】本発明の加工原理は、電極に直流電圧若し
くは交流電圧を印加して、被加工物Wの加工部との間に
高電界を形成し、この反応領域に反応ガスと不活性ガス
を含む雰囲気気体を供給することにより、先ず不活性ガ
スが電離若しくは励起して活性化し、そして反応ガスと
非弾性衝突することで不活性ガスに基づく中性ラジカル
が生成され、この中性ラジカルと被加工物の加工面を構
成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した
揮発性物質を気化させて除去し、加工を進行させるもの
であり、加工深さに応じて切断若しくは溝切り加工とな
るのである。
According to the processing principle of the present invention, a DC voltage or an AC voltage is applied to the electrode to form a high electric field between the electrode and the processed portion of the workpiece W, and the reaction gas and the inert gas are supplied to this reaction region. By supplying the atmosphere gas containing the gas, the inert gas is first ionized or excited to be activated, and then inelastically collides with the reaction gas to generate a neutral radical based on the inert gas. The volatile substance generated by the radical reaction with the atoms or molecules that make up the machined surface of the workpiece is vaporized and removed to proceed with the machining.Because cutting or grooving is performed depending on the machining depth. is there.

【0015】本発明の電極構造体Eは、反応ガスに対し
て耐食性を有する導電性材料の平板電極基体1に、周囲
の枠体2を残して複数のスリット3,…を横方向に並設
し、該スリット3,3間を短冊状のブレード状電極4と
したものである。この電極構造体Eの製造方法は、量産
に適した精密鋳造法を採用している。また、非常に高価
になるが放電加工等で作製することも可能である。
In the electrode structure E of the present invention, a plurality of slits 3, ... Are arranged side by side in a horizontal direction on a flat plate electrode substrate 1 made of a conductive material having corrosion resistance against a reaction gas, while leaving a surrounding frame body 2. The strip-shaped blade-shaped electrode 4 is provided between the slits 3 and 3. The electrode structure E is manufactured by a precision casting method suitable for mass production. Although it is very expensive, it can be manufactured by electrical discharge machining or the like.

【0016】ここで、前記ブレード状電極4の断面形状
は、横方向の厚みよりも縦方向の幅、即ちスリット3の
深さを十分に広く設定し、例えば3倍以上に設定してい
る。また、ブレード状電極4の先端縁を円弧状に面取り
をしてエッジ部に過度に電界が集中しないようにするこ
とも好ましい。
Here, the cross-sectional shape of the blade-shaped electrode 4 is set such that the width in the vertical direction, that is, the depth of the slit 3 is set sufficiently wider than the thickness in the horizontal direction, for example, three times or more. It is also preferable to chamfer the tip end edge of the blade-shaped electrode 4 in an arc shape so that the electric field is not excessively concentrated on the edge portion.

【0017】本発明は、図2に示すように、1気圧以上
の反応ガスを含む雰囲気気体をブレード状電極4と被加
工物Wの加工部5間に供給し、そして被加工物Wを回転
させるとともに、その回転軸に対して直交する面に平行
に前記ブレード状電極4を接近させるとともに、該ブレ
ード状電極4に図示しない高周波電源から高周波電圧を
印加する。実際には、枠体2に電圧を印加するのであ
る。そうすると、該ブレード状電極4と加工部5間に反
応ガスに基づく中性ラジカルが発生し、この中性ラジカ
ルと加工部5を構成する原子又は分子とのラジカル反応
によって生成した揮発性物質を気化、除去して環状の加
工溝6を形成し、更に加工部5の後退に応じて電極構造
体Eを前進させ、やがて加工溝6が連続して切断し、被
加工物Wがシリコン単結晶等の半導体材料である場合に
は複数のウェハー7,…が同時に切出されるのである。
勿論、被加工物Wを回転させないで切断することも可能
であり、更に切断加工と同様に溝切り加工を行うことも
可能である。
According to the present invention, as shown in FIG. 2, an atmosphere gas containing a reaction gas of 1 atm or more is supplied between the blade electrode 4 and the processing portion 5 of the workpiece W, and the workpiece W is rotated. At the same time, the blade-shaped electrode 4 is approached in parallel with a plane orthogonal to the rotation axis, and a high-frequency voltage is applied to the blade-shaped electrode 4 from a high-frequency power source (not shown). In reality, a voltage is applied to the frame body 2. Then, a neutral radical based on the reaction gas is generated between the blade-shaped electrode 4 and the processing portion 5, and the volatile substance generated by the radical reaction between the neutral radical and the atoms or molecules forming the processing portion 5 is vaporized. , The annular processed groove 6 is removed, and the electrode structure E is further advanced in accordance with the receding of the processed portion 5, and the processed groove 6 is continuously cut in due course, and the workpiece W becomes a silicon single crystal or the like. , The plurality of wafers 7 ... Are cut out at the same time.
Of course, it is also possible to cut the workpiece W without rotating it, and it is also possible to perform grooving similarly to the cutting.

【0018】雰囲気気体は、中性ラジカルの源となる反
応ガスと、高圧力のプラズマの発生、維持を容易にし、
該反応ガスと衝突して活性化させる不活性ガスの混合気
体である。反応ガスと不活性ガスの組合せ及び混合比率
は被加工物Wの材質、加工条件に応じて最適に決定され
る。ここで、シリコン単結晶等の半導体材料を切断する
には、反応ガスとしてフッ素系のSF6 やCF4 等が使
用され、その電極材料としてはこの反応ガスに対して耐
食性に優れたアルミニウム(Al)が使用される。そし
て、不活性ガスとしては、He、Ne、Ar等が用いら
れ、それを一種類又は二種類以上混合して用い、シリコ
ン単結晶を切断する際に用いる反応ガス(SF6 ) に適
した不活性ガスとしてはHeを用いる。この場合、ラジ
カル反応によって生成される揮発性物質は、昇華性を有
し蒸気圧の高い特性を有するSiF4 である。この揮発
性物質を気化させて加工を進行させるには、常温以下で
気化するもの以外は適宜加熱し、その蒸気圧を高めて気
化を促進させる必要があるが、その加熱温度は被加工物
Wの物性を損なうことがない程度の温度である。
The atmosphere gas facilitates the generation and maintenance of a reaction gas that is a source of neutral radicals and high-pressure plasma.
It is a mixed gas of an inert gas that is activated by colliding with the reaction gas. The combination and mixing ratio of the reaction gas and the inert gas are optimally determined according to the material of the workpiece W and the processing conditions. Here, in order to cut a semiconductor material such as a silicon single crystal, fluorine-based SF 6 or CF 4 is used as a reaction gas, and its electrode material is aluminum (Al) which is excellent in corrosion resistance against this reaction gas. ) Is used. He, Ne, Ar or the like is used as the inert gas, and one or a mixture of two or more thereof is used, and an inert gas suitable for the reaction gas (SF 6 ) used when cutting the silicon single crystal is used. He is used as the active gas. In this case, the volatile substance generated by the radical reaction is SiF 4 which has the property of sublimation and high vapor pressure. In order to vaporize this volatile substance and proceed with the processing, it is necessary to appropriately heat the components other than those that vaporize at room temperature or lower to increase the vapor pressure and accelerate the vaporization, but the heating temperature is the workpiece W. It is a temperature that does not impair the physical properties of.

【0019】また、被加工物Wの材料によっては反応ガ
スとして塩素系のCl2 等も使用され、従って電極材料
としては使用する反応ガスに応じてAl以外の耐食性の
高い材料を使用すべきである。更に、前記電極構造体E
に、反応ガスに対して耐食性に優れた材料をコーティン
グすることも好ましい。例えば、SF6 に対して腐食性
のある材料を用いた場合でも、その表面にAl2 3
MgF2 等の耐食性を有する材料をコーティング及びデ
ィップすることによって腐食の問題は解決できる。
Also, chlorine-based Cl 2 or the like is used as a reaction gas depending on the material of the workpiece W. Therefore, a material having a high corrosion resistance other than Al should be used as an electrode material depending on the reaction gas used. is there. Further, the electrode structure E
Moreover, it is also preferable to coat a material having excellent corrosion resistance against the reaction gas. For example, even when a material that is corrosive to SF 6 is used, the corrosion problem can be solved by coating and dipping a material having corrosion resistance such as Al 2 O 3 or MgF 2 on the surface.

【0020】本発明の加工対象としての被加工物Wは、
主としてシリコン単結晶、ゲルマニウム単結晶又はガリ
ウム−砒素化合物等の半導体製造用のインゴットが用い
られ、その円柱状のインゴットを約0.5mmの厚さの
薄い円板状に切断してウェハーを製造する際に適用すれ
ばその効果は特に顕著になるが、本発明は前記インゴッ
トに限らず、広くセラミック材料等の難加工脆性材料の
切断及び溝切り加工に適用できるものである。
The workpiece W to be processed according to the present invention is
A silicon ingot, a germanium single crystal, a gallium-arsenic compound, or other ingot for semiconductor production is mainly used, and a cylindrical ingot is cut into a thin disk shape with a thickness of about 0.5 mm to produce a wafer. When applied in this case, the effect becomes particularly remarkable, but the present invention is not limited to the ingot, but can be widely applied to cutting and grooving difficult-to-process brittle materials such as ceramic materials.

【0021】本発明のブレード状電極4の厚さは、20
〜100μmと非常に薄く設定されており、それにより
被加工物Wに形成される加工溝6の幅は、200μm程
度と狭いので、被加工物Wと電極構造体Eを内装した反
応容器内に雰囲気気体を充満させただけでは、この狭い
加工溝6を通してその底部の加工部5に必要量の雰囲気
気体を供給することが不可能である。そのため、本発明
では以下に述べるように必要量の雰囲気気体を供給でき
るガス供給手段を電極構造体Eと一体的に設けている。
The blade-shaped electrode 4 of the present invention has a thickness of 20.
Since the width of the processed groove 6 formed in the work W is as narrow as about 200 μm, it is set to be very thin, up to 100 μm. It is not possible to supply a necessary amount of atmospheric gas to the processing portion 5 at the bottom through the narrow processing groove 6 only by filling the atmospheric gas. Therefore, in the present invention, gas supply means capable of supplying a required amount of atmospheric gas is provided integrally with the electrode structure E as described below.

【0022】図3に示したものは、平板電極基体1の裏
面側であって前記枠体2に一側面を開口した略箱状のガ
ス供給室8の開口端縁を気密接合するとともに、該ガス
供給室8の適所、例えば裏面にガス供給管9を接続し
て、ガス供給手段を一体的に設けた電極構造体Eを示し
ている。そして、ガス供給管9を通して反応ガスを含む
雰囲気気体をガス供給室8に加圧供給することにより、
前記スリット3,…から雰囲気気体が噴出し、例えば図
2に示した加工進行中においても被加工物Wの加工溝6
を通して加工部5に必要量の反応ガス等を供給すること
が可能となる。しかも、ガス供給室8内で雰囲気気体が
一時的に滞留するので、各加工部5に均一に供給するこ
とができる。また、前記ガス供給室8は、導電性材料で
作製し、該ガス供給室8に高電圧電源を接続すること
で、ブレード状電極4に電圧を印加するのである。
In the structure shown in FIG. 3, the open end of a substantially box-shaped gas supply chamber 8 having one side opening on the back side of the flat plate electrode base body 1 is airtightly joined, and The electrode structure E is shown in which a gas supply pipe 9 is connected to an appropriate place of the gas supply chamber 8, for example, the back surface, to integrally provide a gas supply means. Then, the atmospheric gas containing the reaction gas is pressurized and supplied to the gas supply chamber 8 through the gas supply pipe 9,
Atmospheric gas is jetted from the slits 3, ..., For example, the processing groove 6 of the workpiece W is processed even during the processing shown in FIG.
It is possible to supply a necessary amount of reaction gas or the like to the processing section 5 through the. Moreover, since the atmospheric gas temporarily stays in the gas supply chamber 8, it can be uniformly supplied to each processing unit 5. The gas supply chamber 8 is made of a conductive material, and a voltage is applied to the blade electrode 4 by connecting a high voltage power source to the gas supply chamber 8.

【0023】また、図4に示したものは、平板電極基体
1の対向する枠体2,2であって、各スリット3の両終
端に相当する枠体2に、それぞれ該スリット3に連通す
るガス供給孔10,…を形成した電極構造体Eを示して
いる。この場合、図示しないが、ガス供給孔10を形成
した枠体2の外側面に断面コ字形等のチャンネル状の部
材を気密状態で取付け、又は各ガス供給孔10にガス供
給用のフレキシブルチューブを接続するものとする。そ
して、この部材を通して供給した反応ガスを含む雰囲気
気体は、ガス供給孔10,…を通してスリット3,…内
に供給され、もって加工部5に必要量の反応ガス等を供
給するのである。
Further, what is shown in FIG. 4 is the frame bodies 2 and 2 of the plate electrode base body 1 facing each other, which communicate with the frame bodies 2 corresponding to both ends of each slit 3, respectively. The electrode structure E in which the gas supply holes 10, ... Are formed is shown. In this case, although not shown, a channel-shaped member having a U-shaped cross section or the like is attached in an airtight state to the outer surface of the frame body 2 in which the gas supply holes 10 are formed, or a flexible tube for gas supply is provided in each gas supply hole 10. Shall be connected. Then, the atmospheric gas containing the reaction gas supplied through this member is supplied into the slits 3, ... Through the gas supply holes 10, ..., Thus, a necessary amount of the reaction gas or the like is supplied to the processing section 5.

【0024】更に、図5及び図6に示すものは、反応ガ
スに対して耐食性を有するセラミックス等の絶縁性材料
の平板電極基体1に、前記同様に周囲の枠体2を残して
複数のスリット3,…を横方向に並設し、該スリット
3,3間を短冊状のブレード状電極基体11としてなる
とともに、該ブレード状電極基体11の先端縁であって
その幅の中央部とそれに連続する枠体2,2にガイド溝
12を形成し、該ガイド溝12に沿って導電性のワイヤ
ー電極13を走行させてなる電極構造体Eを示してい
る。即ち、ブレード状電極基体11とワイヤー電極13
とで前記同様のブレード状電極4を構成するのである。
ここで、前記ワイヤー電極13,…は、それぞれ供給ド
ラムと巻取りドラムを備えた送り装置14のガイドプー
リ15,16によって、常に新しい電極面がブレード状
電極基体11の先端に位置するように供給される。ここ
に示した構造に、前述のガス供給室8又はガス供給孔1
0を並設して、ガス供給手段を一体的に設けた電極構造
体Eを構成することも勿論可能である。
Further, in the structure shown in FIGS. 5 and 6, a plurality of slits are left on the plate electrode base 1 made of an insulating material such as ceramics having a corrosion resistance against the reaction gas, leaving the surrounding frame 2 in the same manner as described above. 3, ... are arranged side by side in the lateral direction to form a strip-shaped blade-shaped electrode base 11 between the slits 3, 3 and the tip end edge of the blade-shaped electrode base 11 is continuous with the central portion of its width. 2 shows an electrode structure E in which a guide groove 12 is formed in the frame bodies 2 and 2 and a conductive wire electrode 13 is made to travel along the guide groove 12. That is, the blade-shaped electrode substrate 11 and the wire electrode 13
And constitute a blade-shaped electrode 4 similar to the above.
Here, the wire electrodes 13 are supplied by guide pulleys 15 and 16 of a feeding device 14 having a supply drum and a winding drum, respectively, so that a new electrode surface is always located at the tip of the blade-shaped electrode base 11. To be done. The structure shown here has the same structure as the gas supply chamber 8 or the gas supply hole 1 described above.
Of course, it is also possible to construct the electrode structure E in which the gas supply means are integrally provided by arranging 0s in parallel.

【0025】そして、図7に示すものは、図4に示した
ガス供給孔10,…を有する電極構造体Eの変形例であ
り、枠体2よりブレード状電極4の先端を後退させ、即
ち枠体2の幅よりブレード状電極4の幅を狭く設定し、
そして該ブレード状電極4の先端縁より加工部5に近い
枠体2の対向側面であって、スリット3の終端に想到す
る枠体2部分ではなくブレード状電極4の両端縁近傍に
前記同様なガス供給孔10,…を形成したものである。
尚、枠体2の外側面には前記同様に図示しないチャンネ
ル状の部材を気密状態で取付け、又はフレキシブルチュ
ーブを接続するものとする。この場合、図4に示したも
のより、加工部5により近い位置から反応ガス等の供給
が可能となる。
FIG. 7 shows a modification of the electrode structure E having the gas supply holes 10, ... Shown in FIG. 4, in which the tip of the blade electrode 4 is retracted from the frame 2, that is, The width of the blade-shaped electrode 4 is set narrower than the width of the frame body 2,
Then, on the opposite side surfaces of the frame body 2 closer to the processed portion 5 than the tip edge of the blade-shaped electrode 4, and not on the frame body 2 portion reaching the end of the slit 3, the vicinity of both end edges of the blade-shaped electrode 4 is the same as above. The gas supply holes 10, ... Are formed.
It should be noted that, similarly to the above, a channel-shaped member (not shown) is attached in an airtight state or a flexible tube is connected to the outer surface of the frame body 2. In this case, the reaction gas or the like can be supplied from a position closer to the processing unit 5 than that shown in FIG.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上にしてなる本発明の切断及び溝切り
用電極構造体によれば、次のような効果を有する。先
ず、請求項1によれば、ブレード状電極がその周囲の枠
体と一体型となり、該枠体が補強材として働き、薄いブ
レード状電極の取扱いが容易になるとともに、各ブレー
ド状電極間の間隔を一定に保つことができるのである。
また、この構造の電極構造体は、精密鋳造法によって量
産することができ、安価に供給できるのである。更に、
ブレード状電極の周囲には枠体が存在するので、この枠
体内に反応ガスを含む雰囲気気体を供給することで、外
部への拡散を抑制して被加工物の加工部へ反応ガス等を
効率良く供給することができる。
The cutting and grooving electrode structure of the present invention as described above has the following effects. First, according to claim 1, the blade-shaped electrode is integrated with the frame body around the blade-shaped electrode, and the frame body serves as a reinforcing member to facilitate the handling of the thin blade-shaped electrode. The interval can be kept constant.
Further, the electrode structure having this structure can be mass-produced by the precision casting method and can be supplied at a low cost. Furthermore,
Since there is a frame around the blade-shaped electrode, by supplying an atmosphere gas containing a reaction gas into this frame, diffusion to the outside can be suppressed and the reaction gas etc. can be efficiently supplied to the processed part of the workpiece. Can supply well.

【0027】また、請求項2によれば、電極構造体の耐
久性の向上を図れるとともに、常に新しい良好な状態の
電極面によって加工を進行させることが可能となり、特
に高腐食性の反応ガスを用いた場合に有効である。
Further, according to the second aspect, the durability of the electrode structure can be improved, and the processing can be always advanced by the electrode surface in a new and good state. Particularly, a highly corrosive reaction gas can be generated. It is effective when used.

【0028】そして、請求項3によれば、切断加工の進
行中においても、被加工物の狭い加工溝の底部の加工部
に反応ガス等を十分に供給することができるとともに、
ガス供給室内で一時的に反応ガス等を滞留させるので、
各スリットから供給されるガス量が全て均一となる。
Further, according to the third aspect, the reaction gas and the like can be sufficiently supplied to the processing portion at the bottom of the narrow processing groove of the workpiece even while the cutting processing is in progress.
Since the reaction gas etc. is temporarily retained in the gas supply chamber,
The amount of gas supplied from each slit is uniform.

【0029】また、請求項4によれば、切断加工の進行
中においても、被加工物の狭い加工溝の底部の加工部に
反応ガス等を十分に供給することができ、しかもコンパ
クトなガス供給手段とすることができる。
Further, according to the fourth aspect, the reaction gas or the like can be sufficiently supplied to the processing portion at the bottom of the narrow processing groove of the workpiece even while the cutting processing is in progress, and the gas supply is compact. It can be a means.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の電極構造体の第一実施例を示す全体斜
視図
FIG. 1 is an overall perspective view showing a first embodiment of an electrode structure of the present invention.

【図2】同じく電極構造体を用いて被加工物の切断若し
くは溝切り加工を行う状態を示す要部の断面図
FIG. 2 is a sectional view of an essential part showing a state of similarly cutting or grooving a workpiece using the electrode structure.

【図3】本発明の電極構造体の第二実施例を示す要部の
斜視図
FIG. 3 is a perspective view of essential parts showing a second embodiment of the electrode structure according to the present invention.

【図4】本発明の電極構造体の第三実施例を示す一部省
略斜視図
FIG. 4 is a partially omitted perspective view showing a third embodiment of the electrode structure of the present invention.

【図5】本発明の電極構造体の第四実施例を示す要部の
断面図
FIG. 5 is a sectional view of an essential part showing a fourth embodiment of the electrode structure of the present invention.

【図6】同じく第四実施例の電極構造体の一部省略した
全体斜視図
FIG. 6 is an overall perspective view of the electrode structure of the fourth embodiment with a part omitted.

【図7】図4に示した電極構造体の変形例を示す一部省
略斜視図
FIG. 7 is a partially omitted perspective view showing a modified example of the electrode structure shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

E 電極構造体 W 被加工物 1 平板電極基体 2 枠体 3 スリット 4 ブレード状電極 5 加工部 6 加工溝 7 ウェハー 8 ガス供給室 9 ガス供給管 10 ガス供給孔 11 ブレード状電極基体 12 ガイド溝 13 ワイヤー電極 14 送り装置 15 ガイドプーリ 16 ガイドプーリ E Electrode Structure W Workpiece 1 Flat plate electrode base 2 Frame 3 Slit 4 Blade electrode 5 Machining part 6 Processing groove 7 Wafer 8 Gas supply chamber 9 Gas supply pipe 10 Gas supply hole 11 Blade electrode base 12 Guide groove 13 Wire electrode 14 Feeder 15 Guide pulley 16 Guide pulley

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電極に直流電圧若しくは交流電圧を印加
し、その電界によって反応ガスに基づく中性ラジカルを
生成し、該中性ラジカルと被加工物の加工面を構成する
原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性
物質を気化させて除去し、加工を進行させてなる無歪精
密加工装置の切断及び溝切り用電極構造体において、反
応ガスに対して耐食性を有する導電性材料の平板電極基
体に、周囲の枠体を残して複数のスリットを並設し、該
スリット間をブレード状電極としてなることを特徴とす
る切断及び溝切り用電極構造体。
1. A direct current voltage or an alternating current voltage is applied to an electrode, a neutral radical based on a reaction gas is generated by the electric field, and the neutral radical is a radical with an atom or a molecule constituting a processing surface of a workpiece. A plate electrode made of a conductive material having corrosion resistance to a reaction gas in an electrode structure for cutting and grooving in a strain-free precision machining device in which a volatile substance generated by a reaction is vaporized and removed to proceed with machining. An electrode structure for cutting and grooving, characterized in that a plurality of slits are provided side by side on a substrate, leaving a peripheral frame body, and the slits serve as blade-shaped electrodes.
【請求項2】 反応ガスに対して耐食性を有する絶縁性
材料の平板電極基体に、周囲の枠体を残して複数のスリ
ットを並設し、該スリット間をブレード状電極基体とし
てなるとともに、前記各ブレード状電極基体の先端縁で
あってその幅の中央部とそれに連続する枠体にガイド溝
を形成し、該ガイド溝に沿って導電性のワイヤー電極を
走行させて、ブレード状電極を形成してなることを特徴
とする切断及び溝切り用電極構造体。
2. A flat plate electrode base made of an insulating material having a corrosion resistance to a reaction gas, and a plurality of slits are arranged in parallel with each other while leaving a surrounding frame, and the slits serve as a blade-shaped electrode base. A guide groove is formed at the tip of each blade-like electrode base body, the widthwise central portion of the blade-like electrode base, and a frame body continuous with the center portion, and a conductive wire electrode is run along the guide groove to form a blade-like electrode. An electrode structure for cutting and grooving characterized by being formed.
【請求項3】 前記枠体の裏面側に、ガス供給室の開口
端縁を気密接合してなる請求項1又は2記載の切断及び
溝切り用電極構造体。
3. The cutting and grooving electrode structure according to claim 1, wherein an opening edge of the gas supply chamber is airtightly joined to the back surface side of the frame body.
【請求項4】 前記枠体に、各スリットに連通するガス
供給孔を形成してなる請求項1又は2記載の切断及び溝
切り用電極構造体。
4. The cutting and grooving electrode structure according to claim 1 or 2, wherein gas supply holes communicating with each slit are formed in the frame body.
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