JPH0687900B2 - Fluorocarbon decomposition method and fluororesin film formation method - Google Patents
Fluorocarbon decomposition method and fluororesin film formation methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフロンガスを分解して回収可能な状態とする方
法及びフロンガスを分解して基板上にフッ素樹脂膜を形
成する方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for decomposing CFC gas into a recoverable state and a method for decomposing CFC gas to form a fluororesin film on a substrate.
フロンは太陽光の強い紫外線を受けて光分解し、ここで
生成された塩素(Cl2)はオゾンと反応して大気圏を取
り巻くオゾン層を破壊し始めている。オゾンの中でも最
も破壊力の強いフロン−12(CCl2F2)を例にとって説明
すると、フロン−12は大気中で非常に安定であるが、太
陽の紫外光を受けるとC−Clが切れて、発生したClがオ
ゾンを分解し、O2を発生しつづける。これがO3破壊のメ
カニズムである。このため従来、オゾン層に吸収されて
地球に届かなかった200〜300nmの光、即ち生物体のDNA
を光分解する波長域の光が地上に降り注ぐ危険性が問題
となっている。Freon is photolyzed by the strong ultraviolet rays of sunlight, and the chlorine (Cl 2 ) generated here reacts with ozone and begins to destroy the ozone layer surrounding the atmosphere. For example, Freon-12 (CCl 2 F 2 ), which has the highest destructive power among ozone, is explained as an example. Freon-12 is very stable in the atmosphere, but C-Cl is cut off when it receives the ultraviolet light of the sun. The generated Cl decomposes ozone and continues to generate O 2 . This is the mechanism of O 3 destruction. For this reason, light of 200 to 300 nm, which was previously absorbed by the ozone layer and did not reach the earth, that is, DNA of organisms
There is a problem of danger that light in the wavelength range that photodecomposes will fall on the ground.
このため最近ではフロンの使用が禁止されつつあり、さ
らにフロンを分解して回収しようとする試みがなされて
いるが、いまだ画期的な提案はなされていないのが現状
である。For this reason, the use of CFCs has recently been banned, and attempts have been made to further decompose CFCs and recover them, but the epoch-making proposal has not yet been made.
本発明は前記従来技術の問題点に鑑みなされたもので、
その第1の目的はフロンガスを分解して回収可能な状態
とすることであり、第2の目的はフロンガスを分解して
C2F4として析出させる方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art,
The first purpose is to decompose CFC gas and make it recoverable, and the second purpose is to decompose CFC gas.
It is to provide a method of precipitating as C 2 F 4 .
発明者等は、フロンの光分解に効果的な紫外線の波長を
特定するために、CCl2F2ガスを反応セルに満たし、193n
mのArFエキシマレーザー光を照射し、そのUV及びIRスペ
クトルの変化を測定した。このときの実験結果を第5図
において示し、図の横軸は光の波長を、縦軸は光透過率
を示している。但し、図中、符号Aはまったくレーザー
を照射しないガスの場合(0ショット)、符号Bは1000
ショットの場合、符号Cは5000ショットの場合、符号D
は10000ショットの場合、符号Eは15000ショットの場
合、符号Fは20000ショットの場合、符号Gは25000ショ
ットの場合、符号Hは30000ショットの場合をそれぞれ
示している。The inventors have filled the reaction cell with CCl 2 F 2 gas in order to specify the wavelength of ultraviolet rays effective for the photodecomposition of freon, and
Irradiation with m ArF excimer laser light was performed, and changes in the UV and IR spectra were measured. The experimental results at this time are shown in FIG. 5, in which the horizontal axis represents the wavelength of light and the vertical axis represents the light transmittance. However, in the figure, the code A is for a gas that does not irradiate the laser at all (0 shots), and the code B is 1000
In case of shot, code C is in case of 5000 shot, code D
Shows the case of 10000 shots, the code E shows the case of 15000 shots, the code F shows the case of 20000 shots, the code G shows the case of 25000 shots, and the code H shows the case of 30000 shots.
この第5図からわかるように、生ガスの場合は、A曲線
に示されるように230nm以下に吸収を示す。またCCl2F2
は光エネルギーを受けて、CCl2F2→CF2+Cl2と分解さ
れ、330nmにCl2が、245nmに吸収を有する非常に安定なC
F2ラジカルが生成される。さらにレーザーを照射しつづ
けると、245nmの吸収が減少する。ところがIRスペクト
ルからはそれまで見られなかった1850cm-1付近の吸収の
増加が見られるようになる。これはCF2が重合してC2F4
が生成されたものと考えられる。As can be seen from FIG. 5, in the case of raw gas, the absorption is below 230 nm as shown by the A curve. Also CCl 2 F 2
Receiving light energy is decomposed and CCl 2 F 2 → CF 2 + Cl 2, Cl 2 to 330nm is very stable C having absorption at 245nm
F 2 radicals are generated. The absorption at 245 nm decreases with continued irradiation of laser light. However, the IR spectrum shows an increase in absorption near 1850 cm -1, which was not seen before. This is because CF 2 polymerizes and C 2 F 4
Is considered to have been generated.
このような実験結果から、前記目的を達成するために次
のような構成を採用した。From the above experimental results, the following constitution was adopted to achieve the above object.
即ち、請求項(1)に係るフロンガスの分解方法におい
ては、フロンガスを耐ハロゲン性反応容器内に入れ、波
長域170〜220nmの紫外線を照射することによりCF2又はC
F2の重合体であるC2F4を生成するようにしたものであ
る。That is, in the method for decomposing CFCs according to claim (1), CFC 2 or C is obtained by placing CFCs in a halogen-resistant reaction vessel and irradiating them with ultraviolet rays having a wavelength range of 170 to 220 nm.
It is intended to generate C 2 F 4 , which is a polymer of F 2 .
請求項(2)に係るフッ素樹脂膜の形成方法において
は、内部に析出基板の収容された耐ハロゲン性反応容器
内にフロンガスを入れ、波長域170〜220nmの紫外線を照
射することによりCF2ラジカルを生成し、さらに波長域2
20〜270nmの紫外線をフロンガス及び析出基板に照射し
て基板表面の紫外線照射領域にフッ素樹脂を析出させる
ようにしたものである。In the method of forming a fluororesin film according to Claim (2), CF 2 radicals by putting Freon inside the deposition substrate stowed halogen resistance reaction vessel, is irradiated with ultraviolet rays in the wavelength range 170~220nm Produces a wavelength range of 2
The fluorocarbon resin and the deposition substrate are irradiated with UV rays of 20 to 270 nm to deposit the fluororesin on the UV irradiation region of the substrate surface.
フロンガスが光分解されるために必要な紫外線の波長域
は、第5図に示す発明者等の実験及び種々の公知文献か
ら170〜220nmであり、CF2ラジカルおよびCF2ラジカルの
重合体である(CF2)nの生成を活性化するための紫外
線の波長域は、第5図に示されるように220〜270nmであ
る。The wavelength range of ultraviolet rays required for the photodecomposition of CFC gas is 170 to 220 nm according to the experiments of the inventors shown in FIG. 5 and various known documents, and it is a CF 2 radical and a polymer of CF 2 radical. The wavelength range of ultraviolet rays for activating the production of (CF 2 ) n is 220 to 270 nm as shown in FIG.
またフロンガスが分解されて中間生成物であるCClF2やC
F2が生成されるが、これらは還元性が非常に強いことか
ら、これらをさらに分解するためには、これらと反応容
器とが反応しないようにする必要がある。従って反応容
器を耐ハロゲン性反応容器、即ち、ハロゲン化物、サフ
ァイヤ、テフロンよりなる容器、あるいは内周面がテフ
ロンコーティングされた反応容器、ステンレス製容器等
によって構成した。In addition, CFCs such as CClF 2 and C
Although F 2 is produced, since they are very reductive, it is necessary to prevent them from reacting with the reaction vessel in order to decompose them further. Therefore, the reaction vessel is constituted by a halogen-resistant reaction vessel, that is, a vessel made of halide, sapphire, or Teflon, a reaction vessel having an inner peripheral surface coated with Teflon, a stainless steel vessel, or the like.
フロンガスは波長域170〜220nmの紫外線の光エネルギー
を受けて、CCl2F2→CClF2+Cl→CF2+Cl2と光分解す
る。このときわずかではあるがClF,ClF3,Cの存在も認め
られる。なおCF2の生成過程における中間生成物であるC
ClF2は非常に還元性が強いが、反応容器のCClF2との界
面は耐ハロゲン性であり、CClF2と反応しない。さらにC
F2ラジカルは光エネルギーを受けて重合体であるC2F4を
生成する。特に220〜270nmの紫外線の光エネルギーによ
ってCF2の生成及びCF2の重合反応が活性化される。そし
てこの安定したCF2+Cl2のガス状態又はC2F4+Cl2とい
う粉体とガスの混合状態として回収できる。Freon gas receives the light energy of ultraviolet rays in the wavelength range of 170 to 220 nm and photolyzes as CCl 2 F 2 → CClF 2 + Cl → CF 2 + Cl 2 . At this time, the presence of ClF, ClF 3 , and C is also recognized, although it is slight. Note that C, which is an intermediate product in the production process of CF 2 ,
ClF 2 has a very strong reducing property, but the interface with CClF 2 in the reaction vessel is halogen resistant and does not react with CClF 2 . Furthermore C
The F 2 radical receives light energy to form a polymer C 2 F 4 . In particular polymerization product and CF 2 in CF 2 is activated by ultraviolet light energy 220~270Nm. Then, it can be recovered as a stable gas state of CF 2 + Cl 2 or a mixed state of powder and gas of C 2 F 4 + Cl 2 .
また反応容器内の基板界面は紫外線の照射により励起さ
れており、CF2ラジカルはこの基板の紫外線照射領域にC
2F4(フッ素樹脂)となって析出する。In addition, the substrate interface in the reaction vessel is excited by the irradiation of ultraviolet rays, and CF 2 radicals form C in the ultraviolet irradiation area of this substrate.
2 F 4 (fluorine resin) is deposited.
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明方法を実施するための装置の一実施例を
示している。FIG. 1 shows an embodiment of an apparatus for carrying out the method of the present invention.
この図において、符号10は、内部にステンレス製の析出
基板11が収容され、上方に紫外光入射用の窓12が形成さ
れた反応容器であるチャンバーで、上方に開口する円筒
容器形状のテフロン製チャンバー本体13と、このチャン
バー本体13の開口部に密閉状態に固着されたMgF2製の透
明な窓材14と、リング状の窓材締結部材16とから構成さ
れている。チャンバー本体13の側方には、図示しないフ
ロンガス供給機に接続されて、フロンガスをチャンバー
10内に供給するガス流入口18と、図示しない処理ガス収
容タンクに接続されて、チャンバー10内のガスを外部に
排出するガス排出口19とが形成されている。チャンバー
の窓12の上方には、ArFエキシマレーザー20AとKrFエキ
シマレーザー20Bとがレーザー光照射方向を直交させて
配置されており、それぞれのレーザー光はハーフミラー
24を介してチャンバー10内に照射されるようになってい
る。ハーフミラー24下方のレーザー光の光路には所定形
状のマスク板26が配置されている。マスク板26には所定
形状のパターン(図では所定ピッチのスリット27)が形
成されており、レーザー光はスリット27を透過してチャ
ンバー10に入射する。チャンバー10内には、入射するレ
ーザー光に対し基板11が直交配置されており、この基板
11の表面にはスリット形状に対応する領域だけにレーザ
ー光が照射されて、基板表面のレーザー光照射領域だけ
が励起状態となる。このため光分解により生成されたCF
2は励起状態の基板表面においてC2F4として析出する。In this figure, reference numeral 10 is a chamber which is a reaction container in which a precipitation substrate 11 made of stainless steel is housed inside and a window 12 for incident ultraviolet light is formed above, and which is made of Teflon in a cylindrical container shape opening upward. It is composed of a chamber body 13, a transparent window member 14 made of MgF 2 fixed to an opening of the chamber body 13 in a hermetically sealed state, and a ring-shaped window member fastening member 16. A CFC gas supply device (not shown) is connected to the side of the chamber body 13 to supply CFC gas to the chamber.
A gas inlet 18 for supplying the gas to the inside of the chamber 10 and a gas outlet 19 for discharging the gas in the chamber 10 to the outside are formed, which are connected to a processing gas storage tank (not shown). Above the window 12 of the chamber, ArF excimer laser 20A and KrF excimer laser 20B are arranged so that the laser light irradiation directions are orthogonal to each other, and each laser light is a half mirror.
Irradiation into the chamber 10 via 24. A mask plate 26 having a predetermined shape is arranged in the optical path of the laser light below the half mirror 24. A pattern of a predetermined shape (slits 27 with a predetermined pitch in the figure) is formed on the mask plate 26, and the laser light passes through the slit 27 and enters the chamber 10. In the chamber 10, a substrate 11 is arranged orthogonal to the incident laser light.
Only the region corresponding to the slit shape is irradiated with laser light on the surface of 11, and only the laser light irradiation region on the substrate surface is excited. Therefore, CF generated by photolysis
2 precipitates as C 2 F 4 on the substrate surface in the excited state.
そしてチャンバー内に20Torrのフロン−12(CCl2F2)を
封入した後、60mJ/cm2、パルス幅10nsのArFエキシマレ
ーザー光(波長193nm)を入射させ、100ショット照射に
よってCF2ラジカルが検出された。さらに同レーザー光
を照射しつづけると、CF2ラジカル量が増加した。次にK
rFエキシマレーザー光(波長249nm)を入射させ、100シ
ョット照射によって、CF2が重合してC2F4が形成され、
析出基板11上にこれが析出してスリット模様のフッ素樹
脂(C2F4)膜が形成された。そして排出口19からチャン
バー10内のCl2を吸引し、バブリングによりCl2を水に吸
収させてCF2を回収する。Then, 20 Torr of Freon-12 (CCl 2 F 2 ) was enclosed in the chamber, and then ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) of 60 mJ / cm 2 and pulse width of 10 ns was incident, and CF 2 radical was detected by 100 shot irradiation. Was done. Further irradiation of the same laser light increased the amount of CF 2 radicals. Then K
By injecting rF excimer laser light (wavelength 249 nm) and irradiating 100 shots, CF 2 is polymerized to form C 2 F 4 ,
This was deposited on the deposition substrate 11 to form a fluororesin (C 2 F 4 ) film having a slit pattern. And the Cl 2 in the chamber 10 is sucked from the discharge port 19, the Cl 2 is absorbed in water to recover CF 2 by bubbling.
なおCF2ラジカルをフロン樹脂として基板に析出させ
ず、CF2+Cl2のガス状態、あるいはC2F4+Cl2の粉体と
ガスとの混合状態のまま排出口19から吸引しCl2を水に
吸収させて、CF2だけを図示しない収容タンクに収容す
ることもできる。Note that CF 2 radicals are not deposited on the substrate as CFC resin, and CF 2 + Cl 2 gas state or C 2 F 4 + Cl 2 powder and gas mixed state is sucked from the discharge port 19 and Cl 2 is hydrated. It is also possible to absorb CF 2 and store only CF 2 in a storage tank (not shown).
第2図は本発明方法を実施するための装置の第2の実施
例を示している。FIG. 2 shows a second embodiment of the device for carrying out the method according to the invention.
前記第1の実施例では、ハーフミラー24を使ってArFエ
キシマレーザー20AおよびKrFエキシマレーザー20Bのレ
ーザー光を同一経路にて入射させるように構成されてい
たが、本実施例では、チャンバー本体13の側面に第2の
窓12Aを設け、この第2の窓12Aを介してArFエキシマレ
ーザー20Aのレーザー光を入射させるようになってい
る。この第2の窓12Aから入射するレーザー光は、析出
基板11と平行に基板上に照射されるようになっている。
符号25は反射鏡、その他は前記第1の実施例と同一であ
り、重複した説明は省略する。In the first embodiment, the half mirror 24 is used to make the laser beams of the ArF excimer laser 20A and the KrF excimer laser 20B incident on the same path, but in the present embodiment, the chamber main body 13 A second window 12A is provided on the side surface, and the laser light of the ArF excimer laser 20A is made to enter through this second window 12A. The laser beam incident from the second window 12A is irradiated onto the substrate in parallel with the deposition substrate 11.
Reference numeral 25 is a reflecting mirror, and other elements are the same as those in the first embodiment, and the duplicated description will be omitted.
この実施例では、析出基板11に対し平行に入射したArF
エキシマレーザー光(波長193nm)がフロンを光分解す
るエネルギーを付与し、KrFエキシマレーザー光(波長2
49nm)がCF2及びC2F4の生成を活性化するとともに、基
板11の界面を励起させるので、C2F4の基板11上への析出
速度を速める。In this example, ArF incident parallel to the deposition substrate 11
The excimer laser light (wavelength 193 nm) imparts the energy to decompose fluorocarbons, and the KrF excimer laser light (wavelength 2
(49 nm) activates the formation of CF 2 and C 2 F 4 and excites the interface of the substrate 11, thereby increasing the deposition rate of C 2 F 4 on the substrate 11.
第3図及び第4図は本発明方法を実施するための装置の
第3の実施例を示すものである。FIGS. 3 and 4 show a third embodiment of the device for carrying out the method according to the invention.
前記第1及び第2の実施例では、レーザー光を用いてフ
ロン−12を光分解させるようになっているが、本実施例
では低圧水銀ランプを用いるようにしたものである。即
ち、符号30は、放電部である内筒32の周りに外筒34が一
体に形成された2重管構造の低圧水銀ランプである。外
筒34にはガス流入口38とガス排出口39とが形成されてお
り、フロンガスの流入及び排出ができる。またランプ30
の外筒内周面及び内筒外周面はテフロンコーティング33
が施されており、フロン−12の光分解による中間生成物
であるCClF2と反応しないようになっている。また符号3
5は放電部である対向電極であり、放電部からの185nm及
び254nmの紫外線によってフロンガスが光分解されて、C
F2ラジカル、さらにCF2ラジカルの重合体であるC2F4が
生成される。なお前記第1〜第3の実施例では、何れも
反応容器であるチャンバー10又は低圧水銀ランプ30の放
電管外周にフロンガスを封入した状態として紫外線を照
射して光分解するようになっているが、反応容器内にフ
ロンガスを所定速度で連続して流す状態として光分解さ
せるようにしてもよい。特に第3の実施例においては、
水銀ランプを放電状態のまま放置すれば、自動的にフロ
ンが光分解されてCF2(又はC2F4)が得られる。In the first and second embodiments, CFC-12 is photolyzed by using a laser beam, but in this embodiment, a low pressure mercury lamp is used. That is, reference numeral 30 is a double-tube low-pressure mercury lamp in which an outer cylinder 34 is integrally formed around an inner cylinder 32 which is a discharge part. A gas inlet 38 and a gas outlet 39 are formed in the outer cylinder 34 to allow the inflow and exhaust of CFC gas. Again lamp 30
Teflon coating on the inner and outer surfaces of the outer cylinder
Is applied so that it does not react with CClF 2 which is an intermediate product of photodecomposition of Freon-12. Also code 3
Reference numeral 5 is a counter electrode, which is a discharge part.
F 2 radicals and C 2 F 4, which is a polymer of CF 2 radicals, are generated. In each of the first to third embodiments, the chamber 10 or the low-pressure mercury lamp 30 which is a reaction vessel is filled with CFC gas in the outer circumference of the discharge tube and is irradiated with ultraviolet rays for photolysis. Alternatively, the CFC gas may be continuously flowed at a predetermined rate into the reaction vessel to cause photolysis. Especially in the third embodiment,
If left untreated mercury lamp remains in the discharge state, automatically Freon is photolytic CF 2 (or C 2 F 4) is obtained.
また前記第1,第2の実施例では、レーザー光をマスク板
26のスリット27を透過させることによって、基板11上に
スリット状のフッ素樹脂(C2F4)膜を形成するようにな
っているが、マスク板26に形成するレーザー光透過パタ
ーンは自由であり、基板状には任意のパターンのフッ素
樹脂膜を形成することができる。In the first and second embodiments, the laser light is used as the mask plate.
A slit-shaped fluororesin (C 2 F 4 ) film is formed on the substrate 11 by transmitting the slits 27 of 26, but the laser light transmission pattern formed on the mask plate 26 is free. A fluororesin film having an arbitrary pattern can be formed on the substrate.
また本発明の改良として、オゾン層より下層の大気中に
微量混存するフロンガスに、200nm付近の紫外線を照射
し、フロンを光分解によってCF2OとCl2ガスとにし、フ
ロンガスのオゾン層への拡散を阻止するようにすること
もできる。Further, as an improvement of the present invention, a slight amount of CFCs present in the atmosphere below the ozone layer is irradiated with ultraviolet rays in the vicinity of 200 nm, and CFCs are converted into CF 2 O and Cl 2 gas by photolysis of the CFCs, and CFCs of the CFC are converted into ozone layers. It is also possible to prevent diffusion.
一般にCF2ラジカルは非常に安定で、酸素とも反応しな
い。そこでCF2に至る前の還元性の強いCClF2の状態で積
極的に酸素と結合させるようにしたものである。このと
きの反応式は、 CCl2F2+1/2O2→CClF2+1/2O2+Cl→CF2O+Cl2である。CF 2 radicals are generally very stable and do not react with oxygen. Therefore, in the state of CClF 2 which has a strong reducing property before reaching CF 2 , it is positively bound to oxygen. The reaction formula at this time is CCl 2 F 2 + 1 / 2O 2 → CClF 2 + 1 / 2O 2 + Cl → CF 2 O + Cl 2 .
即ち、前記第1実施例と同様のテフロン製チャンバー10
の中に、フロン−12ガス30Torr、酸素730Torrを入れ、
そこにArFエキシマレーザー光(40mJ/cm2)を入射させ
る。そして第6図に示されるようにレーザーパルスを重
ねると、CCl2F2は光分解され、330nmにCl2の吸収増加が
見られるが、第5図のように250mn付近にはCF2の吸収は
見られず、しかも赤外線分光分析によってCF2Oが形成さ
れたことがわかる。That is, a Teflon chamber 10 similar to that of the first embodiment.
CFC-12 gas 30Torr, oxygen 730Torr,
ArF excimer laser light (40 mJ / cm 2 ) is incident there. When laser pulses are overlapped as shown in Fig. 6, CCl 2 F 2 is photolyzed and Cl 2 absorption increases at 330 nm, but as shown in Fig. 5, absorption of CF 2 near 250 mn is observed. In addition, it can be seen from the infrared spectroscopic analysis that CF 2 O was formed.
以上の説明から明かなように、本発明によればフロンガ
スを光分解して安定したCF2ラジカル(又はC2F4)とし
て回収できるようになる。さらに反応容器内の析出基板
上にCF2の重合体であるC2F4を析出させて所定形状のフ
ッ素樹脂膜を形成することもできる。As is clear from the above description, according to the present invention, the fluorocarbon can be photodecomposed and recovered as stable CF 2 radicals (or C 2 F 4 ). Further, C 2 F 4 which is a polymer of CF 2 can be deposited on the deposition substrate in the reaction vessel to form a fluororesin film having a predetermined shape.
第1図は本発明方法を実施するための装置の第1の実施
例の概要図、第2図は本発明方法を実施するための装置
の第2の実施例の概要図、第3図は本発明方法を実施す
るための装置の第3の実施例の縦断面図、第4図は第3
図に示す線IV-IVに沿う断面図、第5図はフロン−12ガ
スにレーザー光を照射した場合におけるUVスペクトルを
示す図、第6図はフロン−12ガスを酸素の存在下でレー
ザー光を照射した場合におけるUVスペクトルを示す図で
ある。 10……反応容器であるチャンバー、 11……析出基板であるステンレス板、 20A……ArFエキシマレーザー、 20B……KrFエキシマレーザー、 18,38……ガス流入口、 19,39……ガス排出口、 26……マスク板、 30……反応容器である低圧水銀ランプ、 32……紫外線照射部である内筒。FIG. 1 is a schematic view of a first embodiment of an apparatus for carrying out the method of the present invention, FIG. 2 is a schematic view of a second embodiment of an apparatus for carrying out the method of the present invention, and FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a third embodiment of the apparatus for carrying out the method of the present invention, FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line IV-IV shown in the figure, FIG. 5 is a diagram showing a UV spectrum in the case where the Freon-12 gas is irradiated with laser light, and FIG. 6 is a laser beam in the presence of oxygen in the Freon-12 gas. It is a figure which shows a UV spectrum at the time of irradiating with. 10 ... Chamber as reaction container, 11 ... Stainless plate as deposition substrate, 20A ... ArF excimer laser, 20B ... KrF excimer laser, 18,38 ... Gas inlet, 19,39 ... Gas outlet , 26 ... Mask plate, 30 ... Low-pressure mercury lamp which is a reaction vessel, 32 ... Inner cylinder which is an ultraviolet irradiation part.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08J 5/18 CEW 9267−4F ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location C08J 5/18 CEW 9267-4F
Claims (2)
れ、波長域170〜220nmの紫外線を照射することによりCF
2又はCF2の重合体であるC2F4を生成することを特徴とす
るフロンガスの分解方法。1. CF is prepared by placing a CFC gas in a halogen-resistant reaction vessel and irradiating it with ultraviolet rays having a wavelength range of 170 to 220 nm.
A method for decomposing CFCs, which comprises producing C 2 F 4 which is a polymer of 2 or CF 2 .
反応容器内にフロンガスを入れ、波長域170〜220nmの紫
外線を照射することによりCF2ラジカルを生成し、さら
に波長域220〜270nmの紫外線をフロンガス及び析出基板
に照射して基板表面の紫外線照射領域にフッ素樹脂を析
出させることを特徴とするフッ素樹脂膜の形成方法。2. A halogen-resistant reaction vessel having a deposition substrate accommodated therein is charged with CFC gas and irradiated with ultraviolet rays having a wavelength range of 170 to 220 nm to generate CF 2 radicals, and further having a wavelength range of 220 to 270 nm. A method for forming a fluororesin film, which comprises irradiating a fluorocarbon and a deposition substrate with ultraviolet rays to deposit the fluororesin in an ultraviolet irradiation region on the surface of the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248170A JPH0687900B2 (en) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | Fluorocarbon decomposition method and fluororesin film formation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248170A JPH0687900B2 (en) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | Fluorocarbon decomposition method and fluororesin film formation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111065A JPH03111065A (en) | 1991-05-10 |
| JPH0687900B2 true JPH0687900B2 (en) | 1994-11-09 |
Family
ID=17174254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1248170A Expired - Lifetime JPH0687900B2 (en) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | Fluorocarbon decomposition method and fluororesin film formation method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687900B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03221121A (en) * | 1990-01-24 | 1991-09-30 | Central Glass Co Ltd | Decomposition of halogenated hydrocarbons |
| JPH067474A (en) * | 1992-06-27 | 1994-01-18 | Makoto Ogose | Decomposing method for halide and decomposing device therefor |
| JPH06190243A (en) * | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Photoirradiation method to gaseous substance |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1248170A patent/JPH0687900B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH03111065A (en) | 1991-05-10 |
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