JPH0688779B2 - ＭｇＦ▲下２▼膜の製造方法及び低反射膜の製造方法 - Google Patents
ＭｇＦ▲下２▼膜の製造方法及び低反射膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0688779B2 JPH0688779B2 JP1041862A JP4186289A JPH0688779B2 JP H0688779 B2 JPH0688779 B2 JP H0688779B2 JP 1041862 A JP1041862 A JP 1041862A JP 4186289 A JP4186289 A JP 4186289A JP H0688779 B2 JPH0688779 B2 JP H0688779B2
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- JP
- Japan
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- film
- mgf
- complex salt
- substrate
- low reflection
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明のMgF2膜の製造方法及び低反射膜の製造方法の関
するものである。
するものである。
［従来の技術］ 低反射膜のコーティング法は従来より光学的機器におい
てはいうまでもなく、民生用機器特にTV、コンピュータ
端末の陰極線管（CRT）に関し多く検討がなされてき
た。
てはいうまでもなく、民生用機器特にTV、コンピュータ
端末の陰極線管（CRT）に関し多く検討がなされてき
た。
従来の方法は例えば特開昭61−118931号記載の如くブラ
ウン管表面に防眩効果をもたせる為に表面に微細な凹凸
を有するSiO2層を付着させたり、弗酸により表面をエッ
チングして凹凸を設ける等の方法が採られてきた。しか
し、これらの方法は外部光を拡散反射させるノングレア
ー処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設ける手法でない
為、反射率の低減には限界があった。
ウン管表面に防眩効果をもたせる為に表面に微細な凹凸
を有するSiO2層を付着させたり、弗酸により表面をエッ
チングして凹凸を設ける等の方法が採られてきた。しか
し、これらの方法は外部光を拡散反射させるノングレア
ー処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設ける手法でない
為、反射率の低減には限界があった。
また安定な低屈折率物質であるMgF2を真空蒸着等物理的
な手段によってレンズ、ガラス表面に付着させる試みも
行なわれているが、この方法では装置費が高く、或いは
CRT完成球の様な大きな被付着物を真空チャンバー内に
収納するのが困難であるという欠点があった。
な手段によってレンズ、ガラス表面に付着させる試みも
行なわれているが、この方法では装置費が高く、或いは
CRT完成球の様な大きな被付着物を真空チャンバー内に
収納するのが困難であるという欠点があった。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は従来技術が有していた前述の欠点を解決
し、化学的手法により簡便で安定且つ優れた低反射特性
を有するMgF2膜の製造方法を新たに提供することによ
る。
し、化学的手法により簡便で安定且つ優れた低反射特性
を有するMgF2膜の製造方法を新たに提供することによ
る。
［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明はMgX2（Ｘ＝フッ素を除くハロゲン元素）
及びBF3錯塩を含む液体を基体上に塗布した後、加熱し
て、MgF2膜を製造することを特徴とするMgF2膜の製造方
法、及び基体上に単層又は多層膜からなり、そのうち少
なくとも一層がMgF2膜である低反射膜を形成する方法に
おいて、該MgF2膜を、MgX2（Ｘ＝フッ素を除くハロゲン
元素）及びBF3錯塩を含む液体を基体上に塗布した後、
加熱することによって形成することを特徴とする低反射
膜の製造方法を新たに提供するものである。
及びBF3錯塩を含む液体を基体上に塗布した後、加熱し
て、MgF2膜を製造することを特徴とするMgF2膜の製造方
法、及び基体上に単層又は多層膜からなり、そのうち少
なくとも一層がMgF2膜である低反射膜を形成する方法に
おいて、該MgF2膜を、MgX2（Ｘ＝フッ素を除くハロゲン
元素）及びBF3錯塩を含む液体を基体上に塗布した後、
加熱することによって形成することを特徴とする低反射
膜の製造方法を新たに提供するものである。
本発明においてはMgX2（Ｘ＝フッ素を除くハロゲン元
素）フッ素化剤として、作用するBF3錯塩によってMgF2
が生成すると考えられ、この反応はMgX2及びBF3錯塩の
出発物質を溶媒に分散或は溶解させ、更に加熱すること
によって容易に進行する。
素）フッ素化剤として、作用するBF3錯塩によってMgF2
が生成すると考えられ、この反応はMgX2及びBF3錯塩の
出発物質を溶媒に分散或は溶解させ、更に加熱すること
によって容易に進行する。
３MgX2＋２BF3→３MgF2＋２BX3↑・・・（１） 出発物質のMgX2としては、MgCl2，MgBr2，MgI2等が使用
可能であるが、MgCl2が上記（１）式の反応が最も容易
に進行するので特に好ましい。
可能であるが、MgCl2が上記（１）式の反応が最も容易
に進行するので特に好ましい。
また、BF3錯塩としては種々のものが使用可能である
が、好ましくはアルキルエーテル錯塩、アルコール錯
塩、水溶液錯塩が挙げられ、特に好ましくはエチルエー
テル錯塩、メタノール錯塩、エタノール錯塩、酢酸錯塩
が挙げられる。
が、好ましくはアルキルエーテル錯塩、アルコール錯
塩、水溶液錯塩が挙げられ、特に好ましくはエチルエー
テル錯塩、メタノール錯塩、エタノール錯塩、酢酸錯塩
が挙げられる。
溶媒としては特に限定されないが、水、水溶液、アルコ
ール、エステル、エーテル、或いはプロピレンカーボネ
ート、γ−ブチロラクトン等有機高誘電率溶媒が使用可
能である。
ール、エステル、エーテル、或いはプロピレンカーボネ
ート、γ−ブチロラクトン等有機高誘電率溶媒が使用可
能である。
又、出発物質の溶媒中での安定性も考慮すると、溶媒と
しては、アルコール、特にメタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノール等が好ましい。
しては、アルコール、特にメタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノール等が好ましい。
出発物質は前記MgX2とBF3錯塩のモル比が1:2〜4:1の範
囲特には1:1〜2:1の範囲が好ましく、また前記出発物質
は溶媒に対して１〜30wt％含まれていることが好まし
い。
囲特には1:1〜2:1の範囲が好ましく、また前記出発物質
は溶媒に対して１〜30wt％含まれていることが好まし
い。
又、本発明において用いる溶液には、膜の付着強度及び
硬度を向上させるためにバインダーとしてSi(OR)4（R:
アルキル基）等を添加してSiO2を同時に析出させたり、
又、基体とのぬれ性を上げる為の界面活性剤として種々
のものが使用し得るが、例えば直鎖アルキルベンゼンス
ルホン酸ナトリウム、アルキルエーテル硫酸エステル等
を添加してもよい。
硬度を向上させるためにバインダーとしてSi(OR)4（R:
アルキル基）等を添加してSiO2を同時に析出させたり、
又、基体とのぬれ性を上げる為の界面活性剤として種々
のものが使用し得るが、例えば直鎖アルキルベンゼンス
ルホン酸ナトリウム、アルキルエーテル硫酸エステル等
を添加してもよい。
又、導電性付与を目的として、導電性を有する金属酸化
物（例えばSnO2,Snを含むIn2O3（ITO）等）を形成し得
る金属（例えば、Sn,In等）のアセチルアセトネート、
アルコキシド等の有機金属塩、ハロゲン化物、酢酸塩、
硝酸塩あるいはキレート化合物などの金属塩を本発明に
おいて用いるMgX2とBF3錯塩を含む液体に添加し、SnO2
やSnを含むIn2O3（ITO）等を同時に析出させることも可
能である。
物（例えばSnO2,Snを含むIn2O3（ITO）等）を形成し得
る金属（例えば、Sn,In等）のアセチルアセトネート、
アルコキシド等の有機金属塩、ハロゲン化物、酢酸塩、
硝酸塩あるいはキレート化合物などの金属塩を本発明に
おいて用いるMgX2とBF3錯塩を含む液体に添加し、SnO2
やSnを含むIn2O3（ITO）等を同時に析出させることも可
能である。
加熱温度は50℃以上が必要であるが、上限は通常は基体
に用いられるガラス、プラスチックス等の軟化点によっ
て決定される。この点も考慮すると、好ましい温度範囲
は100〜400℃である。
に用いられるガラス、プラスチックス等の軟化点によっ
て決定される。この点も考慮すると、好ましい温度範囲
は100〜400℃である。
膜の基体上への付着法はスピンコート法、ディップ法、
スプレー法、ロールコーター法、メニスカスコーター法
等種々考えられるが、特にスピンコート法は量産性、再
現性に優れ好ましく採用可能である。かかる方法によっ
て100Å〜１μｍ程度の膜厚のMgF2膜を形成可能であ
る。
スプレー法、ロールコーター法、メニスカスコーター法
等種々考えられるが、特にスピンコート法は量産性、再
現性に優れ好ましく採用可能である。かかる方法によっ
て100Å〜１μｍ程度の膜厚のMgF2膜を形成可能であ
る。
本発明においてMgF2膜及びMgF2を含む低反射膜を形成す
る基体としては、特に限定されるものではなく、目的に
応じてソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケ
ートガラス、硼珪酸塩ガラス、リチウムアルミノシリケ
ートガラス、石英ガラスなどのガラス、鋼玉等の単結
晶、マグネシア、サイアロン等の透光性セラミックス、
ポリカーボネート等のプラスチックなどが使用できる。
る基体としては、特に限定されるものではなく、目的に
応じてソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケ
ートガラス、硼珪酸塩ガラス、リチウムアルミノシリケ
ートガラス、石英ガラスなどのガラス、鋼玉等の単結
晶、マグネシア、サイアロン等の透光性セラミックス、
ポリカーボネート等のプラスチックなどが使用できる。
本発明のMgF2膜の製造方法は、MgF2膜を含む多層の低反
射膜の製造にも応用できる。反射防止性能を有する多層
の低反射膜の構成としては、反射防止したい波長をλと
して、基体側より、高屈折率層−低屈折率層を光学厚み
λ/2−λ/4で形成した２層の低反射膜、基体側より中屈
折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/4−λ/2
−λ/4で形成した３層の低反射膜、基体より低屈折率層
−中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/4
−λ/4−λ/2−λ/4で形成した４層の低反射膜が典型的
な例として知られており、本発明においては、低屈折率
層としてMgF2膜（ｎ＝1.38）を用いた多層の低反射膜を
製造することも可能である。
射膜の製造にも応用できる。反射防止性能を有する多層
の低反射膜の構成としては、反射防止したい波長をλと
して、基体側より、高屈折率層−低屈折率層を光学厚み
λ/2−λ/4で形成した２層の低反射膜、基体側より中屈
折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/4−λ/2
−λ/4で形成した３層の低反射膜、基体より低屈折率層
−中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/4
−λ/4−λ/2−λ/4で形成した４層の低反射膜が典型的
な例として知られており、本発明においては、低屈折率
層としてMgF2膜（ｎ＝1.38）を用いた多層の低反射膜を
製造することも可能である。
又、ブラウン管（CRT）や前面パネル等において指摘さ
れている、CRT動作中に発生する静電気により表面が帯
電し、人体との間で放電を起こしたり、ほこりが吸着し
やすいという問題の解決策として、低反射膜の一層を透
明で導電性を有する材料で構成したものが知られている
が、かかる導電性を有する低反射膜の製造にも適用でき
る。例えば、基体／SnO2／MgF2、基体/ITO/MgF2等の低
反射膜も形成できる。
れている、CRT動作中に発生する静電気により表面が帯
電し、人体との間で放電を起こしたり、ほこりが吸着し
やすいという問題の解決策として、低反射膜の一層を透
明で導電性を有する材料で構成したものが知られている
が、かかる導電性を有する低反射膜の製造にも適用でき
る。例えば、基体／SnO2／MgF2、基体/ITO/MgF2等の低
反射膜も形成できる。
［実施例］ 実施例１ MgCl2とBF3・MeOH錯塩をモル比で3:2且つ、総量が、前
記溶媒に対し濃度が５重量％となる様に添加し、溶解さ
せた。
記溶媒に対し濃度が５重量％となる様に添加し、溶解さ
せた。
ガラス基体をこの溶液中に浸漬塗布し、更にスピンコー
ターで回転数3000rpmでコーティングした。このガラス
基体を空気中250℃で30分間焼成して960ÅのMgF2膜を形
成した後、波長360〜700（nm）に於ける反面反射率を測
定した。
ターで回転数3000rpmでコーティングした。このガラス
基体を空気中250℃で30分間焼成して960ÅのMgF2膜を形
成した後、波長360〜700（nm）に於ける反面反射率を測
定した。
実施例２ 焼成温度を150℃とした以外は実施例１と同様の方法
で、MgF2膜（1150Å）を形成した。
で、MgF2膜（1150Å）を形成した。
実施例３ 溶媒にメタノールブタノール（体積比1:1）溶媒を用い
た以外は実施例１と同様の方法で、MgF2膜（膜厚1000
Å）を形成した。
た以外は実施例１と同様の方法で、MgF2膜（膜厚1000
Å）を形成した。
実施例４ スピンコーターの回転数を300rpmとした以外は実施例１
と同様にして、MgF2膜（膜厚120Å）を形成した。
と同様にして、MgF2膜（膜厚120Å）を形成した。
実施例５ メタノール、水からなる溶媒（体積比1:1）に対し、SnC
l4，SbCl3を溶媒に対し、各々2,0.2wt％になるように添
加し溶解した溶液に、ガラス基体を浸漬塗布し、更にス
ピンコーターで3000rpmでコーティングした後、空気中4
00℃で300分間焼成して1100ÅのSnO2膜を形成した。次
に実施例１と同様の方法でコーティングし960ÅのMgF2
膜を形成した。
l4，SbCl3を溶媒に対し、各々2,0.2wt％になるように添
加し溶解した溶液に、ガラス基体を浸漬塗布し、更にス
ピンコーターで3000rpmでコーティングした後、空気中4
00℃で300分間焼成して1100ÅのSnO2膜を形成した。次
に実施例１と同様の方法でコーティングし960ÅのMgF2
膜を形成した。
比較例 未処理のガラス基体の反射率を実施例１と同様に測定し
た。
た。
実施例１〜５及び比較例の測定結果として波長520（n
m）に於ける反射率を表１に示す。
m）に於ける反射率を表１に示す。
［発明の効果］ 本発明によれば、MgX2とBF3錯塩を含む液体を基体上に
スプレー又はスピンコート、あるいは液体中に基体を浸
漬するなどの簡便な方法により、効率良く、優れたMgF2
膜及びMgF2膜を含む低反射膜を提供することが可能とな
る。
スプレー又はスピンコート、あるいは液体中に基体を浸
漬するなどの簡便な方法により、効率良く、優れたMgF2
膜及びMgF2膜を含む低反射膜を提供することが可能とな
る。
本発明は、生産性に優れ、かつ、真空を必要としないの
で装置も比較的簡単なもので良い。特にCRTのフェイス
面等の大面積の基体にも十分適用でき、量産も可能であ
り、工業的価値は非常に高い。
で装置も比較的簡単なもので良い。特にCRTのフェイス
面等の大面積の基体にも十分適用でき、量産も可能であ
り、工業的価値は非常に高い。
Claims (4)
- 【請求項１】MgX2（Ｘ＝フッ素を除くハロゲン元素）及
びBF3錯塩を含む液体を基体上に塗布した後、加熱し
て、MgF2膜を製造することを特徴とするMgF2膜の製造方
法。 - 【請求項２】基体上に単層又は多層膜からなり、そのう
ち少なくとも一層がMgF2膜である低反射膜を形成する方
法において、該MgF2膜を、MgX2（Ｘ＝フッ素を除くハロ
ゲン元素）及びBF3錯塩を含む液体を基体上に塗布した
後、加熱することによって形成することを特徴とする低
反射膜の製造方法。 - 【請求項３】基体上に透明導電膜を形成し、次いで、そ
の上にMgX2膜（Ｘ＝フッ素を除くハロゲン元素）及びBF
3錯塩を含む液体を基体上に塗布し、加熱してMgF2膜を
形成することにより、２層からなり等電性を有する低反
射膜を形成することを特徴とする請求項２記載の低反射
膜の製造方法。 - 【請求項４】BF3錯塩が、BF3アルキルエーテル錯塩、BF
3フェノール錯塩、BF3アルコール錯塩、BF3水溶液錯塩
のうちから選ばれる少なくとも１種であることを特徴と
する請求項１記載のMgF2膜の製造方法又は請求項２又は
３記載の低反射膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041862A JPH0688779B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | ＭｇＦ▲下２▼膜の製造方法及び低反射膜の製造方法 |
| PCT/JP1990/000222 WO1990010243A1 (fr) | 1989-02-23 | 1990-02-23 | Formation d'un film mince de fluorure de magnesium et film antireflet |
| EP19900903407 EP0416119A4 (en) | 1989-02-23 | 1990-02-23 | Formation of thin magnesium fluoride film and low-reflection film |
| KR1019900702317A KR920700408A (ko) | 1989-02-23 | 1990-02-23 | MgF₂박막 및 저반사막의 형성 방법 |
| US07/598,640 US5085888A (en) | 1989-02-23 | 1990-02-23 | Method for forming thin mgf2 film and low-reflection film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041862A JPH0688779B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | ＭｇＦ▲下２▼膜の製造方法及び低反射膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225315A JPH02225315A (ja) | 1990-09-07 |
| JPH0688779B2 true JPH0688779B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=12620060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041862A Expired - Lifetime JPH0688779B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | ＭｇＦ▲下２▼膜の製造方法及び低反射膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0688779B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2893320B1 (fr) * | 2005-11-17 | 2009-05-29 | Univ Paris Curie | Oxyfluorure poreux nanostructure |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1041862A patent/JPH0688779B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02225315A (ja) | 1990-09-07 |
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