JPH0691035B2 - 低温ドライエツチング方法及びその装置 - Google Patents
低温ドライエツチング方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH0691035B2 JPH0691035B2 JP61260738A JP26073886A JPH0691035B2 JP H0691035 B2 JPH0691035 B2 JP H0691035B2 JP 61260738 A JP61260738 A JP 61260738A JP 26073886 A JP26073886 A JP 26073886A JP H0691035 B2 JPH0691035 B2 JP H0691035B2
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- Japan
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- etched
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- etching
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表面の微細加工処理技術に係り、特に半導体ウ
ェハの異方性エッチング加工に好適な低温ドライエッチ
ング方法とその装置に関する。
ェハの異方性エッチング加工に好適な低温ドライエッチ
ング方法とその装置に関する。
（従来の技術） 半導体集積回路がLSIから超LSIと集積度が大きくなるに
つれ、集積されるデバイスの寸法はますます微細化す
る。１μｍ以下のパターンを有するレジスト像をマスク
にして、その下の物質をエッチングする場合に、低圧の
ガスプラズマ用いれば反応生成物の除去も容易となり、
かつ反応性エッチングにおけるような、電界によるイオ
ンの加速を利用すればアンダカットの問題も少なく、微
細パターンの作成が容易になることが期待される。
つれ、集積されるデバイスの寸法はますます微細化す
る。１μｍ以下のパターンを有するレジスト像をマスク
にして、その下の物質をエッチングする場合に、低圧の
ガスプラズマ用いれば反応生成物の除去も容易となり、
かつ反応性エッチングにおけるような、電界によるイオ
ンの加速を利用すればアンダカットの問題も少なく、微
細パターンの作成が容易になることが期待される。
溶液を用いずにガスを使用する所謂ドライエッチング
は、超LSI製造には不可欠の技術であるが、レジストマ
スクの変質を防止するために、試料を載置する試料台を
冷却することは公知技術として知られており、冷却には
水冷が最も一般的であるが、一部にはガスも利用され、
ニュークリア インスツルメンツ アンド メソッヅ
〔Nuclear Instrumennts and Methods 189（1981）P169
〜173〕に発表されている。これはいずれもレジストが
変質する120〜150℃以下の温度に試料台を冷却すること
が自明であり、温度制御範囲は20〜100℃の範囲内にあ
る。さらにまた試料をヒートパイプを用いて室温以下す
なわちマイナス数10℃以下の温度に冷却してサイドエッ
チングを防止する先行技術が、特開昭60−158627号発明
として開示されている。ドライエッチングにおいては、
試料の水平面にイオンや電子等の高エネルギー粒子と、
ラジカル等の中性粒子が同時に入射する一方、パターン
側壁には中性粒子だけが入射する。上記先行技術は、試
料をマイナス数10℃の低温に冷却すると、試料と中性粒
子との反応速度は著しく低下し、パターン側壁はエッチ
ングされなくなるが、水平面に対してはイオンや電子等
の高エネルギーの粒子が衝突するため、ごく表面に疑似
高温状態が作られてエッチングが進行する。これにより
サイドエッチングの少ない異方性エッチングが達成され
るというものである。
は、超LSI製造には不可欠の技術であるが、レジストマ
スクの変質を防止するために、試料を載置する試料台を
冷却することは公知技術として知られており、冷却には
水冷が最も一般的であるが、一部にはガスも利用され、
ニュークリア インスツルメンツ アンド メソッヅ
〔Nuclear Instrumennts and Methods 189（1981）P169
〜173〕に発表されている。これはいずれもレジストが
変質する120〜150℃以下の温度に試料台を冷却すること
が自明であり、温度制御範囲は20〜100℃の範囲内にあ
る。さらにまた試料をヒートパイプを用いて室温以下す
なわちマイナス数10℃以下の温度に冷却してサイドエッ
チングを防止する先行技術が、特開昭60−158627号発明
として開示されている。ドライエッチングにおいては、
試料の水平面にイオンや電子等の高エネルギー粒子と、
ラジカル等の中性粒子が同時に入射する一方、パターン
側壁には中性粒子だけが入射する。上記先行技術は、試
料をマイナス数10℃の低温に冷却すると、試料と中性粒
子との反応速度は著しく低下し、パターン側壁はエッチ
ングされなくなるが、水平面に対してはイオンや電子等
の高エネルギーの粒子が衝突するため、ごく表面に疑似
高温状態が作られてエッチングが進行する。これにより
サイドエッチングの少ない異方性エッチングが達成され
るというものである。
また特開昭60−50923号発明として開示されている発明
中には、ハロゲン元素を含むエッチングガスと被エッチ
ング材表面に薄膜を形成させるガスを真空容器内に交互
に導入し、これらのガスから励起したプラズマの中で、
被エッチング材表面に対するエッチング及び薄膜形成を
交互に繰り返しながら、異方性エッチングを実施する技
術が含まれている。
中には、ハロゲン元素を含むエッチングガスと被エッチ
ング材表面に薄膜を形成させるガスを真空容器内に交互
に導入し、これらのガスから励起したプラズマの中で、
被エッチング材表面に対するエッチング及び薄膜形成を
交互に繰り返しながら、異方性エッチングを実施する技
術が含まれている。
（発明が解決しようとする問題点） 上記従来技術は、被処理材表面をエッチングする時間に
加えて、その表面に薄膜を形成する時間が必要で、この
ため処理時間が増加する傾向があった。また上記先行技
術を実施する場合において、冷却装置としてはヒートパ
イプを使用しており温度の許容範囲が狭かった。例えば
液体窒素を用いたヒートパイプの場合の温度制御範囲
は、概ね−203〜−160℃である。しかし実用的には０〜
−200℃の範囲で各材料及びエッチングガスに対して最
適な温度を設定することが望ましい。
加えて、その表面に薄膜を形成する時間が必要で、この
ため処理時間が増加する傾向があった。また上記先行技
術を実施する場合において、冷却装置としてはヒートパ
イプを使用しており温度の許容範囲が狭かった。例えば
液体窒素を用いたヒートパイプの場合の温度制御範囲
は、概ね−203〜−160℃である。しかし実用的には０〜
−200℃の範囲で各材料及びエッチングガスに対して最
適な温度を設定することが望ましい。
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもの
で、被処理材を０℃、好ましくは−50℃以下の低温に冷
却して薄膜形成効率を高め、薄膜形成時間の短縮を図る
と共に、低温によるサイドエッチング防止効果によっ
て、薄膜形成のための繰返しサイクルを減少させ、エッ
チング条件の変化に対応する低温の温度領域を拡げて、
試料を所望の温度範囲に任意設定することが可能な試料
台を備えた低温ドライエッチング装置とその方法を提供
することを目的としている。
で、被処理材を０℃、好ましくは−50℃以下の低温に冷
却して薄膜形成効率を高め、薄膜形成時間の短縮を図る
と共に、低温によるサイドエッチング防止効果によっ
て、薄膜形成のための繰返しサイクルを減少させ、エッ
チング条件の変化に対応する低温の温度領域を拡げて、
試料を所望の温度範囲に任意設定することが可能な試料
台を備えた低温ドライエッチング装置とその方法を提供
することを目的としている。
（問題点を解決するための手段） 上記の目的は、液化ガスによる冷却と加熱ヒータを併用
する装置によって試料台温度を制御する回路と、被エッ
チング材を０〜−200℃の範囲に冷却すると共に、エッ
チングガス及び薄膜形成用ガスを真空容器内へ交互導入
する手段としては、ガスラインバルブの自動開閉のタイ
ミングを設定する装置を経由して行なう低温ドライエッ
チング方法によって達成が可能である。
する装置によって試料台温度を制御する回路と、被エッ
チング材を０〜−200℃の範囲に冷却すると共に、エッ
チングガス及び薄膜形成用ガスを真空容器内へ交互導入
する手段としては、ガスラインバルブの自動開閉のタイ
ミングを設定する装置を経由して行なう低温ドライエッ
チング方法によって達成が可能である。
（作用） 被エッチング材を上記の温度範囲に、任意に精度よく設
定して冷却することにより、被エッチング材表面に被膜
の組成粒子が吸着しやすく、またサイドエッチングの原
因となる中性ラジカルとパターン側面との反応効率が低
下し、同時に反応生成物の蒸気圧が低下する。これらの
相乗作用によって、薄膜の生成速度が増加し、サイドエ
ッチング量が減少する。すなわち薄膜生成速度の増加に
よって、薄膜生成時間の短縮を図っても、サイドエッチ
ングを抑制することが可能となるものである。
定して冷却することにより、被エッチング材表面に被膜
の組成粒子が吸着しやすく、またサイドエッチングの原
因となる中性ラジカルとパターン側面との反応効率が低
下し、同時に反応生成物の蒸気圧が低下する。これらの
相乗作用によって、薄膜の生成速度が増加し、サイドエ
ッチング量が減少する。すなわち薄膜生成速度の増加に
よって、薄膜生成時間の短縮を図っても、サイドエッチ
ングを抑制することが可能となるものである。
（実施例） 本発明を一実施例装置によって以下に説明する。第１図
は本発明に係るRIE（反応性イオンエッチング装置）を
使用した低温ドライエッチングの一実施例を示す概要説
明図であって、処理室１はロードロック式になってお
り、試料交換室２とゲートバルブ３によって相互に分離
することにより、大気中の水分による試料台の結露を防
止している。４は処理ガス供給口、24はエッチングガス
及び薄膜形成用ガスを反応容器内へ交互導入すべく、ガ
スラインバルブの自動開閉のタイミング時間を設定制御
する装置、７は試料台で、その内部に液体窒素10を導入
し、加熱ヒータは電熱ヒータ９を用い温度センサ18を配
置している。17はテフロン製台、19は温度計、20は絶縁
物、21は液化ガス容器である。試料台７は、被エッチン
グ材８の冷却効率を高めるために本実施例では銅製を用
い、銅のスパッタによる汚染を防止するため、被エッチ
ング材８を載置する部分以外は石英カバー６で被覆され
ている。石英カバー６の表面が冷却されて、反応ガスや
反応生成物が付着するのを防止するために、石英カバー
６の厚さは5mm以上が好ましく、これを取付けない場合
は、−150℃以下では電極がSF6ガスに対するトラップと
して働くため、ガス圧力の制御が困難であった。また実
施条件によっては石英カバー６はテフロンカバーによる
代用が可能で、試料台７内部と処理室１とが接触する真
空シール部分は金属製のＯリング５を使用して気密を保
持している。電熱ヒータ９への供給電圧はパルス電圧を
使用し、パルス間隔は試料台６の設定温度によって0.1
〜60秒の範囲に設定した。また温度センサ18からの出力
信号をフィードバック回路22を経由して、ヒータ用電源
12及びガス供給制御系23に送信し、試料台７の加熱、冷
却の制御を行なっている。これにより、試料台７の温度
を設定値±２℃に制御することができた。試料交換室２
は処理室１へ搬送する前の被エッチング材８の予備冷却
及び処理後の被エッチング材８の加熱を行なう。試料交
換室２の被エッチング材８と接触する試料台13の面に
は、石英台16（テフロンによる代用も可能）を設けてい
る。冷却ガス供給口14からは液体窒素によって冷却され
たガスが流入し、被エッチング材８を冷却する。被エッ
チング材８に損傷を与えないために、冷却ガスの流量を
徐々に増加し、処理室１の試料台７の温度に達するまで
徐々に冷却した。処理後の被エッチング材８は、再び試
料台13上に搬送され、加熱用ランプ15によって室温にま
で昇温される。
は本発明に係るRIE（反応性イオンエッチング装置）を
使用した低温ドライエッチングの一実施例を示す概要説
明図であって、処理室１はロードロック式になってお
り、試料交換室２とゲートバルブ３によって相互に分離
することにより、大気中の水分による試料台の結露を防
止している。４は処理ガス供給口、24はエッチングガス
及び薄膜形成用ガスを反応容器内へ交互導入すべく、ガ
スラインバルブの自動開閉のタイミング時間を設定制御
する装置、７は試料台で、その内部に液体窒素10を導入
し、加熱ヒータは電熱ヒータ９を用い温度センサ18を配
置している。17はテフロン製台、19は温度計、20は絶縁
物、21は液化ガス容器である。試料台７は、被エッチン
グ材８の冷却効率を高めるために本実施例では銅製を用
い、銅のスパッタによる汚染を防止するため、被エッチ
ング材８を載置する部分以外は石英カバー６で被覆され
ている。石英カバー６の表面が冷却されて、反応ガスや
反応生成物が付着するのを防止するために、石英カバー
６の厚さは5mm以上が好ましく、これを取付けない場合
は、−150℃以下では電極がSF6ガスに対するトラップと
して働くため、ガス圧力の制御が困難であった。また実
施条件によっては石英カバー６はテフロンカバーによる
代用が可能で、試料台７内部と処理室１とが接触する真
空シール部分は金属製のＯリング５を使用して気密を保
持している。電熱ヒータ９への供給電圧はパルス電圧を
使用し、パルス間隔は試料台６の設定温度によって0.1
〜60秒の範囲に設定した。また温度センサ18からの出力
信号をフィードバック回路22を経由して、ヒータ用電源
12及びガス供給制御系23に送信し、試料台７の加熱、冷
却の制御を行なっている。これにより、試料台７の温度
を設定値±２℃に制御することができた。試料交換室２
は処理室１へ搬送する前の被エッチング材８の予備冷却
及び処理後の被エッチング材８の加熱を行なう。試料交
換室２の被エッチング材８と接触する試料台13の面に
は、石英台16（テフロンによる代用も可能）を設けてい
る。冷却ガス供給口14からは液体窒素によって冷却され
たガスが流入し、被エッチング材８を冷却する。被エッ
チング材８に損傷を与えないために、冷却ガスの流量を
徐々に増加し、処理室１の試料台７の温度に達するまで
徐々に冷却した。処理後の被エッチング材８は、再び試
料台13上に搬送され、加熱用ランプ15によって室温にま
で昇温される。
上記の装置において、被エッチング材Siに対し温度を−
80℃に設定しエッチングガスはSF6、被膜形成用ガスと
してCCl4を使用し、SF6とCCl4の１サイクル中の設定時
間をそれぞれ40秒及び５秒とし、５サイクルで合計225
秒のエッチング処理を実施した結果は、エッチング深さ
１μｍ、サイドエッチング量は0.1μｍ以下であった。
一方被エッチング材を冷却せずに上記と同様の結果を得
るためには、SF6、CCl4の１サイクル設定時間をそれぞ
れ共に20秒とし、12サイクルで合計480秒のエッチング
処理時間を必要とした。すなわちエッチングガスと被膜
生成用ガスを交互に導入して、被エッチング材を冷却す
ることにより、本実施例では処理時間を概ね47％短縮す
ることができた。
80℃に設定しエッチングガスはSF6、被膜形成用ガスと
してCCl4を使用し、SF6とCCl4の１サイクル中の設定時
間をそれぞれ40秒及び５秒とし、５サイクルで合計225
秒のエッチング処理を実施した結果は、エッチング深さ
１μｍ、サイドエッチング量は0.1μｍ以下であった。
一方被エッチング材を冷却せずに上記と同様の結果を得
るためには、SF6、CCl4の１サイクル設定時間をそれぞ
れ共に20秒とし、12サイクルで合計480秒のエッチング
処理時間を必要とした。すなわちエッチングガスと被膜
生成用ガスを交互に導入して、被エッチング材を冷却す
ることにより、本実施例では処理時間を概ね47％短縮す
ることができた。
次に試料台７の冷却温度を０〜−150℃の範囲で変化さ
せて、Siのエッチング形状を比較した。第３図は試料台
の温度とサイドエッチング量の関係を示す特性図で概ね
−80℃以下の温度で顕著なサイドエッチングの減少傾向
が見られ、−100℃におけるサイドエッチング量は0.05
μｍ以下に減少した。また−120℃以下ではエッチング
割合の低下が認められ好ましくない。この結果から本実
施例における最適エッチング温度は−100〜−120℃であ
ることがわかる。
せて、Siのエッチング形状を比較した。第３図は試料台
の温度とサイドエッチング量の関係を示す特性図で概ね
−80℃以下の温度で顕著なサイドエッチングの減少傾向
が見られ、−100℃におけるサイドエッチング量は0.05
μｍ以下に減少した。また−120℃以下ではエッチング
割合の低下が認められ好ましくない。この結果から本実
施例における最適エッチング温度は−100〜−120℃であ
ることがわかる。
第１図の実施例装置においてエッチングガスはSF6に代
えてSiCl4を使用したところ、−80〜−100℃を最適温度
とし、サイドエッチング量は概ね0.05μｍ以下に減少し
た。
えてSiCl4を使用したところ、−80〜−100℃を最適温度
とし、サイドエッチング量は概ね0.05μｍ以下に減少し
た。
また第１図の実施例装置において被エッチング材にＷを
使用した場合には、−20℃からサイドエッチング量の減
少効果が見られ、−40〜−80℃の範囲が最適の温度であ
った。
使用した場合には、−20℃からサイドエッチング量の減
少効果が見られ、−40〜−80℃の範囲が最適の温度であ
った。
その他の被エッチング材では、Al、SiO2、Si3N4、Mo、T
i、Ta、ホトレジスト等の材料についても、それぞれ程
度の相違はあるが、冷却によるサイドエッチング抑制の
効果が認められた。
i、Ta、ホトレジスト等の材料についても、それぞれ程
度の相違はあるが、冷却によるサイドエッチング抑制の
効果が認められた。
また第１図の実施例装置において冷却用液化ガスを、液
体窒素に代えて液体ヘリウムを使用した場合は冷却効率
が高く、液体窒素よりも短時間で試料台を冷却すること
ができた。その他液体アンモニア、トリクロロモノフル
オロメタン等のガスについても実用が可能である。
体窒素に代えて液体ヘリウムを使用した場合は冷却効率
が高く、液体窒素よりも短時間で試料台を冷却すること
ができた。その他液体アンモニア、トリクロロモノフル
オロメタン等のガスについても実用が可能である。
第２図は本発明の他の実施例を示し、マイクロ波プラズ
マエッチングを使用した実施例装置で、第１図実施例と
同じ符号を付したものは、同等の機能を有するものであ
る。マグネトロン25で励起されたマイクロ波は、導波管
26に導かれ処理室１内でプラズマを発生させる。マグネ
ット27はECR（電子サイクロトロン共鳴）作用によっ
て、励起効率を高める働きをする。上記の構成を有する
装置を使用してSiのエッチングを実施し、SF6、CCl4の
１サイクルのガス供給時間はそれぞれ20秒、３秒に設定
した。本装置によるとイオン化効率が高く、第１図実施
例装置に比較して活性種の密度が高いため、４サイクル
合計処理時間92秒で１μｍの深さのエッチング量が得ら
れた。冷却しない場合は、１サイクルの処理時間はそれ
ぞれ20秒とし、これを４サイクル繰り返すことにより16
0秒で同等のエッチング量が得られたので、合計の処理
時間は58％に短縮された。なお本装置を使用してSF6ガ
スによりSiに対して−80〜−120℃の温度範囲でエッチ
ングしたときのサイドエッチング量は0.05μｍ以下であ
った。
マエッチングを使用した実施例装置で、第１図実施例と
同じ符号を付したものは、同等の機能を有するものであ
る。マグネトロン25で励起されたマイクロ波は、導波管
26に導かれ処理室１内でプラズマを発生させる。マグネ
ット27はECR（電子サイクロトロン共鳴）作用によっ
て、励起効率を高める働きをする。上記の構成を有する
装置を使用してSiのエッチングを実施し、SF6、CCl4の
１サイクルのガス供給時間はそれぞれ20秒、３秒に設定
した。本装置によるとイオン化効率が高く、第１図実施
例装置に比較して活性種の密度が高いため、４サイクル
合計処理時間92秒で１μｍの深さのエッチング量が得ら
れた。冷却しない場合は、１サイクルの処理時間はそれ
ぞれ20秒とし、これを４サイクル繰り返すことにより16
0秒で同等のエッチング量が得られたので、合計の処理
時間は58％に短縮された。なお本装置を使用してSF6ガ
スによりSiに対して−80〜−120℃の温度範囲でエッチ
ングしたときのサイドエッチング量は0.05μｍ以下であ
った。
また本実施例における加熱ヒータは電熱ヒータを使用し
ているが、他の熱源によるヒータの使用を妨げない。
ているが、他の熱源によるヒータの使用を妨げない。
（発明の効果） 本発明の実施により、被エッチング材及び処理ガスに対
する最適の温度を広範囲に設定することができ、エッチ
ング処理時間の短縮と、サイドエッチングの抑制に成果
が認められ、微細加工における精度向上などに顕著な効
果を示した。
する最適の温度を広範囲に設定することができ、エッチ
ング処理時間の短縮と、サイドエッチングの抑制に成果
が認められ、微細加工における精度向上などに顕著な効
果を示した。
第１図は本発明に係る一実施例を示す低温ドライエッチ
ング装置の概要説明図、第２図は本発明に係る他の実施
例の概要説明図、第３図は試料台の温度とサイドエッチ
ング量の関係を示す特性図である。 １……処置室、２……試料交換室 ３……ゲートバルブ、４……処理ガス供給口 ５……Ｏリング、６……石英カバー ７……試料台、８……被エッチング材 ９……電熱ヒータ、10……液体窒素 11……RF電源、12……ヒータ用電源 13……試料台、14……冷却ガス供給口 15……加熱用ランプ、16……石英台 17……テフロン製台、18……温度センサ 19……温度計、20……絶縁物 21……液化ガス容器、22……フィードバック回路 23……液化ガス供給制御系、24……反応ガス開閉制御系 25……マグネトロン、26……導波管 27……マグネット、100……プラズマ
ング装置の概要説明図、第２図は本発明に係る他の実施
例の概要説明図、第３図は試料台の温度とサイドエッチ
ング量の関係を示す特性図である。 １……処置室、２……試料交換室 ３……ゲートバルブ、４……処理ガス供給口 ５……Ｏリング、６……石英カバー ７……試料台、８……被エッチング材 ９……電熱ヒータ、10……液体窒素 11……RF電源、12……ヒータ用電源 13……試料台、14……冷却ガス供給口 15……加熱用ランプ、16……石英台 17……テフロン製台、18……温度センサ 19……温度計、20……絶縁物 21……液化ガス容器、22……フィードバック回路 23……液化ガス供給制御系、24……反応ガス開閉制御系 25……マグネトロン、26……導波管 27……マグネット、100……プラズマ
Claims (5)
- 【請求項１】真空容器内に、上記真空容器内に置かれた
被エッチング材の表面に薄膜を形成させるガスおよびエ
ッチングガスを、それぞれ所定時間おきに交互に導入
し、上記真空容器内に導入されたガスのプラズマを用い
て上記被エッチング材の所定の表面をエッチングする方
法であって、上記エッチングは、上記被エッチング材が
置かれる試料台の温度を、液化ガスを用いた冷却とヒー
ターによる加熱の併用によって０℃以下の所定の温度に
保って行なわれることを特徴とする低温ドライエッチン
グ方法、 - 【請求項２】真空容器と、該真空容器内の所定の位置に
被エッチング材を置く試料台と、上記被エッチング材の
表面に薄膜を形成させるガスおよびエッチングガスを、
それぞれ所定時間ごとに切り替えて上記真空容器内に導
入する手段と、上記真空容器内に導入されたガスのプラ
ズマを発生させる手段と、上記試料台の温度を、液化ガ
スを用いた冷却とヒータによる加熱によって０℃以下の
所定の温度にする手段を少なくとも有することを特徴と
する低温ドライエッチング装置。 - 【請求項３】上記試料台の表面は、上記被エッチング材
が置かれる部分以外は絶縁膜によって覆われており、該
絶縁膜は、上記真空容器内に導入されたガスのトラップ
を防止するに足る膜厚を有していることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の低温ドライエッチング装置。 - 【請求項４】上記プラズマは、マイクロ波によって発生
されることを特徴とする特許請求の範囲第２項若しくは
第３項記載の低温ドライエッチング装置。 - 【請求項５】上記プラズマは、上記真空容器内に配置さ
れた平行平板形電極に電力を印加することによって発生
されることを特徴とする特許請求の範囲第２項若しくは
第３項記載の低温ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61260738A JPH0691035B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 低温ドライエツチング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61260738A JPH0691035B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 低温ドライエツチング方法及びその装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227013A Division JPH0831448B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 低温ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115338A JPS63115338A (ja) | 1988-05-19 |
| JPH0691035B2 true JPH0691035B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17352064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61260738A Expired - Lifetime JPH0691035B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 低温ドライエツチング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691035B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1986
- 1986-11-04 JP JP61260738A patent/JPH0691035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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