JPH0691040B2 - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPH0691040B2 JPH0691040B2 JP60294840A JP29484085A JPH0691040B2 JP H0691040 B2 JPH0691040 B2 JP H0691040B2 JP 60294840 A JP60294840 A JP 60294840A JP 29484085 A JP29484085 A JP 29484085A JP H0691040 B2 JPH0691040 B2 JP H0691040B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- dry etching
- electrodes
- cathode
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はドライエッチング装置の電極に関するものであ
る。
る。
従来、半導体装置製造に用いるドライエッチング装置に
おいて、高周波電圧を印加する対向電極は双方とも平面
か又は円筒形であった。
おいて、高周波電圧を印加する対向電極は双方とも平面
か又は円筒形であった。
上述した従来のドライエッチャーのうち、前者の平行平
板電極の場合に、同時に処理できる半導体基板の枚数を
増してスループットを向上させるためには、装置の平面
積を大きくする必要があり、設置スペース効率が悪くな
るという欠点があった。
板電極の場合に、同時に処理できる半導体基板の枚数を
増してスループットを向上させるためには、装置の平面
積を大きくする必要があり、設置スペース効率が悪くな
るという欠点があった。
又、後者の円筒形電極の場合には、エッチング室内で半
導体基板が配置された電極を回転したり平行移動するこ
とが困難であり、平行平板電極タイプのように一方の電
極を回転させて、エッチングの均一性を向上させること
ができないという欠点があった。
導体基板が配置された電極を回転したり平行移動するこ
とが困難であり、平行平板電極タイプのように一方の電
極を回転させて、エッチングの均一性を向上させること
ができないという欠点があった。
本発明の目的はスループット向上対策やウェリー大口径
化の際に設置スペース効率が低下せず、かつエッチング
の均一性を平行平板電極タイプのレベル以下に低下させ
ることのないドライエッチング装置を提供することにあ
る。
化の際に設置スペース効率が低下せず、かつエッチング
の均一性を平行平板電極タイプのレベル以下に低下させ
ることのないドライエッチング装置を提供することにあ
る。
前記目的を達成するため、本発明に係るドライエッチン
グ装置は、エッチング室内の対向電極の一方の電極上に
半導体基板を保持し、電極間に高周波電圧を印加すると
ともに真空の下で導入されたガスの励起又はイオン化に
よって電極上の基板をドライエッチングするドライエッ
チング装置であって、 対向電極は、上下に向き合わせに配設された上側電極と
下側電極とからなり、 上側電極は、反応ガスの導入口が開口された球面状弯曲
凹面を下面に有し、 下側電極は、上面に球面状弯曲凸面を有し、上側電極の
球面状弯曲凹面で覆われ、 下側電極の球面状弯曲凸面は、複数の半導体基板を搭載
する搭載面である。
グ装置は、エッチング室内の対向電極の一方の電極上に
半導体基板を保持し、電極間に高周波電圧を印加すると
ともに真空の下で導入されたガスの励起又はイオン化に
よって電極上の基板をドライエッチングするドライエッ
チング装置であって、 対向電極は、上下に向き合わせに配設された上側電極と
下側電極とからなり、 上側電極は、反応ガスの導入口が開口された球面状弯曲
凹面を下面に有し、 下側電極は、上面に球面状弯曲凸面を有し、上側電極の
球面状弯曲凹面で覆われ、 下側電極の球面状弯曲凸面は、複数の半導体基板を搭載
する搭載面である。
次に本発明の実施例につき、図面を用いて説明する。
第１図において、本実施例のドライエッチング装置は、
真空ポンプ１により真空に保持されるエッチング室２の
内部に、球面状に弯曲したアノード３と球面に弯曲した
カソード４を対向配置し、かつカソード４は回転軸５を
介してモーター６に接続し、エッチング中に回転可能に
してある。すなわち、アノード３が上側電極、カソード
４が下側電極であり、アノード３の弯曲凹面と、カソー
ド４の弯曲凸面とが上下に向き合され、カソード４の弯
曲凸面には、半導体基板９を搭載する搭載面を有し、ア
ノード３の弯曲凹面の中央には、反応ガスの導入口７を
開口している。アノード３の弯曲凹面は、カソード４の
弯曲凸面の全域を覆っている。エッチング処理の際に
は、ガス導入口７よりガスが電極間に導入され、かつ高
周波電源８により、電極間に高周波電圧が印加され、カ
ソード表面に配置された半導体基板９表面をエッチング
する。
真空ポンプ１により真空に保持されるエッチング室２の
内部に、球面状に弯曲したアノード３と球面に弯曲した
カソード４を対向配置し、かつカソード４は回転軸５を
介してモーター６に接続し、エッチング中に回転可能に
してある。すなわち、アノード３が上側電極、カソード
４が下側電極であり、アノード３の弯曲凹面と、カソー
ド４の弯曲凸面とが上下に向き合され、カソード４の弯
曲凸面には、半導体基板９を搭載する搭載面を有し、ア
ノード３の弯曲凹面の中央には、反応ガスの導入口７を
開口している。アノード３の弯曲凹面は、カソード４の
弯曲凸面の全域を覆っている。エッチング処理の際に
は、ガス導入口７よりガスが電極間に導入され、かつ高
周波電源８により、電極間に高周波電圧が印加され、カ
ソード表面に配置された半導体基板９表面をエッチング
する。
本発明によれば、対向電極としてのアノード３及びカソ
ード４が球面状に弯曲しているため、カソード４の表面
に設置される半導体基板９の枚数が平面の場合に比して
多くなる。また両電極3,4が球面状に弯曲しているか
ら、カソード４を他のアノード３に干渉することなく回
転させられるため、エッチングの均一性を保つことが可
能になる。
ード４が球面状に弯曲しているため、カソード４の表面
に設置される半導体基板９の枚数が平面の場合に比して
多くなる。また両電極3,4が球面状に弯曲しているか
ら、カソード４を他のアノード３に干渉することなく回
転させられるため、エッチングの均一性を保つことが可
能になる。
上述の実施例において、高周波電源の接続をカソードで
なく、アノードに変更することができるし、電極表面に
配置される半導体基板の枚数は自由に選択できる。
なく、アノードに変更することができるし、電極表面に
配置される半導体基板の枚数は自由に選択できる。
以上説明したように本発明によれば、電極面に球面を利
用したものであり、球面の性質からして、球面の頂点で
あろうと、下縁の部分であろうと、基板の搭載面として
の区別は全くなく、したがって、全面を満遍なく均等に
利用して基板の搭載面を増大させることができる効果を
有する。
用したものであり、球面の性質からして、球面の頂点で
あろうと、下縁の部分であろうと、基板の搭載面として
の区別は全くなく、したがって、全面を満遍なく均等に
利用して基板の搭載面を増大させることができる効果を
有する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための概略断面図
である。 １……真空ポンプ、２……エッチング室、３……アノー
ド、４……カソード、５……回転軸、６……モーター、
７……ガス導入口、８……高周波電源、９……半導体基
板。
である。 １……真空ポンプ、２……エッチング室、３……アノー
ド、４……カソード、５……回転軸、６……モーター、
７……ガス導入口、８……高周波電源、９……半導体基
板。
Claims (1)
- 【請求項１】エッチング室内の対向電極の一方の電極上
に半導体基板を保持し、電極間に高周波電圧を印加する
とともに真空の下で導入されたガスの励起又はイオン化
によって電極上の基板をドライエッチングするドライエ
ッチング装置であって、 対向電極は、上下に向き合わせに配設された上側電極と
下側電極とからなり、 上側電極は、反応ガスの導入口が開口された球面状弯曲
凹面を下面に有し、 下側電極は、上面に球面状弯曲凸面を有し、上側電極の
球面状弯曲凹面で覆われ、 下側電極の球面状弯曲凸面は、複数の半導体基板を搭載
する搭載面であることを特徴とするドライエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60294840A JPH0691040B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60294840A JPH0691040B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154733A JPS62154733A (ja) | 1987-07-09 |
| JPH0691040B2 true JPH0691040B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17812931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60294840A Expired - Fee Related JPH0691040B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691040B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6010636A (en) * | 1995-12-29 | 2000-01-04 | Lam Research Corporation | Electrode with domes for plasma focusing |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179762A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-23 | Hitachi Ltd | 蒸着装置 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60294840A patent/JPH0691040B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62154733A (ja) | 1987-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4600464A (en) | Plasma etching reactor with reduced plasma potential | |
| US4340461A (en) | Modified RIE chamber for uniform silicon etching | |
| US4424102A (en) | Reactor for reactive ion etching and etching method | |
| US5087341A (en) | Dry etching apparatus and method | |
| JPH05226258A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPS627270B2 (ja) | ||
| JP2550037B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0691040B2 (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH051072Y2 (ja) | ||
| JPS5913328A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0850997A (ja) | 高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置 | |
| JPH0230125A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100686284B1 (ko) | 상부 전극 유닛 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치 | |
| CN100355325C (zh) | 用于等离子体蚀刻机器的气体分布电极 | |
| JP4410885B2 (ja) | 平行平板式反応性イオンエッチング装置 | |
| JPH02294029A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0379026A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR100271773B1 (ko) | 건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치제조용 건식식각장치의 공정챔버 | |
| JPH01238120A (ja) | エッチング装置 | |
| JPS61182226A (ja) | 半導体ドライエツチング装置 | |
| JPS60206027A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS62280372A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPS60242622A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPH01218023A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH01268127A (ja) | ドライエッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |