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JPH0691043B2 - プラズマエッチングシステムの分相駆動装置 - Google Patents
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JPH0691043B2 - プラズマエッチングシステムの分相駆動装置 - Google Patents

プラズマエッチングシステムの分相駆動装置

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JPH0691043B2 JP1211571A JP21157189A JPH0691043B2 JP H0691043 B2 JPH0691043 B2 JP H0691043B2 JP 1211571 A JP1211571 A JP 1211571A JP 21157189 A JP21157189 A JP 21157189A JP H0691043 B2 JPH0691043 B2 JP H0691043B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般的にはプラズマエッチングシステムの構造
および動作、特に一対の平行に対向する電極を含む単一
ウェーハプラズマエッチシステムに電力を供給する方法
および装置に関する。
単一ウェーハ、平行板プラズマエッチングシステムは一
般にはチャック（ckuck）電極と呼ばれる下部電極およ
び一般にはカウンタ（counter）電極と呼ばれる対向上
部電極を含む。一方の電極はラジオ周波数の信号によっ
て電力を供給され、他方の電極はエッチングを行うため
に必要なプラズマを誘起するように接地される。
プラズマエッチングシステムによって得られるエッチ割
合を高めるために、電極間に高電圧を誘起するように該
システムへ非常に高いエネルギーを与えることが望まれ
る。しかしながら加えられうる電圧は漂遊放電ならびに
駆動電極および接地反応容器間のアーク形成が出現する
ことによって制限される。この放電によって、RF電源は
浪費され、装置は損害を受け、さらに最も重要なことは
プラズマの不連続性および不安定性が生じるためにエッ
チ割合の非均質性がウェーハ中に生ずることである。
したがってまさに説明したようにアーク形成および漂誘
放電を出現させないようにして、相対的に高電圧および
電力レベルでプラズマエッチングを行う装置および方法
を提供することが望ましい。
〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕
トレシ（Tracy）氏による米国特許第4,626,312号の提案
によると、平行板プラズマ反応器の漂誘電極放電は上部
および下部電極間の印加電圧を分割することによって減
少しうる。この電圧分割を達成する２つの特別のシステ
ムが説明されている。第１のシステムは低周波反応器
（400KHz）で利用されさらに、接地された反応チェンバ
における電極に電力を供給するために非接地のRF発生器
を用いる。電極間に加えられる電圧は反応器の接地電位
に関して近似的に等しく浮かされ、一方の電極および接
地間の電位差を最小にすることは明らかと思われる。一
般的には達成可能であるが、電極間の電圧の所望等分割
は完全には実現されえない。反応器、電極、および電力
供給線の構造上の非対称性のみならずウェーハのカウレ
タ電極に配設される不平衡インピーダンス負荷のためで
ある。かくして印加電圧の正確な分割は行われず、理論
的最大電圧は利用されえない。
第２のシステムは高周波（13MHz）プラズマエッチ反応
器を主目的とし、チャック電極および接地間の可変イン
ダクタで対向電極間を接続する接地RF発生器を含む。チ
ャック電極の電圧の位相シフトは該インダクタによって
生じ、電極自体の容量性から生ずる位相シフトと一体に
なって180゜に近い２つの電極電圧間の位相シフトに至
る。しかしながら該特許の第３図に示されるように位相
シフトは180゜に達しないので、アークを形成しないで
プラズマの最大電位差は達成されえない。
また、平行板プラズマ反応器に電力を供給する別のシス
テムを開示する米国特許第4,399,016号；第4,253,907号
および第4,134,817号が参照されうる。
以上の理由に関して、電極の一方および反応チェンバ間
の漂誘放電を生じさせずにプラズマを誘起するように使
用されうる電極間の電位差を最大にするために、プラズ
マエッチシステムの上部および下部電極間の電圧を高度
の制御方法で分割するシステムおよび方法を提供するこ
とが望まれる。
〔課題を解決するための手段および作用〕
本発明は平行板プラズマ反応器における半導体ウェーハ
のエッチング装置および方法を提供する。本発明では反
応器の電極間の所望電位差は実質的に大きさが等しいが
正確に180゜位相がずれる二つの電圧を上部および下部
電極にそれぞれ印加することによって達成されうる。反
応チェンバは接地されまた電極に印加される電圧は相対
的に接地に固定されるので一方の電極および反応器間で
生成される最大電位は最小にされうるが、他方二つの電
極間の電位差を同時に最大にする。このように、最大エ
ッチング電力は提供され、さもなければ反応器に生ずる
アーク形成および漂誘放電を減少しまたは除去する。さ
らに二つの電極間の電力の等分割によって、その間に、
十分に焦点を合され、安定したプラズマが提供される。
好のましい実施例では、プラズマエッチングシステムは
従来のラジオ（RF）周波発生器および平行な上部および
下部電極を有するプラズマ反応器を採用する。RF発生器
の出力は中央タップ二次巻線を具備する変圧器をを用い
る位相反転回路によって変圧される。変圧器の一次巻線
はRF発生器に接続されさらに二次巻線の第１および第２
の端子は上部および下部電極にそれぞれ接続される。こ
の回路によって確実に電極に印加される波形は実質的に
等しいが180゜の位相がずれるようになる。インピーダ
ンス整合要素は電力変換を最大にするように該回路に設
けられさらに可変インダクタは位相調整を可能にするよ
うに設けられる。
〔実施例〕
第１図について説明する。本発明の原理に従って構成さ
れるプラズマエッチングシステム10はラジオ周波数（R
F）発生器12を含む。該ラジオ周波数（RF）発生器12の
出力端は、以下に詳細に説明される中間相反転回路16に
よって単一ウェーハ、平行板プラズマ反応器14に結合さ
れる。
該RF発生器12は当業者によって従来のプラズマエッチン
グ反応器を駆動するために適しているとほゞ認められる
種類からなっていてもよい。該RF発生器は低RF周波数
（約400KHz）では低インピーダンス出力（通常約50オー
ム）で通常動作する。該発生器12は少なくとも約100Vの
RMS電圧で約１から10アンペア、通常約１から５アンペ
アの電流を生成することができ、少なくとも約200ボル
ト以上になることが通常可能である。便宜上出力線18は
同軸ケーブルで形成され、18bはケーブルの接地シール
ド部分である。
またプラズマ反応器14は従来の構造からなり、さらに上
部またはカウンタ電極19および下部またはチャック電極
21を備える。半導体ウェーハＷは下部電極21に一般には
配設され、適切なエッチングガスは非常に低圧で導入さ
れ、ラジオ周波電力は、エッチングの所望プラズマを誘
起するために該電極19および21へ印加される。本発明の
使用に適するプラズマエッチング反応器の構造および動
作は米国特許第4,433,951号に説明されている。この開
示は文献でここに取り入れられる。
プラズマエッチ反応器14の構造は１つの点で従来と異な
る。電極19および21の双方は反応容器の他の部分から電
気的に隔離され、他方反応器の壁は接地されまた一定基
準電圧に維持される。これまで、多くのプラズマ反応器
は一方が接地され、他方に電圧を印加する電極を採用す
る。
本発明の相反転回路16は、大略、一次巻線22、二次巻線
24およびフェライトコア26を有する変圧器20を含む。二
次巻線24は接地中央タップ28を有し、さらに上部電極19
に接続される第１端子30おび下部電極21に接続される第
２端子32を具備する。RF発生器12の出力端は一次巻線22
（以下に詳細に説明される）に接続され、一次巻線22の
出力は実質的に等しい大きさを有するが位相が180゜ず
れる電圧信号になり、さらに上部および下部電極19およ
び21へ印加される。各電極に加えられる周波数はRF発生
器12によって供給されるものと同一であり、典形的には
400KHzであり、またその大きさは該RF発生器の出力電圧
および変圧器の一次対二次巻線の比の双方に依存する。
通常変圧器20は、２から８の範囲になって、通常、約４
である昇圧比を有する。かくして各電極に加えられるピ
ーク電圧は、概して約50から400V（RMS）の範囲にあ
り、通常約75から300Vの範囲にある。
第２図について説明する。本図において上部電極19の電
圧（Ｖｕ）および下部電極21の電圧（Ｖｌ）は同一の大
きさをもつが、180゜の位相がずれている。電極19およ
び21のそれぞれの最大電圧は絶対値Ｖmaxを有するの
で、電極間の電位差は絶対値2Vmax（ＶΔ＝Ｖｕ−
Ｖｌ）を有する。このように、電極間の電位差は最大に
なり、一方の電極および反応容器間の最大電位差は電極
間の電位差の1/2にすぎない。
プラズマ反応器14へ供給されるRF信号の相成分を調整す
るために、インダクタ40はRF発生器12の出力端18aに直
列接続される。インダクタ40は約10μＨから約100μＨ
の範囲にあるインダクタンスを有し、該インダクタンス
は複数タップ42によって選択可能である。該調整は手動
式作動スイッチまたは自動式閉ループ制御システムで達
成される。
また変圧器20の一次巻線22は複数のタップ44を含む。タ
ップ44の選択によって、インピーダンスの調節は約100
から300オームの範囲で可能となり、この結合適切なイ
ンピーダンス整合によって、RF発生器12および反応器14
間の電力変換を最大にできる。またタップ44を変化させ
ることによって、変圧器20の昇圧比は影響される。位相
の調整およびインピーダンス整合を含めることは公知の
技術でありさらに説明を必要としない。双方の調整は手
動式であってもよく、自動式閉ループ制御システムを用
いてもよい。
選択的に、DCバイアスは、変圧器20の出力線にコンデン
サ50および52を設けることによって、電極19および21へ
加えられてもよい。DCバイアス手段を含めることは、公
知の技術でありさらに説明を必要としない。
前述した発明は理解を明瞭にするために図解および例示
の方法によって詳細に説明されたけれども、ある変化お
よび変形は添付した特許請求の範囲で行われうることは
明らかである。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によればプラズマエッ
チングシステムはラジオ周波発生器および平行板プラズ
マ反応器を備え、位相反転器はRF発生器を該プラズマ反
応器の電極へ接続するように使用されるので該電極は実
質的に等しい大きさであるか180゜ずれる位相の電圧で
駆動される。このように該電極間の最大電位差は達成さ
れるが他方で個々の電極および反応容器間の電位差を最
小にする。よって高電力レベルでの動作が可能となり、
さらにアーク形成および漂誘放電の出現を減少せしめ、
安定、均質プラズマ放電を提供するという効果が期待で
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の好ましい回路を示す概略図、 第２図は上部電極（Ｖｕ）の電位、下部電極（Ｖｌ）お
よび二つの電極間の正味電位差（ＶΔ）を示すグラフで
ある。 図において 10……プラズマエッチングシステム、 12……RF発生器、14……プラズマ反応器、 16……中間相反転回路、18……出力線、 19……電極、20……変圧器、 21……電極、22……一次巻線、 24……二次巻線、26……フェライトコア、 28……接地中央タップ、40……インダクタ、 44……タップ。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】接地チェンバ内に電気隔離上部電極および
    電気隔離下部電極を備えるプラズマ反応器と、 ラジオ周波入力電圧を生成する接地発生器と、 該入力電圧を第１の出力電圧および第２の出力電圧を分
    割する手段であって前記第１および第２出力電圧が大地
    に対して等しい大きさを有するが位相が180゜ずれるよ
    うにしてなる手段と、 該第１出力電圧を該上部電極へさらに該第２出力電圧を
    該下部電極へ接続する手段とを含むプラズマエッチング
    システムの分相駆動装置。
  2. 【請求項２】該発生器が約400KHZのラジオ周波数を生成
    する請求項記載のプラズマエッチングシステムの分相駆
    動装置。
  3. 【請求項３】該入力電圧を分割する手段が一次巻線およ
    び中央タップ二次巻線を有する変圧器であり、該一次巻
    線がラジオ周波発生器へ接続されさらに該二次巻線の端
    子が接地される中央タップを備える電極へ接続される請
    求項１記載のプラズマエッチングシステムの分相駆動装
    置。
  4. 【請求項４】プラズマのインピーダンスをラジオ周波発
    生器へ整合する手段を備える請求項１記載のプラズマエ
    ッチングシステムの分相駆動装置。
  5. 【請求項５】該インピーダンス整合手段がラジオ周波発
    生器の出力端と直列接続される可変インダクタを含む請
    求項４記載のプラズマエッチングシステムの分相駆動装
    置。
  6. 【請求項６】該インピーダンス整合手段が平衡不平衡変
    圧の可変一次巻線を含む請求項５記載のプラズマエッチ
    ングシステムの分相駆動装置。
  7. 【請求項７】ウェーハを一定の直流電圧で反応器の第１
    の平坦な電極に配置し、 実質的に同一の大きさを有ししかし180゜の位相がずれ
    ているラジオ周波電圧で前記第１電極および第２の対向
    する平坦な電極を駆動することからなり、 前記駆動電圧が前記基準電圧に対し固定される半導体ウ
    ェーハのプラズマエッチングシステムの分相駆動方法。
  8. 【請求項８】該電極へ印加される電圧が約50から400V
    （RMS）の範囲でピーク値を有する請求項７に記載のプ
    ラズマエッチングシステムの分相駆動方法。
  9. 【請求項９】該ラジオ周波電圧が約400KHzである請求項
    ７記載のプラズマエッチングシステムの分相駆動方法。
JP1211571A 1988-09-15 1989-08-18 プラズマエッチングシステムの分相駆動装置 Expired - Lifetime JPH0691043B2 (ja)

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Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068784A (en) * 1989-10-03 2000-05-30 Applied Materials, Inc. Process used in an RF coupled plasma reactor
US5556501A (en) * 1989-10-03 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
DE69032952T2 (de) * 1989-11-15 1999-09-30 Haruhisa Kinoshita Trocken-Behandlungsvorrichtung
US5227000A (en) * 1990-04-09 1993-07-13 Nippon Scientific Co., Ltd. Plasma etching apparatus with accurate temperature and voltage level control on device under test
US5292399A (en) * 1990-04-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing
JP3016821B2 (ja) * 1990-06-15 2000-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
FR2663806A1 (fr) * 1990-06-25 1991-12-27 Commissariat Energie Atomique Reacteur a plasma du type triode, utilisable notamment pour la gravure, le depot ou le nettoyage de surfaces.
US5074456A (en) 1990-09-18 1991-12-24 Lam Research Corporation Composite electrode for plasma processes
US5330606A (en) * 1990-12-14 1994-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma source for etching
US5314603A (en) * 1991-07-24 1994-05-24 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma processing apparatus capable of detecting and regulating actual RF power at electrode within chamber
US5330615A (en) * 1991-11-04 1994-07-19 Cheng Chu Symmetric double water plasma etching system
US5228939A (en) * 1991-12-30 1993-07-20 Cheng Chu Single wafer plasma etching system
US5349313A (en) * 1992-01-23 1994-09-20 Applied Materials Inc. Variable RF power splitter
US5226967A (en) * 1992-05-14 1993-07-13 Lam Research Corporation Plasma apparatus including dielectric window for inducing a uniform electric field in a plasma chamber
JPH0613196A (ja) * 1992-06-25 1994-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ発生方法および発生装置
US5397962A (en) * 1992-06-29 1995-03-14 Texas Instruments Incorporated Source and method for generating high-density plasma with inductive power coupling
US5468340A (en) 1992-10-09 1995-11-21 Gupta; Subhash Highly selective high aspect ratio oxide etch method and products made by the process
JPH06163462A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US5900103A (en) 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US6391147B2 (en) 1994-04-28 2002-05-21 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US6155198A (en) * 1994-11-14 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for constructing an oxidized film on a semiconductor wafer
US6699530B2 (en) * 1995-07-06 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method for constructing a film on a semiconductor wafer
US5710486A (en) * 1995-05-08 1998-01-20 Applied Materials, Inc. Inductively and multi-capacitively coupled plasma reactor
US6264812B1 (en) * 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US6368469B1 (en) 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
KR100489918B1 (ko) * 1996-05-09 2005-08-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마발생및스퍼터링용코일
US6254746B1 (en) 1996-05-09 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Recessed coil for generating a plasma
TW369674B (en) * 1996-05-15 1999-09-11 Daihen Corp Plasma processing apparatus
US6190513B1 (en) 1997-05-14 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US6254737B1 (en) 1996-10-08 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Active shield for generating a plasma for sputtering
US6308654B1 (en) 1996-10-18 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome
US5961793A (en) * 1996-10-31 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber
TW358964B (en) 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US6451179B1 (en) 1997-01-30 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US5834371A (en) * 1997-01-31 1998-11-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof
US5989652A (en) * 1997-01-31 1999-11-23 Tokyo Electron Limited Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications
US6599399B2 (en) 1997-03-07 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US6103070A (en) * 1997-05-14 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Powered shield source for high density plasma
US6210539B1 (en) 1997-05-14 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate
US6579426B1 (en) 1997-05-16 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6652717B1 (en) 1997-05-16 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6361661B2 (en) 1997-05-16 2002-03-26 Applies Materials, Inc. Hybrid coil design for ionized deposition
US6077402A (en) * 1997-05-16 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Central coil design for ionized metal plasma deposition
GB9714142D0 (en) * 1997-07-05 1997-09-10 Surface Tech Sys Ltd An arrangement for the feeding of RF power to one or more antennae
US6345588B1 (en) 1997-08-07 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Use of variable RF generator to control coil voltage distribution
US6375810B2 (en) 1997-08-07 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma vapor deposition with coil sputtering
US6235169B1 (en) 1997-08-07 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Modulated power for ionized metal plasma deposition
US5902461A (en) * 1997-09-03 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for enhancing uniformity of a metal film formed on a substrate with the aid of an inductively coupled plasma
US6042700A (en) * 1997-09-15 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source
US6565717B1 (en) 1997-09-15 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
US6023038A (en) * 1997-09-16 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system
US6280579B1 (en) 1997-12-19 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Target misalignment detector
US6395128B2 (en) * 1998-02-19 2002-05-28 Micron Technology, Inc. RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition
US5944942A (en) * 1998-03-04 1999-08-31 Ogle; John Seldon Varying multipole plasma source
US6506287B1 (en) 1998-03-16 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Overlap design of one-turn coil
US6254738B1 (en) 1998-03-31 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution
TW434636B (en) 1998-07-13 2001-05-16 Applied Komatsu Technology Inc RF matching network with distributed outputs
US6238528B1 (en) 1998-10-13 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source
US6217718B1 (en) 1999-02-17 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing plasma nonuniformity across the surface of a substrate in apparatus for producing an ionized metal plasma
KR100415435B1 (ko) * 1999-09-21 2004-01-31 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조장치
US6418874B1 (en) 2000-05-25 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Toroidal plasma source for plasma processing
US6893907B2 (en) 2002-06-05 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation
US6939434B2 (en) * 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
US7294563B2 (en) 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
US7223676B2 (en) 2002-06-05 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer
US7166524B2 (en) 2000-08-11 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant
US6551446B1 (en) 2000-08-11 2003-04-22 Applied Materials Inc. Externally excited torroidal plasma source with a gas distribution plate
US7430984B2 (en) * 2000-08-11 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Method to drive spatially separate resonant structure with spatially distinct plasma secondaries using a single generator and switching elements
US7094316B1 (en) 2000-08-11 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source
US6410449B1 (en) 2000-08-11 2002-06-25 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece using an externally excited torroidal plasma source
US6468388B1 (en) 2000-08-11 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Reactor chamber for an externally excited torroidal plasma source with a gas distribution plate
US6453842B1 (en) 2000-08-11 2002-09-24 Applied Materials Inc. Externally excited torroidal plasma source using a gas distribution plate
US7094670B2 (en) 2000-08-11 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7320734B2 (en) 2000-08-11 2008-01-22 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7183177B2 (en) 2000-08-11 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement
US7137354B2 (en) 2000-08-11 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7303982B2 (en) 2000-08-11 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US6494986B1 (en) 2000-08-11 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Externally excited multiple torroidal plasma source
US6348126B1 (en) 2000-08-11 2002-02-19 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source
US7037813B2 (en) * 2000-08-11 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7479456B2 (en) 2004-08-26 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
US7465478B2 (en) 2000-08-11 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7288491B2 (en) 2000-08-11 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
AU2002952318A0 (en) * 2002-10-29 2002-11-14 Advanced Metal Coatings Pty Limited Production of lesions in a body
KR100837474B1 (ko) * 2003-03-04 2008-06-12 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리장치 및 디바이스의 제조방법
US7695590B2 (en) 2004-03-26 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids
US7244474B2 (en) 2004-03-26 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid
US7291360B2 (en) 2004-03-26 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids
US20050258148A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Nordson Corporation Plasma system with isolated radio-frequency powered electrodes
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
US8058156B2 (en) 2004-07-20 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids
US7666464B2 (en) 2004-10-23 2010-02-23 Applied Materials, Inc. RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor
JP4687194B2 (ja) * 2005-03-30 2011-05-25 株式会社ニコン ズームレンズ
US7305311B2 (en) * 2005-04-22 2007-12-04 Advanced Energy Industries, Inc. Arc detection and handling in radio frequency power applications
US7428915B2 (en) 2005-04-26 2008-09-30 Applied Materials, Inc. O-ringless tandem throttle valve for a plasma reactor chamber
US7422775B2 (en) 2005-05-17 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing
US7109098B1 (en) 2005-05-17 2006-09-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing
US7312162B2 (en) 2005-05-17 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition
JP2007026781A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Sharp Corp プラズマ処理装置
US7323401B2 (en) 2005-08-08 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask
US7429532B2 (en) 2005-08-08 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate process using an optically writable carbon-containing mask
US7335611B2 (en) 2005-08-08 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Copper conductor annealing process employing high speed optical annealing with a low temperature-deposited optical absorber layer
US7312148B2 (en) 2005-08-08 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Copper barrier reflow process employing high speed optical annealing
TWI425767B (zh) * 2005-10-31 2014-02-01 Mks Instr Inc 無線電頻率電力傳送系統
US20080179948A1 (en) 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
US8217299B2 (en) * 2007-02-22 2012-07-10 Advanced Energy Industries, Inc. Arc recovery without over-voltage for plasma chamber power supplies using a shunt switch
EP2145701A1 (fr) * 2008-07-16 2010-01-20 AGC Flat Glass Europe SA Procédé et installation pour la préparation de surface par décharge à barrière diélectrique
US8044594B2 (en) * 2008-07-31 2011-10-25 Advanced Energy Industries, Inc. Power supply ignition system and method
US8395078B2 (en) 2008-12-05 2013-03-12 Advanced Energy Industries, Inc Arc recovery with over-voltage protection for plasma-chamber power supplies
EP2648209B1 (en) 2009-02-17 2018-01-03 Solvix GmbH A power supply device for plasma processing
US8755204B2 (en) 2009-10-21 2014-06-17 Lam Research Corporation RF isolation for power circuitry
US8552665B2 (en) 2010-08-20 2013-10-08 Advanced Energy Industries, Inc. Proactive arc management of a plasma load
US8980046B2 (en) 2011-04-11 2015-03-17 Lam Research Corporation Semiconductor processing system with source for decoupled ion and radical control
US8900403B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Lam Research Corporation Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources
US9111728B2 (en) 2011-04-11 2015-08-18 Lam Research Corporation E-beam enhanced decoupled source for semiconductor processing
US8900402B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Lam Research Corporation Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources
JP6745134B2 (ja) * 2016-05-12 2020-08-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6630630B2 (ja) * 2016-05-18 2020-01-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
EP3252937A1 (de) 2016-06-03 2017-12-06 Fronius International GmbH Wechselrichter und verfahren zum betreiben eines wechselrichters
TWI677907B (zh) * 2017-06-27 2019-11-21 日商佳能安內華股份有限公司 電漿處理裝置
CN114666965B (zh) 2017-06-27 2025-08-01 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
EP3648550B1 (en) * 2017-06-27 2021-06-02 Canon Anelva Corporation Plasma treatment device
EP4017223B1 (en) 2017-06-27 2025-10-15 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
PL3648554T3 (pl) * 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego
PL3817517T3 (pl) 2018-06-26 2024-10-28 Canon Anelva Corporation Urządzenie do obróbki plazmą, sposób obróbki plazmą, program oraz nośnik pamięci
DE102019107238A1 (de) * 2019-03-21 2020-09-24 Relyon Plasma Gmbh Vorrichtung und Bauelement zur Erzeugung einer hohen Spannung oder hohen Feldstärke
CN113539773B (zh) 2020-04-16 2024-07-02 新动力等离子体株式会社 具有双重输出的高频发生器及其驱动方法
KR102381756B1 (ko) * 2020-04-16 2022-04-01 주식회사 뉴파워 프라즈마 이중 출력을 가진 무선 주파수 제너레이터
KR102868939B1 (ko) * 2022-07-19 2025-10-13 이성근 두피관리기
KR102868937B1 (ko) * 2022-07-19 2025-10-14 이성근 두피관리기

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2376904A1 (fr) * 1977-01-11 1978-08-04 Alsthom Atlantique Procede d'attaque d'une couche mince par decomposition d'un gaz dans un plasma
US4253907A (en) * 1979-03-28 1981-03-03 Western Electric Company, Inc. Anisotropic plasma etching
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device
US4621242A (en) † 1984-03-19 1986-11-04 The Perkin-Elmer Corporation R.F. impedance match control system
US4711767A (en) * 1985-02-05 1987-12-08 Psi Star Plasma reactor with voltage transformer
JPS61272928A (ja) * 1985-05-29 1986-12-03 Ulvac Corp ドライエツチング方法
US4626312A (en) * 1985-06-24 1986-12-02 The Perkin-Elmer Corporation Plasma etching system for minimizing stray electrical discharges
US4724296A (en) * 1986-02-28 1988-02-09 Morley John R Plasma generator
GB2198365A (en) * 1986-08-04 1988-06-15 Howden James & Co Ltd Filter

Also Published As

Publication number Publication date
US4871421A (en) 1989-10-03
KR900005855A (ko) 1990-04-14
DE68922807D1 (de) 1995-06-29
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DE68922807T2 (de) 1995-12-21
DE68922807T3 (de) 2004-04-01
JPH02177429A (ja) 1990-07-10
EP0359153A2 (en) 1990-03-21
EP0359153B2 (en) 2003-06-04
KR0141605B1 (ko) 1998-07-15
EP0359153B1 (en) 1995-05-24

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