JPH0691075B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0691075B2 JPH0691075B2 JP60129871A JP12987185A JPH0691075B2 JP H0691075 B2 JPH0691075 B2 JP H0691075B2 JP 60129871 A JP60129871 A JP 60129871A JP 12987185 A JP12987185 A JP 12987185A JP H0691075 B2 JPH0691075 B2 JP H0691075B2
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、表面安定化保護膜について改良を図った半導
体装置に関する。
体装置に関する。
半導体装置は、そのpn接合の露出表面に不純物等が付着
すると劣化の原因となるので、その表面を保護するため
に表面安定化保護膜が被覆される。
すると劣化の原因となるので、その表面を保護するため
に表面安定化保護膜が被覆される。
第２図はこの表面安定化保護皮膜を示したもので、２は
シリコン半導体基体１の表面を酸化して形成するシリコ
ン酸化膜（SiO2）、３はその上面にプラズマCVDで形成
されるプラズマシリコン窒化膜（SiNH）である。
シリコン半導体基体１の表面を酸化して形成するシリコ
ン酸化膜（SiO2）、３はその上面にプラズマCVDで形成
されるプラズマシリコン窒化膜（SiNH）である。
このプラズマシリコン窒化膜３は、柔らかくて硬度が低
いので、樹脂封止の際等の変形に対して割れにくいとい
う利点がある。
いので、樹脂封止の際等の変形に対して割れにくいとい
う利点がある。
ところが、このプラズマシリコン窒化膜３は、水素を含
むために、半導体装置の最終保護膜としてその膜３を形
成する際に、或いはその後のアニール等の熱処理の際
に、水素がシリコン酸化膜２内に拡散して浸入するため
に、半導体装置自体の特性が悪くなり、例えばFETのス
レッシュホールドレベルの変動等が発生し、よって上記
したプラズマシリコン窒化膜３の適用範囲が狭められて
いた。
むために、半導体装置の最終保護膜としてその膜３を形
成する際に、或いはその後のアニール等の熱処理の際
に、水素がシリコン酸化膜２内に拡散して浸入するため
に、半導体装置自体の特性が悪くなり、例えばFETのス
レッシュホールドレベルの変動等が発生し、よって上記
したプラズマシリコン窒化膜３の適用範囲が狭められて
いた。
本発明は以上のような点に鑑みて成されたもので、その
目的は、水素による悪影響が生じないようにした半導体
装置を提供することである。
目的は、水素による悪影響が生じないようにした半導体
装置を提供することである。
このため本発明では、半導体基体の表面にシリコン酸化
膜とプラズマシリコン窒化膜を順次積層して表面安定化
保護膜を形成した半導体装置において、上記シリコン酸
化膜と上記プラズマシリコン窒化膜との間に鉛ガラス層
又はアルミナガラス層を介在させて構成した。
膜とプラズマシリコン窒化膜を順次積層して表面安定化
保護膜を形成した半導体装置において、上記シリコン酸
化膜と上記プラズマシリコン窒化膜との間に鉛ガラス層
又はアルミナガラス層を介在させて構成した。
以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例を示すものである。本実施例では、水素の透過
係数の小さい鉛ガラス層４をシリコン酸化膜２とプラズ
マシリコン窒化膜３との間に介在させて、その鉛ガラス
層４により、例え高温となっても、プラズマシリコン窒
化膜３からの水素がシリコン酸化膜２内に浸透しないよ
うにしている。
一実施例を示すものである。本実施例では、水素の透過
係数の小さい鉛ガラス層４をシリコン酸化膜２とプラズ
マシリコン窒化膜３との間に介在させて、その鉛ガラス
層４により、例え高温となっても、プラズマシリコン窒
化膜３からの水素がシリコン酸化膜２内に浸透しないよ
うにしている。
上記鉛ガラス層４を形成する方法としては、鉛ガラスを
直接堆積するスパッタやCVD法があり、またシリコン酸
化膜２の上に鉛（Pb）を載せてから、低温アニールし、
鉛ガラス（SiO2＋Pb）とする方法もある。後者の方法は
極めて簡単である。
直接堆積するスパッタやCVD法があり、またシリコン酸
化膜２の上に鉛（Pb）を載せてから、低温アニールし、
鉛ガラス（SiO2＋Pb）とする方法もある。後者の方法は
極めて簡単である。
この鉛ガラスは、温度400℃での水素透過率が10-14cc・
mm/sec・cm2・Torrでシリコン酸化物（シリコン酸化膜
２）に比較して1/105倍であり、水素の透過を問題のな
い程度まで遮断する。
mm/sec・cm2・Torrでシリコン酸化物（シリコン酸化膜
２）に比較して1/105倍であり、水素の透過を問題のな
い程度まで遮断する。
なお、上記した鉛ガラス層に代えて、別アルミナガラス
等を使用することもできる。
等を使用することもできる。
以上から本発明によれば、プラズマシリコン窒化膜から
シリコン酸化膜に対する水素の浸透を効果的に防止する
ことができ、素子の安定化を実現することが可能とな
る。
シリコン酸化膜に対する水素の浸透を効果的に防止する
ことができ、素子の安定化を実現することが可能とな
る。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の表面安定化保
護膜の部分の断面図、第２図は従来の半導体装置の表面
安定化保護膜の部分の断面図である。 １……半導体基体、２……シリコン酸化膜、３……プラ
ズマシリコン窒化膜、４……鉛ガラス層。
護膜の部分の断面図、第２図は従来の半導体装置の表面
安定化保護膜の部分の断面図である。 １……半導体基体、２……シリコン酸化膜、３……プラ
ズマシリコン窒化膜、４……鉛ガラス層。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基体の表面にシリコン酸化膜とプラ
ズマシリコン窒化膜を順次積層して表面安定化保護膜を
形成した半導体装置において、 上記シリコン酸化膜と上記プラズマシリコン窒化膜との
間に鉛ガラス層又はアルミナガラス層を介在させたこと
を特徴とする半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129871A JPH0691075B2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129871A JPH0691075B2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61288430A JPS61288430A (ja) | 1986-12-18 |
| JPH0691075B2 true JPH0691075B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15020360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60129871A Expired - Fee Related JPH0691075B2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691075B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0828356B2 (ja) * | 1987-10-19 | 1996-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0630355B2 (ja) * | 1983-05-16 | 1994-04-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| JPS60224229A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP60129871A patent/JPH0691075B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61288430A (ja) | 1986-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |