JPH0692530B2 - 光デイスク用ポリカ−ボネ−ト樹脂組成物 - Google Patents
光デイスク用ポリカ−ボネ−ト樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH0692530B2 JPH0692530B2 JP61049415A JP4941586A JPH0692530B2 JP H0692530 B2 JPH0692530 B2 JP H0692530B2 JP 61049415 A JP61049415 A JP 61049415A JP 4941586 A JP4941586 A JP 4941586A JP H0692530 B2 JPH0692530 B2 JP H0692530B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycarbonate resin
- polycarbonate
- weight
- bis
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学式記録、再生装置に用いられるコンパクト
デイスク、ビデオデイスク、Write−once用デイスク、
イレーザブルダイレクトリードアフターライテイング
（Ｅ−DRAW）用デイスク等のプラスチツク製高密度情報
記録担体用の組成物に関するもので、金属又は金属酸化
物の記録膜又は反射膜とポリカーボネート製デイスク基
板との密着性が良好で同時に帯電防止性の優れた組成物
を提供するものである。
デイスク、ビデオデイスク、Write−once用デイスク、
イレーザブルダイレクトリードアフターライテイング
（Ｅ−DRAW）用デイスク等のプラスチツク製高密度情報
記録担体用の組成物に関するもので、金属又は金属酸化
物の記録膜又は反射膜とポリカーボネート製デイスク基
板との密着性が良好で同時に帯電防止性の優れた組成物
を提供するものである。
今日、光学式記録、再生装置に用いられるプラスチツク
製の高密度情報記録担体用基板（以下、光デイスク基板
という）の材料として透明性、耐熱性、衝撃強度、吸湿
性等の点からポリカーボネート樹脂が最有力となつてい
る。
製の高密度情報記録担体用基板（以下、光デイスク基板
という）の材料として透明性、耐熱性、衝撃強度、吸湿
性等の点からポリカーボネート樹脂が最有力となつてい
る。
読取り可能な情報を得るため、かかる光デイスク基板上
に、レーザー光線を反射する、又はレーザー光線により
相変化あるいは蒸散などの物理変化を示す金属又は金属
酸化物などの金属膜が設置されている。
に、レーザー光線を反射する、又はレーザー光線により
相変化あるいは蒸散などの物理変化を示す金属又は金属
酸化物などの金属膜が設置されている。
耐久力のある光デイスクを得るためにはポリカーボネー
ト樹脂と金属層との間の密着性が良好であることが重要
である。
ト樹脂と金属層との間の密着性が良好であることが重要
である。
また光デイスクにレーザー微細光線を照射し、その反射
光の光量を検出するので、光デイスク表面に付着したホ
コリは反射光などを散乱させるため、埃の付着を防ぐ必
要がある。このためデイスクに帯電による埃の誘引を防
ぐために、帯電した電荷を除電するのが好ましい。
光の光量を検出するので、光デイスク表面に付着したホ
コリは反射光などを散乱させるため、埃の付着を防ぐ必
要がある。このためデイスクに帯電による埃の誘引を防
ぐために、帯電した電荷を除電するのが好ましい。
帯電防止の方法として帯電防止剤を光デイスク表面に塗
布するのが簡単であるが、その性能が永続きしない欠点
がある。したがつてデイスク基板内部に帯電防止剤が配
合されるようにするのが肝要である。
布するのが簡単であるが、その性能が永続きしない欠点
がある。したがつてデイスク基板内部に帯電防止剤が配
合されるようにするのが肝要である。
一般に使用される帯電防止剤はビス（ヒドロキシエチ
ル）アルキルアミン、アルキルベンゼンスルホン酸ソー
ダなどであるが、ポリカーボネート製の光デイスク基板
を射出成形で製造する際、320〜400℃の樹脂温度でポリ
カーボネートは成形される。このような高温で成形する
と前述の帯電防止剤はそれ自身が分解したり、ポリカー
ボネートを分解したりし、デイスク表面にシルバーなど
の外観不良をおこす。またこれらは耐久テストのため光
デイスクを高温高湿（例えば50℃×95％RH雰囲気）にさ
らすと金属膜を腐蝕させ、ピンホールが発生したり剥離
を起こしたりし、光デイスクの耐久性が低下する。
ル）アルキルアミン、アルキルベンゼンスルホン酸ソー
ダなどであるが、ポリカーボネート製の光デイスク基板
を射出成形で製造する際、320〜400℃の樹脂温度でポリ
カーボネートは成形される。このような高温で成形する
と前述の帯電防止剤はそれ自身が分解したり、ポリカー
ボネートを分解したりし、デイスク表面にシルバーなど
の外観不良をおこす。またこれらは耐久テストのため光
デイスクを高温高湿（例えば50℃×95％RH雰囲気）にさ
らすと金属膜を腐蝕させ、ピンホールが発生したり剥離
を起こしたりし、光デイスクの耐久性が低下する。
本発明は上記のような事情に鑑み耐久性が優れ、且つ帯
電防止性能の優れた光デイスク用材料を提供しようとす
るものである。
電防止性能の優れた光デイスク用材料を提供しようとす
るものである。
即ち、本発明の要旨は粘度平均分子量10000〜18000のポ
リカーボネート100重量部に、一般式 （R1およびR4はカルボキシル基又はヒドロキシル基を有
する化合物からの有機残基で、R2およびR3はポリエチレ
ングリコール鎖、ポリプロピレングリコール鎖、又はエ
チレングリコールとプロピレングリコールの共重合鎖を
示す。） で示される分子量500〜5000のリン酸エステル化合物を
0.01〜５重量部配合した光デイスク用ポリカーボネート
樹脂組成物である。
リカーボネート100重量部に、一般式 （R1およびR4はカルボキシル基又はヒドロキシル基を有
する化合物からの有機残基で、R2およびR3はポリエチレ
ングリコール鎖、ポリプロピレングリコール鎖、又はエ
チレングリコールとプロピレングリコールの共重合鎖を
示す。） で示される分子量500〜5000のリン酸エステル化合物を
0.01〜５重量部配合した光デイスク用ポリカーボネート
樹脂組成物である。
本発明をより詳細に説明すると、本発明で使用する芳香
族ポリカーボネート樹脂は、種々のジヒドロキシジアリ
ール化合物とホスゲンとを反応させるホスゲン法、また
はジヒドロキシジアリール化合物とジフエニルカーボネ
ートなどの炭酸エステルとを反応させるエステル交換法
によつて得られる重合体または共重合体であり、代表的
なものとしては、2,2−ビス（４−ヒドロキシフエニ
ル）プロパン（ビスフエノールＡ）から製造されたポリ
カーボネート樹脂があげられる。
族ポリカーボネート樹脂は、種々のジヒドロキシジアリ
ール化合物とホスゲンとを反応させるホスゲン法、また
はジヒドロキシジアリール化合物とジフエニルカーボネ
ートなどの炭酸エステルとを反応させるエステル交換法
によつて得られる重合体または共重合体であり、代表的
なものとしては、2,2−ビス（４−ヒドロキシフエニ
ル）プロパン（ビスフエノールＡ）から製造されたポリ
カーボネート樹脂があげられる。
上記ジヒドロキシジアリール化合物としては、ビスフエ
ノールＡの他、ビス（４−ヒドロキシフエニル）メタ
ン、1,1−ビス（４−ヒドロキシフエニル）エタン、2,2
−ビス（４−ヒドロキシフエニル）プタン、2,2−ビス
（４−ヒドロキシフエニル）オクタン、ビス（４−ヒド
ロキシフエニル）フエニルメタン、2,2−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−メチルフエニル）プロパン、1,1−ビス
（４−ヒドロキシ−３−第３ブチルフエニル）プロパン
のようなビス（ヒドロキシアリール）アルカン類、1,1
−ビス（４−ヒドロキシフエニル）シクロペンタン、1,
1−ビス（４−ヒドロキシフエニル）シクロヘキサンの
ようなビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、
4,4′−ジヒドロキシジフエニルエーテル、4,4′−ジヒ
ドロキシ−3,3′−ジメチルジフエニルエーテルのよう
なジヒドロキシジアリールエーテル類、4,4′−ジヒド
ロキシジフエニルスルフイド、4,4′−ジヒドロキシ−
3,3′−ジメチルジフエニルスルフイドのようなジヒド
ロキシジアリールスルフイド類、4,4′−ジヒドロキシ
ジフエニルスルホキシド、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′
−ジメチルジフエニルスルホキシドのようなジヒドロキ
シジアリールスルホキシド類、4,4′−ジヒドロキシジ
フエニルスルホン、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジメ
チルジフエニルスルホンのようなジヒドロキシジアリー
ルスルホン類等があげられる。
ノールＡの他、ビス（４−ヒドロキシフエニル）メタ
ン、1,1−ビス（４−ヒドロキシフエニル）エタン、2,2
−ビス（４−ヒドロキシフエニル）プタン、2,2−ビス
（４−ヒドロキシフエニル）オクタン、ビス（４−ヒド
ロキシフエニル）フエニルメタン、2,2−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−メチルフエニル）プロパン、1,1−ビス
（４−ヒドロキシ−３−第３ブチルフエニル）プロパン
のようなビス（ヒドロキシアリール）アルカン類、1,1
−ビス（４−ヒドロキシフエニル）シクロペンタン、1,
1−ビス（４−ヒドロキシフエニル）シクロヘキサンの
ようなビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、
4,4′−ジヒドロキシジフエニルエーテル、4,4′−ジヒ
ドロキシ−3,3′−ジメチルジフエニルエーテルのよう
なジヒドロキシジアリールエーテル類、4,4′−ジヒド
ロキシジフエニルスルフイド、4,4′−ジヒドロキシ−
3,3′−ジメチルジフエニルスルフイドのようなジヒド
ロキシジアリールスルフイド類、4,4′−ジヒドロキシ
ジフエニルスルホキシド、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′
−ジメチルジフエニルスルホキシドのようなジヒドロキ
シジアリールスルホキシド類、4,4′−ジヒドロキシジ
フエニルスルホン、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジメ
チルジフエニルスルホンのようなジヒドロキシジアリー
ルスルホン類等があげられる。
これらは単独でまたは２種以上混合して使用されるが、
これらの他にピペラジン、ジピペリジル、ハイドロキノ
ン、レゾルシン、4,4′−ジヒドロキシジフエニル等を
混合して使用してもよい。
これらの他にピペラジン、ジピペリジル、ハイドロキノ
ン、レゾルシン、4,4′−ジヒドロキシジフエニル等を
混合して使用してもよい。
分子量としては複屈折の点から10000〜18000のものが、
さらに好ましくは11000〜17000のものが好ましい。分子
量がこれより低いと強度が低いし、逆に大きいと複屈折
が低くならない。
さらに好ましくは11000〜17000のものが好ましい。分子
量がこれより低いと強度が低いし、逆に大きいと複屈折
が低くならない。
なお、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量は、ポリ
カーボネート樹脂の6.0g/lの塩化メチレン溶液を用い20
℃で測定したηspから、 式 および式 によつて算出した値である。平均分子量は通常ポリカー
ボネート樹脂製造時に、フエノール、ｐ−ターシヤリー
ブチルフエノールのような末端停止剤を添加することに
よつて制御される。
カーボネート樹脂の6.0g/lの塩化メチレン溶液を用い20
℃で測定したηspから、 式 および式 によつて算出した値である。平均分子量は通常ポリカー
ボネート樹脂製造時に、フエノール、ｐ−ターシヤリー
ブチルフエノールのような末端停止剤を添加することに
よつて制御される。
本発明で使用するリン酸エステルは一般式 （R1およびR4は有機残基、R2およびR3はポリエチレング
リコール鎖、ポリプロピレングリコール鎖、又はエチレ
ングリコールとプロピレングリコールの共重合鎖を示
す。） で示されるものである。
リコール鎖、ポリプロピレングリコール鎖、又はエチレ
ングリコールとプロピレングリコールの共重合鎖を示
す。） で示されるものである。
R1とR2及びR3とR4はエステル結合又は、エーテル結合を
介して結合しているものが好ましく、したがつてR1及び
R4はカルボキシル基又はヒドロオキシ基を有する化合物
からの残基が好ましい。また、R1及びR4は炭素又は酸素
原子の総計が３以上の有機残基が好ましい。したがつて
酢酸、プロピオン酸、アクリル酸、メタクリル酸、安息
香酸、シクロヘキサンカルボン酸、トルイル酸、ラウリ
ン酸、ステアリン酸、メチルアルコール、エチルアルコ
ール、プロピルアルコール、オクチルアルコール、ラウ
リルアルコール、ステアリルアルコール、フエノール、
ブチルフエノール、オクチルフエノール、デシルフエノ
ール、ドデシルフエノールなどから誘導される基が用い
られる。
介して結合しているものが好ましく、したがつてR1及び
R4はカルボキシル基又はヒドロオキシ基を有する化合物
からの残基が好ましい。また、R1及びR4は炭素又は酸素
原子の総計が３以上の有機残基が好ましい。したがつて
酢酸、プロピオン酸、アクリル酸、メタクリル酸、安息
香酸、シクロヘキサンカルボン酸、トルイル酸、ラウリ
ン酸、ステアリン酸、メチルアルコール、エチルアルコ
ール、プロピルアルコール、オクチルアルコール、ラウ
リルアルコール、ステアリルアルコール、フエノール、
ブチルフエノール、オクチルフエノール、デシルフエノ
ール、ドデシルフエノールなどから誘導される基が用い
られる。
リン酸エステル化合物の分子量は500〜5000、さらには7
00〜2500が好ましい。これより小さいと熱安定性が悪
く、成形時にトラブルを発生する。逆に大きいとポリカ
ーボネートとの相溶性が悪くなり透明性を悪化する。エ
チレングリコール等のグリコールの付加モル数は３〜10
0が好ましく、さらには５〜50が好ましい。
00〜2500が好ましい。これより小さいと熱安定性が悪
く、成形時にトラブルを発生する。逆に大きいとポリカ
ーボネートとの相溶性が悪くなり透明性を悪化する。エ
チレングリコール等のグリコールの付加モル数は３〜10
0が好ましく、さらには５〜50が好ましい。
このようなリン酸エステル化合物は第一工業製薬（株）
よりニユーフロンテイア（商品名）として市販されてい
る。
よりニユーフロンテイア（商品名）として市販されてい
る。
なおこれらのリン酸エステル化合物の配合量はポリカー
ボネート100重量部に対し0.01〜５重量部、さらには0.0
5〜２重量部の配合が好ましい。配合量がこれより小さ
いと効果がないし、逆に多いと透明性を悪化する。
ボネート100重量部に対し0.01〜５重量部、さらには0.0
5〜２重量部の配合が好ましい。配合量がこれより小さ
いと効果がないし、逆に多いと透明性を悪化する。
ポリカーボネート樹脂にリン酸エステル化合物を配合す
る方法としては、最終成形品の成形直前までの任意の段
階で種々の手段によつて行なうことが出来る。最も簡便
な方法はポリカーボネート樹脂とリン酸エステル化合物
をドライブレンドする方法であるが、このドライブレン
ド物を溶融混合押出してペレツトとしてもよい。また所
定量以上の添加量を練込んだマスターペレツトを調製
し、これを希釈用ポリカーボネートペレツトとブレンド
してもよい。
る方法としては、最終成形品の成形直前までの任意の段
階で種々の手段によつて行なうことが出来る。最も簡便
な方法はポリカーボネート樹脂とリン酸エステル化合物
をドライブレンドする方法であるが、このドライブレン
ド物を溶融混合押出してペレツトとしてもよい。また所
定量以上の添加量を練込んだマスターペレツトを調製
し、これを希釈用ポリカーボネートペレツトとブレンド
してもよい。
さらに通常ポリカーボネートに配合され、光デイスク基
板としての性能に悪影響を与えるものでない添加剤は使
用可能である。例えば、トリスノニルフエニルホスフア
イト、トリス（2,4−ジ−ｔ−ブチルフエニル）ホスフ
アイト、サイクリツクネオペンタンテトライルビス（オ
クタデシルホスフアイト）、4,4′−ブチリデン−ビス
（３−メチル−６−ｔ−ブチルフエニル−ジ−トリデシ
ル）ホスフアイトなどのホスフアイト系熱安定剤;1,3,5
−トリス（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベ
ンジル）−Ｓ−トリアジン−2,4,6−トリオン、ペンタ
エリスリチルテトラキス〔３−（４′−ヒドロキシ−
３′,5′−ジ−ｔ−ブチルフエニル）プロピオネー
ト〕、オクタデシル−（４−ヒドロキシ−3,5−ジ−ｔ
−ブチルフエニル）プロピオネートなどのヒンダードフ
エノール系酸化防止剤；およびグリセリンの脂肪酸エス
テル、脂肪酸と脂肪族アルコールのエステル、パラフイ
ンワツクス、ビスアミド類の離型剤などである。これら
は一般に0.005〜0.5％好ましくは0.01〜0.3％配合すれ
ばよい。
板としての性能に悪影響を与えるものでない添加剤は使
用可能である。例えば、トリスノニルフエニルホスフア
イト、トリス（2,4−ジ−ｔ−ブチルフエニル）ホスフ
アイト、サイクリツクネオペンタンテトライルビス（オ
クタデシルホスフアイト）、4,4′−ブチリデン−ビス
（３−メチル−６−ｔ−ブチルフエニル−ジ−トリデシ
ル）ホスフアイトなどのホスフアイト系熱安定剤;1,3,5
−トリス（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベ
ンジル）−Ｓ−トリアジン−2,4,6−トリオン、ペンタ
エリスリチルテトラキス〔３−（４′−ヒドロキシ−
３′,5′−ジ−ｔ−ブチルフエニル）プロピオネー
ト〕、オクタデシル−（４−ヒドロキシ−3,5−ジ−ｔ
−ブチルフエニル）プロピオネートなどのヒンダードフ
エノール系酸化防止剤；およびグリセリンの脂肪酸エス
テル、脂肪酸と脂肪族アルコールのエステル、パラフイ
ンワツクス、ビスアミド類の離型剤などである。これら
は一般に0.005〜0.5％好ましくは0.01〜0.3％配合すれ
ばよい。
光デイスク基板の成形方法としては射出成形、射出圧縮
成形が用いられるが、成形温度としては300〜420℃、金
型温度としては（Tg−20）℃から（Tg−90）℃の温度範
囲が好ましい。（Tgはポリカーボネートのガラス転位温
度） 本発明の組成物による光学式記録・再生装置に用いられ
るポリカーボネート製デイスク基板は公知の任意の型式
の記録・再生方式に適用することができる。すなわちコ
ンパクトデイスクやレーザーデイスクのような再生専用
デイスクとして用いる場合には基板面側にアルミニウム
等の反射金属膜が蒸着され、Write-once用デイスクの場
合にはAl、Cr、Pb、Au、Rh、Zn、Cu、Sb、Te、In、Bi、
CS2−Te、Te−Ｃ、Te−Ｃ、Te−As等が、Ｅ−DRAWデイ
スクの場合にはTeOx、Mn−Bi、Gd−Co、Tb−Fe、Tb−Gd
−Fe、Tb−Fe−Co、As−Se−Ｓ−Ge等が蒸着、スパツタ
リング、イオンプレーテイング等の方法でコーテイング
される。一般には必要に応じてさらに反射用金属膜や保
護用にケイ素酸化物、エポキシ、アクリル等の膜が形成
され、さらに２枚のデイスクを貼り合せて用いられるこ
ともある。
成形が用いられるが、成形温度としては300〜420℃、金
型温度としては（Tg−20）℃から（Tg−90）℃の温度範
囲が好ましい。（Tgはポリカーボネートのガラス転位温
度） 本発明の組成物による光学式記録・再生装置に用いられ
るポリカーボネート製デイスク基板は公知の任意の型式
の記録・再生方式に適用することができる。すなわちコ
ンパクトデイスクやレーザーデイスクのような再生専用
デイスクとして用いる場合には基板面側にアルミニウム
等の反射金属膜が蒸着され、Write-once用デイスクの場
合にはAl、Cr、Pb、Au、Rh、Zn、Cu、Sb、Te、In、Bi、
CS2−Te、Te−Ｃ、Te−Ｃ、Te−As等が、Ｅ−DRAWデイ
スクの場合にはTeOx、Mn−Bi、Gd−Co、Tb−Fe、Tb−Gd
−Fe、Tb−Fe−Co、As−Se−Ｓ−Ge等が蒸着、スパツタ
リング、イオンプレーテイング等の方法でコーテイング
される。一般には必要に応じてさらに反射用金属膜や保
護用にケイ素酸化物、エポキシ、アクリル等の膜が形成
され、さらに２枚のデイスクを貼り合せて用いられるこ
ともある。
以下実施例を用いて本発明を説明する。
尚、実施例中「部」は「重量部」を示す。
実施例１、比較例１〜３ 粘度平均分子量15000の2,2−ビス（４−ヒドロキシフエ
ニル）プロパンのポリカーボネート100重量部に後記構
造式で示されるリン酸エステル化合物0.5重量部及び熱
安定剤としてトリスノニルフエニルホスフアイト（アデ
カアーガス製Mark 1178）0.03重量部を配合し、40φベ
ント押出機で230℃で練込みペレツトとした。そのペレ
ツトを120℃で乾燥後、射出成形機（名機製Ｍ−100DM）
で120mmφのコンパクトデイスクの成形を実施した。成
形条件として樹脂温度340℃、金型温度85℃であつた。
ニル）プロパンのポリカーボネート100重量部に後記構
造式で示されるリン酸エステル化合物0.5重量部及び熱
安定剤としてトリスノニルフエニルホスフアイト（アデ
カアーガス製Mark 1178）0.03重量部を配合し、40φベ
ント押出機で230℃で練込みペレツトとした。そのペレ
ツトを120℃で乾燥後、射出成形機（名機製Ｍ−100DM）
で120mmφのコンパクトデイスクの成形を実施した。成
形条件として樹脂温度340℃、金型温度85℃であつた。
このようにして得たデイスク上に厚さ約200nmのアルミ
ニウム層を真空蒸着し、その上にアクリル系のコーテイ
ング層（約15μｍの厚み）を施した。
ニウム層を真空蒸着し、その上にアクリル系のコーテイ
ング層（約15μｍの厚み）を施した。
このデイスクを80℃×95％RH×4hrsと−40℃×4hrsの高
低温高湿度下の雰囲気をくり返してうけるヒートサイク
ルテストを実施し、Al膜とポリカーボネート基板の密着
性を試験した。
低温高湿度下の雰囲気をくり返してうけるヒートサイク
ルテストを実施し、Al膜とポリカーボネート基板の密着
性を試験した。
またスタチツクネオストメーター（（株）宍戸商会）を
用いてデイスクに対し一定の静電場で帯電を与え、その
帯電が1/2に減衰する時間（半減期）を測定しリン酸エ
ステル化合物の帯電防止性能を評価した。
用いてデイスクに対し一定の静電場で帯電を与え、その
帯電が1/2に減衰する時間（半減期）を測定しリン酸エ
ステル化合物の帯電防止性能を評価した。
比較のためリン酸エステル化合物を無配合のもの（比較
例１）、他の帯電防止剤を配合したもの（比較例２、
３）を示す。
例１）、他の帯電防止剤を配合したもの（比較例２、
３）を示す。
他の帯電防止剤としてポリオキシエチレンドデシルアミ
ン（日本油脂社製L202）、ドデシルベンゼンスルホン酸
ソーダ（花王石鹸製ネオペレツクス）を用いたが、これ
らの帯電防止剤を配合した時は成形時に分解しデイスク
基板表面にシルバーが発生した。
ン（日本油脂社製L202）、ドデシルベンゼンスルホン酸
ソーダ（花王石鹸製ネオペレツクス）を用いたが、これ
らの帯電防止剤を配合した時は成形時に分解しデイスク
基板表面にシルバーが発生した。
これらの結果を表−１に示す。
〔発明の効果〕 以上のように本発明によるとデイスク基板と記録膜、又
は反射膜との密着性が良好で、かつ帯電防止性の優れた
光デイスクが得られるものである。
は反射膜との密着性が良好で、かつ帯電防止性の優れた
光デイスクが得られるものである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｋ 69:00
Claims (1)
- 【請求項１】粘度平均分子量10000〜18000のポリカーボ
ネート100重量部に、一般式 （R1およびR4はカルボキシル基又はヒドロキシル基を有
する化合物からの有機残基で、R2およびR3はポリエチレ
ングリコール鎖、ポリプロピレングリコール鎖、又はエ
チレングリコールとプロピレングリコールの共重合鎖を
示す。）で示される分子量500〜5000のリン酸エステル
化合物を0.01〜５重量部配合した光デイスク用ポリカー
ボネート樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049415A JPH0692530B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 光デイスク用ポリカ−ボネ−ト樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049415A JPH0692530B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 光デイスク用ポリカ−ボネ−ト樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62207358A JPS62207358A (ja) | 1987-09-11 |
| JPH0692530B2 true JPH0692530B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=12830432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049415A Expired - Lifetime JPH0692530B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 光デイスク用ポリカ−ボネ−ト樹脂組成物 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0692530B2 (ja) |
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-
1986
- 1986-03-06 JP JP61049415A patent/JPH0692530B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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