JPH0695404B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JPH0695404B2 JPH0695404B2 JP60294858A JP29485885A JPH0695404B2 JP H0695404 B2 JPH0695404 B2 JP H0695404B2 JP 60294858 A JP60294858 A JP 60294858A JP 29485885 A JP29485885 A JP 29485885A JP H0695404 B2 JPH0695404 B2 JP H0695404B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録方法に係わる。
本発明は、光磁気記録層と、非磁性層と、バイアス磁性
層とを有する光磁気記録媒体を構成し、外部磁界を用い
ることなく、バイアス磁性層の磁化によって光磁気記録
層へのバイアス磁界を与えるようにし、光磁気記録層に
照射する例えばレーザー光のパワーレベルの切換のみ
で、すなわち温度変化のみでバイアス磁性層の磁化の向
きを高い空間分解能で、かつ高速をもって反転させて光
磁気記録層へのバイアス磁界を反転させ、記録、消去、
更に例えば先に書き込まれた情報の上に他の情報を重ね
書きによって新しい情報に書き換えるいわゆるオーバー
ライト（over-write）を可能にした光磁気記録方法であ
る。
層とを有する光磁気記録媒体を構成し、外部磁界を用い
ることなく、バイアス磁性層の磁化によって光磁気記録
層へのバイアス磁界を与えるようにし、光磁気記録層に
照射する例えばレーザー光のパワーレベルの切換のみ
で、すなわち温度変化のみでバイアス磁性層の磁化の向
きを高い空間分解能で、かつ高速をもって反転させて光
磁気記録層へのバイアス磁界を反転させ、記録、消去、
更に例えば先に書き込まれた情報の上に他の情報を重ね
書きによって新しい情報に書き換えるいわゆるオーバー
ライト（over-write）を可能にした光磁気記録方法であ
る。
従来の光磁気記録媒体、例えば光磁気ディスクは第６図
に、その要部の断面構造を示すように、例えば、夫々一
方の面に記録トラック位置検出用の溝が形成された対の
透明基板（１）が用意され、これら各溝が構成された面
に、希土類金属−遷移金属系垂直磁化膜（２）が被着形
成されてこれら垂直磁化膜（２）を内側にして両基板
（１）を、接着剤（３）によって接合するという構造が
採られる。（４）は各垂直磁化膜（２）と基板（１）と
の間、及び磁化膜（２）の表面に被着形成した保護膜で
ある。
に、その要部の断面構造を示すように、例えば、夫々一
方の面に記録トラック位置検出用の溝が形成された対の
透明基板（１）が用意され、これら各溝が構成された面
に、希土類金属−遷移金属系垂直磁化膜（２）が被着形
成されてこれら垂直磁化膜（２）を内側にして両基板
（１）を、接着剤（３）によって接合するという構造が
採られる。（４）は各垂直磁化膜（２）と基板（１）と
の間、及び磁化膜（２）の表面に被着形成した保護膜で
ある。
この垂直磁化膜（２）は、第７図に模式的に示すよう
に、その膜厚方向、すなわち垂直方向に、希土類金属の
スピンSREと遷移金属のスピンSTMの作用によって、垂直
磁化Msが得られているものである。
に、その膜厚方向、すなわち垂直方向に、希土類金属の
スピンSREと遷移金属のスピンSTMの作用によって、垂直
磁化Msが得られているものである。
この垂直磁化膜（２）に対する記録は、キュリー点記
録、或いは補償点記録による熱磁気記録によって行う。
すなわち、例えばキュリー点記録による場合は、第６図
に示すように、その記録部に磁界発生手段（５）によっ
て外部磁界を与え、この状態でレーザー光（６）を、集
光レンズ系（７）を介してその記録を行おうとする一方
の磁化膜（２）に、この磁化膜（２）を有する側の基板
（１）の背面より、この磁化膜（２）にフォーカシング
するように照射して此処における温度をキュリー点以上
に加熱することで磁化を消失させ、その後に磁化膜
（２）が冷却する過程で発生してくる磁化の向きを外部
磁界によってこの外部磁界と同じ向きに向けてやること
によってその記録を行う。つまり、消去，ないしは未記
録状態では第８図に示すように磁化の向きが各部一様の
状態にあり、記録状態では第９図に示すように、その記
録部（2W）では、その磁化の向きが、他部とは逆向きと
なるようにするものである。
録、或いは補償点記録による熱磁気記録によって行う。
すなわち、例えばキュリー点記録による場合は、第６図
に示すように、その記録部に磁界発生手段（５）によっ
て外部磁界を与え、この状態でレーザー光（６）を、集
光レンズ系（７）を介してその記録を行おうとする一方
の磁化膜（２）に、この磁化膜（２）を有する側の基板
（１）の背面より、この磁化膜（２）にフォーカシング
するように照射して此処における温度をキュリー点以上
に加熱することで磁化を消失させ、その後に磁化膜
（２）が冷却する過程で発生してくる磁化の向きを外部
磁界によってこの外部磁界と同じ向きに向けてやること
によってその記録を行う。つまり、消去，ないしは未記
録状態では第８図に示すように磁化の向きが各部一様の
状態にあり、記録状態では第９図に示すように、その記
録部（2W）では、その磁化の向きが、他部とは逆向きと
なるようにするものである。
垂直磁化膜による記録は、高密度記録化に適するもので
あり、上述したキュリー点記録、或いは補償点記録によ
る熱磁化記録は、一般に、磁気テープや、磁気ディスク
等における、いわゆる磁気記録に比し、記録，消去時に
必要な外部磁界は極めて小さくて良いという利点がある
とされている。
あり、上述したキュリー点記録、或いは補償点記録によ
る熱磁化記録は、一般に、磁気テープや、磁気ディスク
等における、いわゆる磁気記録に比し、記録，消去時に
必要な外部磁界は極めて小さくて良いという利点がある
とされている。
ところが、実際上に、この種の光磁気記録媒体に対して
外部磁界を与えることには種々の問題点がある。例えば
外部磁界を垂直磁化膜の微小領域にのみ印加しようとす
る場合、導体パターン等をフォトエッチングなどの微細
加工技術によって形成し、これに電流を流すことによっ
て微小領域に限定的に磁界を発生させる方法がある。し
かしながらこのような方法では、大面積内の任意の微小
領域に磁界を印加することは、技術的にまた、コストの
上から問題がある。
外部磁界を与えることには種々の問題点がある。例えば
外部磁界を垂直磁化膜の微小領域にのみ印加しようとす
る場合、導体パターン等をフォトエッチングなどの微細
加工技術によって形成し、これに電流を流すことによっ
て微小領域に限定的に磁界を発生させる方法がある。し
かしながらこのような方法では、大面積内の任意の微小
領域に磁界を印加することは、技術的にまた、コストの
上から問題がある。
また、磁界を高周波で駆動する際に障害となるのは、磁
界発生の巻線によるインダクタンスである。この巻線の
インダクタンスを小さくするには、その巻数を減らすこ
とになるが、このようにその巻数を減少させれば、所定
の磁界を発生させるに電流値を大きくする必要が生じ、
駆動電源の大型化や消費電力の増加を招来する。
界発生の巻線によるインダクタンスである。この巻線の
インダクタンスを小さくするには、その巻数を減らすこ
とになるが、このようにその巻数を減少させれば、所定
の磁界を発生させるに電流値を大きくする必要が生じ、
駆動電源の大型化や消費電力の増加を招来する。
また、上述の光磁気記録媒体においては、オーバーライ
トを行うことができない。これについて説明すると、そ
の記録において、レーザー光照射によってキュリー点に
達した領域、或いは補償点記録では保磁力Hcが減少して
記録（磁化反転）の可能な温度（以下この温度を記録温
度という）に達した領域には、その周囲の磁化による浮
遊磁界HSFが与えられる。これによって、特に消去時に
は、この浮遊磁界が、消去のための外部磁界を打ち消す
方向に作用するので、消去には大きな外部磁界を必要と
する。第10図は、垂直磁化膜（２）に、レーザー光
（６）を照射して、部分ａをキュリー点ないしは記録温
度に加熱した状態を示すもので、この時、この部分ａで
は、例えばキュリー点では磁化が消失するが、ここにそ
の周囲の磁化Msによって浮遊磁界HSFが与えられる。し
たがって、今、この部分ａに外部磁界を与えて記録、或
いは消去を行うとき、この浮遊磁界HSFが有効磁界に影
響を与える。すなわち、記録に当っては、その記録部に
は前述したように周囲とは逆向きの磁化をなすことか
ら、記録時の外部磁界Hexwは、浮遊磁界HSFと同方向で
あり、消去時の外部磁界Hexeはこれとは逆方向にあるこ
とから、記録時及び消去時の各有効磁界Heffw及びHeffe
は夫々下記の式（１）及び（２）に示すようになり、消
去時にはその有効磁界が小さいことから大きな外部磁界
Hexeが必要となる。
トを行うことができない。これについて説明すると、そ
の記録において、レーザー光照射によってキュリー点に
達した領域、或いは補償点記録では保磁力Hcが減少して
記録（磁化反転）の可能な温度（以下この温度を記録温
度という）に達した領域には、その周囲の磁化による浮
遊磁界HSFが与えられる。これによって、特に消去時に
は、この浮遊磁界が、消去のための外部磁界を打ち消す
方向に作用するので、消去には大きな外部磁界を必要と
する。第10図は、垂直磁化膜（２）に、レーザー光
（６）を照射して、部分ａをキュリー点ないしは記録温
度に加熱した状態を示すもので、この時、この部分ａで
は、例えばキュリー点では磁化が消失するが、ここにそ
の周囲の磁化Msによって浮遊磁界HSFが与えられる。し
たがって、今、この部分ａに外部磁界を与えて記録、或
いは消去を行うとき、この浮遊磁界HSFが有効磁界に影
響を与える。すなわち、記録に当っては、その記録部に
は前述したように周囲とは逆向きの磁化をなすことか
ら、記録時の外部磁界Hexwは、浮遊磁界HSFと同方向で
あり、消去時の外部磁界Hexeはこれとは逆方向にあるこ
とから、記録時及び消去時の各有効磁界Heffw及びHeffe
は夫々下記の式（１）及び（２）に示すようになり、消
去時にはその有効磁界が小さいことから大きな外部磁界
Hexeが必要となる。
Heffw＝HSF＋Hexw ‥‥（１） Heffe＝−HSF＋Hexe ‥‥（２） 理想的な場合を考え、仮にHexwがなくても充分な反転磁
区が得られるとすれば、記録時の有効磁界HeffwはHSFの
みで行われていることになるが、その場合でも、消去に
は、少くとも浮遊磁界HSFを超える外部磁界Hexeを必要
とし、更に充分な反転を行わしめる外部磁界Hexeとして
は、HSFの２倍程度を要する。実際には、記録時の反転
磁区を飽和させるには数百Oe〜kOe程度必要であり、消
去時の外部磁界Hexeはこの程度の磁界が必要となる。
区が得られるとすれば、記録時の有効磁界HeffwはHSFの
みで行われていることになるが、その場合でも、消去に
は、少くとも浮遊磁界HSFを超える外部磁界Hexeを必要
とし、更に充分な反転を行わしめる外部磁界Hexeとして
は、HSFの２倍程度を要する。実際には、記録時の反転
磁区を飽和させるには数百Oe〜kOe程度必要であり、消
去時の外部磁界Hexeはこの程度の磁界が必要となる。
この消去時の外部磁界Hexeを小さくするためには、浮遊
磁界HSFができるだけ小さくすることであり、この浮遊
磁界HSFを小さくするには、磁化膜（２）の飽和磁界Ms
を小さくする補償点組成の近傍の組成とすることによっ
て或る程度小さくすることができるが、この場合、保磁
力Hcが増加して着磁が困難となる。また保磁力Hcの増加
により作製された例れば光磁気ディスクの検査が面倒に
なる。何故なら一般にこの種のディスク検査は、VSM
（バイブレーティング・サンプル・マグネトメータ）に
よって測定するが、この測定装置で発生可能な磁界は15
kOe程度であるので、他の特別の測定装置を要いるか、
温度を上昇させてHcを減少させた状態で測定するかの工
夫を要し、その作業が煩雑となる。また、保磁力Hcを上
げずに、飽和磁界Msのみを低下させるような磁化膜
（２）を作製したとしても記録状態が不安定であり、ま
た高密度記録ができなくなるなどの問題点を招来する。
磁界HSFができるだけ小さくすることであり、この浮遊
磁界HSFを小さくするには、磁化膜（２）の飽和磁界Ms
を小さくする補償点組成の近傍の組成とすることによっ
て或る程度小さくすることができるが、この場合、保磁
力Hcが増加して着磁が困難となる。また保磁力Hcの増加
により作製された例れば光磁気ディスクの検査が面倒に
なる。何故なら一般にこの種のディスク検査は、VSM
（バイブレーティング・サンプル・マグネトメータ）に
よって測定するが、この測定装置で発生可能な磁界は15
kOe程度であるので、他の特別の測定装置を要いるか、
温度を上昇させてHcを減少させた状態で測定するかの工
夫を要し、その作業が煩雑となる。また、保磁力Hcを上
げずに、飽和磁界Msのみを低下させるような磁化膜
（２）を作製したとしても記録状態が不安定であり、ま
た高密度記録ができなくなるなどの問題点を招来する。
一方、光磁気記録は、その光磁気記録媒体に対し、光磁
気記録，再生及び消去を行うにその光磁気ヘッド、すな
わちレーザー光の照射手段，光学レンズ系，磁界印加手
段などを具備する光磁気ヘッド部は、光磁気記録媒体に
対接させることなくこれと所要の間隔を保持して走査さ
せる非接触型構成を採るという利点を有するものの、こ
れを実現するためには、磁界発生手段は、媒体の磁化膜
から、実質的に可成り、離間することになる。例えば第
６図に示すように、磁界発生手段（５）の、媒体との間
隔ｄを1mmとすると、レーザー光（６）の照射によって
記録，再生，消去を行う目的とする磁化膜（２）との間
隔Ｄは、基板（１）の厚さ、接着剤（３）の厚さ等か
ら、例えば2.5mm程度にも及ぶことになり、前述したよ
うに目的とする磁化膜（２）に数百Oe〜数kOeの磁界を
与えるには、可成り強力な磁界発生手段（５）を必要と
し、このような強力な磁界発生手段（５）を設計するこ
とは、技術的に大きな困難を伴う。例えば、この磁界発
生手段（５）を、電磁石によって構成する場合、消費電
力や、発熱の問題が生じる。また、永久磁石による場合
は、記録，再生及び消去の切換サイクル、すなわち磁界
反転速度を速めることに無理がある。そして、弱い印加
磁界での記録では、C/Nが低く、また弱い印加磁界での
消去では、前の記録が充分に消去できず、これの上に再
記録、すなわちオーバーライティングを行うと情報のエ
ラーが増大するという問題が生じる。
気記録，再生及び消去を行うにその光磁気ヘッド、すな
わちレーザー光の照射手段，光学レンズ系，磁界印加手
段などを具備する光磁気ヘッド部は、光磁気記録媒体に
対接させることなくこれと所要の間隔を保持して走査さ
せる非接触型構成を採るという利点を有するものの、こ
れを実現するためには、磁界発生手段は、媒体の磁化膜
から、実質的に可成り、離間することになる。例えば第
６図に示すように、磁界発生手段（５）の、媒体との間
隔ｄを1mmとすると、レーザー光（６）の照射によって
記録，再生，消去を行う目的とする磁化膜（２）との間
隔Ｄは、基板（１）の厚さ、接着剤（３）の厚さ等か
ら、例えば2.5mm程度にも及ぶことになり、前述したよ
うに目的とする磁化膜（２）に数百Oe〜数kOeの磁界を
与えるには、可成り強力な磁界発生手段（５）を必要と
し、このような強力な磁界発生手段（５）を設計するこ
とは、技術的に大きな困難を伴う。例えば、この磁界発
生手段（５）を、電磁石によって構成する場合、消費電
力や、発熱の問題が生じる。また、永久磁石による場合
は、記録，再生及び消去の切換サイクル、すなわち磁界
反転速度を速めることに無理がある。そして、弱い印加
磁界での記録では、C/Nが低く、また弱い印加磁界での
消去では、前の記録が充分に消去できず、これの上に再
記録、すなわちオーバーライティングを行うと情報のエ
ラーが増大するという問題が生じる。
因みに、特開昭59-60746号公開公報には、２層の磁性層
による磁気光学記録媒体の開示があるが、これは後述す
る本発明のようにバイアス磁界の切換を行うことの技術
思想によるものではない。
による磁気光学記録媒体の開示があるが、これは後述す
る本発明のようにバイアス磁界の切換を行うことの技術
思想によるものではない。
本発明は、光磁気記録において、外部磁界発生手段を設
けることなく情報の記録、消去を行うことができ、この
場合上述した外部磁界発生手段を設ける場合に生じる問
題をすべて解決できる。
けることなく情報の記録、消去を行うことができ、この
場合上述した外部磁界発生手段を設ける場合に生じる問
題をすべて解決できる。
本発明は、それぞれ垂直磁化膜による光磁気記録層と、
バイアス磁性層と、これら光磁気記録層とバイアス磁性
層との間に介在される所定の断熱性を有する非磁性層と
が積層されて成る光磁気記録媒体に対して、光磁気記録
層をそのキュリー点近傍或いはそれ以上に加熱すると同
時に、バイアス磁性層をその補償点を超える温度に加熱
する加熱態様をとる第１の加熱パワーレベルと、光磁気
記録層をそのキュリー点近傍或いはそれ以上とすると同
時にバイアス磁性層をその補償点に至ることのない温度
に加熱する加熱態様をとる第２の加熱パワーレベルとに
より、バイアス磁性層によりバイアス磁界を付与して光
磁気記録層への情報の書き込み、重ね書き及び消去を行
う。更に第１図を参照して本発明を説明する。図中（1
0）は光磁気記録媒体を示す。この媒体（10）は透明基
板（11）の１主面上に、光磁気記録層（12）と、非磁性
層（13）と、バイアス磁性層（14）とを順次被着し、更
にこれの上に保護層（15）を積層被着して成る。
バイアス磁性層と、これら光磁気記録層とバイアス磁性
層との間に介在される所定の断熱性を有する非磁性層と
が積層されて成る光磁気記録媒体に対して、光磁気記録
層をそのキュリー点近傍或いはそれ以上に加熱すると同
時に、バイアス磁性層をその補償点を超える温度に加熱
する加熱態様をとる第１の加熱パワーレベルと、光磁気
記録層をそのキュリー点近傍或いはそれ以上とすると同
時にバイアス磁性層をその補償点に至ることのない温度
に加熱する加熱態様をとる第２の加熱パワーレベルとに
より、バイアス磁性層によりバイアス磁界を付与して光
磁気記録層への情報の書き込み、重ね書き及び消去を行
う。更に第１図を参照して本発明を説明する。図中（1
0）は光磁気記録媒体を示す。この媒体（10）は透明基
板（11）の１主面上に、光磁気記録層（12）と、非磁性
層（13）と、バイアス磁性層（14）とを順次被着し、更
にこれの上に保護層（15）を積層被着して成る。
バイアス磁性層（14）は、第２図Ａにその飽和磁化Msの
温度特性を実線で示し、同図に矢印をもって自発磁化の
状態を示すように、所要の動作温度範囲、例えば室温TL
からこれより高い所要の温度TBI迄の温度範囲内で補償
点TcompBを有し、これを挾んで自発磁化の向きが反転す
る特性を有し、そのキュリー点TCBは、TBIを超える温度
に存する組成の磁性層より構成する。このような特性は
フェリ磁性体、例えば希土類−遷移金属系の合金によっ
て実現できる。すなわち、第７図で説明したように希土
類金属原子と遷移金属原子のスピンSRE及びSTMは反平行
状態にあり、夫々独自の温度特性を有し、温度が上昇す
るにつれ、その磁気モーメントの大きさが変化するの
で、これらによって決まる磁化の大小及び向きが温度に
よって変化し、補償点TcompBで自発磁化の向きが反転す
る特性が得られる。尚、第２図Ａ中破線曲線は、この場
合の保磁力Hcの温度特性を示す。
温度特性を実線で示し、同図に矢印をもって自発磁化の
状態を示すように、所要の動作温度範囲、例えば室温TL
からこれより高い所要の温度TBI迄の温度範囲内で補償
点TcompBを有し、これを挾んで自発磁化の向きが反転す
る特性を有し、そのキュリー点TCBは、TBIを超える温度
に存する組成の磁性層より構成する。このような特性は
フェリ磁性体、例えば希土類−遷移金属系の合金によっ
て実現できる。すなわち、第７図で説明したように希土
類金属原子と遷移金属原子のスピンSRE及びSTMは反平行
状態にあり、夫々独自の温度特性を有し、温度が上昇す
るにつれ、その磁気モーメントの大きさが変化するの
で、これらによって決まる磁化の大小及び向きが温度に
よって変化し、補償点TcompBで自発磁化の向きが反転す
る特性が得られる。尚、第２図Ａ中破線曲線は、この場
合の保磁力Hcの温度特性を示す。
一方、光磁気記録層（12）は、例えば第２図Ｂに実線曲
線で示すようにそのキュリー点TCRが、バイアス磁性層
（14）の補償点TcompBより高く上述の温度TBI以下とな
るような同様に希土類−遷移金属系磁性材より構成す
る。
線で示すようにそのキュリー点TCRが、バイアス磁性層
（14）の補償点TcompBより高く上述の温度TBI以下とな
るような同様に希土類−遷移金属系磁性材より構成す
る。
或いは第４図に磁化温度特性を示すように、バイアス磁
性層（14）が第４図Ａ中実線図示のように前述したと同
様にこのバイアス磁性層（14）に対する動作温度範囲TL
〜TBI間において補償点TcompBが存在する特性の磁性材
より構成すると共に、光磁気記録層（12）についても、
第４図Ｂに実線で示すように、この光磁気記録層（12）
に対する動作温度範囲TL〜TRI内に補償点TcompRが存在
する特性のものによって構成することができる。尚、第
４図Ａ及びＢの各破線曲線は夫々バイアス磁性層（14）
と光磁気記録層（12）との各保磁力Hcの温度特性を示
す。
性層（14）が第４図Ａ中実線図示のように前述したと同
様にこのバイアス磁性層（14）に対する動作温度範囲TL
〜TBI間において補償点TcompBが存在する特性の磁性材
より構成すると共に、光磁気記録層（12）についても、
第４図Ｂに実線で示すように、この光磁気記録層（12）
に対する動作温度範囲TL〜TRI内に補償点TcompRが存在
する特性のものによって構成することができる。尚、第
４図Ａ及びＢの各破線曲線は夫々バイアス磁性層（14）
と光磁気記録層（12）との各保磁力Hcの温度特性を示
す。
そして、光磁気記録層（12）と、バイアス磁性層（14）
との間に介在させる非磁性層（13）は、バイアス磁性層
（14）の自発磁化による磁界が光磁気記録層（12）に影
響を与えるように両層（12）及び（14）が磁気的に結合
し得るも交換結合せず、しかも両層（12）及び（14）間
を熱的に或る程度分離する断熱性の材料及び厚さに選定
する。
との間に介在させる非磁性層（13）は、バイアス磁性層
（14）の自発磁化による磁界が光磁気記録層（12）に影
響を与えるように両層（12）及び（14）が磁気的に結合
し得るも交換結合せず、しかも両層（12）及び（14）間
を熱的に或る程度分離する断熱性の材料及び厚さに選定
する。
上述の光磁気記録媒体（10）に対する情報の記録、オー
バライト、消去等は、レーザービーム照射等による第１
及び第２のパワーレベルを採り得る選択的加熱によって
行う。
バライト、消去等は、レーザービーム照射等による第１
及び第２のパワーレベルを採り得る選択的加熱によって
行う。
すなわち、光磁気記録層（12）をそのキュリー点近傍な
いしはそれ以上に加熱すると同時にバイアス磁性層（1
4）をその補償点を超える温度に加熱する加熱態様をと
る第１の加熱パワーレベルと、光磁気記録層（12）をそ
のキュリー点近傍ないしはそれ以上とすると同時にバイ
アス磁性層（14）をその補償点に至ることのない温度に
加熱する加熱態様をとる第２の加熱パワーレベルとによ
る。このような構成による光磁気記録媒体（10）は、例
えばその製造の終段工程で、全面に一様に厚さ方向の磁
界を与え、光磁気記録層（12）及びバイアス磁性層（1
4）の双方に同一向きの着磁をなす。第３図Ａは、この
状態、つまり未記録状態ないしは無情報状態を示す。
いしはそれ以上に加熱すると同時にバイアス磁性層（1
4）をその補償点を超える温度に加熱する加熱態様をと
る第１の加熱パワーレベルと、光磁気記録層（12）をそ
のキュリー点近傍ないしはそれ以上とすると同時にバイ
アス磁性層（14）をその補償点に至ることのない温度に
加熱する加熱態様をとる第２の加熱パワーレベルとによ
る。このような構成による光磁気記録媒体（10）は、例
えばその製造の終段工程で、全面に一様に厚さ方向の磁
界を与え、光磁気記録層（12）及びバイアス磁性層（1
4）の双方に同一向きの着磁をなす。第３図Ａは、この
状態、つまり未記録状態ないしは無情報状態を示す。
本発明によれば、情報の記録、オーバーライト、消去等
を行うことができる。これらは、第１図に示すように、
光磁気記録媒体（10）に対する透明基板（11）側からの
レーザービームL.Bの走査と上述した第１及び第２のパ
ワーレベルによる加熱態様によって行う。
を行うことができる。これらは、第１図に示すように、
光磁気記録媒体（10）に対する透明基板（11）側からの
レーザービームL.Bの走査と上述した第１及び第２のパ
ワーレベルによる加熱態様によって行う。
今、光磁気記録層（12）は、第２図Ｂの温度特性を示す
磁性層によって構成するものについて説明する。そして
今、第３図Ａに示すように、光磁気記録媒体（10）が一
方向に垂直磁化された未記録状態なしいは無情報状態か
ら第３図Ｃに示すように、光磁気記録層（12）において
例えば領域Ｉと領域IIとで互いに逆向きの磁化を与える
ことによって情報記録を行う場合について説明すると、
この場合、領域Ｉにおいて前述した第１の高いパワーレ
ベルによる加熱、すなわち、例えば透明基板（11）側か
ら光磁気記録層（12）に対するレーザービームL.Bのフ
ォーカシングによって、記録層（12）に対し第２図Ｂに
示すように、この記録層（12）のキュリー点TCRの近傍
或いはそれ以上の第１の高温動作温度TRIとすると共
に、この高温加熱に引きずられてバイアス磁性層（14）
をこの磁性層（14）の補償点TcompBより高くそのキュリ
ー点TCBより低い第１の高温動作温度TBIに加熱する。こ
のようにすると、領域Ｉにおいて、バイアス磁性層（1
4）が補償的TcompB以上とされたことによって磁化の向
きが第３図Ｂに示すように反転する。そしてこの状態で
例えばレーザー光が遠去けられるかすると、層（12）〜
（14）は領域Ｉにおいて冷却されて光磁気記録層（12）
がその冷却によってキュリー点TCRに達する。この時バ
イアス磁性層（14）も冷却されるものの、この時点で、
バイアス磁性層（14）は、未だその補償点TcompB以上の
温度にあるようになされていて、領域Ｉにおいてこのバ
イアス磁性層（14）の磁化は、第３図Ｂに示すように、
第３図Ａの初期の状態から反転した向きにある。これが
ため、光磁気記録層（12）に発生する磁化は、バイアス
磁性層（14）との磁気的結合によって、領域Ｉにおい
て、第３図Ａの初期の状態から反転する。そして、この
状態で各層（12）〜（14）は領域Ｉにおいて室温TL迄冷
却され、バイアス磁性層（14）は、再び第２図Ａ中実線
曲線のTL近傍のすなわち補償点TcompBより低い温度とな
ることによって初期の磁化の向きになるが、この温度の
低下によって、光磁気記録層（12）は、第２図中破線曲
線で示すようにその保磁力Hcは高くなるのでバイアス磁
性層（14）の磁化の影響を受けにくくなり、これがた
め、光磁気記録層（12）は、第３図Ｃに示すように、領
域Ｉにおいて第３図Ａに示す磁化の向きから反転したま
まの状態に保持される。したがって光磁気記録層（12）
においては、第３図Ｃに示すように、領域ＩとIIとでは
異る磁化の向きが形成されることになり、これによって
情報の記録がなされる。そして、今、領域IIにおけるよ
うに第３図Ａで示した初期の磁化方向を保持した部分を
記録部として見立てれば、領域Ｉにおいては情報の消去
部として見立てることになる。
磁性層によって構成するものについて説明する。そして
今、第３図Ａに示すように、光磁気記録媒体（10）が一
方向に垂直磁化された未記録状態なしいは無情報状態か
ら第３図Ｃに示すように、光磁気記録層（12）において
例えば領域Ｉと領域IIとで互いに逆向きの磁化を与える
ことによって情報記録を行う場合について説明すると、
この場合、領域Ｉにおいて前述した第１の高いパワーレ
ベルによる加熱、すなわち、例えば透明基板（11）側か
ら光磁気記録層（12）に対するレーザービームL.Bのフ
ォーカシングによって、記録層（12）に対し第２図Ｂに
示すように、この記録層（12）のキュリー点TCRの近傍
或いはそれ以上の第１の高温動作温度TRIとすると共
に、この高温加熱に引きずられてバイアス磁性層（14）
をこの磁性層（14）の補償点TcompBより高くそのキュリ
ー点TCBより低い第１の高温動作温度TBIに加熱する。こ
のようにすると、領域Ｉにおいて、バイアス磁性層（1
4）が補償的TcompB以上とされたことによって磁化の向
きが第３図Ｂに示すように反転する。そしてこの状態で
例えばレーザー光が遠去けられるかすると、層（12）〜
（14）は領域Ｉにおいて冷却されて光磁気記録層（12）
がその冷却によってキュリー点TCRに達する。この時バ
イアス磁性層（14）も冷却されるものの、この時点で、
バイアス磁性層（14）は、未だその補償点TcompB以上の
温度にあるようになされていて、領域Ｉにおいてこのバ
イアス磁性層（14）の磁化は、第３図Ｂに示すように、
第３図Ａの初期の状態から反転した向きにある。これが
ため、光磁気記録層（12）に発生する磁化は、バイアス
磁性層（14）との磁気的結合によって、領域Ｉにおい
て、第３図Ａの初期の状態から反転する。そして、この
状態で各層（12）〜（14）は領域Ｉにおいて室温TL迄冷
却され、バイアス磁性層（14）は、再び第２図Ａ中実線
曲線のTL近傍のすなわち補償点TcompBより低い温度とな
ることによって初期の磁化の向きになるが、この温度の
低下によって、光磁気記録層（12）は、第２図中破線曲
線で示すようにその保磁力Hcは高くなるのでバイアス磁
性層（14）の磁化の影響を受けにくくなり、これがた
め、光磁気記録層（12）は、第３図Ｃに示すように、領
域Ｉにおいて第３図Ａに示す磁化の向きから反転したま
まの状態に保持される。したがって光磁気記録層（12）
においては、第３図Ｃに示すように、領域ＩとIIとでは
異る磁化の向きが形成されることになり、これによって
情報の記録がなされる。そして、今、領域IIにおけるよ
うに第３図Ａで示した初期の磁化方向を保持した部分を
記録部として見立てれば、領域Ｉにおいては情報の消去
部として見立てることになる。
続いて、この第３図Ｃに示した情報の記録のなされた媒
体（10）に対してオーバーライトを行うことについ説明
する。この場合、第３図Ｄに示すように、例えば先の領
域Ｉの一部の領域IIIを記録部とし、先の領域Ｉ及びII
の各一部に亘る部分の領域IVを消去部として他の情報の
記録を行う場合について説明すると、この場合、領域II
I、すなわち、記録部においては、前述した第２のパワ
ーレベルでの加熱態様をとる。すなわち、領域IIIに、
例えば同様のレーザービームL.B.の照射によって、光磁
気記録層（12）については、そのキュリー点TCRより高
い温度とするが第２図Ｂに示すように、例えば前述した
第１の動作温度TRIに比し低い第２の動作温度TRIIとす
ることによってバイアス磁性層（14）に関しては、第２
図Ａに示すように、このバイアス磁性層（14）の補償点
TcompBよりは、低い温度TBIIとなるようにする。このよ
うにすれば、光磁気記録媒体層（12）においては、これ
がキュリー点TCR以上とされたことによって一旦磁化を
失うが、レーザー光が遠去けられるとかするとバイアス
磁性層（14）の磁化によってこれに追従してこれと同方
向に向けられる。一方、領域IVにおいては、前述した領
域Ｉに対して行った第１のパワーレベルによる動作を行
わしめる。このようにすれば、第３図Ｄ示すように第３
図Ｃとは異なるパターンの情報の記録に重ね書きによっ
て書き換えられる。
体（10）に対してオーバーライトを行うことについ説明
する。この場合、第３図Ｄに示すように、例えば先の領
域Ｉの一部の領域IIIを記録部とし、先の領域Ｉ及びII
の各一部に亘る部分の領域IVを消去部として他の情報の
記録を行う場合について説明すると、この場合、領域II
I、すなわち、記録部においては、前述した第２のパワ
ーレベルでの加熱態様をとる。すなわち、領域IIIに、
例えば同様のレーザービームL.B.の照射によって、光磁
気記録層（12）については、そのキュリー点TCRより高
い温度とするが第２図Ｂに示すように、例えば前述した
第１の動作温度TRIに比し低い第２の動作温度TRIIとす
ることによってバイアス磁性層（14）に関しては、第２
図Ａに示すように、このバイアス磁性層（14）の補償点
TcompBよりは、低い温度TBIIとなるようにする。このよ
うにすれば、光磁気記録媒体層（12）においては、これ
がキュリー点TCR以上とされたことによって一旦磁化を
失うが、レーザー光が遠去けられるとかするとバイアス
磁性層（14）の磁化によってこれに追従してこれと同方
向に向けられる。一方、領域IVにおいては、前述した領
域Ｉに対して行った第１のパワーレベルによる動作を行
わしめる。このようにすれば、第３図Ｄ示すように第３
図Ｃとは異なるパターンの情報の記録に重ね書きによっ
て書き換えられる。
尚、この光磁気記録媒体（10）からの情報の読み出し
は、同様に基板（11）側からのレーザー光照射によって
行い得るがこの場合レーザー光のパワーレベルは光磁気
記録層（12）においては、キュリー点TCR以下となり、
バイアス磁性層（14）においては補償点より低い温度と
なる程度のパワーに選定され、光磁気効果によってその
読み出しを行う。
は、同様に基板（11）側からのレーザー光照射によって
行い得るがこの場合レーザー光のパワーレベルは光磁気
記録層（12）においては、キュリー点TCR以下となり、
バイアス磁性層（14）においては補償点より低い温度と
なる程度のパワーに選定され、光磁気効果によってその
読み出しを行う。
尚、上述した説明は、光磁気記録層（12）が、動作温度
範囲で補償点が存在しない磁性層によって形成した場合
であるが、第４図Ｂで説明したように動作温度範囲内に
補償点TcompRを有する特性の磁性層とするときにおいて
も、前述したと同様の第１及び第２のパワーレベルによ
る記録、消去、オーバーライトを行うが、光磁気記録層
（12）の磁化の方向は、そのキュリー点TCR以下で、且
つその補償点TcompR以上のところで決定されるので問題
は生じない。何故なら、補償点TcompRに近い温度領域で
は、保磁力Hcは、第４図Ｂに示すように、大きくなり、
バイアス磁性層（14）からの磁気的な影響を受けなくな
るからである。しかしこの場合は、前述した光磁気記録
層（12）及びバイアス磁性層（14）における各記録部と
消去部との磁化の関係は、逆の関係となる。
範囲で補償点が存在しない磁性層によって形成した場合
であるが、第４図Ｂで説明したように動作温度範囲内に
補償点TcompRを有する特性の磁性層とするときにおいて
も、前述したと同様の第１及び第２のパワーレベルによ
る記録、消去、オーバーライトを行うが、光磁気記録層
（12）の磁化の方向は、そのキュリー点TCR以下で、且
つその補償点TcompR以上のところで決定されるので問題
は生じない。何故なら、補償点TcompRに近い温度領域で
は、保磁力Hcは、第４図Ｂに示すように、大きくなり、
バイアス磁性層（14）からの磁気的な影響を受けなくな
るからである。しかしこの場合は、前述した光磁気記録
層（12）及びバイアス磁性層（14）における各記録部と
消去部との磁化の関係は、逆の関係となる。
尚、光磁気記録層（12）の前述した温度TRIIは、この光
磁気記録層（12）の保磁力Hcがそのキュリー点近傍ない
しはこれ以下で小さくなり、バイアス磁性層（14）から
の磁界によって反転する場合には、TRIIはTCR以下であ
っても良い。非磁性層（13）は、光磁気記録層（12）と
バイアス磁性層（14）の交換結合がしないような膜であ
れば良く、これがため２〜３原子層離れているだけでも
良い。したがって、この非磁性層（13）は例えば光磁気
記録層（12）の表面酸化物層によるものであっても良
い。また、理論的にはほんの僅かな断熱効果があれば良
い。しかしながら、光磁気記録層（12）及びバイアス磁
性層（14）それぞれ独立に、光磁気記録媒体（10）の両
面から例えばレーザービーム照射を行って記録の書き込
み、重み書き等を行うときは、例えば非磁性層（13）に
よって光磁気記録層（12）とバイアス磁性層（14）との
断熱及び照射ビームの遮断を行うようにし、更にこの場
合は第２図及び第４図で説明したような光磁気記録層
（12）とバイアス磁性層（14）との相互の温度特性の制
約を必要としなくなることは云うまでもないところであ
る。
磁気記録層（12）の保磁力Hcがそのキュリー点近傍ない
しはこれ以下で小さくなり、バイアス磁性層（14）から
の磁界によって反転する場合には、TRIIはTCR以下であ
っても良い。非磁性層（13）は、光磁気記録層（12）と
バイアス磁性層（14）の交換結合がしないような膜であ
れば良く、これがため２〜３原子層離れているだけでも
良い。したがって、この非磁性層（13）は例えば光磁気
記録層（12）の表面酸化物層によるものであっても良
い。また、理論的にはほんの僅かな断熱効果があれば良
い。しかしながら、光磁気記録層（12）及びバイアス磁
性層（14）それぞれ独立に、光磁気記録媒体（10）の両
面から例えばレーザービーム照射を行って記録の書き込
み、重み書き等を行うときは、例えば非磁性層（13）に
よって光磁気記録層（12）とバイアス磁性層（14）との
断熱及び照射ビームの遮断を行うようにし、更にこの場
合は第２図及び第４図で説明したような光磁気記録層
（12）とバイアス磁性層（14）との相互の温度特性の制
約を必要としなくなることは云うまでもないところであ
る。
本発明方式に要いる光磁気記録媒体の例を説明するに、
透明基板（11）は、ガラス基板、或いはポリカーボネー
ト等の樹脂板より構成する。この基板（11）の１主面に
は必要に応じてトラッキングをとるための溝を図示しな
いが形成する。そして、この主面に光磁気記録層（12）
は、例えばTb21（Fe95Co5）79の300〜800Å、例えば500
Åの厚さの磁性層によって構成する。
透明基板（11）は、ガラス基板、或いはポリカーボネー
ト等の樹脂板より構成する。この基板（11）の１主面に
は必要に応じてトラッキングをとるための溝を図示しな
いが形成する。そして、この主面に光磁気記録層（12）
は、例えばTb21（Fe95Co5）79の300〜800Å、例えば500
Åの厚さの磁性層によって構成する。
また、非磁性層（13）は、SiO2,Si3N4,ZnS,希土類酸化
物、イットリア（Y2O3），アルミナ（Al2O3）等によっ
て構成し、これをSi3N4層によって構成するときは、100
〜400Åの厚さ例えば200Åの厚さとする。
物、イットリア（Y2O3），アルミナ（Al2O3）等によっ
て構成し、これをSi3N4層によって構成するときは、100
〜400Åの厚さ例えば200Åの厚さとする。
また、バイアス磁性層（14）は、例えばTb21.8Co78.2よ
り成り、その厚さが250〜1800Å、例えは800Åとする。
り成り、その厚さが250〜1800Å、例えは800Åとする。
更に、保護層（15）としては、Si3N4,ZnS,SiO等によっ
て構成し得る。
て構成し得る。
尚、非磁性層（13）の厚さと、バイアス磁性層（14）の
磁気的温度特性、すなわち組成と、その厚さは、バイア
ス磁性層（14）の動作温度及び記録層に働く有効磁界が
決定されるものであり、この有効磁界に対して光磁気記
録層（12）で記録される磁化が追従されるためには、光
磁気記録層（12）の温度特性も重要なパラメータとな
る。また、この光磁気記録層（12）に与えられる磁気的
エネルギー、すなわちバイアス磁性層（14）の磁化Ms
や、上述の有効磁界によって光磁気記録層（12）の磁化
の方向が決められることから、上述の有効磁界が小さい
ときは光磁気記録層（12）の厚さは大とするなどの対処
がとられる。
磁気的温度特性、すなわち組成と、その厚さは、バイア
ス磁性層（14）の動作温度及び記録層に働く有効磁界が
決定されるものであり、この有効磁界に対して光磁気記
録層（12）で記録される磁化が追従されるためには、光
磁気記録層（12）の温度特性も重要なパラメータとな
る。また、この光磁気記録層（12）に与えられる磁気的
エネルギー、すなわちバイアス磁性層（14）の磁化Ms
や、上述の有効磁界によって光磁気記録層（12）の磁化
の方向が決められることから、上述の有効磁界が小さい
ときは光磁気記録層（12）の厚さは大とするなどの対処
がとられる。
尚、第５図は保磁力Hcの温度特性の実測値で、白丸印
は、バイアス磁性層（14）としてのTb21.8Co78.2、黒丸
印は光磁気記録層（12）としてのTb21（Fe95Co5）79の
それである。
は、バイアス磁性層（14）としてのTb21.8Co78.2、黒丸
印は光磁気記録層（12）としてのTb21（Fe95Co5）79の
それである。
尚、上述したところは、バイアス磁性層（14）の磁化の
切り換えを、したがって記録、消去書き換え（オーバラ
イト）をレーザービームで行った場合であるが、電子ビ
ーム照射等の加熱によることもできる。
切り換えを、したがって記録、消去書き換え（オーバラ
イト）をレーザービームで行った場合であるが、電子ビ
ーム照射等の加熱によることもできる。
更に、第１図における光磁気記録層（12）と基板（11）
との間に保護層を介在させ、各層（12）〜（13）を挾む
各保護層の厚さ、材料選定等による熱拡散も考慮して温
度上昇、冷却の時間的な変化も制御することができる。
との間に保護層を介在させ、各層（12）〜（13）を挾む
各保護層の厚さ、材料選定等による熱拡散も考慮して温
度上昇、冷却の時間的な変化も制御することができる。
上述したところから明らかなように本発明方法によれ
ば、オーバーライトが可能であり、更に何ら永久磁石、
コイル等の外部磁界発生手段を設けることなく、光磁気
記録媒体（10）に対する例えばレーザー光照射による選
択的加熱のパワーの選定のみで、光磁気記録層（12）に
対するバイアス磁界の切り換えを行って、記録、消去等
を行うことができること、媒体（10）自体にバイアス磁
性層（14）によるバイアス磁界の付与手段が光磁気記録
層（12）の至近位置に配置されているスペーシングロス
が極めて小さいことなどから、これら情報の記録、消
去、再記録等を行うための消費電力を激減させることが
できる。また、装置の簡略化、スイッチング速度の高速
化、分解能の向上等、極めて多くの且つ重要な利点をも
たらし、実用に供してその利益は極めて大である。そし
て、仮にバイアス磁性層（14）から光磁気記録層（12）
に与える磁界を助成する外部磁界発生手段を設けるとし
ても、この磁界発生手段は冒頭に述べた従来の外部磁界
発生手段に比して格段に小さい磁界で良いことから、小
型軽量化、消費電力の低減化、発熱の低減化等をはかる
ことができるという利益がある。
ば、オーバーライトが可能であり、更に何ら永久磁石、
コイル等の外部磁界発生手段を設けることなく、光磁気
記録媒体（10）に対する例えばレーザー光照射による選
択的加熱のパワーの選定のみで、光磁気記録層（12）に
対するバイアス磁界の切り換えを行って、記録、消去等
を行うことができること、媒体（10）自体にバイアス磁
性層（14）によるバイアス磁界の付与手段が光磁気記録
層（12）の至近位置に配置されているスペーシングロス
が極めて小さいことなどから、これら情報の記録、消
去、再記録等を行うための消費電力を激減させることが
できる。また、装置の簡略化、スイッチング速度の高速
化、分解能の向上等、極めて多くの且つ重要な利点をも
たらし、実用に供してその利益は極めて大である。そし
て、仮にバイアス磁性層（14）から光磁気記録層（12）
に与える磁界を助成する外部磁界発生手段を設けるとし
ても、この磁界発生手段は冒頭に述べた従来の外部磁界
発生手段に比して格段に小さい磁界で良いことから、小
型軽量化、消費電力の低減化、発熱の低減化等をはかる
ことができるという利益がある。
第１図は本発明方法に用いる光磁気記録媒体の断面図、
第２図及び第４図の各Ａ及びＢは夫々本発明方法の説明
に供する磁気的特性の温度特性曲線図、第３図Ａ〜Ｄは
本発明方法の動作の説明に供する磁化状態を示す図、第
５図は本発明の一例の磁気的特性の温度特性曲線図、第
６図は従来の光磁気記録媒体の断面構造図、第７図はそ
の磁化状態の説明図、第８図は消去状態における磁化状
態を示す図、第９図は記録状態における磁化状態を示す
図、第10図は浮遊磁界発生の説明図である。 （11）は透明基板、（12）は光磁気記録層、（13）は非
磁性層、（14）はバイアス磁性層、（15）は保護層であ
る。
第２図及び第４図の各Ａ及びＢは夫々本発明方法の説明
に供する磁気的特性の温度特性曲線図、第３図Ａ〜Ｄは
本発明方法の動作の説明に供する磁化状態を示す図、第
５図は本発明の一例の磁気的特性の温度特性曲線図、第
６図は従来の光磁気記録媒体の断面構造図、第７図はそ
の磁化状態の説明図、第８図は消去状態における磁化状
態を示す図、第９図は記録状態における磁化状態を示す
図、第10図は浮遊磁界発生の説明図である。 （11）は透明基板、（12）は光磁気記録層、（13）は非
磁性層、（14）はバイアス磁性層、（15）は保護層であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−80846（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−80847（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−175948（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】それぞれ垂直磁化膜による光磁気記録層
と、バイアス磁性層と、 これら光磁気記録層とバイアス磁性層との間に介在され
る所定の断熱性を有する非磁性層とが積層されて成る光
磁気記録媒体に対して、 上記光磁気記録層をそのキュリー点近傍或いはそれ以上
に加熱すると同時に、上記バイアス磁性層をその補償点
を超える温度に加熱する加熱態様をとる第１の加熱パワ
ーレベルと、 上記光磁気記録層をそのキュリー点近傍或いはそれ以上
とすると同時に上記バイアス磁性層をその補償点に至る
ことのない温度に加熱する加熱態様をとる第２の加熱パ
ワーレベルとにより、 上記バイアス磁性層によりバイアス磁界を付与して上記
光磁気記録層への情報の書き込み、重ね書き及び消去を
行うことを特徴とする光磁気記録方法。
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|---|---|---|---|---|
| US5239524A (en) * | 1985-06-11 | 1993-08-24 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
| US4882718A (en) * | 1986-03-07 | 1989-11-21 | Movid Information Technology, Inc. | Single-head, direct overwrite magneto-optic system and method |
| JP2607476B2 (ja) * | 1986-05-16 | 1997-05-07 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録方法 |
| US4807204A (en) * | 1986-07-07 | 1989-02-21 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium having pairs of mutually corresponding recording segments, and apparatus for recording information on the medium |
| ATE172047T1 (de) * | 1986-07-08 | 1998-10-15 | Canon Kk | Magnetoptisches aufzeichnungsmedium mit der möglichkeit des überschreibens mit zwei oder mehr magnetschichten und dieses medium verwendende aufzeichnungsmethode |
| US6028824A (en) * | 1986-07-08 | 2000-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers |
| EP0838814B1 (en) * | 1986-07-08 | 2002-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US5014252A (en) * | 1986-10-08 | 1991-05-07 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method using two beams, and magnetooptical recording apparatus therefor |
| JPS63131355A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録装置におけるオ−バ−ライト記録装置 |
| US5265073A (en) * | 1987-03-13 | 1993-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same |
| JPS647327A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-11 | Casio Computer Co Ltd | Method and apparatus for optical information recording |
| JPS63249951A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録情報担体 |
| JPS63249953A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録再生装置 |
| JPS6452223A (en) * | 1987-05-14 | 1989-02-28 | Nippon Telegraph & Telephone | Magnetic card |
| JP2754537B2 (ja) * | 1987-05-18 | 1998-05-20 | 株式会社ニコン | 光磁気記録媒体並びにそれを使用したビット形成方法 |
| JPS63291237A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録再生用情報担体装置 |
| US5187694A (en) * | 1987-08-21 | 1993-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and thermal bias layer, and method for recording, erasing and overwriting on the medium |
| JP2828993B2 (ja) * | 1987-08-21 | 1998-11-25 | 株式会社東芝 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた情報記録方法 |
| JP2642639B2 (ja) * | 1987-09-14 | 1997-08-20 | オリンパス光学工業株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JPH0786984B2 (ja) * | 1987-12-08 | 1995-09-20 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録装置 |
| US4970711A (en) * | 1988-02-05 | 1990-11-13 | Tandy Corporation | Bulk eraser for optical memory media |
| US5210724A (en) * | 1988-03-07 | 1993-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optomagnetic recording method and apparatus which precludes an interface magnetic wall within block magnetic wall |
| US4893910A (en) * | 1988-03-16 | 1990-01-16 | Hewlett-Packard Company | Magneto-optical recording system having medium with domainless control layer |
| NL8801327A (nl) * | 1988-05-24 | 1989-12-18 | Philips Nv | Methode voor het optisch aftasten van een informatievlak en optische registratiedragers en aftastinrichtingen geschikt voor toepassing van de methode. |
| US4965784A (en) * | 1988-05-31 | 1990-10-23 | Sandia Corporation | Method and apparatus for bistable optical information storage for erasable optical disks |
| EP0348198A3 (en) * | 1988-06-23 | 1991-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of magneto-optically recording and erasing information and magneto-optical information storage medium for carrying out the method |
| CA1326547C (en) * | 1988-07-13 | 1994-01-25 | Masahiko Kaneko | Thermomagnetic recording method |
| US5175714A (en) * | 1988-09-30 | 1992-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of magneto-optically recording/erasing information and magneto-optical information storage medium including recording and bias layers satisfying certain conditions |
| JPH0296957A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体の消去記録方法 |
| DE3904611A1 (de) * | 1989-02-16 | 1990-08-23 | Hoechst Ag | Magnetooptische schicht und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5142513A (en) * | 1989-04-20 | 1992-08-25 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optical storage medium and magneto-optical overwrite system with magnetic characteristic change by variation of thermal condition for recording information |
| US5087532A (en) * | 1989-08-01 | 1992-02-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Direct-overwrite magneto-optic media |
| JPH0395745A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-22 | Canon Inc | 光磁気記録方法及び記録装置 |
| JP2575511B2 (ja) * | 1989-12-08 | 1997-01-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 光磁気記録方法及び装置 |
| JPH056590A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Toshiba Corp | 光磁気記録装置 |
| JPH0536141A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sony Corp | 光磁気記録装置 |
| JP3159742B2 (ja) * | 1991-10-07 | 2001-04-23 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録再生方法 |
| DE4137427C1 (ja) * | 1991-11-14 | 1993-01-14 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De | |
| JPH07110971A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Pioneer Electron Corp | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体記録装置及び光磁気記録媒体再生装置 |
| US5463578A (en) * | 1994-09-22 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Magneto-optic memory allowing direct overwrite of data |
| WO2000079540A1 (en) | 1999-06-18 | 2000-12-28 | Nve Corporation | Magnetic memory coincident thermal pulse data storage |
| US7075163B2 (en) * | 2000-04-04 | 2006-07-11 | Nec Tokin Corporation | Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
| FR2829867B1 (fr) * | 2001-09-20 | 2003-12-19 | Centre Nat Rech Scient | Memoire magnetique a selection a l'ecriture par inhibition et procede pour son ecriture |
| WO2004032145A2 (en) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Programmable magnetic memory device |
| US7023723B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-04-04 | Nve Corporation | Magnetic memory layers thermal pulse transitions |
| EP1639656B1 (en) * | 2003-06-23 | 2019-06-12 | NVE Corporation | Thermally operated ferromagnetic memory cell |
| US7148531B2 (en) * | 2004-04-29 | 2006-12-12 | Nve Corporation | Magnetoresistive memory SOI cell |
| WO2006044244A2 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Nve Corporataion | Thermomagnetically assisted spin-momentum-transfer switching memory |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984002603A1 (fr) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Sony Corp | Procede d'enregistrement/reproduction optique thermomagnetique |
| US4719594A (en) * | 1984-11-01 | 1988-01-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Grooved optical data storage device including a chalcogenide memory layer |
| US4653024A (en) * | 1984-11-21 | 1987-03-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device including a phase changeable material |
| US4794560A (en) * | 1985-09-30 | 1988-12-27 | International Business Machines Corporation | Eraseable self biasing thermal magneto-optic medium |
| US4694358A (en) * | 1985-10-28 | 1987-09-15 | Kerdix, Inc. | Magneto-optic recording structure and method |
-
1985
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