JPH0697576B2 - 電子装置用の可撓性支持ケーブル及びその製造方法 - Google Patents
電子装置用の可撓性支持ケーブル及びその製造方法Info
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- H05K2201/09472—Recessed pad for surface mounting; Recessed electrode of component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
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- H05K2203/107—Using laser light
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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-
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は処理装置に使用される磁気ヘッドとディスク駆
動機構の間に電気的接続をもたらすケーブルに関する。
動機構の間に電気的接続をもたらすケーブルに関する。
詳細にいえば、本発明はディスク駆動機構と、磁気ヘッ
ドに接続される、たとえばセラミック・モジュールを有
する比較的太いフレックス・ケーブルの間の位置のため
の比較的薄い、可撓性支持ケーブルに関する。本発明の
比較的薄い、可撓性ケーブルは、磁気ヘッドをディスク
駆動機構に比較的近接して配置できると同時に、使用時
のディスクの回転によるヘッドに対する損害の可能性を
防止できる。
ドに接続される、たとえばセラミック・モジュールを有
する比較的太いフレックス・ケーブルの間の位置のため
の比較的薄い、可撓性支持ケーブルに関する。本発明の
比較的薄い、可撓性ケーブルは、磁気ヘッドをディスク
駆動機構に比較的近接して配置できると同時に、使用時
のディスクの回転によるヘッドに対する損害の可能性を
防止できる。
さらに、本発明は可撓性支持ケーブルの製造方法に関す
る。
る。
B.従来の技術 磁気媒体上におけるデータの記憶及び検索においては、
磁気ヘッドを使用して、処理装置に使用されるディスク
駆動機構との信号の送受信を行なっている。ヘッドと、
たとえばセラミック・モジュールを備えた比較的太い
（厚い）フレックス・ケーブルとの間に電気的接続を行
なうために、磁気ヘッドを構造体で支持する。現在、こ
の支持及び接続手段は、ステンレス・スチールの条片と
ツイスト・ワイヤの構成によって与えられている。磁気
ヘッドをディスク駆動機構に比較的近接して配置し、こ
れによって回転時のディスクの損傷を防止できるように
するには、この構造は太い（厚い）フレックス・ケーブ
ルに比較して、比較的細く（薄く）しなければならな
い。
磁気ヘッドを使用して、処理装置に使用されるディスク
駆動機構との信号の送受信を行なっている。ヘッドと、
たとえばセラミック・モジュールを備えた比較的太い
（厚い）フレックス・ケーブルとの間に電気的接続を行
なうために、磁気ヘッドを構造体で支持する。現在、こ
の支持及び接続手段は、ステンレス・スチールの条片と
ツイスト・ワイヤの構成によって与えられている。磁気
ヘッドをディスク駆動機構に比較的近接して配置し、こ
れによって回転時のディスクの損傷を防止できるように
するには、この構造は太い（厚い）フレックス・ケーブ
ルに比較して、比較的細く（薄く）しなければならな
い。
したがって、アームが大きく内外へ運動するように接続
される比較的太い（厚い）フレックス・ケーブルと異な
り、比較的薄く可撓性の支持ケーブルは比較的デリケー
トなケーブルであり、比較的微調整された運動をもたら
さなければならない。
される比較的太い（厚い）フレックス・ケーブルと異な
り、比較的薄く可撓性の支持ケーブルは比較的デリケー
トなケーブルであり、比較的微調整された運動をもたら
さなければならない。
ツイスト・ワイヤを用いる必要があるため、従来の可撓
性支持ケーブルは比較的かさばるものであり、このこと
は即ち、これを用いて作動できる回路の数を制限する。
性支持ケーブルは比較的かさばるものであり、このこと
は即ち、これを用いて作動できる回路の数を制限する。
C.発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、低コストで、かつ高い信頼性で比較的
大量に製造できる、薄い、可撓性の支持ケーブルを提供
することである。
大量に製造できる、薄い、可撓性の支持ケーブルを提供
することである。
本発明の他の目的は、ツイスト・ワイヤの必要性を排除
することである。
することである。
D.課題を解決するための手段 本発明は低コストで、かつ高い信頼性で比較的大量に製
造できるとともに、ツイスト・ワイヤの必要性を排除す
る、薄い、可撓性支持ケーブルに関する。このことは、
即ち、ケーブルのかさが大幅に減少するため、従来技術
に比較して、本発明の可撓性ケーブルを用いて制御でき
る回路数を増やすことができる。
造できるとともに、ツイスト・ワイヤの必要性を排除す
る、薄い、可撓性支持ケーブルに関する。このことは、
即ち、ケーブルのかさが大幅に減少するため、従来技術
に比較して、本発明の可撓性ケーブルを用いて制御でき
る回路数を増やすことができる。
さらに、本発明は従来技術のケーブルに比較して優れた
機械的特性を有する可撓性ケーブルを提供する。
機械的特性を有する可撓性ケーブルを提供する。
本発明は可撓性支持ケーブルに関するものであり、これ
は比較的薄く（細く）、両面接着パッドを有しており、
力を受けた場合にたわむが、力を除去すると、平衡状態
に戻るに充分な可撓性のものである。さらに、本発明の
可撓性支持ケーブルは、電気的及び機械的アクセスを容
易とする。
は比較的薄く（細く）、両面接着パッドを有しており、
力を受けた場合にたわむが、力を除去すると、平衡状態
に戻るに充分な可撓性のものである。さらに、本発明の
可撓性支持ケーブルは、電気的及び機械的アクセスを容
易とする。
詳細にいえば、本発明の可撓性支持ケーブルは選択され
た部分に、ポリマーの層を有するスチール・フォイル基
板からなっている。ポリマー層上の所定の位置に、導電
性の回路パッドが設けられる。回路パッド下方のスチー
ル・フォイル基板及びポリマー層にバイア（開口）が設
けられ、表面のパッドの各々の底面を露出させ、これら
がはんだ付けによって接続できるようにする。
た部分に、ポリマーの層を有するスチール・フォイル基
板からなっている。ポリマー層上の所定の位置に、導電
性の回路パッドが設けられる。回路パッド下方のスチー
ル・フォイル基板及びポリマー層にバイア（開口）が設
けられ、表面のパッドの各々の底面を露出させ、これら
がはんだ付けによって接続できるようにする。
回路パッドの頂面から、回路線が延びている。回路線の
端部を含む、一部の下方には、スチール・フォイル基板
のない第１ウィンドウがある。第１ウィンドウよりも小
さく、スチール・フォイル基板とポリマー層のない第２
ウィンドウが、回路線の部分の下方に設けられる。
端部を含む、一部の下方には、スチール・フォイル基板
のない第１ウィンドウがある。第１ウィンドウよりも小
さく、スチール・フォイル基板とポリマー層のない第２
ウィンドウが、回路線の部分の下方に設けられる。
本発明は上記の可撓性支持ケーブルの形成方法にも関す
る。この方法はポリマー材料の層を、可撓性スチール・
フォイル基板の主要面の少なくとも１つに貼付すること
からなる。導電層を、ポリマー材料の層の頂部に設け
る。導電層をパターニングし、回路パッド及び回路パッ
ド頂面から延びる回路線を設ける。スチール・フォイル
基板をパターニングし、スチール・フォイル基板にバイ
ア（開口）を設け、回路パッドの底面を露出させる。ス
チール・フォイル基板をパターニングし、スチール・フ
ォイルのない第１ウィンドウを、回路線の端部を含む一
部の下方に設ける。ポリマー材料の層をパターニング
し、スチール・フォイル基板のバイア（開口）と関連し
て、回路パッドの底面を露出させるバイアを層内に設け
る。パターンをポリマー材料の層にエッチし、回路線の
下方に第２ウィンドウを設ける。第２ウィンドウは第１
ウィンドウよりも小さく、これにもスチール・フォイル
基板がないので、回路線の下面が露出する。
る。この方法はポリマー材料の層を、可撓性スチール・
フォイル基板の主要面の少なくとも１つに貼付すること
からなる。導電層を、ポリマー材料の層の頂部に設け
る。導電層をパターニングし、回路パッド及び回路パッ
ド頂面から延びる回路線を設ける。スチール・フォイル
基板をパターニングし、スチール・フォイル基板にバイ
ア（開口）を設け、回路パッドの底面を露出させる。ス
チール・フォイル基板をパターニングし、スチール・フ
ォイルのない第１ウィンドウを、回路線の端部を含む一
部の下方に設ける。ポリマー材料の層をパターニング
し、スチール・フォイル基板のバイア（開口）と関連し
て、回路パッドの底面を露出させるバイアを層内に設け
る。パターンをポリマー材料の層にエッチし、回路線の
下方に第２ウィンドウを設ける。第２ウィンドウは第１
ウィンドウよりも小さく、これにもスチール・フォイル
基板がないので、回路線の下面が露出する。
E.実施例 本発明によれば、ステンレス・スチール・フォイルが可
撓性支持ケーブルの基板として用いられる。ステンレス
・スチール・フォイルは必要な可撓性とバネ作用をもた
らす。これは耐腐食性ももたらす。通常、ステンレス・
スチール・フォイルの厚さは約1.5ミルないし２ミル
（0.0381mmないし0.0508mm）である。ポリマー材料の層
を、ステンレス・スチール・フォイルの主要面の１つの
頂部に設ける。ポリマー材料はポリイミドであることが
好ましい。層は一般に、厚さが約２ミクロンないし約30
ミクロン、好ましくは約５ミクロンないし約10ミクロン
であり、スチール・フォイルを以降に貼付される導電性
回路パッド及び回路線から電気的に絶縁するために設け
られる。
撓性支持ケーブルの基板として用いられる。ステンレス
・スチール・フォイルは必要な可撓性とバネ作用をもた
らす。これは耐腐食性ももたらす。通常、ステンレス・
スチール・フォイルの厚さは約1.5ミルないし２ミル
（0.0381mmないし0.0508mm）である。ポリマー材料の層
を、ステンレス・スチール・フォイルの主要面の１つの
頂部に設ける。ポリマー材料はポリイミドであることが
好ましい。層は一般に、厚さが約２ミクロンないし約30
ミクロン、好ましくは約５ミクロンないし約10ミクロン
であり、スチール・フォイルを以降に貼付される導電性
回路パッド及び回路線から電気的に絶縁するために設け
られる。
所定の箇所にあるポリマー材料の層の頂面には、導電性
回路パッドがある。本発明の好ましい態様において、導
電性回路パッドはクロムの層、銅の層を含んでおり、こ
れにさらにクロムの層が設けられる。クロムはポリマー
層と銅の間の接着を行なうために設けられたものであ
り、第２のクロムの層は、加工中の銅の酸化を防止する
ために一時的に設けられる。第１のクロム層の厚さは通
常、約400Åないし約800Åであり、銅の厚さは通常、約
50kÅないし100kÅであり、かつ第２のクロム層の厚さ
は、これを用いた場合、通常、約400Åないし約800Åで
ある。
回路パッドがある。本発明の好ましい態様において、導
電性回路パッドはクロムの層、銅の層を含んでおり、こ
れにさらにクロムの層が設けられる。クロムはポリマー
層と銅の間の接着を行なうために設けられたものであ
り、第２のクロムの層は、加工中の銅の酸化を防止する
ために一時的に設けられる。第１のクロム層の厚さは通
常、約400Åないし約800Åであり、銅の厚さは通常、約
50kÅないし100kÅであり、かつ第２のクロム層の厚さ
は、これを用いた場合、通常、約400Åないし約800Åで
ある。
回路パッドの底面を露出させ、これらをはんだ付けでき
るようにするために、導電性回路パッドの下方のスチー
ル・フォイル基板とポリマー材料の層の中にバイアを設
ける。
るようにするために、導電性回路パッドの下方のスチー
ル・フォイル基板とポリマー材料の層の中にバイアを設
ける。
回路線はパッドの頂面から延びており、かつ回路パッド
と同じ金属層から得られる。
と同じ金属層から得られる。
ステンレス・スチール・フォイルのない第１ウィンドウ
が、回路線の端部を含む一部の下方に設けられる。第１
ウィンドウよりも小さく、ステンレス・スチール・フォ
イル及びポリマー材料の層の両方がない第２ウィンドウ
が回路線の一部の下方、好ましくは、回路線を以降の電
気的接続のために、周囲大気に対して完全に露出させる
ように、回路線の端部の近傍に設けられる。
が、回路線の端部を含む一部の下方に設けられる。第１
ウィンドウよりも小さく、ステンレス・スチール・フォ
イル及びポリマー材料の層の両方がない第２ウィンドウ
が回路線の一部の下方、好ましくは、回路線を以降の電
気的接続のために、周囲大気に対して完全に露出させる
ように、回路線の端部の近傍に設けられる。
第１図には、本発明による可撓性支持ケーブルの一例の
略図が示されており、所望により、これ以外の形を採る
こともできる。第２図は、第１図の線Ａ−Ａ′について
の断面図で、図面において同一部分は同一参照符号で示
してある。詳細にいえば、参照数字（１、２）はステン
レス・スチール・フォイル及びポリマー材料の複合体を
表す。参照数字（３）は導電性回路パッドを表す。破線
（４）はバイアをもたらすため、回路パッドの下方から
除去される材料を表す。参照数字（５）は導電性回路線
を表す。破線（６）は回路線の下方において除去される
ステンレス・スチール材料の第１ウィンドウを表す。参
照数字（７）は、第２の小さいウィンドウを形成し、回
路線の底面を露出させるために、回路線の下方において
除去されたポリマー材料を示す。ステンレス・スチール
材料を除去して第１ウィンドウを設けるのは、ポリマー
絶縁層が存在していても発生するおそれのある、回路線
とステンレス・スチールの間の通電の可能性を防止する
ためである。
略図が示されており、所望により、これ以外の形を採る
こともできる。第２図は、第１図の線Ａ−Ａ′について
の断面図で、図面において同一部分は同一参照符号で示
してある。詳細にいえば、参照数字（１、２）はステン
レス・スチール・フォイル及びポリマー材料の複合体を
表す。参照数字（３）は導電性回路パッドを表す。破線
（４）はバイアをもたらすため、回路パッドの下方から
除去される材料を表す。参照数字（５）は導電性回路線
を表す。破線（６）は回路線の下方において除去される
ステンレス・スチール材料の第１ウィンドウを表す。参
照数字（７）は、第２の小さいウィンドウを形成し、回
路線の底面を露出させるために、回路線の下方において
除去されたポリマー材料を示す。ステンレス・スチール
材料を除去して第１ウィンドウを設けるのは、ポリマー
絶縁層が存在していても発生するおそれのある、回路線
とステンレス・スチールの間の通電の可能性を防止する
ためである。
本発明の可撓性支持ケーブルは、さまざまな方法及び加
工ステップによって製造できるものであって、そのいく
つかを以下で検討する。
工ステップによって製造できるものであって、そのいく
つかを以下で検討する。
ステンレス・スチール・フォイルはスポット溶接によっ
て、チタンのウィンドウ・フレームに接続されるが、こ
れはステンレス・スチール・フォイルの単一のシートか
ら、多数の独立したケーブルを作成するのを容易とする
ために使用される。チタンは以降で用いられる化学エッ
チ液に対する耐性を有している。チタン・フレームの典
型的な大きさは、約44mmである。典型的なステンレス・
スチールは厚さ約0.0015″ないし0.002″の応力除去ス
テンレス・スチールである。
て、チタンのウィンドウ・フレームに接続されるが、こ
れはステンレス・スチール・フォイルの単一のシートか
ら、多数の独立したケーブルを作成するのを容易とする
ために使用される。チタンは以降で用いられる化学エッ
チ液に対する耐性を有している。チタン・フレームの典
型的な大きさは、約44mmである。典型的なステンレス・
スチールは厚さ約0.0015″ないし0.002″の応力除去ス
テンレス・スチールである。
次いで、ポリマー・コーティングがスプレイなどによっ
て、ステンレス・スチール・フォイルに塗布される。ポ
リマー・コーティングは好ましくは熱硬化性ポリマー、
もっとも好ましくはポリイミドである。ポリイミドはポ
リイミドの前駆体の溶液、またはKapton(R)などの化学
的に硬化されたポリイミドの溶液で塗布できる。
て、ステンレス・スチール・フォイルに塗布される。ポ
リマー・コーティングは好ましくは熱硬化性ポリマー、
もっとも好ましくはポリイミドである。ポリイミドはポ
リイミドの前駆体の溶液、またはKapton(R)などの化学
的に硬化されたポリイミドの溶液で塗布できる。
本発明によって採用できるポリイミドは非修飾ポリイミ
ド、ならびにポリエステルイミド、ポリアミドイミドエ
ステル、ポリアミドイミド、ポリシロキサンイミドなど
の修飾ポリイミド、ならびにその他の混合ポリイミドを
含む。
ド、ならびにポリエステルイミド、ポリアミドイミドエ
ステル、ポリアミドイミド、ポリシロキサンイミドなど
の修飾ポリイミド、ならびにその他の混合ポリイミドを
含む。
これらは従来技術において公知のものであるから、詳細
に説明する必要はない。
に説明する必要はない。
一般に、ポリイミドは次の反復単位を含んでいる。
ただし、ｎは通常約10,000ないし約100,000の分子量を
もたらす反復単位の数を表す整数である。Ｒは以下のも
のからなる群から選択した少なくとも１つの四価の有機
基である。
もたらす反復単位の数を表す整数である。Ｒは以下のも
のからなる群から選択した少なくとも１つの四価の有機
基である。
R2は１ないし４個の炭素原子ならびにカルボニル基、オ
キシ基、スルホ基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基
及びスルホニル基を有する脂肪族炭化水素基であり、R1
は次のものからなる群から選択された少なくとも１つの
二価の基である。
キシ基、スルホ基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基
及びスルホニル基を有する脂肪族炭化水素基であり、R1
は次のものからなる群から選択された少なくとも１つの
二価の基である。
R3はR2、シリコ基、及びアミノ基からなる群から選択さ
れた二価の有機基である。２つ以上のＲ基またはR1基あ
るいはその両方、特にアミド基を含む複数の系列のR1を
含むポリマーを使用できる。
れた二価の有機基である。２つ以上のＲ基またはR1基あ
るいはその両方、特にアミド基を含む複数の系列のR1を
含むポリマーを使用できる。
市販されているポリイミド前駆体（ポリアミン酸）は特
に、デュポン社の、Pyralin(R)という商品名で入手でき
る各種のポリイミド前駆体である。このポリイミド前駆
体には、デュポン社のPI−2555(R)、PI−2545(R)、RI−
2560(R)、PI−5878(R)、PIH−61454(R)、及びPI−2540
(R)という商品名で入手できるPyralin(R)ポリイミド前
駆体を含む、多くのグレードがある。これらはすべて、
二無水ピロメリト酸−オキシジアナリン（PMDA−ODA）
ポリイミド前駆体である。
に、デュポン社の、Pyralin(R)という商品名で入手でき
る各種のポリイミド前駆体である。このポリイミド前駆
体には、デュポン社のPI−2555(R)、PI−2545(R)、RI−
2560(R)、PI−5878(R)、PIH−61454(R)、及びPI−2540
(R)という商品名で入手できるPyralin(R)ポリイミド前
駆体を含む、多くのグレードがある。これらはすべて、
二無水ピロメリト酸−オキシジアナリン（PMDA−ODA）
ポリイミド前駆体である。
市販の化学的に硬化されたポリイミドには、デュポン者
の、Ｈ−Kapton(R)、Ｖ−Kapton(R)、HN−Kapton(R)及
びVN−Kapton(R)を含む、Kapton(R)という商品名のもの
があるが、これらはすべて化学的に硬化されたポリイミ
ドである。化学的に硬化されたポリイミドは一般に、無
水酢酸などの無水硬化剤によって硬化される。
の、Ｈ−Kapton(R)、Ｖ−Kapton(R)、HN−Kapton(R)及
びVN−Kapton(R)を含む、Kapton(R)という商品名のもの
があるが、これらはすべて化学的に硬化されたポリイミ
ドである。化学的に硬化されたポリイミドは一般に、無
水酢酸などの無水硬化剤によって硬化される。
ポリイミドをこの時点で、たとえば約95℃で約12分間加
熱して、部分的に硬化することができる。
熱して、部分的に硬化することができる。
次に、パターンをポリイミドにエッチして、ケーブルの
全体的なプロファイルまたは形状に対応させる。エッチ
ングは周知のフォトレジスト及びフォトリソグラフ処理
を用いて行なうことができる。たとえば、通常厚さが約
0.5ミルのネガ・レジストをスプレイなどによって塗布
する。
全体的なプロファイルまたは形状に対応させる。エッチ
ングは周知のフォトレジスト及びフォトリソグラフ処理
を用いて行なうことができる。たとえば、通常厚さが約
0.5ミルのネガ・レジストをスプレイなどによって塗布
する。
用いることのできるフォトレジストの例としては、米国
特許第3469982号、第3526504号、第3867153号及び第344
8098号、ならびに参照することによって本明細書の一部
となるヨーロッパ特許出願公告第0049504号で示唆され
ているタイプのネガないし光硬化性重合可能化合物が挙
げられる。メタクリル酸メチルのポリマー、アクリル酸
グリシジルのポリマー、もしくはトリメチロールプロパ
ントリアクリレート及びペンタエリスリトールトリアリ
レートなどのポリアクリル酸のポリマーが、「Riston
(R)」という商品名でデュポン社から市販されている。
特許第3469982号、第3526504号、第3867153号及び第344
8098号、ならびに参照することによって本明細書の一部
となるヨーロッパ特許出願公告第0049504号で示唆され
ているタイプのネガないし光硬化性重合可能化合物が挙
げられる。メタクリル酸メチルのポリマー、アクリル酸
グリシジルのポリマー、もしくはトリメチロールプロパ
ントリアクリレート及びペンタエリスリトールトリアリ
レートなどのポリアクリル酸のポリマーが、「Riston
(R)」という商品名でデュポン社から市販されている。
本発明にしたがって用いられるネガ・フォトレジストの
例としては、「Riston T−168(R)」、及び「Riston 351
5(R)」という商品名でデュポン社が市販しているものの
ようなポリメチルメタクリレートのものが挙げられる。
「Riston T−168(R)」はポリメチルメタクリレートと、
トリメチロールプロパントリアクリレートなどの交差結
合可能モノマー単位のネガ・フォトレジストである。ポ
リメチルメタクリレート、トリメチロールプロパントリ
アクリレート及びトリメチレングリコールジアセテート
からネガ・フォトレジストを調製することについての詳
細は、米国特許第3867153号の例１で詳細に論じられて
いる。「Riston 3515(R)」は水性媒体中で現像可能なネ
ガ・フォトレジスト材料である。水性現像可能ネガ・フ
ォトレジストの例は、参照することによって本明細書の
一部となるヨーロッパ特許出願公告第0049504号の例23
などで説明されている。該特許出願公告に記載されてい
る典型的なネガ・フォトレジストは、メタクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、及びアクリル酸の共重合体、な
らびにスチレン及び無水マレイン酸イソブチルエステル
の共重合体によるものである。
例としては、「Riston T−168(R)」、及び「Riston 351
5(R)」という商品名でデュポン社が市販しているものの
ようなポリメチルメタクリレートのものが挙げられる。
「Riston T−168(R)」はポリメチルメタクリレートと、
トリメチロールプロパントリアクリレートなどの交差結
合可能モノマー単位のネガ・フォトレジストである。ポ
リメチルメタクリレート、トリメチロールプロパントリ
アクリレート及びトリメチレングリコールジアセテート
からネガ・フォトレジストを調製することについての詳
細は、米国特許第3867153号の例１で詳細に論じられて
いる。「Riston 3515(R)」は水性媒体中で現像可能なネ
ガ・フォトレジスト材料である。水性現像可能ネガ・フ
ォトレジストの例は、参照することによって本明細書の
一部となるヨーロッパ特許出願公告第0049504号の例23
などで説明されている。該特許出願公告に記載されてい
る典型的なネガ・フォトレジストは、メタクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、及びアクリル酸の共重合体、な
らびにスチレン及び無水マレイン酸イソブチルエステル
の共重合体によるものである。
Riston T−168(R)の未露光部分は通常、メチルクロロフ
ォルムに溶解することによって、現像ないし除去され
る。
ォルムに溶解することによって、現像ないし除去され
る。
入手可能なその他の典型的なネガ・フォトレジストはコ
ダック社のKTFR(R)であり、これはメーカーによれば、
ポリイソプレン・ゴムの誘導体を含有する樹脂系に基づ
くものである［レバイン（Levine）他、「コダック・フ
ォトレジスト・セミナ論文集（Kodak Photoresist Semi
n.Proc.）」、Vol.1、pp.15−17、1968年、Kodak Publ.
p.192A］。コダックKTFR(R)はスプレイによって塗布さ
れ、次いで、空気加熱機中で約100−120℃で乾燥され
る。
ダック社のKTFR(R)であり、これはメーカーによれば、
ポリイソプレン・ゴムの誘導体を含有する樹脂系に基づ
くものである［レバイン（Levine）他、「コダック・フ
ォトレジスト・セミナ論文集（Kodak Photoresist Semi
n.Proc.）」、Vol.1、pp.15−17、1968年、Kodak Publ.
p.192A］。コダックKTFR(R)はスプレイによって塗布さ
れ、次いで、空気加熱機中で約100−120℃で乾燥され
る。
コダックKTFR(R)フォトレジストの場合、次いで、タマ
ラック投影露光装置などを使用して、約58ないし約65ミ
リジュールで紫外線に露光される。
ラック投影露光装置などを使用して、約58ないし約65ミ
リジュールで紫外線に露光される。
フォトレジストはメチルクロロフォルム・スプレイを用
いて、次いで、水スプレイ・リンスまたはフレオンを使
用してリンスすることによって現像される。
いて、次いで、水スプレイ・リンスまたはフレオンを使
用してリンスすることによって現像される。
次に、所望の領域のポリイミドをエッチする。ポリイミ
ドは約0.23モルの水酸化カリウムを用い、約45℃で、約
20ないし約15psiの圧力においてスプレイすることによ
って、エッチできる。
ドは約0.23モルの水酸化カリウムを用い、約45℃で、約
20ないし約15psiの圧力においてスプレイすることによ
って、エッチできる。
次に、基板に約１分間、約6psiにおいてシュウ酸／水を
スプレイし、その後、脱イオン水で２回リンスする。
スプレイし、その後、脱イオン水で２回リンスする。
フォトレジストを次いで、約35容量％のペルクロロエチ
レン、約35容量％のオルトクロロベンゼン、約10容量％
のフェノール、及び約20容量％のアルキルアリールスル
ホン酸を含有するＪ−100剥離剤を用いて、剥離するこ
とができる。
レン、約35容量％のオルトクロロベンゼン、約10容量％
のフェノール、及び約20容量％のアルキルアリールスル
ホン酸を含有するＪ−100剥離剤を用いて、剥離するこ
とができる。
基板は次いで、キシレンで３回、その後イソプロピル・
アルコールで１回、さらに脱イオン水で３回リンスする
ことによって、清浄化できる。基板は次いで、たとえば
加熱空気によって乾燥される。
アルコールで１回、さらに脱イオン水で３回リンスする
ことによって、清浄化できる。基板は次いで、たとえば
加熱空気によって乾燥される。
次に、ポリマー層を硬化できる。たとえば、ポリイミド
前駆体の場合、約300℃ないし約400℃の高温まで、典型
的には約10分間ないし約30分間約350℃に、典型的には
約20分間加熱することができる。
前駆体の場合、約300℃ないし約400℃の高温まで、典型
的には約10分間ないし約30分間約350℃に、典型的には
約20分間加熱することができる。
希望する場合には、基板を次いで、プラズマ・ガスとし
て、約27容量％の四フッ化炭素、約５容量％のチッ素、
及び約68容量％の酸素を用いるプラズマ・タイプの清浄
法を、約400Wの電力で、約10分間ないし約20分間用いて
清浄化し、望ましくない残留物及び異物を除去すること
ができる。
て、約27容量％の四フッ化炭素、約５容量％のチッ素、
及び約68容量％の酸素を用いるプラズマ・タイプの清浄
法を、約400Wの電力で、約10分間ないし約20分間用いて
清浄化し、望ましくない残留物及び異物を除去すること
ができる。
次いで、クロム層を真空蒸着などによって設けることが
できる。この層は通常、厚さ約400Åないし約800Åであ
る。
できる。この層は通常、厚さ約400Åないし約800Åであ
る。
次いで、約60,000ないし約90,000Åの銅層を、真空蒸着
などによって設けることができる。
などによって設けることができる。
次いで、頂部クロム層を真空蒸着などによって設け、銅
の酸化を防止することができる。この頂部クロム層は通
常、約400Åないし800Åである。
の酸化を防止することができる。この頂部クロム層は通
常、約400Åないし800Åである。
次いで、フォトレジストを構造体の両面に、たとえばコ
ダックKTFR(R)などのネガ・フォオレジストをスプレイ
して塗布し、その後空気加熱機中において約100ないし
約200℃で乾燥し、露光現像し、構造体の前面に所望の
金属パターンのネガを設ける。背面全体はブランケット
露光される。コダックKTFR(R)ネガ・レジストの場合、
タマラック・コンタクト露光投影装置で、約３ないし約
５秒間、約50ないし約70ミリジュールで露光される。フ
ォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレイを用
いて現像し、その後フレオン・スプレイによってリンス
できる。
ダックKTFR(R)などのネガ・フォオレジストをスプレイ
して塗布し、その後空気加熱機中において約100ないし
約200℃で乾燥し、露光現像し、構造体の前面に所望の
金属パターンのネガを設ける。背面全体はブランケット
露光される。コダックKTFR(R)ネガ・レジストの場合、
タマラック・コンタクト露光投影装置で、約３ないし約
５秒間、約50ないし約70ミリジュールで露光される。フ
ォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレイを用
いて現像し、その後フレオン・スプレイによってリンス
できる。
次いで、フォトレジストで保護されていないクロム及び
銅の層はそれぞれ、典型的なクロム及び銅のエッチング
液でエッチされる。たとえば、約60g/の過マンガン酸
塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガン
酸カリウム組成を、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiの
スプレイ圧力でスプレイし、クロムを除去する。次い
で、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の塩
化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力でス
プレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同じ
手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスによ
ってリンスし、次いで、脱イオン水リンスで２回リンス
する。
銅の層はそれぞれ、典型的なクロム及び銅のエッチング
液でエッチされる。たとえば、約60g/の過マンガン酸
塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガン
酸カリウム組成を、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiの
スプレイ圧力でスプレイし、クロムを除去する。次い
で、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の塩
化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力でス
プレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同じ
手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスによ
ってリンスし、次いで、脱イオン水リンスで２回リンス
する。
ネガ・フォトレジストをたとえばＪ−100を用いて除去
できる。
できる。
基板をNeutra Clean(R)などの洗浄剤の溶液中でリンス
し、約65℃に加熱した脱イオン水中で、約２分ないし約
４分間リンスして予備洗浄し、次いで脱イオン水で３回
リンスし、その後加熱空気で乾燥する。
し、約65℃に加熱した脱イオン水中で、約２分ないし約
４分間リンスして予備洗浄し、次いで脱イオン水で３回
リンスし、その後加熱空気で乾燥する。
次に、コダックKTFR(R)などのフォトレジストの他の層
を頂面に貼付し、空気加熱機中にて約100℃ないし120℃
で乾燥し、上記のようにタマラック投影機を使用してブ
ランケット露光し、次いでメチルクロロフォルムをスプ
レイして現像する。この現像を予防処置として使用し、
前面に付着している可能性のあるフォトレジストを除去
し、背面に不完全に露光されたコーティングが生じない
ようにする。背面のレジストに孔が形成された場合に
は、付加的なレジストをスプレイし、その後乾燥、ブラ
ンケット露光、及び現像を行なうことができる。
を頂面に貼付し、空気加熱機中にて約100℃ないし120℃
で乾燥し、上記のようにタマラック投影機を使用してブ
ランケット露光し、次いでメチルクロロフォルムをスプ
レイして現像する。この現像を予防処置として使用し、
前面に付着している可能性のあるフォトレジストを除去
し、背面に不完全に露光されたコーティングが生じない
ようにする。背面のレジストに孔が形成された場合に
は、付加的なレジストをスプレイし、その後乾燥、ブラ
ンケット露光、及び現像を行なうことができる。
次に、コダックKTFR(R)などのフォトレジストの他の層
を基板の背面に貼付し、空気加熱機中で約100℃ないし
約120℃で乾燥し、上記のようにタマラック投影機を使
用して所定のパターンで露光する。パターンはケーブル
の所望のスチール・パターンをもたらすのに必要なもの
に対応している。
を基板の背面に貼付し、空気加熱機中で約100℃ないし
約120℃で乾燥し、上記のようにタマラック投影機を使
用して所定のパターンで露光する。パターンはケーブル
の所望のスチール・パターンをもたらすのに必要なもの
に対応している。
次いで、フォトレジストを約18psiにて、約２分ないし
約３分間塩化メチレンをスプレイすることによってエッ
チしてから、水をスプレイしてリンスすることができ
る。
約３分間塩化メチレンをスプレイすることによってエッ
チしてから、水をスプレイしてリンスすることができ
る。
次に、スチールを第１の大きなウィンドウを形成する領
域から除去し、パッドの背面を露光する。
域から除去し、パッドの背面を露光する。
このステップを、約50℃において、約20psiで、約４分
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
残余のフォトレジストを、Ｊ−100などのフォトレジス
トの溶剤に浸漬することによって除去する。
トの溶剤に浸漬することによって除去する。
次いで、ポリイミドをレーザー・エッチングによって所
定の領域から除去し、回路線の背後に、第１ウィンドウ
よりも小さい第２ウィンドウを設け、回路パッドの下方
にバイアを設ける。レーザー・エッチングはレーザーに
面した部品の背面に、約193ないし約351ナノメートル、
好ましくは308ナノメートルの波長及び約200ないし約10
00ミリジュール/cm2、典型的には約550ミリジュール/cm
2のフルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化クリ
プトンなどのハロゲン化希ガスを用いて行なわれる。レ
ーザー・エッチング・システムはコンタクト型または投
影型のいずれをも使用できるが、投影モードが好まし
い。
定の領域から除去し、回路線の背後に、第１ウィンドウ
よりも小さい第２ウィンドウを設け、回路パッドの下方
にバイアを設ける。レーザー・エッチングはレーザーに
面した部品の背面に、約193ないし約351ナノメートル、
好ましくは308ナノメートルの波長及び約200ないし約10
00ミリジュール/cm2、典型的には約550ミリジュール/cm
2のフルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化クリ
プトンなどのハロゲン化希ガスを用いて行なわれる。レ
ーザー・エッチング・システムはコンタクト型または投
影型のいずれをも使用できるが、投影モードが好まし
い。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を、約400Wの電
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
パッド及び回路線上の露出したクロム層を、過マンガン
酸カリウム浴中などでのエッチングによって除去する。
典型的な浴は約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/
の水酸化ナトリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.
2分間のものである。
酸カリウム浴中などでのエッチングによって除去する。
典型的な浴は約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/
の水酸化ナトリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.
2分間のものである。
次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガンな
どの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去す
る。
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガンな
どの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去す
る。
さらに、この部品をアルコノックス（アルカリ洗浄剤）
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、及び最終
の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、及び最終
の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。
露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20ないし約60マイクロインチの厚さの金の層
を設ける。典型的な電解めっき浴はPure−ａ−Gold 125
(R)という商品名で入手可能であるが、これはカリウム
及び金のシアン塩、クエン酸、ならびにクエン酸ナトリ
ウムを含有している。
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20ないし約60マイクロインチの厚さの金の層
を設ける。典型的な電解めっき浴はPure−ａ−Gold 125
(R)という商品名で入手可能であるが、これはカリウム
及び金のシアン塩、クエン酸、ならびにクエン酸ナトリ
ウムを含有している。
この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。
空気乾燥する。
この部品を次いで、チタン・フレームから分離する。
本発明による支持ケーブルを製造する他の順序において
は、ポリイミドなどのポリマーが、ステンレス・スチー
ル・フォイルのロールをロール・コーティングすること
によって塗布される。ステンレス・スチールは通常、厚
さ0.0015インチないし0.002インチの応力除去ステンレ
ス・スチールである。
は、ポリイミドなどのポリマーが、ステンレス・スチー
ル・フォイルのロールをロール・コーティングすること
によって塗布される。ステンレス・スチールは通常、厚
さ0.0015インチないし0.002インチの応力除去ステンレ
ス・スチールである。
ポリマー・コーティングは熱硬化性ポリマーであること
が好ましく、ポリイミドであることがもっとも好まし
い。ポリイミドはポリアミン酸前駆体の溶液を塗布する
か、あるいはフィルム（たとえば、Kapton(R)）として
積層できる。
が好ましく、ポリイミドであることがもっとも好まし
い。ポリイミドはポリアミン酸前駆体の溶液を塗布する
か、あるいはフィルム（たとえば、Kapton(R)）として
積層できる。
ポリイミドをこの時点で、約95℃で約1.2分間加熱する
ことなどによって、部分的に硬化することができ、次い
でステンレス・スチールを10インチ×15インチのパネル
に切断する。
ことなどによって、部分的に硬化することができ、次い
でステンレス・スチールを10インチ×15インチのパネル
に切断する。
次に、パターンをポリイミドにエッチし、ケーブルの全
体的なプロファイルないし形状に対応させる。エッチン
グは周知のフォトレジスト及びフォトリソグラフ処理を
用いて行なうことができる。たとえば、典型的には厚さ
約２ミルのネガ・レジストを、積層などによって貼付で
きる。典型的なレジストはRiston T−168(R)である。
体的なプロファイルないし形状に対応させる。エッチン
グは周知のフォトレジスト及びフォトリソグラフ処理を
用いて行なうことができる。たとえば、典型的には厚さ
約２ミルのネガ・レジストを、積層などによって貼付で
きる。典型的なレジストはRiston T−168(R)である。
次いで、フォトレジストをタマラック・コンタクト露光
装置などを使用して、約60ないし約70ミリジュールで、
紫外線に露光させる。
装置などを使用して、約60ないし約70ミリジュールで、
紫外線に露光させる。
フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレイを
用いて現像し、その後水スプレイ・リンスまたはフレオ
ンを使用してリンスする。
用いて現像し、その後水スプレイ・リンスまたはフレオ
ンを使用してリンスする。
次に、所望の領域のポリイミドをエッチする。ポリイミ
ドは約0.2モルの水酸化カリウムを約45℃において、約2
0ないし約15psiでスプレイすることによってエッチでき
る。
ドは約0.2モルの水酸化カリウムを約45℃において、約2
0ないし約15psiでスプレイすることによってエッチでき
る。
次に、基板にシュウ酸／水を約１分間約6psiでスプレイ
し、次いで脱イオン水で２回リンスする。
し、次いで脱イオン水で２回リンスする。
次いで、フォトレジストを約18psiの塩化メチレンのス
プレイを約２分ないし約３分間用いて剥離し、その後水
をスプレイしてリンスすることができる。
プレイを約２分ないし約３分間用いて剥離し、その後水
をスプレイしてリンスすることができる。
次に、ポリイミド層を硬化することができる。たとえ
ば、ポリイミド前駆体の場合、IR炉中でチッ素雰囲気下
で、典型的には２分間、典型的には約400℃の高温まで
加熱できる。
ば、ポリイミド前駆体の場合、IR炉中でチッ素雰囲気下
で、典型的には２分間、典型的には約400℃の高温まで
加熱できる。
必要に応じて、構造体を清浄化し、約27容量％の四フッ
化炭素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素
を、プラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分な
いし約20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。
化炭素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素
を、プラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分な
いし約20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。
次いで、クロム層をスパッタリング法などによって設け
ることができる。この層は通常、厚さ約100Åないし約2
00Åである。
ることができる。この層は通常、厚さ約100Åないし約2
00Åである。
約2,000Åないし約3,000Åの銅層を、真空蒸着などによ
って設けることができる。
って設けることができる。
次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層装
置などによって、ステンレス・スチールの背面に貼付す
る。典型的なフォトレジスタはデュポンRiston T−168
(R)である。次いで、フォトレジスタを、たとえばタマ
ラック・コンタクロ露光装置を、約２秒ないし約５秒
間、約58ないし約65ミリジュールで用いて、プランケッ
ト露光する。
置などによって、ステンレス・スチールの背面に貼付す
る。典型的なフォトレジスタはデュポンRiston T−168
(R)である。次いで、フォトレジスタを、たとえばタマ
ラック・コンタクロ露光装置を、約２秒ないし約５秒
間、約58ないし約65ミリジュールで用いて、プランケッ
ト露光する。
次いで、銅を構造体の前面に、典型的には硫酸溶液に硫
酸銅を入れた酸電解めっき浴などによってめっきする。
電解めっきは125Aで約23分間行なわれ、銅の総厚を約9
0,000Åとする。
酸銅を入れた酸電解めっき浴などによってめっきする。
電解めっきは125Aで約23分間行なわれ、銅の総厚を約9
0,000Åとする。
次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層な
どによって、この部品の回路側に貼付する。典型的なフ
ォトレジストはデュポンRiston T−168(R)である。次い
で、フォトレジストは、たとえばタマラック・コンタク
ト露光装置を58ないし65ミリジュールで用いて、希望す
るパターンに露光される。
どによって、この部品の回路側に貼付する。典型的なフ
ォトレジストはデュポンRiston T−168(R)である。次い
で、フォトレジストは、たとえばタマラック・コンタク
ト露光装置を58ないし65ミリジュールで用いて、希望す
るパターンに露光される。
フォトレジストはメチルクロロフォルム・スプレイを用
いて現像され、その後脱イオン水でリンスされる。
いて現像され、その後脱イオン水でリンスされる。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を約400Wで、約1
0分ないし約20分間使用したものなどのプラズマ除去に
よって、異物を除去できる。
0分ないし約20分間使用したものなどのプラズマ除去に
よって、異物を除去できる。
次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。約30℃で、約１分間、約8psiの圧
力でスプレイされた、比重約1.260の塩化第二鉄組成を
使用して、銅を除去できる。約60g/の過マンガン酸塩
と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガン酸
カリウムを、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのスプレ
イ圧力でスプレイして、クロムを除去する。
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。約30℃で、約１分間、約8psiの圧
力でスプレイされた、比重約1.260の塩化第二鉄組成を
使用して、銅を除去できる。約60g/の過マンガン酸塩
と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガン酸
カリウムを、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのスプレ
イ圧力でスプレイして、クロムを除去する。
次いで、残余のレジストを、たとえば、デュポンRiston
T−168(R)の場合、塩化メチレンを約18psiの圧力で、
約２ないし約３分間スプレイして除去し、その後水をス
プレイしてリンスする。
T−168(R)の場合、塩化メチレンを約18psiの圧力で、
約２ないし約３分間スプレイして除去し、その後水をス
プレイしてリンスする。
次いで、部品を脱イオン水に希釈HCl及び界面活性剤を
含有しているPosi−Clean洗剤清浄剤などを約50℃で使
用し、約10psiでスプレイして清浄化し、その後脱イオ
ン水で３回リンスし、加熱空気で乾燥する。
含有しているPosi−Clean洗剤清浄剤などを約50℃で使
用し、約10psiでスプレイして清浄化し、その後脱イオ
ン水で３回リンスし、加熱空気で乾燥する。
次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層に
よって、ステンレス・スチール側及び回路側に貼付す
る。典型的なフォトレジストはデュポンRiston T−168
(R)である。ステンレス・スチールの頂部ないし回路側
のフォトレジストを、タマラック・コンタクト露光装置
によってブランケット露光する。背面を露光し、希望す
るスチール・エッチ・パターンを設ける。
よって、ステンレス・スチール側及び回路側に貼付す
る。典型的なフォトレジストはデュポンRiston T−168
(R)である。ステンレス・スチールの頂部ないし回路側
のフォトレジストを、タマラック・コンタクト露光装置
によってブランケット露光する。背面を露光し、希望す
るスチール・エッチ・パターンを設ける。
フォトレジストをメチルクロロフォルムをスプレイして
現像する。
現像する。
次に、スチールをこれらの領域から除去し、第１の層及
び大きなウィンドウを形成し、パッドの背面を露光する
ことができる。
び大きなウィンドウを形成し、パッドの背面を露光する
ことができる。
このステップは塩化第二鉄エッチング液を、約50℃、約
20psiで、約４分ないし約６分間スプレイすることなど
によって行なうことができる。
20psiで、約４分ないし約６分間スプレイすることなど
によって行なうことができる。
残余のフォトレジストを塩化メチレンなどのフォトレジ
ストの溶剤を、約18psiで約２分ないし約３分間スプレ
イして除去し、その後水をスプレイしてリンスする。
ストの溶剤を、約18psiで約２分ないし約３分間スプレ
イして除去し、その後水をスプレイしてリンスする。
次いで、ポリイミドを所定の領域から、レーザー・エッ
チングによって除去し、回路線の背後に第１ウィンドウ
よりも小さい第２ウィンドウを設け、回路パッドの下方
にバイアを設ける。レーザー・エッチングはレーザーに
面した部品の背面に、約193ないし約351ナノメートル、
好ましくは308ナノメートルの波長及び約200ないし約10
00ミリジュール/cm2、典型的には約550ミリジュール/cm
2のフルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化クリ
プトンなどのハロゲン化希ガスを用いて行なわれる。レ
ーザー・エッチング・システムはコンタクト型または投
影型のいずれをも使用できるが、投影型が好ましい。
チングによって除去し、回路線の背後に第１ウィンドウ
よりも小さい第２ウィンドウを設け、回路パッドの下方
にバイアを設ける。レーザー・エッチングはレーザーに
面した部品の背面に、約193ないし約351ナノメートル、
好ましくは308ナノメートルの波長及び約200ないし約10
00ミリジュール/cm2、典型的には約550ミリジュール/cm
2のフルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化クリ
プトンなどのハロゲン化希ガスを用いて行なわれる。レ
ーザー・エッチング・システムはコンタクト型または投
影型のいずれをも使用できるが、投影型が好ましい。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を、約400Wの電
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
パッド及び回路線上の露出したクロム層を、過マンガン
酸カリウム浴中などでのエッチングによって除去する。
典型的な浴は約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/
の水酸化ナトリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.
2分間のものである。
酸カリウム浴中などでのエッチングによって除去する。
典型的な浴は約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/
の水酸化ナトリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.
2分間のものである。
次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の第イオン水リンスを行なう。さらに、この部品を
アルコノックスなどの中性洗剤を使用した洗浄により、
次いで脱イオン水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リ
ンス、及び最終の２分間の脱イオン水リンスによって処
理する。
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の第イオン水リンスを行なう。さらに、この部品を
アルコノックスなどの中性洗剤を使用した洗浄により、
次いで脱イオン水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リ
ンス、及び最終の２分間の脱イオン水リンスによって処
理する。
露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20ないし約60マイクロインチの厚さの金の層
を設ける。典型的な電解金浴はOMIインターナショナル
・コーポレーションが販売しているPure−ａ−Gold 125
(R)である。
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20ないし約60マイクロインチの厚さの金の層
を設ける。典型的な電解金浴はOMIインターナショナル
・コーポレーションが販売しているPure−ａ−Gold 125
(R)である。
この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。
空気乾燥する。
本発明の支持ケーブルを製造する他の順序においては、
ステンレス・スチール・フォイルがスポット溶接によっ
て、チタンのウィンドウ・フレームに取り付けられる。
チタンのフレームの典型的な大きさは、約44mmである。
ステンレス・スチールは、厚さ0.0015″−0.002″の応
力除去ステンレス・スチールである。
ステンレス・スチール・フォイルがスポット溶接によっ
て、チタンのウィンドウ・フレームに取り付けられる。
チタンのフレームの典型的な大きさは、約44mmである。
ステンレス・スチールは、厚さ0.0015″−0.002″の応
力除去ステンレス・スチールである。
次いで、ポリマー・コーティングをスプレイまたはロー
ル・コーティングなどによって、ステンレス・スチール
の一方表面に塗布する。ポリマー・コーティングは熱硬
化性ポリマーであることが好ましく、ポリイミドである
ことがもっとも好ましい。ポリイミドはポリアミド酸前
駆体の溶液を塗布するか、あるいはフィルム（たとえ
ば、Kapton(R)）として積層できる。
ル・コーティングなどによって、ステンレス・スチール
の一方表面に塗布する。ポリマー・コーティングは熱硬
化性ポリマーであることが好ましく、ポリイミドである
ことがもっとも好ましい。ポリイミドはポリアミド酸前
駆体の溶液を塗布するか、あるいはフィルム（たとえ
ば、Kapton(R)）として積層できる。
ポリイミドをこの時点で、約95℃で約12分間加熱するこ
となどによって、部分的に硬化することができる。
となどによって、部分的に硬化することができる。
次に、ポリイミド層を完全に硬化することができる。た
とえば、ポリイミドの場合、約300℃ないし約400℃の高
温に、典型的には約10分ないし約30分間、約350℃、典
型的にはチッ素雰囲気の炉中で、約20分間加熱する。
とえば、ポリイミドの場合、約300℃ないし約400℃の高
温に、典型的には約10分ないし約30分間、約350℃、典
型的にはチッ素雰囲気の炉中で、約20分間加熱する。
必要に応じ、構造体を清浄化し、約27容量％の四フッ化
炭素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、
プラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分ないし
約20分間の間用いるプラズマ・クリーニングなどによっ
て不必要な残留物及び異物を除去することができる。
炭素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、
プラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分ないし
約20分間の間用いるプラズマ・クリーニングなどによっ
て不必要な残留物及び異物を除去することができる。
次いで、クロム層を蒸着などによって設けることができ
る。この層は通常、厚さ約400Åないし約800Åである。
る。この層は通常、厚さ約400Åないし約800Åである。
約60,000Åないし約90,000Åの銅層を、真空蒸着などに
よって設けることができる。
よって設けることができる。
次いで、頂部クロム層を設け、銅を真空蒸着などによる
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約400Åないし約800Åである。
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約400Åないし約800Åである。
次いで、フォトレジストを、たとえば、コダックKTFR
(R)などのネガ・フォトレジストをスプレイすることに
よって、ステンレス・スチールの前面及び背面の両方に
塗布し、その後約100℃ないし約120℃で空気加熱機中で
乾燥する。
(R)などのネガ・フォトレジストをスプレイすることに
よって、ステンレス・スチールの前面及び背面の両方に
塗布し、その後約100℃ないし約120℃で空気加熱機中で
乾燥する。
次いで、フォトレジストを露光現像し、希望する金属パ
ターンのネガを設ける。コダックKTFR(R)の場合、タマ
ラック・コンタクト露光投影機を、約50ないし約70ミリ
ジュールで約３分ないし約５分間使用して、フォトレジ
ストをステンレス・スチールの背面でブランケット露光
し、回路側で希望する所定のパターンに露光して、ポリ
マー・パーソナリティと呼ばれるケーブルの一般的なプ
ロファイルないし形状を画定する。
ターンのネガを設ける。コダックKTFR(R)の場合、タマ
ラック・コンタクト露光投影機を、約50ないし約70ミリ
ジュールで約３分ないし約５分間使用して、フォトレジ
ストをステンレス・スチールの背面でブランケット露光
し、回路側で希望する所定のパターンに露光して、ポリ
マー・パーソナリティと呼ばれるケーブルの一般的なプ
ロファイルないし形状を画定する。
次いで、フォトレジストをメチルクロロフォルムを用い
て現像し、その後フレオン・スプレイのリンスを行なう
ことができる。
て現像し、その後フレオン・スプレイのリンスを行なう
ことができる。
次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、約60g/の過マンガン
酸塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガ
ン酸カリウムを、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのス
プレイ圧力でスプレイして、クロムを除去する。次い
で、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の塩
化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力でス
プレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同じ
手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスによ
ってリンスし、次いで、脱イオン水リンスで２回リンス
する。
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、約60g/の過マンガン
酸塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガ
ン酸カリウムを、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのス
プレイ圧力でスプレイして、クロムを除去する。次い
で、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の塩
化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力でス
プレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同じ
手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスによ
ってリンスし、次いで、脱イオン水リンスで２回リンス
する。
残余のフォトレジストをＪ−100を用いて剥離し、その
後キシレン・リンス、イソプロパノール・リンス、及び
３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気で
乾燥する。
後キシレン・リンス、イソプロパノール・リンス、及び
３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気で
乾燥する。
基板をNeutra Clean(R)などの洗浄剤の溶液中でリンス
し、約65℃に加熱した脱イオン水中で、約２分ないし約
４分間リンスして予備洗浄し、次いで脱イオン水で３回
リンスし、その後加熱空気で乾燥する。
し、約65℃に加熱した脱イオン水中で、約２分ないし約
４分間リンスして予備洗浄し、次いで脱イオン水で３回
リンスし、その後加熱空気で乾燥する。
次に、コダックKTFR(R)などのフォトレジストの他の層
をパネルの頂面側のみに貼付し、空気加熱機中にて約10
0℃−120℃で乾燥し、頂面側のフォトレジストを、タマ
ラック投影機を３秒ないし５秒間、55−70ミリジュール
で使用してブランケット露光し、次いでメチルクロロフ
ォルムをスプレイして現像し、その後フレオン・リンス
・スプレイを施す。
をパネルの頂面側のみに貼付し、空気加熱機中にて約10
0℃−120℃で乾燥し、頂面側のフォトレジストを、タマ
ラック投影機を３秒ないし５秒間、55−70ミリジュール
で使用してブランケット露光し、次いでメチルクロロフ
ォルムをスプレイして現像し、その後フレオン・リンス
・スプレイを施す。
次に、コダックKTFR(R)などのフォトレジストの他の層
を基板の背面に貼付し、空気加熱機中で約100℃ないし
約120℃で乾燥する。このフォトレジストの層を、タマ
ラック投影機を３秒ないし５秒間、55−70ミリジュール
で使用して所定のパターンで露光する。パターンはケー
ブルの所望のスチール・パターンをもたらすのに必要な
ものに対応している。
を基板の背面に貼付し、空気加熱機中で約100℃ないし
約120℃で乾燥する。このフォトレジストの層を、タマ
ラック投影機を３秒ないし５秒間、55−70ミリジュール
で使用して所定のパターンで露光する。パターンはケー
ブルの所望のスチール・パターンをもたらすのに必要な
ものに対応している。
次いで、フォトレジストを塩化メチレンをスプレイして
現像し、その後フレオン・スプレイ・リンスを施す。
現像し、その後フレオン・スプレイ・リンスを施す。
次に、スチールを第１の大きなウィンドウを形成する領
域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光する。
域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光する。
このステップを、約50℃において、約20psiで、約４分
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
残余のフォトレジストを、Ｊ−100剥離溶液を用いて剥
離し、その後キシレン・リンス・イソプロパノール・リ
ンス、及び３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その後
加熱空気で乾燥する。
離し、その後キシレン・リンス・イソプロパノール・リ
ンス、及び３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その後
加熱空気で乾燥する。
基板をNeutra Clean(R)などの洗浄剤の溶液中でリンス
し、約65℃に加熱した脱イオン水中で、約２分ないし約
４分間リンスして予備洗浄し、次いで脱イオン水で３回
リンスし、その後加熱空気で乾燥する。
し、約65℃に加熱した脱イオン水中で、約２分ないし約
４分間リンスして予備洗浄し、次いで脱イオン水で３回
リンスし、その後加熱空気で乾燥する。
次いで、ポリイミドをレーザー・エッチングによって所
定の領域から除去し、ケーブルの一般的なプロファイル
すなわちパーソナリティを設ける。レーザー・エッチン
グはレーザーに面した部品の前面に、約193ないし約351
ナノメートル、好ましくは308ナノメートルの波長及び
約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典型的には約550
ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、塩化キセノンま
たはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希ガスを用いて
行なわれる。
定の領域から除去し、ケーブルの一般的なプロファイル
すなわちパーソナリティを設ける。レーザー・エッチン
グはレーザーに面した部品の前面に、約193ないし約351
ナノメートル、好ましくは308ナノメートルの波長及び
約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典型的には約550
ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、塩化キセノンま
たはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希ガスを用いて
行なわれる。
レーザー・エッチング・システムはコンタクト型または
投影型のいずれをも使用できるが、投影モードが好まし
い。
投影型のいずれをも使用できるが、投影モードが好まし
い。
投影モードにおいて、エッチすべきパターンを有するマ
スクが作られる。ポリイミドを残す箇所において、マス
クは不透明であり、ポリイミドを除去する箇所におい
て、マスクは透明である。好ましいマスクは誘電性コー
ティングで作られるものであり、その使用法及び製造に
ついては、参照することによって米国特許第4684436号
及び1986年10月29日出願の米国特許願第924480号に記載
されている。あるいは、石英上のCrマスクを使用するこ
とができるが、このようなマスクはレーザーによる損傷
を受けやすいものである。トランスファ光学系を使用し
て、マスクのイメージをポリイミドに投影し、エッチン
グを誘起する。マスク上をレーザーで走査するか、ある
いはエッチング対象部品をステップするか、またはこの
両方を行ない、部品の新しい領域でエッチングを繰り返
し、ポリイミド全体をエッチすることが必要となること
もある。この手順の改変形は、ポリイミド全体ではな
く、下地のステンレス・スチールに接着されるポリイミ
ドを除去するに充分なポリイミドだけをエッチするもの
である。レーザーのフルエンスはポリイミドをエッチす
るに充分な高さではないので、ビームを集中する必要が
ある。このようなフルエンスの集中は、誘電性マスクの
前に行なうのが好ましいが、トランスファ光学系によっ
て行なうこともできる。石英上のCrマスクの場合、フル
エンスの集中をトランスファ光学系で行ない、マスクへ
の損傷を防止しなければならない。
スクが作られる。ポリイミドを残す箇所において、マス
クは不透明であり、ポリイミドを除去する箇所におい
て、マスクは透明である。好ましいマスクは誘電性コー
ティングで作られるものであり、その使用法及び製造に
ついては、参照することによって米国特許第4684436号
及び1986年10月29日出願の米国特許願第924480号に記載
されている。あるいは、石英上のCrマスクを使用するこ
とができるが、このようなマスクはレーザーによる損傷
を受けやすいものである。トランスファ光学系を使用し
て、マスクのイメージをポリイミドに投影し、エッチン
グを誘起する。マスク上をレーザーで走査するか、ある
いはエッチング対象部品をステップするか、またはこの
両方を行ない、部品の新しい領域でエッチングを繰り返
し、ポリイミド全体をエッチすることが必要となること
もある。この手順の改変形は、ポリイミド全体ではな
く、下地のステンレス・スチールに接着されるポリイミ
ドを除去するに充分なポリイミドだけをエッチするもの
である。レーザーのフルエンスはポリイミドをエッチす
るに充分な高さではないので、ビームを集中する必要が
ある。このようなフルエンスの集中は、誘電性マスクの
前に行なうのが好ましいが、トランスファ光学系によっ
て行なうこともできる。石英上のCrマスクの場合、フル
エンスの集中をトランスファ光学系で行ない、マスクへ
の損傷を防止しなければならない。
コンタクト・モードにおいては、コンタクト・マスクが
モリブデンなどの何らかの耐レーザー物質で構成され
る。エッチングを行なった場合、モリブデンが除去さ
れ、レーザー・エッチ生成物を排出するのに妨げのない
通路がもたらされる。コンタクト・マスクは部品と整合
される。光学系を使用して、エクサイマ・レーザー・ビ
ームを形成し、フルエンスを部品に集中させる。完全な
エッチングがエクサイマ・レーザー・ビームの走査、部
品の走査、及び部品のステッピングの何らかの組合せに
よって行なわれる。
モリブデンなどの何らかの耐レーザー物質で構成され
る。エッチングを行なった場合、モリブデンが除去さ
れ、レーザー・エッチ生成物を排出するのに妨げのない
通路がもたらされる。コンタクト・マスクは部品と整合
される。光学系を使用して、エクサイマ・レーザー・ビ
ームを形成し、フルエンスを部品に集中させる。完全な
エッチングがエクサイマ・レーザー・ビームの走査、部
品の走査、及び部品のステッピングの何らかの組合せに
よって行なわれる。
次いで、ポリイミドをレーザー・エッチングによって、
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さなウィンド
ウを設け、回路パッドの下方にバイアを設ける。レーザ
ー・エッチングはレーザーに面した部品の背面に、約19
3ないし約351ナノメートル、好ましくは308ナノメート
ルの波長及び約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典
型的には約550ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、
塩化キセノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化
希ガスを用いて行なわれる。レーザー・エッチング・シ
ステムはコンタクト型または投影型のいずれでもよい。
ビーム走査、部品のステッピング及び反復の何らかの組
合せを使用して、上記のようにして、異なるポリイミド
の領域をエッチすることができる。
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さなウィンド
ウを設け、回路パッドの下方にバイアを設ける。レーザ
ー・エッチングはレーザーに面した部品の背面に、約19
3ないし約351ナノメートル、好ましくは308ナノメート
ルの波長及び約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典
型的には約550ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、
塩化キセノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化
希ガスを用いて行なわれる。レーザー・エッチング・シ
ステムはコンタクト型または投影型のいずれでもよい。
ビーム走査、部品のステッピング及び反復の何らかの組
合せを使用して、上記のようにして、異なるポリイミド
の領域をエッチすることができる。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を、約400Wの電
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
パッド及び回路線上の露出したクロム層を、過マンガン
酸カリウム浴中などでのエッチングによって除去する。
典型的な浴は約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/
の水酸化ナトリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.
2分間のものである。
酸カリウム浴中などでのエッチングによって除去する。
典型的な浴は約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/
の水酸化ナトリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.
2分間のものである。
次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガンな
どの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去す
る。
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガンな
どの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去す
る。
さらに、この部品をアルコノックス（アルカリ洗浄剤）
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、及び最終
の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、及び最終
の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。
露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20マイクロインチないし約60マイクロインチ
の厚さの金の層を設ける。
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20マイクロインチないし約60マイクロインチ
の厚さの金の層を設ける。
この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。
空気乾燥する。
この部品を次いで、チタン・フレームから分離する。
本発明による支持ケーブルを製造するさらに他の順序に
おいては、ポリイミドがステンレス・スチールのロール
のロール・コーティングによって塗布される。
おいては、ポリイミドがステンレス・スチールのロール
のロール・コーティングによって塗布される。
ポリイミドをこの時点で、約95℃で約1.2分間加熱する
ことなどによって、部分的に硬化することができ、次い
でステンレス・スチールを10″×15″のパネルに切断す
る。
ことなどによって、部分的に硬化することができ、次い
でステンレス・スチールを10″×15″のパネルに切断す
る。
次に、ポリイミド層を完全に硬化することができる。た
とえば、ポリイミド前駆体の場合、IR炉中でチッ素雰囲
気下で、典型的には12分間、典型的には約400℃の高温
まで加熱できる。
とえば、ポリイミド前駆体の場合、IR炉中でチッ素雰囲
気下で、典型的には12分間、典型的には約400℃の高温
まで加熱できる。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を約400Wで、約1
0分ないし約20分間使用することなどによって、異物を
除去できる。
0分ないし約20分間使用することなどによって、異物を
除去できる。
次いで、クロム層をスパッタリング法などによって設け
ることができる。この層は通常、厚さ約100Åないし約2
00Åである。
ることができる。この層は通常、厚さ約100Åないし約2
00Åである。
約2,000Åないし約3,000Åの銅層を、真空蒸着などによ
って設けることができる。
って設けることができる。
次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層機
などによって、ステンレス・スチールの背面に貼付す
る。典型的なフォトレジストはデュポンRiston T−168
(R)である。次いで、フォトレジストを、たとえばタマ
ラック・コンタクト露光装置を、約２秒ないし約５秒
間、約58ないし約65ミリジュールで用いて、ブランケッ
ト露光する。
などによって、ステンレス・スチールの背面に貼付す
る。典型的なフォトレジストはデュポンRiston T−168
(R)である。次いで、フォトレジストを、たとえばタマ
ラック・コンタクト露光装置を、約２秒ないし約５秒
間、約58ないし約65ミリジュールで用いて、ブランケッ
ト露光する。
次いで、銅を構造体の前面に、典型的には硫酸溶液に硫
酸銅を入れた酸電解めっき浴などによってめっきする。
電解めっきは約125Aで約23分間行なわれ、銅の厚さを約
90,000Åとする。
酸銅を入れた酸電解めっき浴などによってめっきする。
電解めっきは約125Aで約23分間行なわれ、銅の厚さを約
90,000Åとする。
典型的には厚さ約２ミルのネガ・レジストを、前面（ク
ロム−銅側）に積層などによって貼付する。典型的なレ
ジストはRiston T−168(R)である。
ロム−銅側）に積層などによって貼付する。典型的なレ
ジストはRiston T−168(R)である。
次いで、フォトレジストをタマラック・コンタクト露光
装置などを使用して、約58ないし約68ミリジュールで、
約２秒ないし約５秒間、希望するパターンで紫外線に露
光し、希望する回路パターンを設ける。
装置などを使用して、約58ないし約68ミリジュールで、
約２秒ないし約５秒間、希望するパターンで紫外線に露
光し、希望する回路パターンを設ける。
フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレイを
用いて現像し、その後ウォーター・スプレイ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。
用いて現像し、その後ウォーター・スプレイ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。
必要に応じ、構造体を処理し、約27容量％の四フッ化炭
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400ワットの電力で、約10分な
いし約20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400ワットの電力で、約10分な
いし約20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。
次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。約30℃で、約１分間、約8psiの圧
力でスプレイされた、比重約1.260の塩化第二鉄組成を
使用して、銅を除去できる。約60g/の過マンガン酸塩
と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガン酸
カリウム組成を、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのス
プレイ圧力でスプレイして、クロムを除去する。
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。約30℃で、約１分間、約8psiの圧
力でスプレイされた、比重約1.260の塩化第二鉄組成を
使用して、銅を除去できる。約60g/の過マンガン酸塩
と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガン酸
カリウム組成を、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのス
プレイ圧力でスプレイして、クロムを除去する。
パネルを75g/の溶液などのシュウ酸溶液でリンスし、
その後脱イオン水で２回リンスできる。
その後脱イオン水で２回リンスできる。
残余のレジストを、たとえば、デュポンRiston T−168
(R)の場合、塩化メチレン・スプレイを用いて除去でき
る。
(R)の場合、塩化メチレン・スプレイを用いて除去でき
る。
次いで、部品を約50℃の脱イオン水中のPosi−Clean清
浄剤などを使用し、約10psiでスプレイして、清浄化
し、その後脱イオン水で３回リンスし、加熱空気で乾燥
する。
浄剤などを使用し、約10psiでスプレイして、清浄化
し、その後脱イオン水で３回リンスし、加熱空気で乾燥
する。
次に、フォトレジストをステンレス・スチールの両面
に、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的
なフォトレジストはデュポンRiston T−168(R)である。
タマラック・コンタクト露光装置を、約２秒ないし５秒
間58−60ミリジュールで使用して、回路側のフォトレジ
ストをブランケット露光し、ステンレス・スチール側を
露光する。パターンはケーブルの所望のスチール・パタ
ーンをもたらすのに必要なものに対応している。
に、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的
なフォトレジストはデュポンRiston T−168(R)である。
タマラック・コンタクト露光装置を、約２秒ないし５秒
間58−60ミリジュールで使用して、回路側のフォトレジ
ストをブランケット露光し、ステンレス・スチール側を
露光する。パターンはケーブルの所望のスチール・パタ
ーンをもたらすのに必要なものに対応している。
フォトレジストを上記のように、メチルクロロフォルム
をスプレイして現像し、その後水でリンスする。
をスプレイして現像し、その後水でリンスする。
次に、スチールを第１層及び大きなウィンドウを形成す
る領域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光す
る。
る領域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光す
る。
このステップを、約50℃において、約20psiで、約４分
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
残余のフォトレジストを塩化メチレンなどのフォトレジ
ストの溶剤を、約18psiで約２分ないし約３分間スプレ
イして除去し、その後水をスプレイしてリンスする。
ストの溶剤を、約18psiで約２分ないし約３分間スプレ
イして除去し、その後水をスプレイしてリンスする。
次いで、ポリイミドをレーザー・エッチングによって、
所定の領域から除去し、ケーブルの全体的なプロファイ
ルないしパーソナリティを設ける。レーザー・エッチン
グはレーザーに面した部品の前面に、約193ないし約351
ナノメートル、好ましくは308ナノメートルの波長及び
約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典型的には約550
ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、塩化キセノンま
たはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希ガスを用いて
行なわれる。
所定の領域から除去し、ケーブルの全体的なプロファイ
ルないしパーソナリティを設ける。レーザー・エッチン
グはレーザーに面した部品の前面に、約193ないし約351
ナノメートル、好ましくは308ナノメートルの波長及び
約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典型的には約550
ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、塩化キセノンま
たはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希ガスを用いて
行なわれる。
エッチングはコンタクト型または投影型のいずれでも行
なえるが、投影モードが好ましい。
なえるが、投影モードが好ましい。
投影モードにおいて、エッチすべきパターンを有するマ
スクが作られる。ポリイミドを残す箇所において、マス
クは不透明であり、ポリイミドを除去する箇所におい
て、マスクは透明である。好ましいマスクは誘電性コー
ティングで作られるものであり、その使用法及び製造に
ついては、参照することによって本明細書の一部とな
る、米国特許第4684436号及び1986年10月29日出願の米
国特許願第924480号に記載されている。あるいは、石英
上のCrマスクを使用することができるが、このようなマ
スクはレーザーによる損傷を受けやすいものである。ト
ランスファ光学系を使用して、マスクのイメージをポリ
イミドに投影し、エッチングを誘起する。マスク上をレ
ーザーで走査するか、あるいはエッチング対象部品をス
テップするか、またはこの両方を行ない、部品の新しい
領域でエッチングを繰り返し、ポリイミド全体をエッチ
することが必要となることもある。この手順の改変形
は、ポリイミド全体ではなく、下地のステンレス・スチ
ールに接着されるポリイミドを除去するに充分なポリイ
ミドだけをエッチするものである。レーザーのフルエン
スはポリイミドをエッチするに充分な高さではないの
で、ビームを集中する必要がある。このようなフルエン
スの集中は、誘電性マスクの前に行なうのが好ましい
が、トランスファ光学系によって行なうこともできる。
石英上のCrマスクの場合、フルエンスの集中をトランス
ファ光学系で行ない、マスクへの損傷を防止しなければ
ならない。
スクが作られる。ポリイミドを残す箇所において、マス
クは不透明であり、ポリイミドを除去する箇所におい
て、マスクは透明である。好ましいマスクは誘電性コー
ティングで作られるものであり、その使用法及び製造に
ついては、参照することによって本明細書の一部とな
る、米国特許第4684436号及び1986年10月29日出願の米
国特許願第924480号に記載されている。あるいは、石英
上のCrマスクを使用することができるが、このようなマ
スクはレーザーによる損傷を受けやすいものである。ト
ランスファ光学系を使用して、マスクのイメージをポリ
イミドに投影し、エッチングを誘起する。マスク上をレ
ーザーで走査するか、あるいはエッチング対象部品をス
テップするか、またはこの両方を行ない、部品の新しい
領域でエッチングを繰り返し、ポリイミド全体をエッチ
することが必要となることもある。この手順の改変形
は、ポリイミド全体ではなく、下地のステンレス・スチ
ールに接着されるポリイミドを除去するに充分なポリイ
ミドだけをエッチするものである。レーザーのフルエン
スはポリイミドをエッチするに充分な高さではないの
で、ビームを集中する必要がある。このようなフルエン
スの集中は、誘電性マスクの前に行なうのが好ましい
が、トランスファ光学系によって行なうこともできる。
石英上のCrマスクの場合、フルエンスの集中をトランス
ファ光学系で行ない、マスクへの損傷を防止しなければ
ならない。
コンタクト・モードにおいては、コンタクト・マスクが
モリブデンなどの何らかの耐レーザー物質で構成され
る。エッチングを行なった場合、モリブデンが除去さ
れ、レーザー・エッチ生成物を排出するのに妨げのない
通路がもたらされる。コンタクト・マスクは部品と整合
される。光学系を使用して、エクサイマ・レーザー・ビ
ームを形成し、フルエンスを部品に集中させる。完全な
エッチングがエクサイマ・レーザー・ビームの走査、部
品の走査、及び部品のステッピングの何らかの組合せに
よって行なわれる。
モリブデンなどの何らかの耐レーザー物質で構成され
る。エッチングを行なった場合、モリブデンが除去さ
れ、レーザー・エッチ生成物を排出するのに妨げのない
通路がもたらされる。コンタクト・マスクは部品と整合
される。光学系を使用して、エクサイマ・レーザー・ビ
ームを形成し、フルエンスを部品に集中させる。完全な
エッチングがエクサイマ・レーザー・ビームの走査、部
品の走査、及び部品のステッピングの何らかの組合せに
よって行なわれる。
次いで、ポリイミドをレーザー・エッチングによって、
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さなウィンド
ウを設け、回路パッドの下方にバイアを設ける。レーザ
ー・エッチングはレーザーに面した部品の背面に、約19
3ないし約351ナノメートル、好ましくは308ナノメート
ルの波長及び約200ないし約1000ミリジュール/cm2の間
で、コンタクトまたは投影型エッチ・システムを用いて
行なわれる。
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さなウィンド
ウを設け、回路パッドの下方にバイアを設ける。レーザ
ー・エッチングはレーザーに面した部品の背面に、約19
3ないし約351ナノメートル、好ましくは308ナノメート
ルの波長及び約200ないし約1000ミリジュール/cm2の間
で、コンタクトまたは投影型エッチ・システムを用いて
行なわれる。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を、約400Wの電
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
パッド及び回路線上の露出したクロム層を、過マンガン
酸カリウム浴中などでのエッチングによって除去する。
典型的な浴は約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/
の水酸化ナトリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.
2分間のものである。
酸カリウム浴中などでのエッチングによって除去する。
典型的な浴は約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/
の水酸化ナトリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.
2分間のものである。
次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガンな
どの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去す
る。
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガンな
どの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去す
る。
さらに、この部品をアルコノックス（アルカリ洗浄剤）
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、及び最終
の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、及び最終
の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。
露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20マイクロインチないし約60マイクロインチ
の厚さの金の層を設ける。
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20マイクロインチないし約60マイクロインチ
の厚さの金の層を設ける。
この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。
空気乾燥する。
本発明の支持ケーブルを製造するさらにまた他の順序に
おいては、ステンレス・スチール・フォイルがスポット
溶接によって、チタンのウィンドウ・フレームに取り付
けられる。チタンのフレームの典型的な大きさは、約44
mmである。ステンレス・スチールは、厚さ0.0015″−0.
002″の応力除去ステンレス・スチールである。
おいては、ステンレス・スチール・フォイルがスポット
溶接によって、チタンのウィンドウ・フレームに取り付
けられる。チタンのフレームの典型的な大きさは、約44
mmである。ステンレス・スチールは、厚さ0.0015″−0.
002″の応力除去ステンレス・スチールである。
次いで、ポリマー・コーティングをスプレイまたはロー
ル・コーティングなどによって、ステンレス・スチール
・フォイル表面に塗布する。ポリマー・コーティングは
熱硬化性ポリマーであることが好ましく、ポリイミドで
あることがもっとも好ましい。ポリイミドはポリアミド
酸前駆体の溶液を塗布するか、あるいはフィルム（たと
えば、Kapton(R)）として積層できる。
ル・コーティングなどによって、ステンレス・スチール
・フォイル表面に塗布する。ポリマー・コーティングは
熱硬化性ポリマーであることが好ましく、ポリイミドで
あることがもっとも好ましい。ポリイミドはポリアミド
酸前駆体の溶液を塗布するか、あるいはフィルム（たと
えば、Kapton(R)）として積層できる。
ポリイミドをこの時点で、約95℃で約1.2分間加熱する
ことなどによって、部分的に硬化することができる。
ことなどによって、部分的に硬化することができる。
次に、パターンをポリイミドにエッチし、ケーブルの全
体的なプロファイルないし形状、ならびに回路線の下方
のパッド領域及びウィンドウに対応させる。エッチング
は周知のフォトレジスト及びフォトリソグラフ処理を用
いて行なうことができる。たとえば、典型的には厚さ約
0.0005インチのネガ・フォトレジストを、スプレイなど
によって塗布する。典型的なレジストはコダックKTFR
(R)である。次いで、フォトレジストを空気加熱機中
で、約100−120′で乾燥する。
体的なプロファイルないし形状、ならびに回路線の下方
のパッド領域及びウィンドウに対応させる。エッチング
は周知のフォトレジスト及びフォトリソグラフ処理を用
いて行なうことができる。たとえば、典型的には厚さ約
0.0005インチのネガ・フォトレジストを、スプレイなど
によって塗布する。典型的なレジストはコダックKTFR
(R)である。次いで、フォトレジストを空気加熱機中
で、約100−120′で乾燥する。
次いで、フォトレジストはタマラック投影露光装置など
を使用して、約58ないし約65ミリジュールで紫外線に露
光される。
を使用して、約58ないし約65ミリジュールで紫外線に露
光される。
フォトレジストはメチルクロロフォルム・スプレイを用
いて、次いで、水スプレイ・リンスまたはフレオンを使
用してリンスすることによって現像される。
いて、次いで、水スプレイ・リンスまたはフレオンを使
用してリンスすることによって現像される。
次に、パッド領域、及び回路線の下のウィンドウを含
め、所望の領域のポリイミドをエッチする。ポリイミド
は約0.23モルの水酸化カリウムを用い、約45℃で、約20
秒間約15psiでスプレイすることによって、エッチング
できる。
め、所望の領域のポリイミドをエッチする。ポリイミド
は約0.23モルの水酸化カリウムを用い、約45℃で、約20
秒間約15psiでスプレイすることによって、エッチング
できる。
次に、基板に約１分間、約6psiにおいてシュウ酸／水を
スプレイし、その後、脱イオン水でリンスする。
スプレイし、その後、脱イオン水でリンスする。
次いで、フォトレジストを、Ｊ−100剥離溶液を用いて
剥離し、その後キシレン・リンス、イソプロパノール・
リンス、及び脱イオン水リンスを施すことができる。
剥離し、その後キシレン・リンス、イソプロパノール・
リンス、及び脱イオン水リンスを施すことができる。
次に、ポリイミド層を硬化することができる。たとえ
ば、ポリイミド前駆体の場合、約300℃ないし約400℃の
高温に、典型的には約10分ないし約30分間、約350℃、
典型的にはチッ素雰囲気の炉中で、約20分間加熱する。
ば、ポリイミド前駆体の場合、約300℃ないし約400℃の
高温に、典型的には約10分ないし約30分間、約350℃、
典型的にはチッ素雰囲気の炉中で、約20分間加熱する。
必要に応じ、構造体を処理し、約27容量％の四フッ化炭
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400ワットの電力で、約10分な
いし約20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400ワットの電力で、約10分な
いし約20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。
次いで、クロム層を真空蒸着法などによって設けること
ができる。この層は通常、約400Åないし約800Åであ
る。
ができる。この層は通常、約400Åないし約800Åであ
る。
次いで、約60,000Åないし約90,000Åの銅層を、真空蒸
着などによって設けることができる。
着などによって設けることができる。
次いで、頂部クロム層を設け、銅を真空蒸着などによる
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約400Åないし約800Åである。
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約400Åないし約800Åである。
次いで、フォトレジストを構造体の両面に、たとえばコ
ダックKTFR(R)などのネガ・フォトレジストをスプレイ
して塗布し、その後空気加熱機中において約100ないし
約120℃で乾燥し、背面及び回路をブランケット露光
し、前面を露光し、現像し、構造体の前面に所望の金属
パターンのネガを設ける。コダックKTFR(R)の場合、レ
ジストはタマラック・コンタクト露光投影装置で、約３
ないし約５秒間、約50ないし約70ミリジュールで露光さ
れる。
ダックKTFR(R)などのネガ・フォトレジストをスプレイ
して塗布し、その後空気加熱機中において約100ないし
約120℃で乾燥し、背面及び回路をブランケット露光
し、前面を露光し、現像し、構造体の前面に所望の金属
パターンのネガを設ける。コダックKTFR(R)の場合、レ
ジストはタマラック・コンタクト露光投影装置で、約３
ないし約５秒間、約50ないし約70ミリジュールで露光さ
れる。
フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレイを
用いて現像し、その後フレオン・スプレイによってリン
スできる。
用いて現像し、その後フレオン・スプレイによってリン
スできる。
次いで、フォトレジストで保護されていないクロム及び
銅の層はそれぞれ、典型的なクロム及び銅のエッチング
液でエッチングされる。たとえば、約60g/の過マンガ
ン酸塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マン
ガン酸カリウム組成を、約100゜Fで、約1.2分間、約8ps
iのスプレイ圧力でスプレイし、クロムを除去する。次
いで、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の
塩化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力で
スプレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同
じ手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスに
よってリンスし、次いで、脱イオン水リンスで２回リン
スする。
銅の層はそれぞれ、典型的なクロム及び銅のエッチング
液でエッチングされる。たとえば、約60g/の過マンガ
ン酸塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マン
ガン酸カリウム組成を、約100゜Fで、約1.2分間、約8ps
iのスプレイ圧力でスプレイし、クロムを除去する。次
いで、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の
塩化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力で
スプレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同
じ手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスに
よってリンスし、次いで、脱イオン水リンスで２回リン
スする。
この時点で、ポリイミド・パターン及び回路パターンを
画定する。
画定する。
次に、フォトレジストをステンレス・スチールの両面
に、コダックKTFR(R)などをスプレイして塗布する。タ
マラック投影露光装置を上記のように使用して、回路側
のフォトレジストをブランケット露光し、ステンレス・
スチール側を露光する。パターンはケーブルの所望のス
チール・パターンをもたらすのに必要なものに対応して
いる。
に、コダックKTFR(R)などをスプレイして塗布する。タ
マラック投影露光装置を上記のように使用して、回路側
のフォトレジストをブランケット露光し、ステンレス・
スチール側を露光する。パターンはケーブルの所望のス
チール・パターンをもたらすのに必要なものに対応して
いる。
フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレイを
用いて現像する。部品をフレオンを使用してリンスす
る。
用いて現像する。部品をフレオンを使用してリンスす
る。
次に、スチールを第１の大きなウィンドウを形成する領
域から除去し、パッドの背面を露光する。
域から除去し、パッドの背面を露光する。
このステップを、約50℃において、約20psiで、約４分
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
残余のフォトレジストを、Ｊ−100などのフォトレジス
トの溶剤に浸漬することによって除去する。
トの溶剤に浸漬することによって除去する。
本発明による支持ケーブルを製造する他の順序において
は、ポリイミドがステンレス・スチールのロールのロー
ル・コーティングによって塗布される。ステンレス・ス
チールは通常、厚さ0.0015インチないし0.002インチの
応力除去ステンレス・スチールである。
は、ポリイミドがステンレス・スチールのロールのロー
ル・コーティングによって塗布される。ステンレス・ス
チールは通常、厚さ0.0015インチないし0.002インチの
応力除去ステンレス・スチールである。
ポリイミドをこの時点で、約95℃で約12分間加熱するこ
となどによって、部分的に硬化することができ、次いで
ステンレス・スチールを10″×15″のパネルに切断す
る。
となどによって、部分的に硬化することができ、次いで
ステンレス・スチールを10″×15″のパネルに切断す
る。
次に、パターンをポリイミドにエッチし、ケーブルの全
体的なプロファイルないし形状、ならびに回路線の下方
のパッド領域及びウィンドウに対応させる。エッチング
は周知のフォトレジスト及びフォトリソグラフ処理を用
いて行なうことができる。たとえば、典型的には厚さ約
２ミルのネガ・フォトレジストを、積層などによって貼
付する。典型的なレジストはRiston T−168(R)である。
体的なプロファイルないし形状、ならびに回路線の下方
のパッド領域及びウィンドウに対応させる。エッチング
は周知のフォトレジスト及びフォトリソグラフ処理を用
いて行なうことができる。たとえば、典型的には厚さ約
２ミルのネガ・フォトレジストを、積層などによって貼
付する。典型的なレジストはRiston T−168(R)である。
次いで、フォトレジストをタマラック・コンタクト露光
装置などを使用して、約60ないし約70ミリジュールで、
紫外線に露光させる。
装置などを使用して、約60ないし約70ミリジュールで、
紫外線に露光させる。
フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレイを
用いて現像し、その後ウォーター・スプレイ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。
用いて現像し、その後ウォーター・スプレイ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。
次に、パッドの領域及び回路線の下のウィンドウを含む
所望の領域のポリイミドをエッチングする。ポリイミド
は約0.23モルの水酸化カリウムを用い、約45℃で、約20
秒間、約15psiにおいてスプレイすることによって、エ
ッチできる。
所望の領域のポリイミドをエッチングする。ポリイミド
は約0.23モルの水酸化カリウムを用い、約45℃で、約20
秒間、約15psiにおいてスプレイすることによって、エ
ッチできる。
次に、基板に約１分間、約6psiにおいてシュウ酸／水を
スプレイし、その後、脱イオン水で２回リンスする。
スプレイし、その後、脱イオン水で２回リンスする。
次いで、フォトレジストを約18psiの塩化メチレンのス
プレイを約２分ないし約３分間用いて剥離し、その後ス
プレイ水リンスを２回行なうことができる。
プレイを約２分ないし約３分間用いて剥離し、その後ス
プレイ水リンスを２回行なうことができる。
次に、ポリイミド層を完全に硬化することができる。た
とえば、ポリイミド前駆体の場合、IR炉中でチッ素雰囲
気下で、典型的には12分間、典型的には約400℃の高温
まで加熱できる。
とえば、ポリイミド前駆体の場合、IR炉中でチッ素雰囲
気下で、典型的には12分間、典型的には約400℃の高温
まで加熱できる。
必要に応じ、構造体を処理し、約27容量％の四フッ化炭
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400ワットの電力で、約10分な
いし約20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400ワットの電力で、約10分な
いし約20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。
次いで、クロム層をスパッタリング法などによって設け
ることができる。この層は通常、厚さ約100Åないし約2
00Åである。
ることができる。この層は通常、厚さ約100Åないし約2
00Åである。
約2,000Åないし約3,000Åの銅層を、真空蒸着などによ
って設けることができる。次いで、典型的には硫酸溶液
に硫酸銅を入れた酸電解めっき浴によって、約90,000Å
の厚さまで銅をめっきする。電解めっきは125Aで約23分
間行なわれる。
って設けることができる。次いで、典型的には硫酸溶液
に硫酸銅を入れた酸電解めっき浴によって、約90,000Å
の厚さまで銅をめっきする。電解めっきは125Aで約23分
間行なわれる。
次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層な
どによって、パネルの両面に貼付する。典型的なフォト
レジストはデュポンRiston T−168(R)である。フォトレ
ジストは回路側で、タマラック・コンタクト露光投影装
置を使用して約２秒ないし約５秒間、約58−65ミリジュ
ールでブランケット露光され、ステンレス・スチールの
側で所定のパターンに露光される。
どによって、パネルの両面に貼付する。典型的なフォト
レジストはデュポンRiston T−168(R)である。フォトレ
ジストは回路側で、タマラック・コンタクト露光投影装
置を使用して約２秒ないし約５秒間、約58−65ミリジュ
ールでブランケット露光され、ステンレス・スチールの
側で所定のパターンに露光される。
次いで、フォトレジストをメチルクロロフォルム・スプ
レイを用いて現像し、その後脱イオン水のリンスを行な
うことができる。
レイを用いて現像し、その後脱イオン水のリンスを行な
うことができる。
次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、比重約1.260の第二塩
化鉄組成を、約30℃、約１分間、約8psiの圧力でスプレ
イし、銅を除去する。
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、比重約1.260の第二塩
化鉄組成を、約30℃、約１分間、約8psiの圧力でスプレ
イし、銅を除去する。
約60g/の過マンガン酸塩と約20g/の水酸化ナトリウ
ムを含有する過マンガン酸カリウム組成を、約100゜F
で、約1.2分間、約8psiのスプレイ圧力でスプレイし
て、クロムを除去する。
ムを含有する過マンガン酸カリウム組成を、約100゜F
で、約1.2分間、約8psiのスプレイ圧力でスプレイし
て、クロムを除去する。
残余のフォトレジストを、塩化メチレンを約18psiの圧
力で、約２ないし約３分間スプレイして除去し、その後
水でリンスする。この時点で、ポリイミド・パターンと
回路パターンが画定される。
力で、約２ないし約３分間スプレイして除去し、その後
水でリンスする。この時点で、ポリイミド・パターンと
回路パターンが画定される。
次に、フォトレジストをステンレス・スチールの両面
に、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的
なフォトレジストはデュポンRiston T−168(R)である。
タマラック・コンタクト露光装置を使用して所定のパタ
ーンで、回路側のフォトレジストをブランケット露光
し、ステンレス・スチール側を露光する。パターンはケ
ーブルの所望のスチール・パターンをもたらすのに必要
なものに対応している。
に、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的
なフォトレジストはデュポンRiston T−168(R)である。
タマラック・コンタクト露光装置を使用して所定のパタ
ーンで、回路側のフォトレジストをブランケット露光
し、ステンレス・スチール側を露光する。パターンはケ
ーブルの所望のスチール・パターンをもたらすのに必要
なものに対応している。
フォトレジストをメチルクロロフォルム・スプレイを用
いて現像し、その後水でリンスを行なうことができる。
いて現像し、その後水でリンスを行なうことができる。
次に、スチールを第１層及び大きなウィンドウを形成す
る領域から除去し、パッドの背面を露光する。
る領域から除去し、パッドの背面を露光する。
このステップを、スプレイなどによって、塩化第二鉄エ
ッチング液を使って露光したスチールをエッチグして達
成することができる。
ッチング液を使って露光したスチールをエッチグして達
成することができる。
残余のフォトレジストを塩化メチレンを、約18psiで約
２ないし約３分間スプレイして除去し、その後水をスプ
レイしてリンスする。
２ないし約３分間スプレイして除去し、その後水をスプ
レイしてリンスする。
本発明の支持ケーブルを製造する他の順序においては、
ステンレス・スチール・フォイルがスポット溶接によっ
て、チタンのウィンドウ・フレームに取り付けられる。
チタンのフレームの典型的な大きさは、約44mmである。
スチールは、厚さ0.0015″ないし0.002″の応力除去ス
テンレス・スチールである。
ステンレス・スチール・フォイルがスポット溶接によっ
て、チタンのウィンドウ・フレームに取り付けられる。
チタンのフレームの典型的な大きさは、約44mmである。
スチールは、厚さ0.0015″ないし0.002″の応力除去ス
テンレス・スチールである。
次いで、ポリマー・コーティングをスプレイなどによっ
て、ステンレス・スチールの一方表面に塗布する。ポリ
マー・コーティングは熱硬化性ポリマーであることが好
ましく、ポリイミドであることがもっとも好ましい。ポ
リイミドはポリアミド酸前駆体の溶液を塗布するか、あ
るいはフィルム（たとえば、Kapton(R)）として積層で
きる。
て、ステンレス・スチールの一方表面に塗布する。ポリ
マー・コーティングは熱硬化性ポリマーであることが好
ましく、ポリイミドであることがもっとも好ましい。ポ
リイミドはポリアミド酸前駆体の溶液を塗布するか、あ
るいはフィルム（たとえば、Kapton(R)）として積層で
きる。
ポリイミドをこの時点で、約95℃で約12分間加熱するこ
となどによって、部分的に硬化することができる。
となどによって、部分的に硬化することができる。
次に、ポリイミド層を完全に硬化することができる。た
とえば、ポリイミドの場合、約300℃ないし約400℃の高
温に、典型的には約10分ないし約30分間、約350℃、典
型的にはチッ素雰囲気の炉中で、約20分間加熱する。
とえば、ポリイミドの場合、約300℃ないし約400℃の高
温に、典型的には約10分ないし約30分間、約350℃、典
型的にはチッ素雰囲気の炉中で、約20分間加熱する。
必要に応じ、構造体を清浄化し、約27容量％の四フッ化
炭素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、
プラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分ないし
約20分間の間用いるプラズマ・クリーニングなどによっ
て不必要な残留物及び異物を除去することができる。
炭素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、
プラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分ないし
約20分間の間用いるプラズマ・クリーニングなどによっ
て不必要な残留物及び異物を除去することができる。
次いで、クロム層を蒸着などによって設けることができ
る。この層は通常、厚さ約400Åないし約800Åである。
る。この層は通常、厚さ約400Åないし約800Åである。
次いで、約60,000Åないし約90,000Åの銅層を、真空蒸
着などによって設けることができる。
着などによって設けることができる。
次いで、頂部クロム層を設け、銅を真空蒸着などによる
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約400Åないし約800Åである。
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約400Åないし約800Åである。
次いで、フォトレジストを、たとえば、コダックKTFR
(R)などのネガ・フォトレジストをスプレイすることに
よって、ステンレス・スチールの前面及び背面の両方に
塗布し、その後約100℃ないし約120℃で空気加熱機中で
乾燥する。
(R)などのネガ・フォトレジストをスプレイすることに
よって、ステンレス・スチールの前面及び背面の両方に
塗布し、その後約100℃ないし約120℃で空気加熱機中で
乾燥する。
次いで、フォトレジストを露光現像し、希望するポリイ
ミド・パターンのネガを設ける。コダックKTFR(R)の場
合、タマラック・コンタクト露光投影機を、約50ないし
約70ミリジュールで約３分ないし約５分間使用して、フ
ォトレジストをステンレス・スチールの背面でブランケ
ット露光し、回路側で希望する所定のパターンに露光し
て、ポリマー・パーソナリティという一般的なプロファ
イルないし形状を画定する。
ミド・パターンのネガを設ける。コダックKTFR(R)の場
合、タマラック・コンタクト露光投影機を、約50ないし
約70ミリジュールで約３分ないし約５分間使用して、フ
ォトレジストをステンレス・スチールの背面でブランケ
ット露光し、回路側で希望する所定のパターンに露光し
て、ポリマー・パーソナリティという一般的なプロファ
イルないし形状を画定する。
次いで、フォトレジストをメチルクロロフォルム・スプ
レイを用いて現像し、その後フレオン・スプレイのリン
スを行なうことができる。
レイを用いて現像し、その後フレオン・スプレイのリン
スを行なうことができる。
次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、約60g/の過マンガン
酸塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガ
ン酸カリウム組成を、約100゜Fで、約1.2分間、約8psi
のスプレイ圧力でスプレイして、クロムを除去する。次
いで、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の
塩化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力で
スプレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同
じ手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスに
よってリンスし、次いで、脱イオン水で２回リンスす
る。
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、約60g/の過マンガン
酸塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガ
ン酸カリウム組成を、約100゜Fで、約1.2分間、約8psi
のスプレイ圧力でスプレイして、クロムを除去する。次
いで、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の
塩化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力で
スプレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同
じ手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスに
よってリンスし、次いで、脱イオン水で２回リンスす
る。
残余のフォトレジストを、Ｊ−100剥離溶液を用いて剥
離し、その後キシレン・リンス、イソプロパノール・リ
ンス、及び３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その後
加熱空気で乾燥する。
離し、その後キシレン・リンス、イソプロパノール・リ
ンス、及び３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その後
加熱空気で乾燥する。
次いで、クロム−銅−クロムをコンタクト・マスクとし
て使用して、ポリイミドをレーザー・エッチングによっ
て所定の領域から除去し、一般的なプロファイルないし
パーソナリティを設ける。レーザー・エッチングはポリ
イミドの表面に、約193ないし約351ナノメートル、好ま
しくは308ナノメートルの波長及び約500ないし約1500ミ
リジュール/cm2のフルエンスを用いて行なわれる。
て使用して、ポリイミドをレーザー・エッチングによっ
て所定の領域から除去し、一般的なプロファイルないし
パーソナリティを設ける。レーザー・エッチングはポリ
イミドの表面に、約193ないし約351ナノメートル、好ま
しくは308ナノメートルの波長及び約500ないし約1500ミ
リジュール/cm2のフルエンスを用いて行なわれる。
次いで、フォトレジストをケーブルの両面に、たとえば
コダックKTFR(R)をスプレイして塗布し、これを空気加
熱機中において約100℃ないし約120℃で乾燥する。約３
秒ないし約５秒間、約55ないし約70ミリジュールでタマ
ラック投影装置を使用して、フォトレジストのステンレ
ス・スチール側をブランケット露光し、前面のクロム−
銅−クロム側を所定の回路パターンに露光する。
コダックKTFR(R)をスプレイして塗布し、これを空気加
熱機中において約100℃ないし約120℃で乾燥する。約３
秒ないし約５秒間、約55ないし約70ミリジュールでタマ
ラック投影装置を使用して、フォトレジストのステンレ
ス・スチール側をブランケット露光し、前面のクロム−
銅−クロム側を所定の回路パターンに露光する。
次いで、フォトレジストをメチルクロロフォルムをスプ
レイして現像する。部品をその後フレオンでリンスす
る。
レイして現像する。部品をその後フレオンでリンスす
る。
次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、約60g/の過マンガン
酸塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガ
ン酸カリウムを、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのス
プレイ圧力でスプレイして、クロムを除去する。次い
で、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の塩
化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力でス
プレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同じ
手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスによ
ってリンスし、次いで、脱イオン水で２回リンスする。
これが固定パターンを画定する。
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、約60g/の過マンガン
酸塩と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガ
ン酸カリウムを、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのス
プレイ圧力でスプレイして、クロムを除去する。次い
で、基板を脱イオン水でリンスする。比重約1.280の塩
化第二鉄組成を約30℃で、約１分間、約8psiの圧力でス
プレイし、銅を除去する。底部のクロム層を上記と同じ
手順で除去する。構造体を75g/のシュウ酸リンスによ
ってリンスし、次いで、脱イオン水で２回リンスする。
これが固定パターンを画定する。
残余のフォトレジストを、Ｊ−100などのフォトレジス
トの溶剤に浸漬することによって除去し、その後キシレ
ン・リンス、イソプロパノール・リンス、及び３回の加
熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気で乾燥す
る。
トの溶剤に浸漬することによって除去し、その後キシレ
ン・リンス、イソプロパノール・リンス、及び３回の加
熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気で乾燥す
る。
パネルをNeutra−Clean洗浄剤を使用して、約65℃に加
熱した脱イオン水中で、約２分ないし約４分間予備洗浄
し、次いで脱イオン水で３回リンスし、その後加熱空気
で乾燥する。次に、コダックKTFR(R)などのネガ・フォ
トレジストをケーブルの回路側にスプレイし、その後空
気加熱機中で約100℃ないし約120℃で乾燥する。頂部回
路側のフォトレジストを、タマラック投影装置を約３秒
ないし５秒間、約55ないし約70ミリジュールで使用し
て、ブランケット露光する。
熱した脱イオン水中で、約２分ないし約４分間予備洗浄
し、次いで脱イオン水で３回リンスし、その後加熱空気
で乾燥する。次に、コダックKTFR(R)などのネガ・フォ
トレジストをケーブルの回路側にスプレイし、その後空
気加熱機中で約100℃ないし約120℃で乾燥する。頂部回
路側のフォトレジストを、タマラック投影装置を約３秒
ないし５秒間、約55ないし約70ミリジュールで使用し
て、ブランケット露光する。
結果をメチルクロロフォルム・スプレイを用いて現像
し、その後フレオン・スプレイのリンスを行なう。
し、その後フレオン・スプレイのリンスを行なう。
次に、コダックKTFR(R)などのネガ・フォトレジストを
ケーブルのステンレス・スチールの背面側にスプレイ
し、その後空間加熱機中で約100℃ないし約120℃で乾燥
する。
ケーブルのステンレス・スチールの背面側にスプレイ
し、その後空間加熱機中で約100℃ないし約120℃で乾燥
する。
タマラック投影装置を約３秒ないし約５秒間、約55ない
し約70ミリジュールで使用して、背面を所定のパターン
に露光し、ステンレス・スチールのプロファイルを画定
する。フォトレジストをメチルクロロフォルムをスプレ
イして現像し、その後フレオン・スプレイのリンスを行
なう。
し約70ミリジュールで使用して、背面を所定のパターン
に露光し、ステンレス・スチールのプロファイルを画定
する。フォトレジストをメチルクロロフォルムをスプレ
イして現像し、その後フレオン・スプレイのリンスを行
なう。
次に、スチールを第１層及び大きいウィンドウを形成す
る領域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光す
る。
る領域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光す
る。
このステップを、約50℃において、約20psiで、約４分
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液を使って露光したスチールをエッチン
グして達成することができる。
残余のフォトレジストを、Ｊ−100などのフォトレジス
トの溶剤に浸漬することによって除去し、その後キシレ
ン・リンス、イソプロパノール・リンス、及び３回の加
熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気で乾燥す
る。
トの溶剤に浸漬することによって除去し、その後キシレ
ン・リンス、イソプロパノール・リンス、及び３回の加
熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気で乾燥す
る。
次いで、ポリイミドを所定の領域から、レーザ・エッチ
ングによって除去し、回路線の背後に小さいウィンドウ
を設け、回路パッドの下方にバイアを設ける。レーザー
・エッチングはレーザーに面した部品の背面に、約193
ないし約351ナノメートル、好ましくは308ナノメートル
の波長及び約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典型
的には約550ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、塩
化キセノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希
ガス・レーザーを用いて行なわれる。エッチング・シス
テムはコンタクト型または投影型のいずれをも使用でき
る。ビーム走査、部品のステッピング及び反復の何らか
の組合せを使用して、異なるポリイミドの領域をエッチ
することができる。
ングによって除去し、回路線の背後に小さいウィンドウ
を設け、回路パッドの下方にバイアを設ける。レーザー
・エッチングはレーザーに面した部品の背面に、約193
ないし約351ナノメートル、好ましくは308ナノメートル
の波長及び約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典型
的には約550ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、塩
化キセノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希
ガス・レーザーを用いて行なわれる。エッチング・シス
テムはコンタクト型または投影型のいずれをも使用でき
る。ビーム走査、部品のステッピング及び反復の何らか
の組合せを使用して、異なるポリイミドの領域をエッチ
することができる。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を、約400Wの電
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
力で、約10分ないし約20分間使用したものなどのプラズ
マ除去によって、異物を除去できる。
パッド上の露出したクロムを、過マンガン酸カリウム浴
中などでのエッチングによって除去する。典型的な浴は
約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/の水酸化ナ
トリウムを含む、約100゜Fで、約1.2分間のものであ
る。
中などでのエッチングによって除去する。典型的な浴は
約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/の水酸化ナ
トリウムを含む、約100゜Fで、約1.2分間のものであ
る。
次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の脱イオン水リンスを行なう。さらに、この部品を
中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン水リン
ス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、及び最終の２分
間の脱イオン水リンスによって処理する。
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス及
び他の脱イオン水リンスを行なう。さらに、この部品を
中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン水リン
ス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、及び最終の２分
間の脱イオン水リンスによって処理する。
露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20ないし約60マイクロインチの厚さの金の層
を設ける。
だ付け可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間
行ない、約20ないし約60マイクロインチの厚さの金の層
を設ける。
この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。
空気乾燥する。
この部分を次いで、チタン・フレームから分離する。
本発明による支持ケーブルを製造するさらに他の順序に
おいては、ポリイミドがステンレス・スチールのロール
のロール・コーティングによって塗布される。
おいては、ポリイミドがステンレス・スチールのロール
のロール・コーティングによって塗布される。
ポリイミドをこの時点で、約95℃で約12分間加熱するこ
となどによって、部分的に硬化することができ、次いで
コーティングされたステンレス・スチールを10″×15″
のパネルに切断する。
となどによって、部分的に硬化することができ、次いで
コーティングされたステンレス・スチールを10″×15″
のパネルに切断する。
次に、ポリマー層を完全に硬化することができる。たと
えば、ポリイミド前駆体の場合、IR炉中でチッ素雰囲気
下で、典型的には12分間、典型的には約400℃の高温ま
で加熱できる。
えば、ポリイミド前駆体の場合、IR炉中でチッ素雰囲気
下で、典型的には12分間、典型的には約400℃の高温ま
で加熱できる。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を約400Wで、約1
0分ないし約20分間使用したものなどのプラズマ除去に
よって、異物を除去できる。
0分ないし約20分間使用したものなどのプラズマ除去に
よって、異物を除去できる。
次いで、クロム層をスパッタリング法などによって設け
ることができる。この層は通常、厚さ約100Åないし約2
00Åである。
ることができる。この層は通常、厚さ約100Åないし約2
00Åである。
約2,000Åないし約3,000Åの銅層を、真空蒸着などによ
って設けることができる。
って設けることができる。
次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層機
などによって、ステンレス・スチールの背面に貼付す
る。典型的なフォトレジストはデュポンRiston T−168
(R)である。次いで、フォトレジストを、たとえばタマ
ラック・コンタクト露光装置を、約２秒ないし約５秒
間、約58ないし約65ミリジュールで用いて、ブランケッ
ト露光する。
などによって、ステンレス・スチールの背面に貼付す
る。典型的なフォトレジストはデュポンRiston T−168
(R)である。次いで、フォトレジストを、たとえばタマ
ラック・コンタクト露光装置を、約２秒ないし約５秒
間、約58ないし約65ミリジュールで用いて、ブランケッ
ト露光する。
次いで、銅を構造体の前面に、典型的には硫酸溶液に硫
酸銅を入れた酸電解めっき浴などによってめっきし、約
90,000Åの銅の総厚を設ける。電解めっきは125Aで約23
分間行なわれる。
酸銅を入れた酸電解めっき浴などによってめっきし、約
90,000Åの銅の総厚を設ける。電解めっきは125Aで約23
分間行なわれる。
典型的には厚さ約２ミルのネガ・レジストを、前面（ク
ロム−銅側）に積層などによって貼付する。典型的なレ
ジストはRiston T−168(R)である。
ロム−銅側）に積層などによって貼付する。典型的なレ
ジストはRiston T−168(R)である。
次いで、フォトレジストをタマラック・コンタクト露光
装置などを使用して、約58ないし約65ミリジュールで、
約２秒ないし約５秒間、希望するパターンで紫外線に露
光し、ケーブルの一般的な形状ないしプロファイル（パ
ーソナリティ）を設ける。
装置などを使用して、約58ないし約65ミリジュールで、
約２秒ないし約５秒間、希望するパターンで紫外線に露
光し、ケーブルの一般的な形状ないしプロファイル（パ
ーソナリティ）を設ける。
フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレイを
用いて現像し、その後フォーター・スプレイ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。
用いて現像し、その後フォーター・スプレイ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。
必要に応じ、構造体を処理し、約27容量％の四フッ化炭
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分ないし約
20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニングなど
によって不必要な残留物及び異物を除去することができ
る。
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分ないし約
20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニングなど
によって不必要な残留物及び異物を除去することができ
る。
次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。約30℃で、約１分間、約8psiの圧
力でスプレイされた、比重約1.260の塩化第二鉄組成を
使用して、銅を除去できる。約60g/の過マンガン酸塩
と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガン酸
カリウムを、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのスプレ
イ圧力でスプレイして、クロムを除去する。
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。約30℃で、約１分間、約8psiの圧
力でスプレイされた、比重約1.260の塩化第二鉄組成を
使用して、銅を除去できる。約60g/の過マンガン酸塩
と約20g/の水酸化ナトリウムを含有する過マンガン酸
カリウムを、約100゜Fで、約1.2分間、約8psiのスプレ
イ圧力でスプレイして、クロムを除去する。
次いで、残余のレジストを、たとえば、デュポンRiston
T−168(R)の場合、塩化メチレンを約18psiの圧力で、
約２ないし約３分間スプレイして除去し、その後水をス
プレイしてリンスする。
T−168(R)の場合、塩化メチレンを約18psiの圧力で、
約２ないし約３分間スプレイして除去し、その後水をス
プレイしてリンスする。
次いで、ポリイミドをレーザー・エッチングによって、
所定の領域から除去し、全体的なポリイミドのプロファ
イルを設ける。レーザー・エッチングはレーザーに面し
た部品の前面に、約193ないし約351ナノメートル、好ま
しくは308ナノメートルの波長及び約500ないし約1500ミ
リジュール/cm2、典型的には約550ミリジュール/cm2の
フルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化クリプト
ンなどのハロゲン化希ガスを用いて行なわれる。
所定の領域から除去し、全体的なポリイミドのプロファ
イルを設ける。レーザー・エッチングはレーザーに面し
た部品の前面に、約193ないし約351ナノメートル、好ま
しくは308ナノメートルの波長及び約500ないし約1500ミ
リジュール/cm2、典型的には約550ミリジュール/cm2の
フルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化クリプト
ンなどのハロゲン化希ガスを用いて行なわれる。
エッチングを部品をビームで走査し、すなわちビームの
下の部品を走査して行ない、ポリマーをエッチする。パ
ネルをステップさせ、除去すべきポリマーの次の部分を
露光する。希望するポリマーがすべて除去されるまで、
走査とステッピングを繰り返す。クロム−銅はコンタク
ト・マスクとして働く。
下の部品を走査して行ない、ポリマーをエッチする。パ
ネルをステップさせ、除去すべきポリマーの次の部分を
露光する。希望するポリマーがすべて除去されるまで、
走査とステッピングを繰り返す。クロム−銅はコンタク
ト・マスクとして働く。
次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層装
置などによって、ステンレス・スチールの背面及び回路
側に貼付する。典型的なフォトレジストはデュポンRist
on T−168(R)である。タマラック・コンタクト露光装置
を、約２秒ないし５秒間58−65ミリジュールで使用し
て、ステンレス・スチールの背面側のフォトレジストを
ブランケット露光し、前面のクロム−銅被覆側を露光し
て、希望する回路パターンを与える。
置などによって、ステンレス・スチールの背面及び回路
側に貼付する。典型的なフォトレジストはデュポンRist
on T−168(R)である。タマラック・コンタクト露光装置
を、約２秒ないし５秒間58−65ミリジュールで使用し
て、ステンレス・スチールの背面側のフォトレジストを
ブランケット露光し、前面のクロム−銅被覆側を露光し
て、希望する回路パターンを与える。
フォトレジストは上記のようにメチルクロロフォルム・
スプレイを用いて現像され、その後脱イオン水でスプレ
イする。
スプレイを用いて現像され、その後脱イオン水でスプレ
イする。
必要に応じ、構造体を処理し、約27容量％の四フッ化炭
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分ないし約
20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニングなど
によって不必要な残留物及び異物を除去することができ
る。
素、約５容量％のチッ素、及び約68容量％の酸素を、プ
ラズマ・ガスとして、約400Wの電力で、約10分ないし約
20分間の間用いるプラズマ・タイプのクリーニングなど
によって不必要な残留物及び異物を除去することができ
る。
次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、比重約1.260の第二塩
化鉄組成を、約30℃、約１分間、約8psiの圧力でスプレ
イし、銅を除去する。
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエッチ
ング液でエッチする。たとえば、比重約1.260の第二塩
化鉄組成を、約30℃、約１分間、約8psiの圧力でスプレ
イし、銅を除去する。
約60g/の過マンガン酸塩と約20g/の水酸化ナトリウ
ムを含有する過マンガン酸カリウム組成を、約100゜F
で、約1.2分間、約8psiのスプレイ圧力でスプレイし
て、クロムを除去する。これが回路パターンを画定す
る。
ムを含有する過マンガン酸カリウム組成を、約100゜F
で、約1.2分間、約8psiのスプレイ圧力でスプレイし
て、クロムを除去する。これが回路パターンを画定す
る。
残余のフォトレジストを塩化メチレンを、約18psiで約
２分ないし約３分間スプレイして除去し、その後水でリ
ンスする。
２分ないし約３分間スプレイして除去し、その後水でリ
ンスする。
次いで、部品を約50℃の脱イオン水中のPosi−Clean清
浄剤などを使用し、約10psiでスプレイして、清浄化
し、その後脱イオン水で３回リンスし、加熱空気で乾燥
する。
浄剤などを使用し、約10psiでスプレイして、清浄化
し、その後脱イオン水で３回リンスし、加熱空気で乾燥
する。
次に、フォトレジストをステンレス・スチールの両面
に、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的
なフォトレジストはデュポンRiston T−168(R)である。
タマラック・コンタクト露光装置を、約２秒ないし約５
秒間58−60ミリジュールで使用して、回路側のフォトレ
ジストを所定のパターンでブランケット露光し、ステン
レス・スチール側を露光する。パターンはケーブルの所
望のスチール・パターンをもたらすのに必要なものに対
応している。
に、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的
なフォトレジストはデュポンRiston T−168(R)である。
タマラック・コンタクト露光装置を、約２秒ないし約５
秒間58−60ミリジュールで使用して、回路側のフォトレ
ジストを所定のパターンでブランケット露光し、ステン
レス・スチール側を露光する。パターンはケーブルの所
望のスチール・パターンをもたらすのに必要なものに対
応している。
フォトレジストをメチルクロロフォルムをスプレイして
現像し、その後水でリンスする。
現像し、その後水でリンスする。
次に、スチールを第１層及び大きなウィンドウを形成す
るための領域から除去し、パッドの背面を露光する。
るための領域から除去し、パッドの背面を露光する。
このステップを、約50℃において、約20psiで、約４分
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液（比重1.360）を使って露光したスチ
ールをエッチングして達成することができる。
ないし約６分間スプレイすることなどによって、塩化第
二鉄エッチング液（比重1.360）を使って露光したスチ
ールをエッチングして達成することができる。
残余のフォトレジストを塩化メチレンを、約18psiで約
２分ないし約３分間スプレイして除余し、その後水でリ
ンスする。
２分ないし約３分間スプレイして除余し、その後水でリ
ンスする。
次いで、ポリイミドをレーザー・エッチングによって、
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さいウィンド
ウを設け、回路パッドの下にバイアを設ける。レーザー
・エッチングはレーザーに面した部品の背面に、約193
ないし約351ナノメートル、好ましくは308ナノメートル
の波長及び約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典型
的には約550ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、塩
化キセノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希
ガス・レーザーを用いて行なわれる。レーザー・エッチ
ング・システムはコンタクト型または投影型のいずれで
も行なえる。ビーム走査、部品のステッピング及び反復
の何らかの組合せを使用して、異なるポリイミドの領域
をエッチすることができる。
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さいウィンド
ウを設け、回路パッドの下にバイアを設ける。レーザー
・エッチングはレーザーに面した部品の背面に、約193
ないし約351ナノメートル、好ましくは308ナノメートル
の波長及び約200ないし約1000ミリジュール/cm2、典型
的には約550ミリジュール/cm2のフルエンスを用い、塩
化キセノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希
ガス・レーザーを用いて行なわれる。レーザー・エッチ
ング・システムはコンタクト型または投影型のいずれで
も行なえる。ビーム走査、部品のステッピング及び反復
の何らかの組合せを使用して、異なるポリイミドの領域
をエッチすることができる。
この後、CF4、N2、及びO2のガス混合物を、約400Wの電
力で、約10分ないし約20分間使用するなどのプラズマ除
去によって、異物を除去できる。
力で、約10分ないし約20分間使用するなどのプラズマ除
去によって、異物を除去できる。
パッド上の露出したクロムを、過マンガン酸カリウム浴
中などでのエッチングによって除去する。典型的な浴は
約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/の水酸化ナ
トリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.2分間のもの
である。
中などでのエッチングによって除去する。典型的な浴は
約60g/の過マンガン酸カリウムと約20g/の水酸化ナ
トリウムを含む、約100゜Fにおいて、約1.2分間のもの
である。
次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンスを
行ない、次いで他の脱イオン水リンスを行なう。さら
に、この部品を中性洗剤を使用した洗浄により、次いで
脱イオン水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、
及び最終の２分間の脱イオン・リンスによって処理す
る。
ットルに約75グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンスを
行ない、次いで他の脱イオン水リンスを行なう。さら
に、この部品を中性洗剤を使用した洗浄により、次いで
脱イオン水リンス２回、約３分間の15％の硫酸リンス、
及び最終の２分間の脱イオン・リンスによって処理す
る。
露出した銅には次いで、金で電解めっきし、はんだ付け
可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間行な
い、約20マイクロインチないし約60マイクロインチの厚
さの金の層を設ける。
可能とする。電解めっきを約20分ないし約30分間行な
い、約20マイクロインチないし約60マイクロインチの厚
さの金の層を設ける。
この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。
空気乾燥する。
任意選択で、任意の手順において、かつ必要に応じ、接
触が行なわれないか、あるいははんだ付けされない回路
を、ポリイミド保護コーティングで被覆することができ
る。
触が行なわれないか、あるいははんだ付けされない回路
を、ポリイミド保護コーティングで被覆することができ
る。
F.発明の効果 上記のように、本発明は低コストで、かつ高い信頼性で
比較的大量に製造できるとともに、より線の必要のな
い、薄い、可撓性の支持ケーブルを提供する。
比較的大量に製造できるとともに、より線の必要のな
い、薄い、可撓性の支持ケーブルを提供する。
第１図は、本発明による可撓性支持ケーブルの一例の略
図である。第２図は、第１図の線Ａ−Ａ′についての断
面図である。 １、２……ステンレス・スチール・フォイル−ポリマー
材料複合体、３……導電性回路パッド、４……バイア
（開口）、５……導電性回路線、６……第１ウィンド
ウ、７……第２ウィンドウ。
図である。第２図は、第１図の線Ａ−Ａ′についての断
面図である。 １、２……ステンレス・スチール・フォイル−ポリマー
材料複合体、３……導電性回路パッド、４……バイア
（開口）、５……導電性回路線、６……第１ウィンド
ウ、７……第２ウィンドウ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ガリイ・リチヤード・カーデン アメリカ合衆国ニユーヨーク州エンドウエ ル、ベツクウイズ・アヴエニユー403番地 (72)発明者 ウイリアム・ズイーユー・チエン アメリカ合衆国ニユーヨーク州エンデイコ ツト、オツクスフオード・ドライブ12番地 (72)発明者 アンドリユー・リチヤード・グレスコ アメリカ合衆国ニユーヨーク州ビングハン トン、プラツト・ドライブ816番地 (72)発明者 ユージン・ピイーター・スカビンコ アメリカ合衆国ニユーヨーク州ビングハン トン、ボツクス295―10、アール・デイー ５番地 (72)発明者 ジヨン・ジユリアン・カーフマン アメリカ合衆国ニユーヨーク州ウインザ ー、ボツクス1436、アール・デイー１番地 (72)発明者 ナデイア・トンズ アメリカ合衆国ニユーヨーク州エンデイコ ツト、サラー・レーン904番地
Claims (2)
- 【請求項１】ステンレス・スチール・フォイルと、 前記ステンレス・スチール・フォイルの選択された部分
上のポリマー層と、 前記ポリマー層上の選択された位置にある回路パッドで
あって、頂面と底面とを有し、前記回路パッドの底面が
露出するように前記回路パッド下の前記ステンレス・ス
チール・フォイル及び前記ポリマー層を通る開口が設け
られている前記回路パッドと、 前記回路パッドの頂面から延びる回路線と、 前記回路線の端部を含む前記回路線の下方の一部に与え
られる、前記ステンレス・スチール・フォイルが存在し
ない第１ウィンドウと、 前記第１ウィンドウよりも小さく、前記回路線の端部の
近傍の前記回路線の下方の一部に与えられる、前記ステ
ンレス・スチール・フォイル及び前記ポリマー層が存在
しない第２ウィンドウと、 を含む電子装置用の可撓性支持ケーブル。 - 【請求項２】電子装置用の可撓性支持ケーブルの製造方
法であって、 可撓性ステンレス・スチール・フォイルの少なくとも１
つの面にポリマー層を付与する工程と、 前記ポリマー層の頂面に導電層を設ける工程と、 前記導電層をパターニングし、回路パッドと、該パッド
の頂面から延びる回路線を設ける工程と、 所望のパターンに前記ステンレス・スチール・フォイル
をパターニングして、前記回路パッドの底面を露出させ
るような開口と、前記回路線の端部を含む下方の一部に
おける前記ステンレス・スチール・フォイルのない第１
ウィンドウとを設ける工程と、 前記ポリマー層をパターニングして、前記開口と関連す
る位置の開口と、前記第１ウィンドウよりも小さく前記
回路線の端部の近傍の前記回路線の下方の一部における
前記ステンレス・スチール・フォイル及び前記ポリマー
層のない第２ウィンドウとを設ける工程と、 を含む前記製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US268449 | 1981-05-29 | ||
| US07/268,449 US4906803A (en) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | Flexible supporting cable for an electronic device and method of making same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172109A JPH02172109A (ja) | 1990-07-03 |
| JPH0697576B2 true JPH0697576B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=23023054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1288962A Expired - Lifetime JPH0697576B2 (ja) | 1988-11-08 | 1989-11-08 | 電子装置用の可撓性支持ケーブル及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4906803A (ja) |
| EP (1) | EP0367933B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0697576B2 (ja) |
| DE (1) | DE68912275T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1988
- 1988-11-08 US US07/268,449 patent/US4906803A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-04 DE DE68912275T patent/DE68912275T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-04 EP EP89116269A patent/EP0367933B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-08 JP JP1288962A patent/JPH0697576B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
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| EP0367933B1 (en) | 1994-01-12 |
| EP0367933A3 (en) | 1990-07-11 |
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| JPH02172109A (ja) | 1990-07-03 |
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