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JPH0697635B2 - Partial annealing device for lead frame - Google Patents
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JPH0697635B2 - Partial annealing device for lead frame - Google Patents

Partial annealing device for lead frame

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Publication number
JPH0697635B2
JPH0697635B2 JP34393089A JP34393089A JPH0697635B2 JP H0697635 B2 JPH0697635 B2 JP H0697635B2 JP 34393089 A JP34393089 A JP 34393089A JP 34393089 A JP34393089 A JP 34393089A JP H0697635 B2 JPH0697635 B2 JP H0697635B2
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plate
mask plate
lead
gripper
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辰美 岡本
正幸 樋口
賢吾 宮田
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Mitsui High Tec Inc
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Mitsui High Tec Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に用いられるリードフレームをプ
レス加工した後にステージ及びその周りのインナーリー
ドのみを部分的に焼鈍する装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an apparatus for partially annealing only a stage and inner leads around the stage after pressing a lead frame used for a semiconductor device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体装置に用いられるリードフレームに滞留する残留
応力は、一般的に次の加工履歴を経る際に発生する。
Residual stress staying in a lead frame used for a semiconductor device generally occurs during the next processing history.

i)金属鋼材スラブを熱間,冷間圧延及び熱処理の加工
工程を経て金属薄板の広幅帯状に圧延する過程。この過
程では、スラブの幅方向の中央部分と両端部分とで異な
る残留応力が形成される。
i) A process of rolling a metal steel slab into a wide strip of a thin metal plate through hot, cold rolling and heat treatment processing steps. In this process, different residual stresses are formed at the center and both ends of the slab in the width direction.

ii)金属薄板の広幅帯状からリードフレームの所要幅の
条材にスリットする過程。
ii) A process of slitting a wide strip of a thin metal plate into a strip having a required width of a lead frame.

iii)条材の不要部分を順次除去して、インナーリード
の先端部を連結保持するタイバーを残して素子搭載ステ
ージとインナーリード及びアウターリード等のリードフ
レームの所要形状に形成するプレス加工過程。
iii) A press working process in which unnecessary portions of the strip material are sequentially removed, and a tie bar that connects and holds the leading end portions of the inner leads is left to form the element mounting stage and the lead frame such as the inner leads and the outer leads into a desired shape.

以上の過程によって形成されたリードフレームは、更に
後続のラインで半導体装置に組み立てられる。その手順
は、リードフレームのステージに素子を搭載し、この素
子のボンディングパッドと外部導出リードとを貴金属の
細線で結線して電気導通回路を形成し、これらを樹脂封
止するというものである。ところが、半導体装置に組立
てられるまでの中間過程での加熱によって、リードフレ
ームに生じていた残留応力が解放されてしまう。このた
め、インナーリード先端部にリードの浮き沈みや寄り等
の変形が発生してワイヤボンディング不良を生じ、半導
体装置の歩留り低下及び長期的な信頼性に欠ける要因と
なっていた。
The lead frame formed by the above process is further assembled in a semiconductor device in a subsequent line. The procedure is to mount an element on the stage of the lead frame, connect the bonding pad of this element and the external lead to each other with a fine wire of a noble metal to form an electrical conduction circuit, and seal them with resin. However, the residual stress generated in the lead frame is released by the heating in the intermediate process until the semiconductor device is assembled. For this reason, deformation such as ups and downs of the leads and deviation of the leads occur at the tip of the inner leads, resulting in defective wire bonding, which is a factor of lowering the yield of semiconductor devices and lacking long-term reliability.

従来では、このような問題を防ぐために、プレス加工し
て形成した短冊状又は連続体のリードフレームの全体を
間接的又は直接的に加熱する熱処理装置を用いて、リー
ドフレームの残留応力を除去する処理を施すことが一般
に行われている。
Conventionally, in order to prevent such a problem, the residual stress of the lead frame is removed by using a heat treatment device that indirectly or directly heats the entire strip-shaped or continuous lead frame formed by pressing. It is common practice to apply a treatment.

前者の熱処理装置としては、リードフレームの全体を酸
化防止の加熱雰囲気中に連続供給して間接加熱する光輝
焼鈍装置や真空焼鈍装置等が一般に利用されている。ま
た、後者のものでは、電磁誘導現象を利用して金属内で
電気エネルギーを直接熱エネルギーに変える直接加熱式
の高周波焼鈍装置等がある。
As the former heat treatment apparatus, a bright annealing apparatus, a vacuum annealing apparatus or the like, which continuously supplies the entire lead frame to a heating atmosphere for preventing oxidation and indirectly heats it, is generally used. In the latter case, there is a direct heating type induction annealing device which directly converts electric energy into heat energy in a metal by utilizing an electromagnetic induction phenomenon.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかしながら、前者の装置では、加熱時間が長くまた加
熱量を確保するために装置全体が長くなるので、設備上
の障害がある。また、加熱雰囲気の調整や温度制御も複
雑であり、更に短冊状リードフレーム材の処理ではトレ
イに整列した後加熱雰囲気中に搬送するための整列の手
作業工程が必要となる。このため、作業効率の低下等に
よってコスト面での問題があるほか、装置のレイアウト
や同期化等にも制限を受けるので、自動化の障害となっ
ていた。
However, in the former device, since the heating time is long and the entire device is long in order to secure the heating amount, there is an obstacle in equipment. Further, the adjustment of the heating atmosphere and the temperature control are complicated, and further, in the processing of the strip-shaped lead frame material, a manual alignment process for aligning them in the tray and then carrying them into the heating atmosphere is required. For this reason, there is a problem in terms of cost due to a reduction in work efficiency and the layout and synchronization of the device are also limited, which has been an obstacle to automation.

一方、後者の装置では、リードフレームが狭い加熱コイ
ルの中を連続搬送されるので、振動によって加熱コイル
と接触してリードフレームの表面に引っ掻き疵やリード
の曲がり等の損傷を発生させる欠点があった。
On the other hand, in the latter device, since the lead frame is continuously conveyed in a narrow heating coil, there is a drawback that vibration causes it to come into contact with the heating coil and damage the lead frame surface such as scratches and lead bending. It was

また、前記間接又は直接的に加熱する熱処理装置は、リ
ードフレームの全体を加熱するため、リードフレームの
外枠やアウターリード及びこれを連結保持するダムバー
が軟化する。このため、母材の機能低下及び延び,収縮
等による変形によって、外枠に設けた位置決め用のパイ
ロット孔のピッチが変化するという問題もある。
In addition, since the heat treatment apparatus for indirectly or directly heating heats the entire lead frame, the outer frame of the lead frame, the outer leads, and the dam bar that connects and holds the outer frames are softened. Therefore, there is also a problem that the pitch of the positioning pilot holes provided in the outer frame changes due to the function deterioration of the base material and the deformation due to extension, contraction and the like.

更に、近来では、リードフレームを用いる半導体装置の
機能の多様化や多ピン化傾向に伴い、インナーリードの
先端部が微細化されるようになった。このため、リード
幅やその間隔が一層狭くなり、インナーリードの微小な
変形も許容できない状況にあり、高精度の部分熱処理装
置の要望があった。
Further, in recent years, the tip portions of the inner leads have become finer due to the diversification of functions of semiconductor devices using a lead frame and the tendency toward more pins. For this reason, the lead width and its interval are further narrowed, and even minute deformation of the inner leads cannot be tolerated, and there has been a demand for a highly accurate partial heat treatment apparatus.

本発明の目的は、加工履歴によって生じる残留応力を必
要な領域のみで除去し、リードフレーム母材の有する機
能及び位置決め基準孔と相互間のピッチ精度等の初期機
能を維持したリードフレームを焼鈍処理できるようにす
ることにある。
An object of the present invention is to remove a residual stress caused by a processing history only in a necessary area, and to anneal a lead frame that maintains the functions of the lead frame base material and the initial functions such as a positioning reference hole and a pitch accuracy between them. To be able to do it.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明は、金属条材をプレス加工して、リードフレーム
の所要の形状に形成する際の打ち抜き,コイニング,押
圧加工等の加工履歴によって、残留応力が内部に滞有す
る該リードフレームを、酸化防止雰囲気中で熱処理を施
して該残留応力を除去する焼鈍装置であって、リードフ
レームを部分的に加熱する高周波加熱体と、該高周波加
熱体の周りに設けられ加熱時にリードフレームの非加熱
部分を覆うマスクプレートと、前記リードフレームを前
記高周波加熱体及びマスクプレートに非接触状態で送り
を与える間欠搬送機構とを備え、前記リードフレームの
インナーリード及び/又はステージを含む部分に前記高
周波加熱体を対応させたことを特徴とする。
The present invention prevents the oxidation of a lead frame having a residual stress inside due to the processing history such as punching, coining, pressing when a metal strip is pressed into a desired shape of the lead frame. An annealing apparatus for performing heat treatment in an atmosphere to remove the residual stress, comprising a high-frequency heating body for partially heating a lead frame, and a non-heating portion of the lead frame provided around the high-frequency heating body during heating. A mask plate that covers the lead frame and an intermittent transfer mechanism that feeds the lead frame to the high frequency heating body and the mask plate in a non-contact state is provided, and the high frequency heating body is provided in a portion including the inner lead and / or the stage of the lead frame. The feature is that they correspond.

〔作用〕[Action]

本発明の部分焼鈍装置は、上記のように構成されている
ので、短冊状又は連続帯状に形成されたリードフレーム
を、開閉自在とした一対のマスクプレートの間をリフト
して所要寸法だけ搬送するので、前記リードフレームが
加熱体に接触することなく所定の位置に搬送できる。
Since the partial annealing apparatus of the present invention is configured as described above, the lead frame formed in the strip shape or the continuous strip shape is lifted between the pair of mask plates which can be opened and closed and conveyed by a required size. Therefore, the lead frame can be transported to a predetermined position without contacting the heating body.

該リードフレームの外枠やアウターリードを連結保持す
るダムバー等の非加熱領域をマスキングして加熱防止す
るので、その部分の母材の有する機能を維持し、外枠に
等配設した位置決め用の基準孔ピッチの延びや収縮等に
よる変形を防止して初期設定した基準孔のピッチを維持
する。
Since the non-heated area such as the outer frame of the lead frame and the dam bar for connecting and holding the outer leads is masked to prevent heating, the function of the base material of that portion is maintained and the positioning is performed by equipping the outer frame. Deformation due to extension or contraction of the reference hole pitch is prevented to maintain the initially set reference hole pitch.

更に、該リードフレームの外枠部の機械的強度が維持さ
れるので、搬送の際の引張り力による変形がなく、送り
寸法が安定する。
Furthermore, since the mechanical strength of the outer frame portion of the lead frame is maintained, there is no deformation due to the tensile force during transportation, and the feed dimension is stable.

非加熱領域をマスキングして、インナーリード及び/又
は半導体素子搭載ステージ等に対応する領域部分に高周
波を印加してその領域部分を加熱するので、インナーリ
ード部は半導体素子搭載ステージに向かって伸縮するの
で他の領域の影響がなく、複雑な変形を起こすこともな
くリード先端の寄りもない安定した製品が得られる。
Since the non-heated area is masked and a high frequency is applied to the area corresponding to the inner lead and / or the semiconductor element mounting stage to heat the area, the inner lead portion expands and contracts toward the semiconductor element mounting stage. Therefore, there is no influence of other regions, and a stable product can be obtained in which complicated deformation does not occur and the tip of the lead is not offset.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の部分焼鈍装置の一部切欠正面図、第2
図はリードフレームのパスライン方向に見た図である。
FIG. 1 is a partially cutaway front view of the partial annealing apparatus of the present invention, FIG.
The figure is a view seen in the pass line direction of the lead frame.

図において、焼鈍装置の全体をカバーするケーシング
(図示せず)の中に配置した基台1aにベース1が固定さ
れ、このベース1の上方に焼鈍処理するリードフレーム
のパスラインが設けられている。ベース1のコーナ部の
4箇所にはそれぞれガイドブッシュ2aを設けてこれにガ
イドピン2を鉛直方向へ移動可能に差し込んでいる。こ
れらのガイドピン2の下端には補助プレート3及び上端
にはトッププレート4をそれぞれ連結している。補助プ
レート3の下面には昇降シリンダ5が連接され、その作
動によって補助プレート3及びこれにガイドピン2によ
って一体化されているトッププレート4をパスラインと
直交する方向に昇降動作させる。
In the figure, a base 1 is fixed to a base 1a arranged in a casing (not shown) that covers the entire annealing apparatus, and a lead frame pass line for annealing is provided above the base 1. . Guide bushes 2a are provided at the four corners of the base 1, and the guide pins 2 are vertically movably inserted therein. An auxiliary plate 3 is connected to the lower ends of these guide pins 2, and a top plate 4 is connected to the upper ends thereof. An elevating cylinder 5 is connected to the lower surface of the auxiliary plate 3, and by its operation, the auxiliary plate 3 and the top plate 4 integrated with the guide plate 2 are moved up and down in a direction orthogonal to the pass line.

ベース1の上面にはバックアップライナ6が固定され、
更にその上にはリードフレームの入り側にホルダプレー
ト7を着脱自在に配置している。このホルダプレート7
は、第2図においてリードフレームのパスラインと直交
する方向にバックアップライナ6に対して出し入れ可能
であり、端面に設けたロック7aによって固定される。ホ
ルダプレート7の上面には下部マスクプレート8が第2
図のようにパスラインライン方向に2列配置されてい
る。そして、下部マスクプレート8には、パスライン方
向に4個の高周波誘導加熱体9が組み込まれている。
A backup liner 6 is fixed on the upper surface of the base 1,
Furthermore, a holder plate 7 is detachably arranged on the lead frame entry side. This holder plate 7
Can be put in and taken out from the backup liner 6 in a direction orthogonal to the pass line of the lead frame in FIG. 2, and is fixed by a lock 7a provided on the end face. A second lower mask plate 8 is provided on the upper surface of the holder plate 7.
As shown in the figure, two rows are arranged in the pass line line direction. Then, four high-frequency induction heating bodies 9 are incorporated in the lower mask plate 8 in the pass line direction.

下部マスクプレート8は、第3図に示すように高周波誘
導加熱体9を等しいピッチで埋設固定したもので、リー
ドフレームを載せたときにステージ及びインナーリード
部分のみが高周波誘導加熱体9に臨み、その他の部分は
下部マスクプレート8に被さるように構成する。なお、
高周波誘導加熱体9は、ダストコア9a及びこれを包囲し
た高周波加熱コイル9bを備えたものである。
As shown in FIG. 3, the lower mask plate 8 is formed by embedding and fixing high frequency induction heating bodies 9 at an equal pitch. When the lead frame is placed, only the stage and the inner lead portions face the high frequency induction heating bodies 9. The other part is configured to cover the lower mask plate 8. In addition,
The high frequency induction heating body 9 comprises a dust core 9a and a high frequency heating coil 9b surrounding the dust core 9a.

更に、リードフレームの出側のホルダプレート7の上面
には、誘導加熱した後のリードフレームを徐冷するため
の下部冷却プレート10が固定されている。この下部冷却
プレート10は、たとえばセラミック等が好適な素材とし
て利用できる。
Further, a lower cooling plate 10 for gradually cooling the lead frame after induction heating is fixed to the upper surface of the holder plate 7 on the output side of the lead frame. The lower cooling plate 10 can be made of ceramic or the like as a suitable material.

一方、トッププレート4の下面には上部ホルダ11がパス
ラインに直交する方向へ出し入れ自在に組み込まれる。
この上部ホルダ11もホルダプレート7の場合と同様にロ
ック11aによって固定される。そして、下部マスクプレ
ート8と対応する位置に上部マスクプレート12を2列配
置すると共に下部冷却プレート10の真上には上部冷却プ
レート13を設けている。これらの上部マスクプレート12
及び上部冷却プレート13はそれぞれスプリング12a,13a
によって弾性支持されている。
On the other hand, an upper holder 11 is incorporated on the lower surface of the top plate 4 so as to be freely inserted and removed in a direction orthogonal to the pass line.
The upper holder 11 is also fixed by the lock 11a as in the case of the holder plate 7. Then, two rows of upper mask plates 12 are arranged at positions corresponding to the lower mask plate 8, and an upper cooling plate 13 is provided directly above the lower cooling plate 10. These top mask plates 12
And the upper cooling plate 13 are springs 12a and 13a, respectively.
It is elastically supported by.

リードフレーム50は、第6図のように4個のパターンを
形成した短冊状のものとしてラインに供給される。この
リードフレーム50の供給のため、第2図に示すようにパ
スラインを挟んだベース1の上に4個の搬送ブロック14
が配置されている。これらの搬送ブロック14は、ベース
1に設けたレール1bにガイドされ、パスライン方向にロ
ッドを伸縮させる駆動シリンダ15によって間欠往復動作
する。そして、搬送ブロック14には鉛直方向に昇降シリ
ンダ14aを設けそのロッド14bに搬送フレーム16を固定し
ている。
The lead frame 50 is supplied to the line as a strip having four patterns as shown in FIG. In order to supply the lead frame 50, as shown in FIG. 2, four transfer blocks 14 are provided on the base 1 with the pass line interposed therebetween.
Are arranged. These transfer blocks 14 are guided by rails 1b provided on the base 1 and intermittently reciprocate by a drive cylinder 15 that expands and contracts the rod in the pass line direction. Further, the transfer block 14 is provided with an elevating cylinder 14a in the vertical direction, and the transfer frame 16 is fixed to the rod 14b thereof.

第4図(a)は搬送機構の概略平面図、同図(b)は要
部の側面図である。
FIG. 4A is a schematic plan view of the transport mechanism, and FIG. 4B is a side view of a main part.

図示のように、搬送フレーム16はパスラインの幅のほぼ
全体を占め、パスラインを跨ぐ方向に4本のガイドロッ
ド16aを架け渡している。これらのガイドロッド16aに
は、パスライン方向に4本のグリッパホルダ16b,16c,16
d,16eが幅方向に移動可能に組み込まれている。グリッ
パホルダ16b,16cは第2図において右側を走るリードフ
レーム50用であり、他方の1組のグリッパホルダ16d,16
eは左側を走るリードフレーム50用となる。そして、各
グリッパホルダ16b〜16eの両端部にはラックを形成した
ラックユニット16fが一体化されている。また、グリッ
パホルダ16b,16dのラックユニット16fは共通のガイドロ
ッド16aに摺動自在に取り付けられ、他方のグリッパホ
ルダ16c,16eは他の組みのガイドロッド16aに摺動自在に
取り付けられている。更に、各ラックユニット16fはモ
ータ16gの出力軸に設けたピニオン16hにそれぞれ噛み合
っている。そして、各グリッパホルダ16b〜16eにはそれ
ぞれグリッパ17が取り付けられている。
As shown in the figure, the transport frame 16 occupies almost the entire width of the pass line, and four guide rods 16a are bridged across the pass line. These guide rods 16a include four gripper holders 16b, 16c, 16 in the pass line direction.
d and 16e are installed so as to be movable in the width direction. The gripper holders 16b, 16c are for the lead frame 50 running on the right side in FIG. 2, and the other pair of gripper holders 16d, 16c.
e is for the lead frame 50 running on the left side. A rack unit 16f forming a rack is integrated at both ends of each gripper holder 16b to 16e. The rack units 16f of the gripper holders 16b and 16d are slidably attached to the common guide rod 16a, and the other gripper holders 16c and 16e are slidably attached to the guide rods 16a of other sets. Further, each rack unit 16f meshes with a pinion 16h provided on the output shaft of the motor 16g. A gripper 17 is attached to each of the gripper holders 16b to 16e.

このような搬送機構では、モータ16gを駆動すると、パ
スラインの右側のグリッパホルダ16b,16c及び左側のグ
リッパホルダ16d,16eは、それぞれの間隔を同時に広げ
たり縮小したりする動作を行う。図示の場合は、間隔が
最も小さくこのときにグリッパ17がリードフレーム50の
幅方向の縁を保持して搬送可能な態勢にある。そして、
間隔を広げるときは、リードフレーム50の保持を解除す
ると共に、上部マスクプレート12及び上部冷却プレート
13の下降に干渉しないように各グリッパホルダ16b〜16e
は退避する。
In such a transport mechanism, when the motor 16g is driven, the gripper holders 16b, 16c on the right side and the gripper holders 16d, 16e on the left side of the pass line perform an operation of simultaneously expanding or contracting the respective intervals. In the illustrated case, the gap is the smallest, and at this time, the gripper 17 holds the edge of the lead frame 50 in the width direction and can be conveyed. And
When widening the space, the lead frame 50 is released, and the upper mask plate 12 and the upper cooling plate are released.
13 gripper holders 16b to 16e so as not to interfere with the descending of 13
Will evacuate.

第5図は第2図において左側のリードフレーム50に対す
るグリッパ17の挙動を説明する概略図である。グリッパ
ホルダ16b,16cは昇降シリンダ14aの作動によって、図中
の縦方向の矢印のように上下に移動する。また、モータ
16gの作動によって図中の水平方向の矢印で示すよう
に、ホルダブロック16b,16cはリードフレーム50の左右
縁に向けて開閉動作も可能である。グリッパ17によって
リードフレーム50を保持するときは、まずホルダブロッ
ク16b,16cをグリッパ17のレベルがリードフレーム50に
合うように下降させる。この後、ホルダブロック16b,16
cをリードフレーム50側に接近させて位置決めし、グリ
ッパ17によってこれを保持する。
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the behavior of the gripper 17 with respect to the left lead frame 50 in FIG. The gripper holders 16b and 16c are moved up and down by the operation of the elevating cylinder 14a as indicated by the vertical arrow in the figure. Also the motor
By the operation of 16g, the holder blocks 16b and 16c can also be opened and closed toward the left and right edges of the lead frame 50, as shown by the horizontal arrows in the figure. When holding the lead frame 50 by the gripper 17, first, the holder blocks 16b and 16c are lowered so that the level of the gripper 17 matches the lead frame 50. After this, the holder blocks 16b, 16
The c is positioned close to the lead frame 50 side and is held by the gripper 17.

このようなグリッパ17の作動によって保持されたリード
フレーム50は、駆動シリンダ15によって送りを与えられ
る。この送りは、第1図において下部マスクプレート8
の真上にあるリードフレーム50が間欠送りによって下
部,上部冷却プレート10,13まで搬送されるストローク
とする。また、搬送アーム16は入り側から十分に突き出
る長さとし、上流側からのリードフレーム50の搬入に備
える。そして、リードフレーム50の搬入側及び処理後の
搬出側にはそれぞれ送りローラ18,19が配列され、外部
のラインに接続してリードフレーム50を間欠的に自動供
給するシステムとする。
The lead frame 50 held by the operation of the gripper 17 is fed by the drive cylinder 15. This feeding is performed by the lower mask plate 8 in FIG.
It is assumed that the lead frame 50 immediately above is conveyed to the lower and upper cooling plates 10 and 13 by intermittent feeding. Further, the transfer arm 16 has a length sufficient to project from the entrance side, and is prepared for carrying in the lead frame 50 from the upstream side. Then, feed rollers 18 and 19 are arranged on the carry-in side and the processed carry-out side of the lead frame 50, respectively, and are connected to an external line to automatically supply the lead frame 50 intermittently.

ここで、第6図に示したように、リードフレーム50は4
個のパターンを持つものとして供給されそれぞれのパタ
ーンを4個の高周波誘導加熱体9に対応させて位置決め
する。第7図はリードフレーム50にプレス加工によって
成形した1個のパターンを示す平面図である。このパタ
ーンは中央に半導体素子を搭載するステージ51を設けて
その周りにインナーリード52を形成し、更にダムバー53
を境界としてアウターリード54を設けたものである。そ
して、アウターリード54の外側の両端部には焼鈍やメッ
キ処理等の位置決めとして利用される基準ピン孔55が一
定ピッチで開けられている。
Here, as shown in FIG. 6, the lead frame 50 has four
It is supplied as having one pattern, and each pattern is positioned so as to correspond to the four high-frequency induction heating bodies 9. FIG. 7 is a plan view showing one pattern formed on the lead frame 50 by press working. In this pattern, a stage 51 for mounting a semiconductor element is provided in the center, an inner lead 52 is formed around the stage 51, and a dam bar 53 is formed.
The outer lead 54 is provided with the boundary as a boundary. Then, reference pin holes 55 used for positioning such as annealing and plating are formed at both ends on the outside of the outer lead 54 at a constant pitch.

リードフレーム50に対する焼鈍の領域は、第7図の破線
で囲んだ部分である。すなわち、ステージ51及びインナ
ーリード52の先端部又はダムバー53に沿った範囲であ
り、これより外側には焼鈍を施さない。このような焼鈍
のため、高周波誘導加熱体9は破線で囲んだ形状に等し
くなるように設定し、下部マスクプレート8はその周り
の全体を覆うことができる形状とする。第8図はリード
フレーム50に対する焼鈍時の概略をパスライン方向に見
た断面図であり、同図(a)は第1図の装置に対応させ
たものである。図示のように、リードフレーム50の下面
に下部マスクプレート8及び高周波誘導加熱体9が密着
し、上面には上部マスクプレート12が密着している。ま
た、同図(b)のように上部マスクプレート12にも高周
波誘導加熱体9を組み込んで両面から加熱することもで
きる。このような配置において、高周波誘導加熱体9は
第7図の破線で囲んだ焼鈍領域を加熱するように、リー
ドフレーム50との位置決めを設定する。
The annealing region for the lead frame 50 is the portion surrounded by the broken line in FIG. That is, it is the range along the tip portions of the stage 51 and the inner leads 52 or along the dam bar 53, and the outside thereof is not annealed. Due to such annealing, the high frequency induction heating body 9 is set so as to have the same shape as the shape surrounded by the broken line, and the lower mask plate 8 has a shape capable of covering the entire periphery thereof. FIG. 8 is a sectional view showing the outline of the lead frame 50 during annealing as viewed in the pass line direction, and FIG. 8 (a) corresponds to the apparatus of FIG. As shown in the figure, the lower mask plate 8 and the high frequency induction heating body 9 are in close contact with the lower surface of the lead frame 50, and the upper mask plate 12 is in close contact with the upper surface thereof. Further, as shown in FIG. 7B, the high frequency induction heating element 9 may be incorporated in the upper mask plate 12 to heat from both sides. In such an arrangement, the high-frequency induction heating body 9 is positioned with respect to the lead frame 50 so as to heat the annealing region surrounded by the broken line in FIG.

以上の構成において、送りローラ18から間欠的に供給さ
れたリードフレーム50は、昇降シリンダ14aによって下
降したグリッパ17によって保持された後、下部マスクプ
レート8のレベルよりも少し高い位置に持ち上げられ
る。この後、駆動シリンダ15によって搬送ブロック14に
間欠送りが与えられ、第1図のようにリードフレーム50
は下部マスクプレート8の真上に移動する。なお、これ
と同時に既に加熱された先行リードフレーム50aはグリ
ッパ17に保持されて下部冷却プレート10の真上まで搬送
されている。
In the above structure, the lead frame 50 intermittently supplied from the feed roller 18 is held by the gripper 17 lowered by the elevating cylinder 14a and then lifted to a position slightly higher than the level of the lower mask plate 8. After that, the drive cylinder 15 applies intermittent feed to the transfer block 14, and as shown in FIG.
Moves right above the lower mask plate 8. At the same time, the previously heated lead frame 50a is held by the gripper 17 and conveyed to directly above the lower cooling plate 10.

搬送ブロック14が停止した後には、昇降シリンダ14aに
よって搬送フレーム16を下降させ、リードフレーム50を
下部マスクプレート8の上に及び先行リードフレーム50
aを下部冷却プレート10の上に載せる。この後、グリッ
パ17によるリードフレーム50,50aの拘束を解くと共に、
モータ16gによってホルダブロック16b〜16eの間隔を広
げて上部マスクプレート12及び上部冷却プレート13の下
降に干渉しないように備える。次いで、昇降シリンダ5
によって第1図の状態からトッププレート4を下降さ
せ、上部マスクプレート12を下部マスクプレート8に及
び上部冷却プレート13を下部冷却プレート10にそれぞれ
重ね合わせる。
After the transport block 14 is stopped, the transport frame 16 is lowered by the elevating cylinder 14a to move the lead frame 50 onto the lower mask plate 8 and the leading lead frame 50.
Place a on top of lower cooling plate 10. After that, while releasing the restraint of the lead frames 50, 50a by the gripper 17,
A motor 16g is provided to widen the space between the holder blocks 16b to 16e so as not to interfere with the lowering of the upper mask plate 12 and the upper cooling plate 13. Next, the lifting cylinder 5
The top plate 4 is lowered from the state shown in FIG. 1 by superposing the upper mask plate 12 on the lower mask plate 8 and the upper cooling plate 13 on the lower cooling plate 10, respectively.

リードフレーム50は第8図(a)で説明したように下面
に高周波誘導加熱体9が密着し同時にその周りに下部マ
スクプレート8が被さり、上部マスクプレート12との間
に挟まれる。そして、第7図の破線で囲んだ領域のみが
高周波誘導加熱体9によって誘導加熱され、その他の領
域は下部マスクプレート8によって誘導加熱が抑えられ
る。したがって、リードフレーム50に対する部分加熱が
高周波誘導加熱体9によって行われる。一方、先行リー
ドフレーム50aは下部,上部冷却プレート10,13によって
挟まれて徐冷され、加熱処理及び徐冷による焼鈍が施さ
れる。
As described in FIG. 8A, the lead frame 50 is sandwiched between the high-frequency induction heating body 9 and the lower mask plate 8 at the same time as being covered with the lower mask plate 8 and the upper mask plate 12. Then, only the region surrounded by the broken line in FIG. 7 is induction-heated by the high-frequency induction heating body 9, and the other regions are suppressed from being heated by the lower mask plate 8. Therefore, partial heating of the lead frame 50 is performed by the high frequency induction heating body 9. On the other hand, the leading lead frame 50a is sandwiched between the lower and upper cooling plates 10 and 13 to be gradually cooled, and subjected to heat treatment and annealing by slow cooling.

一定時間経過した後、昇降シリンダ5によってトッププ
レート4を上昇させてリードフレーム50及び先行リード
フレーム50aの上面を開放する。そして、間隔を広げて
いたグリッパホルダ16b〜16eを第4図(a)の状態に戻
してグリッパ17によって処理後のリードフレーム50及び
先行リードフレーム50aを保持し、駆動シリンダ15によ
って再び送りを与える。この送りによって、先行リード
フレーム50aは送りローラ19側へ排出され、リードフレ
ーム50は下部冷却プレート10の上に達し、更に後続リー
ドフレーム50bが下部マスクプレート8の上に到達す
る。以降、前記の要領によって間欠的にリードフレーム
50が加熱,徐冷の順に焼鈍処理が行われる。
After a certain period of time, the top plate 4 is lifted by the lifting cylinder 5 to open the upper surfaces of the lead frame 50 and the lead frame 50a. Then, the gripper holders 16b to 16e which have been widened are returned to the state of FIG. 4 (a), the processed lead frame 50 and the preceding lead frame 50a are held by the gripper 17, and the feed is given again by the drive cylinder 15. . By this feed, the lead frame 50a is discharged to the feed roller 19 side, the lead frame 50 reaches the lower cooling plate 10, and the subsequent lead frame 50b reaches the lower mask plate 8. After that, the lead frame is intermittently applied according to the above procedure.
Annealing treatment is performed in order of heating and slow cooling of 50.

なお、リードフレーム50のパターンは仕様によって様々
に変化するので、第7図で示した破線域内の焼鈍領域も
変わることになる。このため、高周波誘導加熱体9の大
きさや配列ピッチ及び上下のマスクプレート8,12及び上
下の冷却プレート10,13の形状等も変更する必要があ
る。これに対して、ホルダプレート7及び上部ホルダ11
はそれぞれバックアップライナ6及びトッププレート4
に着脱自在なので、リードフレーム50のパターンに合わ
せたマスクプレートや冷却プレートを用意しておけば支
障なく対応できる。
Since the pattern of the lead frame 50 changes variously depending on the specifications, the annealing region within the broken line area shown in FIG. 7 also changes. Therefore, it is necessary to change the size and arrangement pitch of the high-frequency induction heating body 9 and the shapes of the upper and lower mask plates 8 and 12 and the upper and lower cooling plates 10 and 13. On the other hand, the holder plate 7 and the upper holder 11
Are backup liner 6 and top plate 4 respectively
Since it is removable, it is possible to handle it without any problems by preparing a mask plate and cooling plate that match the pattern of the lead frame 50.

第9図及び第10図はリードフレームを帯状材として送り
込むシステムに設置する装置の例を示すものである。な
お、前記の実施例で説明した同じ部材については共通の
符番で指示しその詳細な説明は省略する。
9 and 10 show an example of an apparatus installed in a system for feeding a lead frame as a strip-shaped material. The same members described in the above embodiment are designated by common reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

リードフレームの帯状材50cは、第12図に示すようにパ
ターンを連続して形成したもので、これをそのまま加工
ラインに流して順次処理される。このような帯状材50c
を搬送するため、装置のパスラインの出入り側にはブラ
イドルロール20a,20bが配置され、出側には間欠送りの
ための搬送ロール20cが設けられる。間欠送りのストロ
ークは、第12図に示すように高周波誘導加熱体9を4個
配置しているので、4個のパターンの長さに相当するも
のとする。そして、このストロークによる間欠送りに対
する帯状材50cの位置決めのために位置検出センサ21を
設けると共に基準ピン孔55に嵌まり込むパイロットピン
22を設置する。
The strip-shaped material 50c of the lead frame is formed by continuously forming patterns as shown in FIG. 12, and this is directly flown to the processing line and sequentially processed. Such a strip 50c
In order to convey the sheet, bridle rolls 20a and 20b are arranged on the entrance side and the exit side of the pass line of the apparatus, and a conveyor roll 20c for intermittent feeding is provided on the exit side. The intermittent feed stroke corresponds to the length of the four patterns because four high frequency induction heating elements 9 are arranged as shown in FIG. Then, the position detection sensor 21 is provided for positioning the strip member 50c with respect to the intermittent feed due to this stroke, and the pilot pin fitted into the reference pin hole 55.
Install 22.

更に、帯状材50cを下部マスクプレート8等から浮かし
た状態で搬送するためのガイドリフタ23がこの下部マス
クプレート8及び下部冷却プレート10にそれぞれ一定ピ
ッチで配列されている。第11図は下部マスクプレート8
に設けたガイドリフタ23の詳細図であり、下部マスクプ
レート8にはガイドリフタ23が出没可能なチャンバ8aが
設けられている。ガイドリフタ23の上端には溝23aを設
けてこれに帯状材50cの縁部を差し込んで保持できるよ
うにし、更に下端にはチャンバ8aから抜き出ないように
フランジ23bを設けている。また、チャンバ8aの中には
ガイドリフタ23を上に向けて付勢するコイルスプリング
8bを組み込んでいる。一方、上部マスクプレート12の下
面には、下部マスクプレート8に被さったときに帯状材
50cをきっちりと挟むように逃げ用の凹部12bが設けられ
ている。なお、下部冷却プレート10や上部冷却プレート
13にも同様なチャンバが設けられ、第11図に括弧内の符
番でそれを示す。
Further, guide lifters 23 for transporting the belt-shaped material 50c in a state of being floated from the lower mask plate 8 and the like are arranged on the lower mask plate 8 and the lower cooling plate 10 at a constant pitch. Figure 11 shows the lower mask plate 8
3 is a detailed view of the guide lifter 23 provided in FIG. 1, in which the lower mask plate 8 is provided with a chamber 8a in which the guide lifter 23 can be retracted. A groove 23a is provided at the upper end of the guide lifter 23 so that the edge portion of the strip member 50c can be inserted and held therein, and a flange 23b is provided at the lower end so as not to be pulled out from the chamber 8a. In addition, a coil spring that biases the guide lifter 23 upward is provided in the chamber 8a.
It incorporates 8b. On the other hand, the lower surface of the upper mask plate 12 has a strip-shaped material when it covers the lower mask plate 8.
A recess 12b for escape is provided so as to tightly sandwich 50c. The lower cooling plate 10 and the upper cooling plate
A similar chamber is also provided at 13, which is indicated in Figure 11 by the numbers in parentheses.

以上の構成では、搬送ロール20cに帯状材50cに間欠送り
が与えられ、この送りの間は第9図のようにガイドリフ
タ23は上に突き出てその溝23aをガイドとして帯状材50c
が移動する。そして、位置検出センサ21によって帯状材
50cの移動を検出した後に搬送を停止し、パイロットピ
ン22を基準ピン孔55に差し込んで位置決めする。この
後、昇降シリンダ5によってトッププレート4を加工さ
せ、上部マスクプレート12を下部マスクプレート8の上
に及び上部冷却プレート13を下部冷却プレート10の上に
それぞれ被せる。このとき、第11図で説明したように、
ガイドリフタ23はチャンバ8aの中に入り込み、帯状材50
cの上下面は上部,下部マスクプレート8,12によってき
っちりと挟み込まれる。
In the above configuration, the feeding roll 20c is intermittently fed to the belt-shaped material 50c, and during this feeding, the guide lifter 23 projects upward as shown in FIG. 9 and the groove 23a is used as a guide to guide the belt-shaped material 50c.
Moves. Then, the band-shaped material is detected by the position detection sensor 21.
After detecting the movement of 50c, the conveyance is stopped, and the pilot pin 22 is inserted into the reference pin hole 55 and positioned. After that, the top plate 4 is processed by the elevating cylinder 5, and the upper mask plate 12 is put on the lower mask plate 8 and the upper cooling plate 13 is put on the lower cooling plate 10, respectively. At this time, as explained in FIG. 11,
The guide lifter 23 enters the chamber 8a, and the strip 50
The upper and lower surfaces of c are tightly sandwiched between the upper and lower mask plates 8 and 12.

この後の高周波誘導加熱体9による加熱は前記実施例の
場合と全く同様であり、第7図で示した破線内のステー
ジ51及びインナーリード52のみが加熱される。一方、下
部,上部冷却プレート8,13に挟まれた帯状材50cの先行
部分は後続部分の加熱に同期して徐冷されている。加熱
処理が済むと、昇降シリンダ5によってトッププレート
4が上昇して上部マスクプレート12及び上部冷却プレー
ト13がそれぞれ上昇し、これに伴ってガイドリフタ23が
第11図(a)のように突き出し、帯状材50cを下部マス
クプレート8及び下部冷却プレート10から浮き上がらせ
る。そして、この状態で搬送ロール20cによる送りが与
えられ、以降同様な加工が繰り返される。
The heating by the high frequency induction heating body 9 thereafter is exactly the same as in the case of the above-mentioned embodiment, and only the stage 51 and the inner leads 52 within the broken line shown in FIG. 7 are heated. On the other hand, the leading portion of the strip 50c sandwiched between the lower and upper cooling plates 8 and 13 is gradually cooled in synchronization with the heating of the trailing portion. When the heating process is completed, the lift plate 5 raises the top plate 4 to raise the upper mask plate 12 and the upper cooling plate 13, respectively, and accordingly, the guide lifter 23 projects as shown in FIG. 11 (a). The strip 50c is lifted from the lower mask plate 8 and the lower cooling plate 10. Then, in this state, feeding by the transport roll 20c is given, and thereafter, similar processing is repeated.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明では、高周波誘導加熱体を有する一対のマスクプ
レートを開閉自在としてその間をリードフレームを浮か
した状態で搬送するので、加熱体等にリードフレームが
接触することはなく、その表面に引っ掻き等の損傷を与
えることがない。また、焼鈍領域がインナーリードまで
であることから、リードフレームの外枠やアウターリー
ド及びダムバー等の母材の有する初期機能を維持するこ
とができ、且つ初期設定した位置決め用の基準孔ピッチ
を維持するので、半導体装置組立て工程における位置決
めを正確に行うことができ、歩留りが向上する。
In the present invention, since a pair of mask plates having a high-frequency induction heating element can be opened and closed and the lead frame is conveyed between the mask plates in a floating state, the heating element or the like does not come into contact with the lead frame and the surface thereof is not scratched. Does not damage. Further, since the annealing area extends to the inner lead, the initial function of the outer frame of the lead frame and the base material such as the outer lead and the dam bar can be maintained, and the initially set reference hole pitch for positioning can be maintained. Therefore, the positioning in the semiconductor device assembling process can be accurately performed, and the yield is improved.

更に、従来の装置に比べて、作業環境がよく、公害の発
生がなく、また周波数の設定によって容易に加熱条件の
コントロールができ、且つ小型化されるので容易にプレ
ス装置やメッキ装置等に連結して、1工程ラインを構成
することができる等の著しい効果があり、半導体装置の
品質及び歩留りを向上させ、長期の信頼性を維持させる
リードフレームを提供できる。
Furthermore, compared to conventional equipment, the working environment is better, there is no pollution, the heating conditions can be easily controlled by setting the frequency, and the size is reduced, so it can be easily connected to the press equipment, plating equipment, etc. As a result, it is possible to provide a lead frame that has a remarkable effect such that a one-step line can be configured, improves the quality and yield of semiconductor devices, and maintains long-term reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の部分焼鈍装置の要部を示す一部切欠正
面図、第2図はパスライン方向に見た側面図、第3図
(a)は高周波誘導加熱体の下部マスクプレートでの配
置を示す平面図、第3図(b)は同図(a)のI−I線
矢視断面図、第4図(a)は搬送機構の概略平面図、第
4図(b)は要部の側面図、第5図はグリッパの挙動に
よるリードフレームの保持を説明するための概略図、第
6図は短冊状のリードフレームに対する加熱部の配置を
示す概略斜視図、第7図は焼鈍領域を示すためのリード
フレームのパターンの平面図、第8図はリードフレーム
に対する加熱部及び上,下マスクプレートの概略断面
図、第9図はリードフレームの帯状材の処理用とした場
合の一部切欠正面図、第10図はパスライン方向に見た側
面図、第11図(a)はガイドリフタによるリードフレー
ムの浮上搬送を示す概略図、第11図(b)はガイドリフ
タの沈下を示す概略図、第12図はリードフレームの帯状
材と加熱部との関係を示す概略斜視図である。 1:ベース、1a:基台 1b:レール 2:ガイドピン、2a:ブッシュ 3:補助プレート、4:トッププレート 5:昇降シリンダ、6:バックアップライナ 7:ホルダプレート、7a:ロック 8:下部マスクプレート 8a:チャンバ、8b:コイルスプリング 9:高周波誘導加熱体 9a:ダストコア、9b:高周波加熱コイル 10:下部冷却プレート 11:上部ホルダ、11a:ロック 12:上部マスクプレート 12a:スプリング、12b:凹部 13:上部冷却プレート 13a:スプリング、13b:凹部 14:搬送ブロック、14a:昇降シリンダ 14b:ロッド 15:駆動シリンダ 16:搬送フレーム 16a〜16e:グリッパホルダ 16f:ラックユニット 16g:モータ、16h:ピニオン 17:グリッパ、18,19:送りローラ 20a,20b:ブライドルロール 20c:搬送ロール 21:位置検出センサ、22:パイロットピン 23:ガイドリフタ、23a:溝 23b:フランジ 50:リードフレーム 50a:先行リードフレーム 50b:後続リードフレーム 50c:帯状材 51:ステージ、52:インナーリード 53:ダムバー、54:アウターリード 55:基準ピン孔
FIG. 1 is a partially cutaway front view showing a main part of a partial annealing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a side view seen in a pass line direction, and FIG. 3 (a) is a lower mask plate of a high frequency induction heating body. FIG. 3 (b) is a sectional view taken along the line II of FIG. 3 (a), FIG. 4 (a) is a schematic plan view of the transport mechanism, and FIG. FIG. 5 is a side view of the main part, FIG. 5 is a schematic view for explaining the holding of the lead frame by the behavior of the gripper, FIG. 6 is a schematic perspective view showing the arrangement of the heating part with respect to the strip-shaped lead frame, and FIG. FIG. 8 is a plan view of a lead frame pattern for showing an annealed region, FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a heating portion and upper and lower mask plates for the lead frame, and FIG. 9 is a case where the strip material of the lead frame is processed. Partially cutaway front view, Figure 10 is a side view seen in the pass line direction, and Figure 11 (a) is a FIG. 11 (b) is a schematic diagram showing the floating conveyance of the lead frame by the lifter, FIG. 11 (b) is a schematic diagram showing the sinking of the guide lifter, and FIG. 12 is a schematic perspective view showing the relationship between the strip-shaped material of the lead frame and the heating portion. . 1: Base, 1a: Base 1b: Rail 2: Guide pin, 2a: Bushing 3: Auxiliary plate, 4: Top plate 5: Lifting cylinder, 6: Backup liner 7: Holder plate, 7a: Lock 8: Lower mask plate 8a: Chamber, 8b: Coil spring 9: High frequency induction heating body 9a: Dust core, 9b: High frequency heating coil 10: Lower cooling plate 11: Upper holder, 11a: Lock 12: Upper mask plate 12a: Spring, 12b: Recess 13: Upper cooling plate 13a: Spring, 13b: Recessed portion 14: Transport block, 14a: Lifting cylinder 14b: Rod 15: Drive cylinder 16: Transport frame 16a to 16e: Gripper holder 16f: Rack unit 16g: Motor, 16h: Pinion 17: Gripper , 18, 19: Feed rollers 20a, 20b: Bridle roll 20c: Conveyor roll 21: Position detection sensor, 22: Pilot pin 23: Guide lifter, 23a: Groove 23b: Flange 50: Lead frame 50a: Lead lead frame 5 0b: Subsequent lead frame 50c: Band material 51: Stage, 52: Inner lead 53: Dam bar, 54: Outer lead 55: Reference pin hole

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属条材をプレス加工して、リードフレー
ムの所要の形状に形成する際の打ち抜き,コイニング,
押圧加工等の加工履歴によって、残留応力が内部に滞有
する該リードフレームを、酸化防止雰囲気中で熱処理を
施して該残留応力を除去する焼鈍装置であって、リード
フレームを部分的に加熱する高周波加熱体と、該高周波
加熱体の周りに設けられ加熱時にリードフレームの非加
熱部分を覆うマスクプレートと、前記リードフレームを
前記高周波加熱体及びマスクプレートに非接触状態で送
りを与える間欠搬送機構とを備え、前記リードフレーム
のインナーリード及び/又はステージを含む部分に前記
高周波加熱体を対応させたことを特徴とするリードフレ
ームの部分焼鈍装置。
1. A stamping, coining, and the like for forming a lead frame into a desired shape by pressing a metal strip.
An annealing device for removing the residual stress by subjecting the lead frame, which has residual stress inside due to processing history such as press working, in an antioxidation atmosphere to remove the residual stress. A heating body, a mask plate provided around the high-frequency heating body and covering a non-heated portion of the lead frame during heating, and an intermittent transfer mechanism for feeding the lead frame to the high-frequency heating body and the mask plate in a non-contact state A partial annealing apparatus for a lead frame, comprising: a part including the inner lead and / or the stage of the lead frame, the high frequency heating element being associated with the part.
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