JPH0699232B2 - 化合物半導体単結晶の製造装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造装置Info
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- JPH0699232B2 JPH0699232B2 JP18701085A JP18701085A JPH0699232B2 JP H0699232 B2 JPH0699232 B2 JP H0699232B2 JP 18701085 A JP18701085 A JP 18701085A JP 18701085 A JP18701085 A JP 18701085A JP H0699232 B2 JPH0699232 B2 JP H0699232B2
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はGaAs等の融点での分解圧の高い化合物半導体単
結晶を直接合成LEC法により製造する装置に係り、特に
直接合成工程の自動化を図った装置に関する。
結晶を直接合成LEC法により製造する装置に係り、特に
直接合成工程の自動化を図った装置に関する。
GaAs等の融点での分解圧の高い化合物半導体単結晶の製
造方法として直接合成LEC法が用いられている。この方
法は高純度単結晶が得られる、原料コストが安価である
等の特徴があり、特に近年超高速IC用基板として注目さ
れているGaAs単結晶の製造に広く用いられている。
造方法として直接合成LEC法が用いられている。この方
法は高純度単結晶が得られる、原料コストが安価である
等の特徴があり、特に近年超高速IC用基板として注目さ
れているGaAs単結晶の製造に広く用いられている。
直接合成LEC法を利用した従来の化合物半導体単結晶の
製造装置を第６図により説明する。高圧容器１内にルツ
ボ２を配設し、このルツボ２内に原料素材である金属Ga
3と金属As4および封止剤となるB2O3をチャージする。こ
の容器１内を不活性ガスで加圧した後、ルツボ２を同軸
的に取囲む発熱体６により加熱し、ルツボ２内に原料融
液および融液を被覆する液体カプセル層を形成する。高
温での原料融液の分解はこの液体カプセル層及び加圧不
活性ガスにより抑制される。単結晶は液体カプセルを通
して種結晶（図示せず）を原料融液に接触させたのち回
転引上げにより製造される。この原料合成過程は大別し
て、（１）封止剤を融解させ原料素材を被覆する工程、
（２）素材のGa3とAs4を反応させGaAs多結晶を合成する
工程、（３）合成されたGaAsを融解する工程の３つから
なっている。これらの工程はルツボ底に取付けられた熱
電対７の出力をモニターしながら発熱体６の加熱電力を
調節することにより行なわれている。そのために加熱電
力制御部９には電力検出器８、電力調節器41、温度調節
器42、手動電力設定器43、切換スイッチ44、SCR45等の
電力制御手段がそれぞれ独立に備えられており、これら
の操作は従来作業者の熟練に依存して経験的に所定の加
熱パターンになるように手動で行なわれていた。例えば
工程（１）では、電力調整器41もしくは手動電力設定器
43により加熱電力をステップ状に封止剤が融解する電力
近くまでゆっくり加えて行く。工程（２）では、同様に
加熱電力をステップ状にGaAsが融解する電力近くまで急
速に上昇させる。工程（３）では、切換スイッチ44によ
り温度調節器42に切換えて、GaAsが融解する温度までゆ
っくり上昇させる。
製造装置を第６図により説明する。高圧容器１内にルツ
ボ２を配設し、このルツボ２内に原料素材である金属Ga
3と金属As4および封止剤となるB2O3をチャージする。こ
の容器１内を不活性ガスで加圧した後、ルツボ２を同軸
的に取囲む発熱体６により加熱し、ルツボ２内に原料融
液および融液を被覆する液体カプセル層を形成する。高
温での原料融液の分解はこの液体カプセル層及び加圧不
活性ガスにより抑制される。単結晶は液体カプセルを通
して種結晶（図示せず）を原料融液に接触させたのち回
転引上げにより製造される。この原料合成過程は大別し
て、（１）封止剤を融解させ原料素材を被覆する工程、
（２）素材のGa3とAs4を反応させGaAs多結晶を合成する
工程、（３）合成されたGaAsを融解する工程の３つから
なっている。これらの工程はルツボ底に取付けられた熱
電対７の出力をモニターしながら発熱体６の加熱電力を
調節することにより行なわれている。そのために加熱電
力制御部９には電力検出器８、電力調節器41、温度調節
器42、手動電力設定器43、切換スイッチ44、SCR45等の
電力制御手段がそれぞれ独立に備えられており、これら
の操作は従来作業者の熟練に依存して経験的に所定の加
熱パターンになるように手動で行なわれていた。例えば
工程（１）では、電力調整器41もしくは手動電力設定器
43により加熱電力をステップ状に封止剤が融解する電力
近くまでゆっくり加えて行く。工程（２）では、同様に
加熱電力をステップ状にGaAsが融解する電力近くまで急
速に上昇させる。工程（３）では、切換スイッチ44によ
り温度調節器42に切換えて、GaAsが融解する温度までゆ
っくり上昇させる。
しかしながらこの従来の方法は作業者の経験に頼るもの
であるから、再現性が悪く作業者の疲労や作業時間が増
大し誤操作しやすくなる等の欠点があった。とりわけ直
接合成時におけるAsの飛散量を一定に抑えられなけれ
ば、得られた融液のGa/Asの組成制御が困難となり、ひ
いては結晶特性のズレやバラツキを生じさせるという問
題点がある。更に、炉が大型化するほど炉の熱時定数が
長くなるため、工程（１）に要する時間が長くなるこ
と、同一炉でも炉条件を変更すると適当な加熱パターン
およびそれに要する加熱電力を設定するのに２〜３回の
実験が必要となること等の欠点がある。
であるから、再現性が悪く作業者の疲労や作業時間が増
大し誤操作しやすくなる等の欠点があった。とりわけ直
接合成時におけるAsの飛散量を一定に抑えられなけれ
ば、得られた融液のGa/Asの組成制御が困難となり、ひ
いては結晶特性のズレやバラツキを生じさせるという問
題点がある。更に、炉が大型化するほど炉の熱時定数が
長くなるため、工程（１）に要する時間が長くなるこ
と、同一炉でも炉条件を変更すると適当な加熱パターン
およびそれに要する加熱電力を設定するのに２〜３回の
実験が必要となること等の欠点がある。
これに対して工程（１）を電力制御から温度制御で行え
ば時間を短縮することができる。しかし、通常温度調整
器42は結晶引上げ時の温度（〜1250℃）で制御が最適に
なるように制御定数を設定しておかなければならず、封
止剤が融解する温度（〜600℃）以下では定数は不適当
である。そのためハンチングやオーバーシュートなどが
生じて温度制御精度が悪く、逆に再現性を低下させる欠
点があった。そのため工程（１）と工程（３）で定数を
その都度変更するか、あるいは温度調整器42を個別に２
台用意する等の必要があり、操作および装置が複雑で高
価になるという問題点があった。
ば時間を短縮することができる。しかし、通常温度調整
器42は結晶引上げ時の温度（〜1250℃）で制御が最適に
なるように制御定数を設定しておかなければならず、封
止剤が融解する温度（〜600℃）以下では定数は不適当
である。そのためハンチングやオーバーシュートなどが
生じて温度制御精度が悪く、逆に再現性を低下させる欠
点があった。そのため工程（１）と工程（３）で定数を
その都度変更するか、あるいは温度調整器42を個別に２
台用意する等の必要があり、操作および装置が複雑で高
価になるという問題点があった。
このため従来の装置では、直接合成過程の自動化のみな
らず、加熱開始から結晶取出しまでの結晶製造工程を全
自動化することができない欠点があった。
らず、加熱開始から結晶取出しまでの結晶製造工程を全
自動化することができない欠点があった。
本発明は上記した点に鑑み、特に直接合成過程を自動制
御して原料の飛散量を一定にし、融液組成を制御するこ
とにより品質の安定した多結晶の引上げを可能とした単
結晶の製造装置を提供することを目的とする。
御して原料の飛散量を一定にし、融液組成を制御するこ
とにより品質の安定した多結晶の引上げを可能とした単
結晶の製造装置を提供することを目的とする。
本発明の概要を第１図および第２図を参照して説明す
る。引上げ炉部本体は周知のものであり、これに加熱制
御部９が付属する。この基本構成は従来の第６図と同じ
である。加熱制御部９には、第２図に示すように各工
程，すなわち封止剤の融解，多結晶の合成，および多結
晶の融解工程に対応した加熱パターンおよび制御定数設
定手段10〜12が格納されているとともに、これらを選択
手段13により順次選択して加熱パターンに一致するよう
に電力制御手段15または温度制御手段16に供給する切換
え手段14が備えられている。そして、熱電対7,電力検出
器８の出力を選択手段13及び切換手段14により各工程に
応じて処理して電力設定手段17に制御信号を供給する。
る。引上げ炉部本体は周知のものであり、これに加熱制
御部９が付属する。この基本構成は従来の第６図と同じ
である。加熱制御部９には、第２図に示すように各工
程，すなわち封止剤の融解，多結晶の合成，および多結
晶の融解工程に対応した加熱パターンおよび制御定数設
定手段10〜12が格納されているとともに、これらを選択
手段13により順次選択して加熱パターンに一致するよう
に電力制御手段15または温度制御手段16に供給する切換
え手段14が備えられている。そして、熱電対7,電力検出
器８の出力を選択手段13及び切換手段14により各工程に
応じて処理して電力設定手段17に制御信号を供給する。
直接合成過程の制御は次のように行なわれる。即ち、第
２図に示す工程Ｉでは、封止剤をゆっくり加熱して行
き、軟化点近くで完全に溶けるまで十分温度を保持して
いる。この加熱パターンはAsの昇華および封止剤の軟化
速度から適切なパターンを設定する。加熱温度制御定数
は昇温時のハンチングおよび昇温から温度保持への切換
え時のオーバーシュートが生じないよう適切な値を設定
する。これは工程Ｉでの炉の熱特性からジーグラー・ニ
コルス（Ziegler−Nichols）の方法などにより定めるこ
とができる。工程Ｉの終了は保持温度および保持時間か
ら判断され工程IIへ進む。工程IIでは、Asを融解してGa
と反応させGaAsの多結晶を合成する。この合成反応は発
熱反応であり、加熱パターンはAsの飛散を抑えるよう急
速に加熱し一気に反応を終了させる。そのため電力制御
で加熱を行い、温度が定常態まで達したのち工程IIを終
了し、工程IIIへ進む。工程IIIでは合成された多結晶を
ゆっくり加熱し融解させる。ここでは再び温度制御で加
熱を行うが、炉内圧力、温度が工程Ｉとは相当異なるた
め制御定数もそれに対応した適切な値を設定する。
２図に示す工程Ｉでは、封止剤をゆっくり加熱して行
き、軟化点近くで完全に溶けるまで十分温度を保持して
いる。この加熱パターンはAsの昇華および封止剤の軟化
速度から適切なパターンを設定する。加熱温度制御定数
は昇温時のハンチングおよび昇温から温度保持への切換
え時のオーバーシュートが生じないよう適切な値を設定
する。これは工程Ｉでの炉の熱特性からジーグラー・ニ
コルス（Ziegler−Nichols）の方法などにより定めるこ
とができる。工程Ｉの終了は保持温度および保持時間か
ら判断され工程IIへ進む。工程IIでは、Asを融解してGa
と反応させGaAsの多結晶を合成する。この合成反応は発
熱反応であり、加熱パターンはAsの飛散を抑えるよう急
速に加熱し一気に反応を終了させる。そのため電力制御
で加熱を行い、温度が定常態まで達したのち工程IIを終
了し、工程IIIへ進む。工程IIIでは合成された多結晶を
ゆっくり加熱し融解させる。ここでは再び温度制御で加
熱を行うが、炉内圧力、温度が工程Ｉとは相当異なるた
め制御定数もそれに対応した適切な値を設定する。
本発明によれば、以下のような効果が得られる。
（１）従来の作業者の熟練による手動操作に頼ることな
く自動的に直接合成ができる。
く自動的に直接合成ができる。
（２）As飛散量が一定に抑制でき、所定の組成の融液が
再現性よく得られる。
再現性よく得られる。
（３）特性の安定した単結晶が得られ、しかも再現性が
良いため結晶原材料の損失も従来より１割程度少なくな
り、結晶製造歩留まりも向上する。
良いため結晶原材料の損失も従来より１割程度少なくな
り、結晶製造歩留まりも向上する。
（４）直接合成時の炉内ガス圧制御機能を組込むことに
より、直接合成の完全自動化ができる。
より、直接合成の完全自動化ができる。
（５）直径制御装置と組合わせることにより単結晶製造
の自動化ができる。
の自動化ができる。
（６）工業的に適用することにより生産性が向上する。
第３図は制御部にマイクロコンピュータを用いた本発明
の一実施例の装置構成を示す図である。図において、１
は高圧容器、２はルツボ、３はCa、４はAs、５はB2O3、
６は発熱体、７は熱電対、31は発熱体６に電力を供給す
るためのSCR装置である。以上の結晶引上げ装置本体お
よびその付属装置は従来より公知のものである。
の一実施例の装置構成を示す図である。図において、１
は高圧容器、２はルツボ、３はCa、４はAs、５はB2O3、
６は発熱体、７は熱電対、31は発熱体６に電力を供給す
るためのSCR装置である。以上の結晶引上げ装置本体お
よびその付属装置は従来より公知のものである。
熱電対７および電力検出器８の出力はスキャナー21によ
りセレクトされA/Dコンバータ22によりデジタル信号に
変換されてインプットポート23にラッチされる。インプ
ットポート23のデータはタイマ28により制御されるマイ
クロコンピュータ24に取込まれる。タイマ28はマイクロ
コンピュータ24を一定周期で動作させるために設けられ
ている。マイクロコンピュータ24は基本的には、CPU25,
RAM26及びROM27により構成されている。タイマ28により
設定された周期でCPU25はROM27のプラグラムに従ってイ
ンプットポート23より温度および電力のデータを取組
み、RAM26との間でデータ授受を行いながら演算処理を
して、加熱電力を設定する制御信号データをアウトプッ
トポート29に出力する。アウトプットポート29のデータ
はD/Aコンバータ30によりアナログ信号に変換されてSCR
装置31に与えられる。
りセレクトされA/Dコンバータ22によりデジタル信号に
変換されてインプットポート23にラッチされる。インプ
ットポート23のデータはタイマ28により制御されるマイ
クロコンピュータ24に取込まれる。タイマ28はマイクロ
コンピュータ24を一定周期で動作させるために設けられ
ている。マイクロコンピュータ24は基本的には、CPU25,
RAM26及びROM27により構成されている。タイマ28により
設定された周期でCPU25はROM27のプラグラムに従ってイ
ンプットポート23より温度および電力のデータを取組
み、RAM26との間でデータ授受を行いながら演算処理を
して、加熱電力を設定する制御信号データをアウトプッ
トポート29に出力する。アウトプットポート29のデータ
はD/Aコンバータ30によりアナログ信号に変換されてSCR
装置31に与えられる。
第４図にマイクロコンピュータによる制御フローを示
し、これと第２図を用いながら直接合成制御の動作を説
明する。プログラムがスタートすると、まずステップP1
でＦ＝１なるモード設定がなされ、ステップP2でFLAG判
定がなされて、Ｆ＝１であるからステップP3に分岐す
る。ステップP3では封止剤融解加熱パターンと温度制御
定数が初期設定される。次にステップP4〜P5より成る温
度制御ループが一定周期で実行され封止剤が融けたと判
定されるまで繰返される。すなわち、ステップP4では設
定されたパターンに従って時間の関数として温度目標値
が計算される。ステップP5ではルツボ底の温度の測定値
が取込まれる。ステップP6では温度の目標値と測定値の
差異を検出し、その差が零になるように加熱電力の修正
量を求め出力する。修正量の計算は公知のPID制御式に
より求めることができるが、この場合は速度型PID制御
式を用いるのが望ましい。ステップP7では封止剤の融解
が判定される。そして融解したと判定されればステップ
P8へ進みＦ＝２なるモード更新がなされ、ステップP2へ
もどる。
し、これと第２図を用いながら直接合成制御の動作を説
明する。プログラムがスタートすると、まずステップP1
でＦ＝１なるモード設定がなされ、ステップP2でFLAG判
定がなされて、Ｆ＝１であるからステップP3に分岐す
る。ステップP3では封止剤融解加熱パターンと温度制御
定数が初期設定される。次にステップP4〜P5より成る温
度制御ループが一定周期で実行され封止剤が融けたと判
定されるまで繰返される。すなわち、ステップP4では設
定されたパターンに従って時間の関数として温度目標値
が計算される。ステップP5ではルツボ底の温度の測定値
が取込まれる。ステップP6では温度の目標値と測定値の
差異を検出し、その差が零になるように加熱電力の修正
量を求め出力する。修正量の計算は公知のPID制御式に
より求めることができるが、この場合は速度型PID制御
式を用いるのが望ましい。ステップP7では封止剤の融解
が判定される。そして融解したと判定されればステップ
P8へ進みＦ＝２なるモード更新がなされ、ステップP2へ
もどる。
次の周期ではステップP2でＦ＝２であるからステップP9
へ行き、多結晶合成加熱パターンと電力制御定数が再び
初期設定される。次にステップP10〜P13より成る電力制
御ループが一定周期で実行され合成が終了するまで繰返
される。ステップP10では設定されたパターンに従って
時間の関数として電力目標値が計算される。ステップP1
1では電力の目標値と測定値との差異を検出し、その差
が零になるように加熱電力を設定する。ステップP13で
合成終了が判定されたのちステップP14へ進みＦ＝３な
るモード更新がなされてステップP2へもどる。
へ行き、多結晶合成加熱パターンと電力制御定数が再び
初期設定される。次にステップP10〜P13より成る電力制
御ループが一定周期で実行され合成が終了するまで繰返
される。ステップP10では設定されたパターンに従って
時間の関数として電力目標値が計算される。ステップP1
1では電力の目標値と測定値との差異を検出し、その差
が零になるように加熱電力を設定する。ステップP13で
合成終了が判定されたのちステップP14へ進みＦ＝３な
るモード更新がなされてステップP2へもどる。
ステップP2でＦ＝３であるからステップP15へ行き、多
結晶融解加熱パターンと制御定数が再び初期設定され
る。次にステップP16〜P19より成る温度制御ループが一
定周期で実行され合成多結晶が融解するまで繰返され
る。ステップP16〜P19の動作はステップP4〜P7と同様で
あるので説明は省略する。ステップP19で多結晶の融解
が判定されると一連の動作は終了し、直接合成が完了す
る。
結晶融解加熱パターンと制御定数が再び初期設定され
る。次にステップP16〜P19より成る温度制御ループが一
定周期で実行され合成多結晶が融解するまで繰返され
る。ステップP16〜P19の動作はステップP4〜P7と同様で
あるので説明は省略する。ステップP19で多結晶の融解
が判定されると一連の動作は終了し、直接合成が完了す
る。
次に、より具体的にGaAs単結晶を直接合成により引上げ
る場合について説明する。直径150mmφのPBN製ルツボに
原料となるGaとAsを合計3Kg（仕込み組成比Ga/As＝0.9
5）および封止剤となるB2O3を600g入れ炉内に収容し、A
rガスで〜35atmに加圧した後プログラムを実行させ、第
２図に示した工程に従って加熱を開始した。工程Ｉでは
約90分でB2O3の軟化点（熱電対の起電力で〜13mV）近く
までゆっくり昇温し、約30分保持することによりB2O3の
融解が判定できた。次に工程IIに進み、約1.5kW/minで2
5kWまで電力を増加することにより多結晶の合成が判定
された。この時の炉内圧力は約70atmに上昇していた。
更に工程IIIに進み約30分で約26.5mVまで昇温すること
によりGaAs多結晶の融解が判定され、一連の制御動作を
終了した。その後圧力を20atmに設定して種付けを行
い、約2.7kgの＜100＞GaAs単結晶を製造した。引上げ終
了後合成時のAsの飛散量を求めた所〜40gであった。得
られた単結晶の比抵抗を測定したところ頭部から尾部ま
で５×107Ω・cm以上あり、熱処理（850℃、15分、As圧
4Torr）後でも２×107Ω・cm以上と熱変成のない品質の
安定した単結晶であった。
る場合について説明する。直径150mmφのPBN製ルツボに
原料となるGaとAsを合計3Kg（仕込み組成比Ga/As＝0.9
5）および封止剤となるB2O3を600g入れ炉内に収容し、A
rガスで〜35atmに加圧した後プログラムを実行させ、第
２図に示した工程に従って加熱を開始した。工程Ｉでは
約90分でB2O3の軟化点（熱電対の起電力で〜13mV）近く
までゆっくり昇温し、約30分保持することによりB2O3の
融解が判定できた。次に工程IIに進み、約1.5kW/minで2
5kWまで電力を増加することにより多結晶の合成が判定
された。この時の炉内圧力は約70atmに上昇していた。
更に工程IIIに進み約30分で約26.5mVまで昇温すること
によりGaAs多結晶の融解が判定され、一連の制御動作を
終了した。その後圧力を20atmに設定して種付けを行
い、約2.7kgの＜100＞GaAs単結晶を製造した。引上げ終
了後合成時のAsの飛散量を求めた所〜40gであった。得
られた単結晶の比抵抗を測定したところ頭部から尾部ま
で５×107Ω・cm以上あり、熱処理（850℃、15分、As圧
4Torr）後でも２×107Ω・cm以上と熱変成のない品質の
安定した単結晶であった。
次に原料の仕込み組成比（Ga/As）を0.89〜1.03まで変
えて直接合成により単結晶を引上げた後、合成時のAsの
飛散量から融液初期組成比を推定し仕込み組成比との関
係を求めたところ、第５図に示す結果が得られた。これ
から仕込み組成比と初期融液組成比とはほぼ直線関係に
ありその再現性もあることがわかった。
えて直接合成により単結晶を引上げた後、合成時のAsの
飛散量から融液初期組成比を推定し仕込み組成比との関
係を求めたところ、第５図に示す結果が得られた。これ
から仕込み組成比と初期融液組成比とはほぼ直線関係に
ありその再現性もあることがわかった。
以上の様に本実施例によれば、作業者の熟練に頼ること
なく自動的に直接合成ができるのみならず、手動では困
難な初期融液組成比の制御も再現性良く容易にできるこ
とから、電気的特性の安定した高品質の結晶が歩留り良
く得られる。
なく自動的に直接合成ができるのみならず、手動では困
難な初期融液組成比の制御も再現性良く容易にできるこ
とから、電気的特性の安定した高品質の結晶が歩留り良
く得られる。
本発明は個別回路で制御部を構成することもできるが、
マイクロコンピュータを用いるほうが、より高精度でし
かも簡便に実施することができる。
マイクロコンピュータを用いるほうが、より高精度でし
かも簡便に実施することができる。
さらに本発明はInP、GaPなどの他のIII−Ｖ族単結晶やZ
nS、ZzSeなどのII−IV族単結晶を直接合成法により製造
する場合にも適用可能である。
nS、ZzSeなどのII−IV族単結晶を直接合成法により製造
する場合にも適用可能である。
第１図は本発明の概略構成を示す図、第２図は直接合成
過程の一例を示す図、第３図は本発明の一実施例の構成
を示す図、第４図はそのマイクロコンピータによる制御
動作を説明するための流れ図、第５図は本発明による効
果の一例を示す図、第６図は従来装置の構成を示す図で
ある。 １…高圧容器、２…ルツボ、３…Ga、４…As、５…封止
剤、６…発熱体、７…熱電対、８…電力検出器、９…加
熱電力制御部、10…封止剤融解パターン及び制御定数設
定手段、11…多結晶合成パターン及び制御定数設定手
段、12…多結晶融解パターン及び制御定数設定手段、13
…選択手段、14…切換手段、15…電力制御手段、16…温
度制御手段、17…電力設定手段、21…スキャナ、22…A/
Dコンバータ、23…インプットポート、24…マイクロコ
ンピュータ、25…CPU、26…RAM、27…ROM、28…タイ
マ、29…アウトプットポート、30…D/Aコンバータ、31
…SCR装置。
過程の一例を示す図、第３図は本発明の一実施例の構成
を示す図、第４図はそのマイクロコンピータによる制御
動作を説明するための流れ図、第５図は本発明による効
果の一例を示す図、第６図は従来装置の構成を示す図で
ある。 １…高圧容器、２…ルツボ、３…Ga、４…As、５…封止
剤、６…発熱体、７…熱電対、８…電力検出器、９…加
熱電力制御部、10…封止剤融解パターン及び制御定数設
定手段、11…多結晶合成パターン及び制御定数設定手
段、12…多結晶融解パターン及び制御定数設定手段、13
…選択手段、14…切換手段、15…電力制御手段、16…温
度制御手段、17…電力設定手段、21…スキャナ、22…A/
Dコンバータ、23…インプットポート、24…マイクロコ
ンピュータ、25…CPU、26…RAM、27…ROM、28…タイ
マ、29…アウトプットポート、30…D/Aコンバータ、31
…SCR装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺嶋 一高 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 渡辺 正幸 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 斉藤 哲郎 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (56)参考文献 特開 昭60−27694（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−125296（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−264390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−57986（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−98869（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭51−5993（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭52−30154（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】直接合成LEC法により化合物半導体単結晶
を引上げる装置であって、 （ａ）素材原料、封止剤を収容するルツボの底の温度を
検出する手段、 （ｂ）発熱体に供給される電力を検出する手段、 （ｃ）発熱体に供給される電力を設定する手段、 （ｄ）前記ルツボの底の温度を制御する手段、 （ｅ）発熱体に供給される電力を制御する手段、 （ｆ）前記封止剤を融解する封止剤融解加熱パターンと
加熱温度制御定数を設定する手段、 （ｇ）前記素材原料を融解し、多結晶を合成する多結晶
合成加熱パターンと加熱電力制御定数を設定する手段、 （ｈ）合成された多結晶を融解する多結晶融解加熱パタ
ーンと加熱温度制御定数を設定する手段、 及び （ｉ）前記（ｆ）〜（ｈ）の加熱パターンと制御定数を
順次選択して加熱パターンを一致するように前記電力制
御手段または温度制御手段に供給する切替手段、を備え
たことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18701085A JPH0699232B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18701085A JPH0699232B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246997A JPS6246997A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0699232B2 true JPH0699232B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=16198621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18701085A Expired - Lifetime JPH0699232B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0699232B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0761918B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1995-07-05 | 国際電気株式会社 | 結晶製造装置の自動運転における制御量の設定方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5230154B2 (ja) | 2007-09-18 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 光量調節装置及び該光量調節装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18701085A patent/JPH0699232B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5230154B2 (ja) | 2007-09-18 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 光量調節装置及び該光量調節装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6246997A (ja) | 1987-02-28 |
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