JPH0699766B2

JPH0699766B2 - Ｎｉ―Ｆｅ系高透磁率磁性合金

Info

Publication number: JPH0699766B2
Application number: JP1260217A
Authority: JP
Inventors: 正井上; 正行木下; 智良大北
Original assignee: 日本鋼管株式会社
Priority date: 1989-10-06
Filing date: 1989-10-06
Publication date: 1994-12-07
Anticipated expiration: 2009-12-07
Also published as: JPH03122236A

Description

【発明の詳細な説明】「発明の目的」（産業上の利用分野）本発明は、Ni−Fe系高透磁率磁性合金に係り、その磁気
特性を改良し、特に優れた直流磁気特性および卓越した
交流磁気特性を合わせ持ち、又透磁率の歪による劣化を
小となし、更に熱間加工性の良好な磁性合金に関するも
のである。

（従来の技術） JIS PC相当のNi−Fe系磁性合金は、現在磁気ヘッドケー
スおよび各種コア、変成磁心、各種磁気シールド材など
のようにその利用範囲が極めて広い磁性材料である。即
ちこのようなPCパーマロイは高透磁率で、低保磁力であ
ることが特徴であり、今日実用化されているものは、80
％Ni−５％Mo−Fe（スーパーマロイ）や、77％Ni−５％
Cu−４％Mo−Fe（Mo、Cuパーマロイ）などであり、それ
ら合金で通常得られる透磁率のレベルは、直流特性でみ
ると、初透磁率（以下μｉという）が150,000、最大透
磁率（以下μｍという）が300,000程度である。

また交流特性でみると、たとえば、板厚0.2mmでのイン
グクタンス透磁率μＬは10,000程度である。

ところが昨今におけるエレクトロニクスの発達から各種
機器の小型高性能化が進み、上記したような磁性合金の
特性についてもより一層の向上が望まれている。即ちこ
のような要求に対して上記成分系の磁性合金における直
流磁気特性を不純物元素の低減およびCrの添加により向
上させた特開昭62−227053および特開昭62−227054が発
表されている。

又特開昭63−149361では上記成分系の合金に製造時の熱
間加工性を改善するためＢを添加した材料において、磁
性焼鈍時に脱Ｂを行い直流磁性特性を改善することが発
表されている。

一方、上記成分系ではNiが約80wt％程度含まれていて高
価なため、成分系を根本的に見直し、Niを低減し、代り
にNiより安価なCu、Mnを添加して高い初透磁率を達成し
た特公昭62−13420、更にはこの特公昭62−13420の技術
に加えて適量のAl添加を行い酸化物系介在物を減少し直
流磁気特性を高めるという特開昭63−247336および特開
昭63−247339の技術も開発されている。特にこれら特開
昭63−247336および特開昭63−247339の提案による合金
のμｉは最高で426,000という高いレベルである。

更に上記したような磁気特性向上の要望に加え、最近で
は所要の特性をより低コストに製造することも求められ
ており、このような観点からは特開平１−100232の技術
も提案されている。即ちこの技術は通常のMoスーパーマ
ロイにSiを１〜4wt％添加し、磁気焼鈍温度を1030℃以
下という比較的低い温度によっても、充分に満足する50
Hzでの透磁率および磁気シールド性を得ることを特徴と
している。

（発明が解決しようとする課題）前記した特開昭62−227053および同227054で特徴として
いる不純物低減、Cr添加によっても最終の水素雰囲気で
の熱処理（1100℃×３時間）後の直流磁気特性は、例え
ばμｉで高々100,000であり、それ以上の磁気特性が要
求される用途に対しては不適とならざるを得ない。

また特開昭62−227054の提案では、通常のNi−Fe−Mo系
またはNi−Fe−Mo−Cu系の成分に新たにCrを添加するた
めコスト高となる。一方特開昭62−227053の提案ではこ
のCrの添加によるコスト高に加え、Mnを通常レベルより
高くする（1.2〜10wt％とする）ため熱間加工性が極め
て悪くなるという製造上の問題も有している。

なお上記した２つの提案では何れもＢの添加が行われて
いるが、この場合のＢ添加は熱間加工性および打抜き性
を改善するためのもので、これらの提案で意図するＢの
添加だけでは磁気特性の明かな向上は見られず、逆に劣
化する場合も認められる。

更に、特開昭62−149361では、磁気特性を脱Ｂ処理によ
り改善するものであるが、この処理の後で得られる直流
磁気特性はμｉで高々75,000であり、このレベルは通常
のNi−Fe−Mo−Cu系合金で得られるレベルである。従っ
てこの技術ではそれ以上の磁気特性が要求される用途に
対しては不適とならざるを得ない。

なお前記した特開昭62−227053、および同227054、特開
昭63−149361では、共通して交流磁気特性の向上は、未
だ達成されていない。

一方特公昭61−13420、特開昭63−247336および同24733
9の技術によっては高い直流磁気特性を有するパーマロ
イを提供し得るが、Mn、Cuを高めるため製造時の熱間加
工性が本質的に低くなるという製造上の問題点を有して
いる。又この提案で得られる合金の飽和磁束密度は、例
えばB₁₀（10エルステッドでの磁束密度）で見ると、高
々5000ガウスであり、スーパーマロイやMo、Cuパーマロ
イにおけるB₁₀の7000〜8000ガスウに比較すると低い。
このことは、この合金がスーパーマロイやMo、Cuパーマ
ロイに比し低い外部磁場で材料内の磁束が飽和してしま
うことを意味し、シールド材料として用いる場合におい
て外部磁場が比較的高い場所での使用は不適とならざる
を得ない。さらには、この合金の交流磁気性質は、スー
パーマロイやMo、Cuパーマロイに比し低いという欠点を
有している。なお、上記した特開平１−100232の技術に
おいては50Hzのシールド性能は所要のレベルを有してい
るが直流でのシールド性能がそれなりに劣っている。

「発明の構成」（課題を解決するための手段）本発明は上記したような従来の技術における問題点を解
決するように検討を重ねて創案されたれものであって、
熱間加工性が良好で特に優れた交流磁気特性と共に優れ
た直流磁気特性の両者を合わせて有すると共に透磁率の
歪による劣化を小となし、更には従来と同じレベルの要
求磁気特性を得るのに、磁気焼鈍温度を従来よりも100
℃程度低温化することをも可能ならしめたもので、磁気
特性に対するNi、Mo、Cu、Feなどの主要成分による影響
を更に検討し、そこで得られた特性と成分との関係をＢ
添加系にまで拡大して実験、研究を重ねた結果、本発明
を完成した。即ち本発明は以下の如くである。

（１）Ni:77.5〜79.5wt％、Mo:3.8〜4.6wt％、 Cu:1.8〜2.5wt％、Mn:0.1〜1.10wt％ P:0.010〜0.080wt％、Si:0.20wt％未満、 S:0.0020wt％以下、O:0.0030wt％以下、 N:0.0010wt％以下、C:0.020wt％以下を含有し、かつＢをの範囲内で含有し、残部が基本的にFeからなり、しかもNi、Mo、Cu、Mn、Feが（但し〔〕内はwt％）を満たす範囲でそれぞれ含有されたことを特徴とするNi
−Fe系高透磁率磁性合金。

（２）Ni:77.5〜79.5wt％、Mo:3.8〜4.6wt％、 Cu:1.8〜2.5wt％、Mn:0.1〜1.10wt％、 P:0.010〜0.080wt％、Si:0.2〜1.0wt％、 S:0.0020wt％以下、O:0.0030wt％以下、 N:0.0010wt％以下、C:0.020wt％以下を含有し、かつＢをの範囲内で含有し、残部は基本的にFeからなり、しかもNi、Mo、Cu、Mn、Feが（但し〔〕内はwt％）を満たす範囲内でそれぞれ含有されたことを特徴とする
Ni−Fe系高透磁率磁性合金。

（３）前項（１）項に記載の成分組成を有し、しかも磁
気焼鈍後でオーステナイト粒界およびその近傍でのＢ量
が10〜50atm％であることを特徴とするNi−Fe系高透磁
率磁性合金。

（４）前項（２）項に記載の成分組成を有し、かつ磁気
焼鈍後でオーステナイト粒界およびその近傍でのＢ量が
10〜50atm％であることを特徴とするNi−Fe系高透磁率
磁性合金。

（作用）本発明によるものは、不純物元素の適正制御のもとで、
熱間加工性を良好ならしめるレベルとして、Ｐ、Si、N
i、Mo、Cu、Mn、FeおよびＢの各添加量を適正化し、か
つ各量の成分バランスを特定範囲内に制御することによ
って従来の同系統によるMo、Cuパーマロイやスーパーマ
ロイで見られなかった優れた直流磁気特性と、優れた交
流磁気特性を合わせ持ち、さらには従来と同じレベルの
要求磁気特性を得るのに磁気焼鈍温度を従来よりも100
℃程度低温化することを可能とする。

即ち、先ず本発明で意図する磁気特性の向上は合金中不
純物レベルの制御のもとで達成され、Si、Ｓ、Ｏ、Ｎ、
Ｃの限度理由はwt％（以下単に％という）で以下の如く
である。

Ｓは、熱間加工性に有害であり、かつ硫化物の形成を通
じて最終の水素焼鈍時における粒成長を阻害し、焼鈍後
の粒径が小さくなるため透磁率が向上しないという理由
から磁気特性に対しては極めて有害な元素である。この
Ｓ量が0.0020％を超えると、以下に示すようなNi、Mo、
Cu、Fe、Ｂ量の適正化を計っても本発明で目的とするよ
うな磁気特性の向上が計れず、又熱間加工性が著しく悪
くなるため0.0020％をを上限とすることが必要である。
なお直流および交流での透磁率を更に向上するためには
0.0005％以下がより望ましい。

Ｏは、本発明で対象とする合金の中では酸化物系介在物
として存在し、その量が多いと最終の水素焼鈍時におけ
る粒成長を阻害し、焼鈍後の粒径が小さいため透磁率が
向上しないことから磁気特性に対し極めて有害な元素で
ある。即ちこのＯ量が0.0030％を超えると上記同様にN
i、Mo、Cu、Fe、Ｂ量の適正化を図っても本発明で意図
する磁気特性向上が計れないため0.0030％を上限とし
た。なお直流および交流での透磁率のさらなる向上のた
めには0.0005％以下がより好ましい。

Ｎは、Ｂ添加を基本とした合金においては、Ｂと容易に
結合しBNを形成するため有効Ｂ量が低下する。また形成
されたBNにより磁気特性が著しく劣化せしめられるなど
の理由により合金中に多く含有されると悪影響を及ぼ
す。即ちこのＮが0.0010％を越えると上記のような理由
から磁気特性劣化が著しくなるので0.0010％を上限とし
た。なお交流での透磁率のさらなる向上のためには0.00
05％以下がより好ましい。

Ｃは、本発明の対象合金の中では侵入型元素として存在
し、その量が多いと透磁率が低下するので磁気特性に対
して有害な元素であり、0.020％を越えるとこのような
理由により磁気特性劣化が著しくなるため、0.020％を
上限と定めた。

さて、本発明では上記のような不純物元素の制御下にお
いて、Ｐ、Ni、Mo、Cu、FeおよびＢの各添加量を適正化
し、又各量の成分バランスを特定範囲内として始めてそ
の目的が達成され、これらについては以下の如くであ
る。

Niは、77.5〜79.5％の範囲で本発明の意図するような高
い磁気特性および高いシールド特性を得しめる。このNi
が77.5％未満または79.5％を越えると何れの場合におい
ても透磁率が低下するので77.5％を下限とし、79.5％を
上限とした。

Moは、3.8〜4.6％の範囲内のときに本発明の目的とする
高い磁気特性および高いシールド特性を達成し得る。即
ちMoが3.8％未満または4.6％を超えると透磁率向上が達
成されないので、3.8〜4.6％とすることが必要である。

Cuは、Ni、Moや他の成分が本発明の規定範囲内にある合
金において、後述するＢの共存のもとで、直流磁気特性
を飛躍的に向上させ、かつ交流の実効透磁率をも向上せ
しめ、しかも交流（50Hz）での角型性（Br/Bm）も向上
させる効果を有する。このようなCuの効果は、Niが77.5
〜79.5％、Mo:3.8〜4.6％のときにあらわれ、最適のCu
量は1.8〜2.5％である。なおCuが1.8％未満ではこのよ
うなCuによる特性向上が計れず、一方Cuが2.5％を超え
ると逆にこれらの特性が劣化するので、Cuの範囲は1.8
〜2.5％と定めた。

Mnは、上記したMo、Cuと同様に本発明対象合金の磁性に
影響を及ぼす元素であり、このMnが1.10％以下でも本発
明で目的とする高透磁率を達成し得るが、1.10％を超え
ると斯うした透磁率向上が達成されないので1.10％を上
限とする。一方Mnが0.10％未満では熱間加工性が劣化
し、好ましくないので0.10％を下限とした。

Ｂは、本発明で意図する高い透磁率を達成するためには
必須の元素である。

（〔Ｂ〕、〔Ｎ〕はそれぞれＢ、Ｎの合金中添加量、
％）が0.0005〜0.0007％の範囲では本発明の目的を有効
に達成し得るが、0.0005％未満では透磁率が向上せず、
一方0.0070％を超えると透磁率が低くなるので、の下限および上限をそれぞれ0.0005％、0.0070％とし
た。

Ｐは、本発明の規定範囲内成分において直流磁気特性を
劣化させることなく、交流磁気特性、即ち交流での実効
透磁率や低周波域での角型性の向上を得しめる元素であ
る。またＰは適量の添加のもとで、直流および交流の透
磁率の歪による劣化を小さくすることを可能とする元素
でもある。

直流磁気特性を劣化させることなく、上記のような交流
磁気特性を向上させるＰ量は0.010〜0.080％の範囲内で
ある。Ｐが0.010％未満では本発明で意図する交流磁気
特性の向上が図られず、一方0.080％を超えると直流磁
気特性が劣化するため、0.010％および0.080％をそれぞ
れ下限、上限とした。なお本発明で目的とする透磁率の
歪による劣化を小さくするＰの添加量としては0.020％
以上であることが好ましい。

Siは、本発明の規定範囲内成分の合金において、直流磁
気特性を劣化させることなく、交流磁気特性、即ち交流
での実効透磁率を一層向上させる元素である。またこの
Siは特定の添加量のもとで直流および交流の透磁率の歪
による劣化をより小さくすることを可能とする元素でも
ある。しかしこのSiはその添加量と共に飽和磁束密度が
低下するために比較的高い磁束密度の要求される用途に
おいては0.20wt％以下とすることが好ましい。即ちSiが
0.20wt％以下では1000A/mの外部磁化を加えたときの材
料内における磁束密度（以下B₁₀₀₀と略称する）が7700
ガウス以上の値を有する。直流磁気特性を劣化させるこ
となく、上記したような交流磁気特性をより向上させる
Si量は0.20〜1.00％の範囲である。つまりSiが0.20％未
満では本発明で目的とする交流磁気特性の向上を図るこ
とができず、一方1.00％を越える直流磁気特性が劣化す
るので0.20〜1.00％とした。なお本発明で意図する透磁
率の歪による劣化を小さくするSiの添加量としては0.30
％以上であることが好ましい。

本発明で目的とする磁気特性向上のためには上記した
Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｃ、Ni、Mo、Cu、Mn、Ｂ量の適正化、Si、
Ｐの適量添加のもとで、Ni、Mo、Cu、ＢおよびFeの成分
バランスを規定するパラメータＸ、が3.2〜3.8の範囲内で、かつが0.0005〜0.0070％の範囲内であり、磁気焼鈍後の直流
の初透磁率、500ミリガウスの直流磁界に対する磁気遮
蔽度、1KHzでの実効透磁率、50Hzでの角型性といった直
流および交流の磁気特性を飛躍的に向上させることがで
きる。

即ち、上記のような成分規定および成分バランス規定に
より、後述する実施例１に示すように、初透磁率μｉは
300,000以上、500ミリガウスの直流磁界に対する磁気遮
蔽度を250以上、板厚0.20mmにおける1KHzでの実効透磁
率を15,000以上、50Hzでの角型性を0.90以上と、それぞ
れすることができる。

本発明合金において磁気特性を更に高めるためには、最
終の磁性を高めるための熱処理後のオーステナイト結晶
粒界およびその近傍でのＢ量が10〜50atm％の範囲内で
より高い初透磁率とより高い磁気遮蔽度、比較的高い実
効透磁率、比較的高い角型性を合わせ持つことができ
る。

すなわち、本発明合金を用いて、磁気焼鈍後のオーステ
ナイト粒界及びその近傍でのＢ量が上記範囲内であれば
後述する実施例１よりも一層優れた磁気特性を付与する
ことができる。つまり後述する実施例２に示すように初
透磁率μｉは 400,000以上、500ミリガウスの直流磁界に対する磁気遮
蔽度を350以上、板厚0.20mmにおける1KHzでの実効透磁
率を17,000以上、50Hzでの角型性を0.93以上とそれぞれ
することができる。

なお本発明で対象とするNi−Fe合金では、熱間加工性が
劣っている。この加工性を改良する方法としては微量の
Ｂ添加と微量のCa添加を組合わせることがしばしば行わ
れるが、斯うした微量Ca添加を行っても上述したような
本発明の構成要件を満せば本発明の目的とする初透磁率
の向上は達成される。又本発明においては上記したよう
な成分組成の他、鉄合金とする場合に不可避的に含まれ
るAlについても、詳しく言及しないが、例えば、Al:0.0
3％以下の範囲内での含有が許容される。

このような磁気特性の向上原因は明らかでないが、粒界
およびその近傍で適量のＢが存在することにより粒界部
分の性状を変え、この変化が磁気特性、特に初透磁率と
いった磁壁の移動のしやすさ、又は回転磁化のしやすさ
が求められる特性値に対して良い影響を与えているもの
と推察される。

本発明によるものの具体的な実施例について説明する
と、以下の如くである。

実施例1. 次の第１表に示すような化学成分を有する高Ni−Fe合金
の本発明合金および比較合金を真空溶解にて溶製し、こ
れを熱間加工、脱スケールを施し、冷延素材を準備し
た。又これらの素材は次いで冷延加工、焼鈍して0.5mm
又は0.2mmの薄板サンプルとし、これらより外径が45mm
で内径33mmのJISリングを打抜き試料とした。

上記した第１表の各試料について、その磁気特性をパラ
ジウム膜を透過させ精製した高純度水素気流中雰囲気下
において1100℃で３時間の熱処理を行い、1100℃〜650
℃の間は400℃/hrにて冷却し、その後は炉冷させて測定
し、μｉを0.005エルステッドでの透磁率として求めた
結果および遮蔽度、実効透磁率、50Hzでの角型性、保磁
力、磁束密度及び面圧付加時の初透磁率の結果は次の第
２表に示す如くである。

遮蔽度は上記と同じ製造履歴を経た板厚0.5mmの素材を
直径50mm、長さ200mmの円筒に加工し、上記と同じ磁気
焼鈍条件にて熱処理したサンプルを用いてヘルムホルツ
コイルにより外部磁場（H₀）、500ミリガウスを円筒の
軸方向に対して直角方向にかけた場合の円筒内側中央部
での内部磁場H₁を測定することにより求めた。この遮蔽
度（＝H₀／H₁）の測定に際しては、地磁気の影響が十分
無視できるレベルまで磁気シールドしたボックス内にて
行なった。

1KHzの実効透磁率は、上記と同じ磁気焼鈍を経た板厚0.
20mmのリングサンプルを用い、５ミリエルステッドでの
イングクタンス透磁率を測定することにより求め、50Hz
での角型性は、実効透磁率を測定したと同じリングサン
プルを用いて磁場0.1エルステッドでの残留磁束密度（B
r）と、磁束密度（Bo.1）の比から求めた。

なお、磁束密度及び保磁力は、初透磁率を求めたと同じ
リングサンプルにて測定した。磁束密度B₁₀₀₀は1000A/m
の外部磁界を加えた時の磁束密度であり、保磁力は1000
A/mの外部磁場を加え、次に反転し、磁束密度を０とす
る磁界の強さである。

面圧付加時の初透磁率は、上記の初透磁率を測定したサ
ンプルを用い、リング試料の板面に垂直方向に均一な荷
重（面圧4kgf/mm²）を印加して初透磁率を測定すること
により求めた。

即ち、本発明による合金No.1およびNo.2の各材はＣ、
Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｂ、Ｐ、Ni、Mo、Cu及びMn量が本発明成分
範囲内のもので、特にNo.1、No.2の合金はそれぞれ、本
発明における第１発明と第２発明に該当する合金である
がμｉは300,000以上、遮蔽度も約250以上、実効透磁率
（以下μｅと略称す）も15,000以上、50Hzでの角型性
（以下Br/Bmと略す）も0.90以上と比較合金に比べて優
れた磁気特性を示している。更にNo.2のものではSiが本
発明規定範囲内で添加されたケースであって、No.1に比
してμｅはさらに高い値を示している。

又合金No.3はＣ、Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｂ、Ni、Mo、CuおよびMn
量が本発明成分範囲内で、本発明クレームに該当する合
金であって、かつ熱間加工性の向上を意図して、微量の
Ca添加を行なった合金であるが、この場合においても、
磁気特性は、上記した合金No.1及びNo.2と略同じレベル
にある。即ちこのように微量Ca添加が行なわれた合金に
おいても本発明の効果は十分に発揮されることが確認さ
れた。

更に、合金No.4材では、Ｃ、Ｓ、Ｏ、Ｎがより好ましい
レベルまで低減されており、μｉ、遮蔽度、μｅ、Br/B
mは、No.1〜No.3の各材よりさらに高くなっている。な
お、これらNo.1〜No.4の本発明合金では面圧4kgf/mm²付
加時の初透磁率劣化も後述する比較合金No.5〜No.21に
較べ小さくなっており、歪に対する特性の劣化も小さい
ことが理解される。

これに対し、合金No.5およびNo.6の各材はNi量がそれぞ
れ上限を越え、あるいは下限未満のものであり、又、合
金No.7およびNo.8の各材はMo量が上限を越えたもの、あ
るいは下限未満のものであって、合金No.9およびNo.10
はCu量がそれぞれ上限を越え、あるいは下限未満のもの
である。さらに合金No.11は、Mn量が上限を越えたもの
であり、合金No.12はSi量が上限を越えたものであっ
て、合金No.13およびNo.14のものは、それぞれＢ量が上
限を越え、あるいは下限未満のものであって、さらに、
合金No.15〜No.19の各材はそれぞれ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｏ、
Ｎの何れかが本発明成分範囲を越えるもの、又合金No.2
0およびNo.21はそれぞれパラメータＸが本発明で規定し
た上限を超えるものと、下限未満のものであるが、これ
らの供試材No.5〜No.21は、何れも本発明例に比して低
いレベルにある。

即ち本発明によるものはＣ、Ｐ、Ｓ、Ｏ、Ｎの不純物元
素低減のもとでNi、Mo、Cu、Mn、Ｂ、Feをそれらの単独
量およびバランスが厳密に規定された範囲とすることに
より優れた初透磁率、遮蔽度、実効透磁率、50Hzでの角
型性を初めて達成することができる。なお本発明におい
て所要の特性を得るためには熱処理に使用するガスは、
この実施例で示したような高純度のH₂ガスで可能である
が、同様な特性はJISに規定されているような通常のH₂
雰囲気、すなわち露点−40℃以下のH₂ガス気流中で熱処
理を行うことによっても得られる。

実施例2. 前記した実施例１の本発明合金No.4について冷延、焼鈍
を経た0.5mmの薄板サンプルより外径45mm、内径33mmのJ
ISリングを打抜きによって作製し、試料とした。またオ
ージエ観察用ステージに取付け可能なノッチ入り試験片
も同様のサンプルより切出した。

上記のようにして得られたサンプルは、次の第３表に示
すような種々雰囲気下で、1100℃×３時間の熱処理を行
い、1100℃〜650℃の間をそれぞれに異った冷却速度で
冷却し、その後は炉冷したサンプルにより磁気特性及び
遮蔽度を測定した。またオーステナイト粒界およびその
近傍でのＢ量は、上記熱処理の後に、カソード電解法に
より電解水素を添加して粒界脆化処理を施し、粒界破壊
を真空中で行い、顕れた粒界破面の成分分析をオージエ
分光法による異る10点について行い平均して求めた。こ
れら結果は第４表に併せて示す如くである。

即ち、本発明合金No.4を用いたものにおいて供試材No.1
〜４はそのオーステナイト粒界およびその近傍でのＢ量
が本発明規定内であり、μｉ、遮蔽度、μｅ、Br/Bm
は、オーステナイト粒界及びその近傍でのＢ量が本発明
規定外の供試材No.6のものより高くなっている。また、
これらの供試材では、面圧4kgf/cm²付加時の初透磁率の
劣化も実施例１の比較合金に比較して小さく、歪による
特性劣化が小さいこともわかる。

なお、第３、４表における、供試材No.4は1100℃×3hr
の雰囲気保持中におけるH₂の露点が−40℃より高い場合
であり、このような条件で熱処理されたサンプルのμ
ｉ、遮蔽度、μｅ、Br/Bmは、他の発明例に比べて低
い。即ち本発明の効果はJISで規定されている露点−40
℃以下のH₂で熱処理を行うことにより適切に発揮され
る。また１×10^-5Torrというような高真空下の熱処理で
も本発明の効果は発揮し得る。

実施例3. 前記した実施例１における本発明合金No.4及び次の第５
表に示すような成分を有する比較合金No.22について実
施例２と同様の作製条件にてサンプルを作製し、それぞ
れ、第６表に示すような磁気焼鈍条件にて熱処理を行な
い、磁気特性及び遮蔽度を実施例２と同様の方法にて行
なった。結果を第７表に示す。

なお、この比較合金No.22は、Ni、Cu、Ｐが本発明規定
外であり、その他の成分は、本発明規定内のものであ
る。

発明合金No.4を用いて、1000℃×１時間の磁気焼鈍後で
得られる特性は、比較合金No.22を用いて、1100℃×１
時間の磁気焼鈍後で得られる磁気性質すなわちμｉ、遮
蔽度、μｅ、Br/Bm、μｍ及びHcと較べてほぼ同レベル
かやや高い値を示している。すなわち本発明によれば、
比較合金と同じ特性を得るのに、磁気焼鈍温度を約100
℃低温化することができることがわかる。

本発明は、上記したような実施例の製造方法のみでな
く、溶解・溶製し、薄鋳板に鋳造し、鋳造のまま又は熱
間加工後および又は脱スケールし、冷延加工、焼鈍して
も良い。

熱間加工に代えて又は冷延加工の高能率化のために温間
加工を施しても良い。

但し表面性状、板厚形状、寸法精度が要求される場合
は、最終溶製の前に冷延加工を施した方が好ましい。

更に、１回の冷延加工に代えて冷延加工、再結晶焼鈍
（例えば800℃以上）、冷延加工を繰り返しても良い。

以上のような製造方法であっても、本発明の範囲以内で
あればほぼ同等のものが得られる。

「発明の効果」以上説明したような本発明によるときは、Ni−Fe系の高
透磁率磁性合金における磁気特性を適切に改善し、特に
直流および低周波域での透磁率などの磁気特性およびシ
ールド性能、更には交流透磁率が従来からのPCパーマロ
イの如きに比し飛躍的に優れた高透磁率磁性合金を提供
せしめ、従来におけるより更にシールド特性の要求され
る各種磁器シールド材や磁気ヘッドケース、コア類、さ
らには磁気増幅器、パルス変圧器などの非線形応用に用
いる材料などに広く採用せしめ得、しかも従来と同じレ
ベルの要求特性を得るのに磁気焼鈍温度を従来よりも10
0℃程度低温化することをも可能とし、かつ歪による特
性劣化も小さく、シールドルームのような構造部材とし
た際でも所要の磁気特性を発揮することができるなどの
効果を有し、近時におけるエレクトロニクス産業の要請
に対して適切に即応し得るものであるから工業的にその
効果の大きい発明である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ni:77.5〜79.5wt％、Mo:3.8〜4.6wt％、 Cu:1.8〜2.5wt％、Mn:0.1〜1.10wt％ P:0.010〜0.080wt％、Si:0.20wt％未満、 S:0.0020wt％以下、O:0.0030wt％以下、 N:0.0010wt％以下、C:0.020wt％以下を含有し、かつＢをの範囲内で含有し、残部が基本的にFeからなり、しかもNi、Mo、Cu、Mn、Feが（但し〔〕内はwt％）を満たす範囲でそれぞれ含有されたことを特徴とするNi
−Fe系高透磁率磁性合金。
【請求項２】Ni:77.5〜79.5wt％、Mo:3.8〜4.6wt％、 Cu:1.8〜2.5wt％、Mn:0.1〜1.10wt％、 P:0.010〜0.080wt％、Si:0.2〜1.0wt％、 S:0.0020wt％以下、O:0.0030wt％以下、 N:0.0010wt％以下、C:0.020wt％以下を含有し、かつＢをの範囲内で含有し、残部は基本的にFeからなり、しかもNi、Mo、Cu、Mn、Feが（但し〔〕内はwt％）を満たす範囲でそれぞれ含有されたことを特徴とするNi
−Fe系高透磁率磁性合金。
【請求項３】請求項１に記載の成分組成を有し、しかも
磁気焼鈍後でオーステナイト粒界およびその近傍でのＢ
量が10〜50atm％であることを特徴とするNi−Fe系高透
磁率磁性合金。
【請求項４】請求項２に記載の成分組成を有し、かつ磁
気焼鈍後でオーステナイト粒界およびその近傍でのＢ量
が10〜50atm％であることを特徴とするNi−Fe系高透磁
率磁性合金。