JPH07105174B2 - Method for manufacturing anisotropic conductive film - Google Patents
Method for manufacturing anisotropic conductive filmInfo
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- JPH07105174B2 JPH07105174B2 JP2228820A JP22882090A JPH07105174B2 JP H07105174 B2 JPH07105174 B2 JP H07105174B2 JP 2228820 A JP2228820 A JP 2228820A JP 22882090 A JP22882090 A JP 22882090A JP H07105174 B2 JPH07105174 B2 JP H07105174B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は異方導電体の製造方法、特には液晶ディスプレ
イパネルのガラス基板とその駆動回路であるフレキシブ
ルプリント基板またはこのプリント基板上にICを搭載し
たフィルムキャリアとの接続さらにはICを直接搭載する
チップオングラス接続などに使用される異方導電膜の製
造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to a method for producing an anisotropic conductor, particularly a glass substrate of a liquid crystal display panel and a flexible printed circuit as its driving circuit, or an IC on the printed circuit board. The present invention relates to a method for manufacturing an anisotropic conductive film used for connection with a mounted film carrier and further for chip-on-glass connection for directly mounting an IC.
[従来の技術] 卓上電子計算機や時計の表示機器として使用されている
液晶ディスプレイパネル(以下LCDと略記する)のガラ
ス基板と、その駆動回路であるフレキシブルプリント基
板(以下FPCと略記する)との電気的接続は従来導電ゴ
ムコネクタで行なわれていたが、0.4mm以上であったガ
ラス基板とFPCとの接続ピッチが、最近はLCDにおける大
型化のために表示画素数が増加して、0.3mm以下となっ
てきたことから、この電気的接続については熱溶融性の
接着剤中に導電粒子を均一に分散させた分散型の異方導
電膜を使用するのが主流になってきており、この異方導
電膜としては例えばスチレン−ブタジエン−スチレンブ
ロック共重合体などの熱可塑性樹脂に粘着付与剤、老化
防止剤、潜在性硬化剤などを添加してなる熱溶融接着剤
中に、直径が10〜30μmでほぼ球状の金属メッキ樹脂粒
子やハンダ粒子を均一に分散させたものを離型フィルム
上に厚さ20〜30μmに成膜したのち、幅2〜3mmのリボ
ン状としたものが汎用されており、このものは使用時に
離型フィルムから剥離し、130〜190℃、10〜20秒という
条件でヒートシールするという方法で使用されている。[Prior Art] A glass substrate of a liquid crystal display panel (hereinafter abbreviated as LCD) used as a display device of a desktop electronic computer or a clock, and a flexible printed circuit board (hereinafter abbreviated as FPC) that is a driving circuit thereof. Electrical connection was conventionally made with a conductive rubber connector, but the connection pitch between the glass substrate and FPC, which was 0.4 mm or more, has recently increased to 0.3 mm due to the increase in the number of display pixels due to the large size of LCD. Since it has become the following, for this electrical connection, it is becoming mainstream to use a dispersion type anisotropic conductive film in which conductive particles are uniformly dispersed in a heat-meltable adhesive. As the anisotropic conductive film, for example, a styrene-butadiene-styrene block copolymer in a hot-melt adhesive obtained by adding a tackifier, an antioxidant, a latent curing agent, etc. to a thermoplastic resin, a diameter of 10 Approximately 30 μm in diameter, approximately spherical metal-plated resin particles and solder particles are evenly dispersed on the release film to form a film with a thickness of 20 to 30 μm, and then ribbon-shaped with a width of 2 to 3 mm is generally used. This is peeled off from the release film at the time of use and heat-sealed at 130 to 190 ° C. for 10 to 20 seconds.
[発明が解決しようとする課題] しかし、従来公知の熱溶融性接着剤中に導電粒子を分散
させた異方導電膜には1)導電粒子の分散状態が任意と
されているために、接続電極(以下単に電極とする)が
低ピッチの場合には第4図a)に示したように数個の導
電粒子の二次凝集塊によって隣接する電極間でのリーク
不良が発生すると共に、第4図b)に示したようにこれ
ら導電粒子が接続時のヒートシールにおいて熱溶融接着
剤の流動に伴なうヒートシール部周囲の流動した接着剤
のたまり部で、導電粒子の連鎖が形成されて隣接する電
極間でリーク不良が発生するおそれがあり、2)導電粒
子の粒子が均一でないと、第4図c)に示したように大
きな粒子の電極間では良好な接続抵抗が得られるが、小
さい粒子の電極間では大きな粒子がこの接続を妨害する
ためにその接続抵抗が著しく高くなったり、導通不良が
生ずる、3)隣接する電極間でのリーク不良を無くすた
めに、接着剤中に配合する導電粒子の配合量を減少させ
ると、対向する電極間に粒子が存在しなくなるために導
通不良が生ずる、という欠点があり、このものの接続可
能な前記したLCDのガラス基板とFPCとの接続ピッチは0.
2mmpが限界であり、これが今後のカラー化などに伴なう
LCDパネルにおける画素数の増加によって0.2mm以下にな
るとされていることから、これに対応することができな
いという不利がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in a conventionally known hot-melt adhesive, 1) the conductive particles are dispersed in an arbitrary state, so When the electrodes (hereinafter, simply referred to as electrodes) have a low pitch, as shown in FIG. 4 a), a secondary aggregate of several conductive particles causes a leak failure between adjacent electrodes, and As shown in FIG. 4 b), a chain of conductive particles is formed in the pool of adhesive that has flowed around the heat-sealed portion along with the flow of the hot-melt adhesive during heat-sealing when these conductive particles are connected. Therefore, leakage failure may occur between adjacent electrodes. 2) If the particles of the conductive particles are not uniform, good connection resistance can be obtained between the electrodes of large particles as shown in FIG. 4c). , Between the electrodes of small particles If the connection resistance is remarkably increased due to interference with the connection, or conduction failure occurs, 3) if the amount of conductive particles blended in the adhesive is reduced in order to eliminate leakage failure between adjacent electrodes, However, there is a defect that conduction failure occurs due to the absence of particles between opposed electrodes, and the connection pitch between the glass substrate of the LCD and the FPC that can be connected to this is 0.
2mmp is the limit, and this will accompany future colorization etc.
Due to the increase in the number of pixels in the LCD panel, it is said to be 0.2 mm or less, which is disadvantageous in that it cannot cope with this.
[課題を解決するための手段] 本発明はこのような不利を解決することのできる異方導
電膜の製造方法に関するものであり、これは電気絶縁性
の高分子フィルムの厚み方向に該フィルムを貫通し、そ
の上下面に突出する両末端肥大のリベット状の金属導電
体を互いに独立して点状に配置してなる異方導電膜の製
造方法であって下記の1)〜5)の順からなることを特
徴とする異方導電膜の製造方法。[Means for Solving the Problems] The present invention relates to a method for producing an anisotropic conductive film capable of solving such disadvantages, which is a method of forming an electrically insulating polymer film in the thickness direction thereof. A method of manufacturing an anisotropic conductive film, comprising piercing rivet-shaped metal conductors having both ends enlarged and protruding on the upper and lower surfaces thereof independently of each other in the order of 1) to 5) below. A method for producing an anisotropic conductive film, comprising:
1) 電気絶縁性の高分子フィルムを平板状の金属支持
体上に形成し、 2) 該高分子フィルムに所定のパターニングで穴明け
加工し、 3) 該穴明け加工された高分子フィルム側から金属支
持体をエッチング加工し、 4) 該エッチング後に両末端肥大のリベット状の金属
導電体を電鋳法によって該高分子フィルムの穴部に形成
し、 5) リベット状金属導電体を充填した該高分子フィル
ムを金属支持体から剥離する。1) An electrically insulating polymer film is formed on a flat metal support, 2) The polymer film is perforated by a predetermined patterning, and 3) From the perforated polymer film side. Etching the metal support, and 4) after the etching, forming a rivet-shaped metal conductor with enlarged ends at the holes of the polymer film by electroforming, and 5) filling the rivet-shaped metal conductor with the metal conductor. The polymer film is peeled off from the metal support.
を要旨とするものである。Is the gist.
以下にこれをさらに詳述する。This will be described in more detail below.
[作用] 本発明はLCDのガラス基板とFPCまたはICとの電気的接続
などに有用とされる新規な異方導電膜の製造方法に関す
るものである。[Operation] The present invention relates to a method for producing a novel anisotropic conductive film which is useful for electrical connection between an LCD glass substrate and an FPC or IC.
本発明の製造方法により得られる異方導電膜は電気絶縁
性の高分子フィルムに、該フィルムを厚み方向に貫通
し、その上下面に突出する両末端肥大のリベット状の金
属導電体を電鋳法により点状に配置してなるものとされ
る。The anisotropic conductive film obtained by the production method of the present invention is an electrically insulating polymer film, which is formed by electroforming a rivet-shaped metal conductor with both ends enlarged, which penetrates the film in the thickness direction and projects on the upper and lower surfaces thereof. It is supposed to be arranged in a dot shape by the method.
第3図a)、c)は相異なる配列パターンの異方導電膜
の斜視図を示したものであり、このものは図示のように
電気絶縁性の高分子フィルムの表面に金属導電体の肥大
した両端が点状に突出配置されたものであるが、この金
属導電体は第3図b)の縦断面図に示してあるように電
気絶縁性の高分子フィルムの厚み方向に互いに独立して
貫通し、その上下面に突出するように配置されている。3a) and 3c) are perspective views of anisotropic conductive films having different arrangement patterns, which show an enlarged metal conductor on the surface of an electrically insulating polymer film as shown. The both ends of the metal conductor are arranged so as to project in a dot shape, but the metal conductors are independent from each other in the thickness direction of the electrically insulating polymer film as shown in the longitudinal sectional view of FIG. 3b). It is arranged so as to penetrate therethrough and project to the upper and lower surfaces thereof.
本発明による異方導電膜はこれをLCDのガラス基板とFPC
またはICの間に配置すると、ガラス基板とFPCまたはIC
とはこの高分子フィルムによって絶縁性に保たれるが、
この異方導電膜には両末端肥大のリベット状の金属導電
体(以下単に導電体とする)が突出しているので接続さ
れるガラス基板の電極とFPCおよびICの電極はこの導電
体との接触によって確実に電気的接続がされるし、その
他の電極との絶縁性は確実に確保され、この導電体の間
隔や配置位置はパターニングによってどのようにも設定
できるという有利性が与えられる。The anisotropic conductive film according to the present invention is used as an LCD glass substrate and an FPC.
Or placed between IC and glass substrate and FPC or IC
And is kept insulating by this polymer film,
A rivet-shaped metal conductor with enlarged ends (hereinafter simply referred to as a conductor) protrudes from this anisotropic conductive film, so that the electrodes of the glass substrate and the electrodes of the FPC and IC to be connected are in contact with this conductor. The electrical connection is ensured, the insulation from other electrodes is ensured, and the spacing and arrangement position of the conductors can be set by patterning.
本発明により得られる異方導電膜を構成する電気絶縁性
の高分子フィルムとしては、このものが後記するように
金属支持体に支持され、剥離されるものであることから
フィルムとして取扱うことのできる十分な強度と靭性を
もつものとすることが必要とされるし、エッチングや電
鋳の加工浴に侵されることが無いことが必要であり、該
異方導電膜の上下面に熱溶融接着剤を形成した異方導電
膜とした場合においては、ヒートシール時においては高
温でも熱変形しないことが要求されることから、これら
高分子フィルムとしてはポリイミドフィルム,ポリアミ
ドイミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリア
リレートフィルム、ポリフェニレンオキサイドフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリスルホ
ンフィルム、ポリ−4−メチルペンテンフィルム、ポリ
パラバン酸フィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、
ポリエーテルエーテルケトンフィルムなどが例示され、
さらには後記するように該高分子フィルムにホトレジス
トを用い、アルカリや溶剤などによって穴明け加工する
場合においては、アルカリ溶解性や有機溶剤溶解性を有
するフィルムを使用する必要があるので、これら高分子
フィルムとしてはポリイミドフィルム、ポリアミドイミ
ドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテル
イミドフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリ−4−メ
チルペンテンフィルム、ポリパラバン酸フィルムなどか
ら選択すればよいが、その厚みはこれが薄すぎると得ら
れる異方導電膜が取り扱いにくいものとなるし、厚すぎ
ると後記する穴明けにおいてテーパーのない穴を得るこ
とが難しくなり、エッチング液が穴内部に侵入しにくく
なって、電鋳加工にも長い時間が必要となるので10〜50
0μmの範囲、好ましくは20〜200μmの範囲のものとす
ればよい。The electrically insulating polymer film constituting the anisotropic conductive film obtained by the present invention can be handled as a film because it is supported by a metal support and peeled off as described later. It is necessary to have sufficient strength and toughness, and it is necessary not to be attacked by etching or electroforming processing bath. In the case of the anisotropic conductive film formed, since it is required not to be thermally deformed even at high temperature during heat sealing, as the polymer film, a polyimide film, a polyamideimide film, a polycarbonate film, a polyester film, Polyetherimide film, polyarylate film, polyphenylene oxide film, polyphenylene Alpha Id films, polysulfone films, poly-4-methylpentene films, polyparabanic acid films, polyether sulfone films,
Examples of polyether ether ketone film,
Further, as will be described later, using a photoresist for the polymer film, in the case of punching with an alkali or a solvent, it is necessary to use a film having alkali solubility or organic solvent solubility. The film may be selected from a polyimide film, a polyamideimide film, a polycarbonate film, a polyetherimide film, a polysulfone film, a poly-4-methylpentene film, a polyparabanic acid film and the like, but the thickness thereof is different when it is too thin. The conductive film becomes difficult to handle, and if it is too thick, it becomes difficult to obtain a hole without a taper in the later-described drilling, the etching solution does not easily enter the hole, and it takes a long time to perform electroforming. 10 to 50 as required
The thickness may be in the range of 0 μm, preferably in the range of 20 to 200 μm.
また、この高分子フィルムに後記するように穴明けし、
エッチング後、ここに形成されるこの異方導電膜を構成
する導電体はこれがLCDのガラス基板とFPCおよびICとの
電気的接続をするものであることから良導電性のものと
することが必要とされるが、このものは後記するように
上記した高分子フィルムに電鋳法で形成されるので電着
可能な金属からなるものとすることがよく、金、銀など
の貴金属では得られる異方導電膜が高価なものとなるの
で銅またはニッケルなどのような安価な金属で造ること
が好ましく、この大きさはリベット状に広がった部分、
即ち、両末端において直径が150μm以下で高さが高分
子フィルムの表面から2〜100μm突出するようなもの
とすればよい。Also, perforate this polymer film as described below,
After etching, the conductor that forms this anisotropic conductive film is required to have good conductivity because it electrically connects the glass substrate of the LCD to the FPC and IC. However, since it is formed on the above-mentioned polymer film by electroforming as described below, it is preferable that it is made of a metal that can be electrodeposited. Since the one side conductive film becomes expensive, it is preferable to make it with an inexpensive metal such as copper or nickel. This size is a portion spread like a rivet,
That is, the diameter may be 150 μm or less at both ends and the height may protrude from the surface of the polymer film by 2 to 100 μm.
つぎに本発明の異方導電膜の製造方法を説明すると、こ
の製造方法はまず上記した電気絶縁性の高分子フィルム
を金属支持体に支持形成したものについて行われる。Next, the method for producing the anisotropic conductive film of the present invention will be described. This production method is carried out for the above-mentioned electrically insulating polymer film supported and formed on a metal support.
第1図、第2図はこの製造方法を図示したものである
が、これはまず第1図a)、第2図a)に示したように
金属支持体上に熱可塑性の高分子物質が支持形成され
る。この金属支持体はこの上に以下に示す成膜方法によ
って高分子フィルムを形成することから、その成膜加工
に必要な十分な強度と耐熱性があり、のちにエッチング
加工と電鋳加工が行なわれるので金属とすることがよい
が、これはまた最終的には高分子フィルムと剥離するこ
とが必要とされるのでこの高分子フィルムとあまり強固
に接着することのない金属とすることが好ましく、した
がってこれはステンレス、ニッケル、鉄、銅、その表面
をニッケルめっきした鉄、銅などの複合支持体とすれば
よいが、これはまた高分子フィルムを剥離し易くするた
めにその表面に剥離層を設けたものとしてもよい。な
お、この金属支持体の厚みはこれが薄すぎると強度が不
足して高分子フィルムの成膜加工に支障を来たすおそれ
があり、これはまた後述するエッチング加工時に腐食さ
れる深さよりも十分に厚いことが必要とされるが、これ
が厚すぎると巻物状とすることが難しくなり、連続的な
加工も困難となるので30〜1,000μm、好ましくは50〜3
00μmの範囲とすればよい。FIG. 1 and FIG. 2 illustrate this manufacturing method. First, as shown in FIG. 1 a) and FIG. 2 a), a thermoplastic polymer material is deposited on a metal support. Supported and formed. Since this metal support has a polymer film formed thereon by the following film-forming method, it has sufficient strength and heat resistance necessary for the film-forming process, and is then subjected to etching and electroforming. Therefore, it is preferable to use a metal, but since it is necessary to finally peel off the polymer film, it is preferable to use a metal that does not adhere to the polymer film very strongly, Therefore, this may be a composite support of stainless steel, nickel, iron, copper, iron with its surface nickel-plated, copper, etc., but this also has a release layer on its surface to facilitate release of the polymer film. It may be provided. If the thickness of the metal support is too thin, the strength may be insufficient and the film forming process of the polymer film may be hindered, which is sufficiently thicker than the depth corroded during the etching process described later. However, if it is too thick, it will be difficult to form a roll and continuous processing will be difficult, so 30 to 1,000 μm, preferably 50 to 3 μm.
The range may be 00 μm.
また、この金属支持体上に高分子フィルムを形成させる
方法としては、一般公知の成膜方法を使用すればよく、
したがってこの高分子フィルムが熱可塑性を有するもの
である場合には溶融押出し法(エクストルージョン法)
により溶融した樹脂をTダイにより該金属支持体上に所
定の膜厚で押出して成膜すればよく、この高分子フィル
ムが溶剤溶解性であるときには溶液流延法(キャステイ
ング法)によってこの高分子フィルムの溶剤溶液をリッ
プコーター、ナイフコーター、リバースコーター、グラ
ビアコーター、エアナイフコーターなどを用いる公知の
塗工方法で金属支持体上に塗工したのち、溶剤を加熱に
より飛散させ、この高分子フィルムが熱硬化性のもので
あるときには加熱硬化させ、必要に応じ加温、養生させ
るようにすればよい。なお、すでにフィルムとして形成
されている場合やこの高分子フィルムの金属支持体に対
する接着力が低すぎる場合にはこの高分子フィルムを適
着の密着力と剥離性を有する接着剤を用いて金属支持体
に接着してもよく、この接着剤は実験的に選択すればよ
い。As a method for forming a polymer film on this metal support, a generally known film forming method may be used,
Therefore, when this polymer film has thermoplasticity, the melt extrusion method (extrusion method) is used.
The resin melted by means of a T-die may be extruded on the metal support to form a film having a predetermined thickness. When the polymer film is soluble in a solvent, the polymer may be formed by a solution casting method (casting method). After coating the solvent solution of the film on the metal support by a known coating method using a lip coater, a knife coater, a reverse coater, a gravure coater, an air knife coater, etc., the solvent is scattered by heating, and this polymer film is When it is thermosetting, it may be cured by heating, and heated and cured as necessary. If it is already formed as a film or if the adhesion of this polymer film to the metal support is too low, this polymer film should be supported on the metal using an adhesive that has suitable adhesion and releasability. It may adhere to the body and this adhesive may be selected experimentally.
このように形成された高分子フィルムはついで高分子フ
ィルムの厚さ方向に貫通する穴を穴明けし、ここに導電
体を形成するのであるが、この穴明けについてこれをド
リルなどで機械的に加工することが困難である場合には
光学的に加工することが好ましく、したがってこれは第
1図b)に示したように例えば炭酸ガスレーザー、YAG
レーザーまたはエキシマレーザーなどの照射を行えばよ
い。これらレーザーによる穴明けはその出力レーザーを
適宜なレンズなどを用いて目的とする穴径に集光して加
工すればよいが、高分子フィルムに所望の穴径を所望の
ピッチで配列したマスクを配置し、これに加工可能なエ
ネルギー密度(J/cm3)を有するレーザーを照射すれば
よく、これはまた出力を集光する以前に所望の穴径と所
望のピッチに集光レンズの倍率に等しい倍率をもつ拡大
マスクを使用し、この拡大マスクによってレーザー出力
をパターニングした後に該レンズを用いて集光し加工す
るようにしてもよい。なお、この加工は目的とする異方
導電膜が連続したリボンとされることが好ましいことか
ら、穴加工の位置を順次リボン上に移動して連続的に行
なうことがよいが、ここに使用するレーザー出力につい
てはこれを集光した場合のエネルギー密度が大きすぎる
と一度のパルス照射でフィルムに穴明けと共に金属支持
体も掘りこむことになり、その後のエッチング精度に影
響が与えられるので、この出力は加工する高分子フィル
ムの厚みによって適宜変化させることが必要で、これは
高分子フィルムを一度の照射で穴明けするよりも、数度
のパルス照射によって穴明けするようにすることがよ
く、このレーザー出力の低下はこの出力をミラーなどを
用いて分岐させて、分岐光を集光した際のエネルギー密
度を低下させて多数の穴明け加工を同時に実施するよう
にすればよい。The polymer film thus formed is then punched through a hole penetrating in the thickness direction of the polymer film, and a conductor is formed there. If it is difficult to process, it is preferable to process it optically, so that this can be done, for example, as shown in FIG.
Irradiation with a laser or an excimer laser may be performed. The holes can be drilled by these lasers by converging the output laser to a target hole diameter using an appropriate lens or the like, and using a mask in which a desired hole diameter is arranged in a polymer film at a desired pitch. It can be placed and irradiated with a laser that has a processable energy density (J / cm 3 ), which also adjusts the magnification of the focusing lens to the desired hole diameter and pitch before focusing the output. A magnifying mask having the same magnification may be used, and the laser output may be patterned by the magnifying mask and then the lens may be used for focusing and processing. Since it is preferable that the target anisotropic conductive film is formed into a continuous ribbon, this processing is preferably performed continuously by sequentially moving the hole processing position on the ribbon. Regarding the laser output, if the energy density when condensing this is too large, one pulse irradiation will pierce the film as well as dig into the metal support, which will affect the etching accuracy after that. Needs to be changed appropriately depending on the thickness of the polymer film to be processed, and this is preferably done by irradiating the polymer film with a few pulses rather than by irradiating it once. The reduction of the laser output is made by branching this output using a mirror, etc., reducing the energy density when converging the branched light and performing multiple drilling processes at the same time. It may be set to Hodokosuru so.
また、この穴明け加工は例えば第2図b)に示したよう
にこの高分子フィルムにまずフォトレジストを塗布しパ
ターニングしたのちこれを硬化して、この部分の高分子
フィルムを溶解除去するようにしてもよい。これらのフ
ォトレジストは一般に液状またはフィルム状であること
から、その形成は公知のレジスト形成方法で行なえばよ
く、具体的にはスピンコーター、リップコーター、ナイ
フコーター、リバースコーター、グラビアコーター、エ
アナイフコーター、スプレイコーターなどの方法を用い
ればよいが、スピンコーターは処理が枚葉となり、連続
的な巻物状の塗工ができないことからスピンコーター以
外の塗工方法とすることが好ましい。また、このレジス
トがフィルム状のドライフィルムである場合にはその保
護フィルムを剥離したのち、この面に電気絶縁性の上記
した高分子フィルムを当接させ、適宜な加圧、加熱をし
てレジスト層を形成すればよい。このフォトレジストは
紫外線(UV)や電子線(EB)が照射されると、この照射
された部分が硬化してアルカリ溶液や有機溶剤に溶解し
なくなるネガタイプレジストと、照射された部分がアル
カリ溶液や有機溶剤に溶解するポジタイプレジストの2
種類あり、本発明ではこのいずれのレジストも使用する
ことができるが、現像により溶解する面積が大きいと現
像液の組成コントロールが難しくなるし、不良も生じ易
くなり、また解像度についてもポジタイプレジストがす
ぐれているので、ポジタイプレジストとすることが好ま
しく、このポジタイプレジストとしてはクレゾール系ノ
ボラック樹脂にナフトキノンジアミドエステル化物を主
とする感光剤と有機溶剤および少量の分解促進剤、安定
剤などからなるものを使用すればよい。In addition, as shown in FIG. 2 b), this hole forming process is carried out by first applying a photoresist to the polymer film and patterning it and then curing it so that the polymer film in this portion is dissolved and removed. May be. Since these photoresists are generally liquid or film-like, they may be formed by a known resist forming method, specifically, a spin coater, a lip coater, a knife coater, a reverse coater, a gravure coater, an air knife coater, A method such as a spray coater may be used, but a spin coater is a single-wafer treatment, and a continuous roll-like coating cannot be performed. Therefore, a coating method other than the spin coater is preferable. When the resist is a film-shaped dry film, after peeling off the protective film, the above-mentioned electrically insulating polymer film is brought into contact with this surface, and appropriate pressure and heat are applied to the resist. A layer may be formed. When this photoresist is irradiated with ultraviolet (UV) or electron beam (EB), the exposed part hardens and is not dissolved in an alkaline solution or an organic solvent. 2 of positive type resist which dissolves in organic solvent
There are various types, and any of these resists can be used in the present invention, but if the area dissolved by development is large, it becomes difficult to control the composition of the developer, and defects are more likely to occur. Since it is excellent, it is preferable to use a positive type resist, and this positive type resist is composed of a cresol-based novolak resin, a photosensitizer mainly containing a naphthoquinone diamide ester compound, an organic solvent, and a small amount of a decomposition accelerator and a stabilizer. You can use one.
なお、このポジタイプレジストの反応メカニズムはセン
シタイザーとしての とベースレジストとしての が光エネルギーによってWanger−Meeywein転位を起こ
し、ケテンを経てアルカリ可溶のインデンカルボン酸と
なり、照射部が溶解するというものであるが、このポジ
タイプのドライフィルムとしては で示されるようなO−ニトロベンゼン基の光反応を利用
したポリ(O−ニトロベンジルメチルアクリレート)が
例示される。The reaction mechanism of this positive type resist is as a sensitizer. And as a base resist Causes Wanger-Meeywein rearrangement due to light energy, becomes an alkali-soluble indenecarboxylic acid through ketene, and dissolves the irradiated part. An example is poly (O-nitrobenzyl methyl acrylate) utilizing the photoreaction of O-nitrobenzene group as shown in.
また、このフォトレジストの厚さはこれが薄すぎるとピ
ンホールなどの問題が生じ易くなるし、現像液に対する
抵抗力も弱くなり、厚すぎると露光における解像度が低
下するし、このレジストは高価なものであるので、これ
はレジストが液体の場合は0.5〜30μmとし、このレジ
ストがドライフィルムの場合には0.5〜100μmの範囲と
すればよい。Further, if the thickness of this photoresist is too thin, problems such as pinholes are likely to occur, the resistance to the developing solution becomes weak, and if it is too thick, the resolution in exposure decreases, and this resist is expensive. Therefore, when the resist is a liquid, it is 0.5 to 30 μm, and when the resist is a dry film, it is 0.5 to 100 μm.
このようにしてフォトレジストを形成させた高分子フィ
ルムは、このレジストがポジタイプレジストのときは溶
媒を飛散させると共にプリベークを実施してレジスト膜
を緻密化させるのであるが、このものはついでこのレジ
スト表面にマスクなどを用いて所定にパターニングされ
たUVまたはBEを照射して露光を行なったのち、現像液を
用いて溶解する部分を溶解するのであるが、この現像液
としてはレジストがポジタイプのあるときには一般に有
機アミン水溶液のようなアルカリ溶液が使用され、これ
は具体的にテトラメチルアンモニウムヒドロオキシドな
どが例示される。When the resist is a positive-type resist, the polymer film on which the photoresist is formed in this way scatters the solvent and performs pre-baking to densify the resist film. After exposing the surface to UV or BE that has been patterned in a predetermined manner using a mask, etc., and then using a developing solution to dissolve the dissolved portion, a resist is a positive type of this developing solution. Occasionally, an alkaline solution such as an organic amine aqueous solution is used, and specific examples thereof include tetramethylammonium hydroxide.
この高分子フィルムの穴明けはこの現像液で現像された
パターンを用いて行なわれるが、これはこの高分子フィ
ルムがレジスト同様にアルカリ溶液に溶解するものであ
る場合には、レジストの現像工程に引続いてこの高分子
フィルムを溶解するようなアルカリ溶液中にこれを所定
時間浸漬すればよい。このアルカリ溶液に溶解する高分
子フィルムはポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフ
ィルム、ポリパラバン酸フィルムが例示されるが、この
高分子フィルムがアルカリ溶液ではなく所定の有機溶剤
に溶解するものである場合には、現像終了後にレジスト
塗膜を100℃以上でアフターベークしてその耐溶剤性を
向上させたのちに、このフィルムを溶解する所定の有機
溶剤中にこれを浸漬し穴明け加工を実施すればよく、こ
の有機溶剤についてはポリカーボネートフィルムに対し
てはトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素を、ポリ
パラバン酸フィルムに対してはジメチルホルムアミド、
テトラヒドロフラン、プロピレンカーボネートの単体も
しくは混合溶剤が例示される。また、この穴明け後、残
留するレジスト膜は剥離剤を用いて剥離することがよい
が、その厚みが薄く、これが高分子フィルムに十分強固
に接着している場合にはこれは強いて剥離する必要はな
い。The perforation of this polymer film is performed using the pattern developed by this developing solution. This is because when the polymer film dissolves in an alkaline solution like the resist, the resist developing process is performed. Subsequently, the polymer film may be immersed in an alkaline solution for dissolving it for a predetermined time. Examples of the polymer film that dissolves in this alkaline solution include a polyimide film, a polyamide-imide film, and a polyparabanic acid film, but if this polymer film is one that dissolves in a predetermined organic solvent instead of an alkaline solution, it is developed. After the resist coating film is after-baked at 100 ° C. or higher to improve its solvent resistance after completion, it may be perforated by dipping it in a predetermined organic solvent that dissolves this film. Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene for polycarbonate films for organic solvents, dimethylformamide for polyparabanic acid films,
Tetrahydrofuran and propylene carbonate may be used alone or as a mixed solvent. After this hole is drilled, the remaining resist film may be peeled off using a peeling agent, but if it is thin and it adheres to the polymer film sufficiently firmly, it must be peeled off strongly. There is no.
なお、このようにして高分子フィルム上に設けられた穴
の径およびピッチは目的とする異方導電膜がLCDとFPCお
よびICチップとの接続ピッチである0.2mm以下とするこ
とが必要とされるので、このピッチは0.2mm以下とされ
るが、そのLCD側の電極幅と電極間の幅を1:1としたとき
に隣接する電極間でリークを生じない導電体の径は100
μmより小であり、この接続に関与する導電体の径と穴
径とはほぼ同じとなることから、この穴径は100μmよ
り小とすればよい。なお、この高分子フィルムをリボン
状フィルムとした場合には第3図c)に示したようにリ
ボン状フィルムの長手方向に千鳥掛け複数配列とし、ま
た、隣接配列の穴が互いに隣接する穴配列のほぼ中央に
位置するようにした場合にはこれをリボン状の異方導電
膜とするとこれが2〜3mmの幅をもつものであることか
ら、見かけ上の接続可能なピッチは穴明けのピッチの半
分とすることができるので、この穴の配列ピッチは0.4m
m以下とすることができる。The diameter and pitch of the holes provided on the polymer film in this way are required to be 0.2 mm or less, which is the connection pitch between the target anisotropic conductive film and the LCD, FPC, and IC chip. Therefore, this pitch is 0.2 mm or less, but when the electrode width on the LCD side and the width between the electrodes are set to 1: 1, the diameter of the conductor that does not leak between adjacent electrodes is 100 mm.
Since the diameter is smaller than 100 μm and the diameter of the conductor involved in this connection is almost the same as the hole diameter, this hole diameter may be smaller than 100 μm. When the polymer film is a ribbon-shaped film, a plurality of staggered arrangements are provided in the longitudinal direction of the ribbon-shaped film as shown in FIG. When it is located almost at the center of this, if it is a ribbon-shaped anisotropic conductive film, it has a width of 2 to 3 mm, so the apparent connectable pitch is the pitch of holes. Since it can be halved, the array pitch of this hole is 0.4 m
It can be less than or equal to m.
このように穴明けされた高分子フィルムはこの穴に導電
体を形成するのであるが、穴明けされた状態のままでは
得られる異方導電膜の導電体が高分子フィルム面より突
出しておらずかつ両末端も肥大していないことから、こ
の導電体の取付けに先立って第1図c)、第2図c)に
示したようにこの金属支持体をエッチングする必要があ
る。この金属支持体のエッチングは例えば従来公知の塩
化第二鉄などの金属塩化物系のエッチング液を用いる方
法、あるいはこれを陽極として電解液に浸漬し、陽極酸
化によってエッチングする電解エッチングとすればよい
が、目的とする異方導電膜が好ましくは連続したリボン
状のものとされることから、これに対応し易い金属塩化
物系のエッチング液を使用するものとすることがよい。
しかし、このエッチングにおいても加工された穴径が小
さい場合にはこれをエッチング液中に浸漬したときに穴
内部の空気が抜けないためにエッチングが不完全になる
ことから、これはポンプにより加圧されたエッチング液
をノズルより噴射させるスプレー方式、あるいは該エッ
チング液に超音波をかける方法で行なうことが好まし
い。なお、このように作られた第1図c)、第2図c)
に示されているエッチング部の深さはこれが浅すぎると
最終的に得られる両末端の肥大の導電体の高分子フィル
ムよりの突出高さが小さくなって電極との良好な接続が
得られなくなるし、深すぎるとこのエッチングが金属支
持体の厚み方向だけでなく、その面方向にも進行するも
のであるために得られる導電体の径が大きくなりすぎる
ので、この深さは2〜100μmの範囲とすればよい。The perforated polymer film forms a conductor in this hole, but the conductor of the anisotropic conductive film obtained in the perforated state does not protrude from the polymer film surface. Since both ends are not enlarged, it is necessary to etch the metal support as shown in FIGS. 1 (c) and 2 (c) before attaching the conductor. The metal support may be etched by, for example, a method using a conventionally known metal chloride-based etching solution such as ferric chloride, or electrolytic etching in which the metal support is immersed in an electrolytic solution as an anode and etched by anodic oxidation. However, since the target anisotropic conductive film is preferably in the form of a continuous ribbon, it is preferable to use a metal chloride-based etching solution that is easily compatible with this.
However, even in this etching, if the processed hole diameter is small, the etching will be incomplete because the air inside the hole will not escape when immersed in the etching solution. It is preferable to use a spray method of spraying the etching liquid thus obtained from a nozzle or a method of applying ultrasonic waves to the etching liquid. In addition, Fig. 1c) and Fig. 2c) made in this way.
If the depth of the etching part shown in Fig. 2 is too shallow, the protruding height of the enlarged conductors at both ends finally becomes smaller than the polymer film, and good connection with the electrode cannot be obtained. However, if the depth is too deep, the diameter of the obtained conductor becomes too large because the etching proceeds not only in the thickness direction of the metal support but also in the surface direction thereof, so this depth is 2 to 100 μm. It should be a range.
つぎに上記したような穴明けとエッチングを終了したの
ち、第1図d)、第2図d)に示したようにこの高分子
フィルムの穴部に導電体が電鋳法で形成されるのである
が、この電鋳法で形成される導電体は電着可能な金属か
らなるものとすればよく、これは金、銀などの貴金属で
は得られる異方導電膜が高価なものとなることから、多
くのめっき浴が知られている銅またはニッケルとするこ
とが好ましい。またこの電鋳に使用されるめっき浴は高
分子フィルムへの影響や該フィルムの剥離などの問題か
ら極度に酸性またはアルカリ性である浴や熱などのスト
レスの大きい浴は好ましくないので、この導電体が銅で
ある場合はピロリン酸浴、スルファミン酸銅浴とし、ニ
ッケルである場合にはワット浴、スルファミン酸ニッケ
ル浴などとすることが好ましく、これによれば導電体を
高分子フィルムの穴部に容易に形成することができる。
なお、このようにして得た両末端肥大のリベット状の導
電体の厚みは該高分子フィルムの表面からこの導電体が
2〜100μm突出するような厚みとすることが好まし
い。Then, after the above-described drilling and etching are completed, a conductor is formed in the hole of the polymer film by electroforming as shown in FIGS. 1d) and 2d). However, the conductor formed by this electroforming method may be made of a metal that can be electrodeposited. This is because the anisotropic conductive film obtained with a noble metal such as gold or silver becomes expensive. It is preferable to use copper or nickel for which many plating baths are known. In addition, the plating bath used for this electroforming is not preferable because it is an extremely acidic or alkaline bath or a bath with high stress such as heat because of problems such as the influence on the polymer film and peeling of the film. When is copper is a pyrophosphate bath, a sulfamate copper bath, when it is nickel, it is preferable to be a Watts bath, a nickel sulfamate bath, and the like. It can be easily formed.
The thickness of the thus obtained rivet-shaped conductor with enlarged both ends is preferably such that the conductor protrudes from 2 to 100 μm from the surface of the polymer film.
また、このようにして造られた両末端肥大の導電体は
導、ニッケルが酸化皮膜や腐食による導電性の低下など
の問題をもつものであることから、これには耐腐食性の
金属めっきを施すことがよく、この金属めっきは導電体
を電鋳により形成する前にエッチング加工された穴部に
予め耐蝕性の金属めっきを1層施したのち、電鋳法で両
末端肥大の導電体を形成し、その後にこの導電体表面に
金属めっきを少なくとも一層施すか、あるいは高分子フ
ィルムにこの導電体を設けた異方導電膜を金属支持体か
ら剥離したのちに無電解めっきを少なくとも一層行なっ
てもよいが、上記前者のめっき方法の場合には、この導
電体の上面と下面のめっき材料を接続する電極の材質に
合わせて異なる金属とすることができるという有意性が
ある。また、ここに使用する耐腐食性の金属としては耐
腐食性のすぐれた貴金属や、その酸化物で導電性を有す
るもので、さらにははんだのように異方導電膜として使
用する際の加熱によって溶融し、接続を形成する低融点
の金属があげられ、具体的には金、銀、パラジウム、白
金、すず、はんだ、インジウム、モリブデン、クロムな
どの単位あるいはこれらの2種以上の合金などが例示さ
れるが、この厚みはこれが薄すぎると耐腐食性の効果が
得られず、厚すぎると得られる異方導電膜が高価なもの
なることから0.01〜10μmの範囲とすればよい。しか
し、この導電体の材料が銅である場合にこれに金めっき
をすると、長期使用中に銅中に金が拡散して耐腐食性が
低下するなどの問題が生じるので、この場合にはまず銅
にニッケルをめっきし、ついでこれに金めっきをするな
どの多層めっきとすることがよい。In addition, the conductor with enlarged both ends produced in this way is conductive, and nickel has problems such as reduction of conductivity due to oxide film and corrosion, so corrosion resistant metal plating should be applied to this. This metal plating is often done by applying a layer of corrosion-resistant metal plating to the hole that has been etched before forming the conductor by electroforming, and then using electroforming to expand the conductor with both ends enlarged. Formed, and then at least one layer of metal plating is applied to the surface of this conductor, or at least one layer of electroless plating is performed after peeling the anisotropic conductive film provided with this conductor on the polymer film from the metal support. However, in the case of the former plating method, there is the significance that different metals can be used in accordance with the material of the electrodes for connecting the plating material on the upper surface and the lower surface of this conductor. Further, the corrosion-resistant metal used here is a noble metal having excellent corrosion resistance, or an oxide thereof having conductivity, and is further heated by an anisotropic conductive film such as solder. Examples of the metal having a low melting point that melts to form a connection include units such as gold, silver, palladium, platinum, tin, solder, indium, molybdenum, and chromium, or alloys of two or more of these. However, if the thickness is too thin, the effect of corrosion resistance cannot be obtained, and if it is too thick, the anisotropic conductive film obtained is expensive, so the thickness may be set in the range of 0.01 to 10 μm. However, if the conductor material is copper and gold plating is applied to it, problems such as gold diffusion into the copper during long-term use and deterioration of corrosion resistance occur. It is preferable that the copper is plated with nickel, and then this is plated with gold to obtain multi-layer plating.
なお、このようにして造られた両末端肥大の導電体は最
終的には高分子フィルムと共に金属支持体から剥離する
必要があることから、前記した穴明け、エッチング処理
を実施したのちに、電解脱脂液または苛性ソーダー溶液
中で短時間陽極酸化処理するか、クロム酸ナトリウムや
硫化ナトリウム液に短時間浸漬して剥離用皮膜としての
酸化物薄膜、クロメート薄膜を形成してもよい。In addition, since the conductor with both ends enlarged thus formed needs to be finally peeled from the metal support together with the polymer film, after performing the above-mentioned punching and etching treatment, electrolysis is performed. Anodizing treatment may be performed for a short time in a degreasing solution or a caustic soda solution, or it may be immersed in a sodium chromate or sodium sulfide solution for a short time to form an oxide thin film or a chromate thin film as a peeling film.
このように両末端肥大のリベット状の導電体が形成され
た高分子フィルムはついでこれを金属支持体から剥離す
ることによって第1図e)、第2図e)に示したような
目的とする異方導電膜となるのであるが、この高分子フ
ィルムと金属支持体との剥離は適宜の組成を有する溶解
中にこれを浸漬するか、超音波やポンプにより加圧した
溶剤をノズルから噴出するスプレー方式で行えばよい。
なお、高分子フィルムと金属支持体との接着が強く、該
高分子フィルムが耐溶剤性の低いもので適宜の溶剤がな
い場合などで、例えばこの金属支持体が銅箔であり、該
リベット状の導電体がニッケルであるときには、これを
亜塩素酸塩(ナトリウム塩、アンモニウム塩)水溶液中
にアンモニアを加えてアルカリ性とし、pHを10程度とし
たアルカリエッチング液中に浸漬すれば銅箔のみが選択
的にエッチングされるので、容易に剥離することができ
る。なお、この場合高分子フィルムがアルカリ溶解性の
フィルムである場合には金属支持体の反対の面をマスキ
ングすればよいが、最終的に該異方導電膜を接着性のも
のとする場合には接着剤層を先に形成させてこれをマス
キングの代用としてもよい。また、上記した選択エッチ
ングによる剥離方法において、この導電体に使用される
金属材料は前記した方法で予めニッケルめっきしたもの
としてのよいことから、該金属材料はニッケルに限定さ
れるものではなく銅やその他の金属であってもよい。The polymer film on which the rivet-shaped conductors with enlarged ends are formed is then peeled off from the metal support to obtain the purpose as shown in FIGS. 1e) and 2e). Although it becomes an anisotropic conductive film, the polymer film and the metal support are peeled off by immersing the polymer film in a melt having an appropriate composition or ejecting a solvent pressurized by ultrasonic waves or a pump from a nozzle. The spray method may be used.
The polymer film is strongly bonded to the metal support, and the polymer film has low solvent resistance and does not have an appropriate solvent. For example, the metal support is a copper foil and the rivet shape is used. When the conductor of nickel is nickel, it is made alkaline by adding ammonia to an aqueous solution of chlorite (sodium salt, ammonium salt), and when immersed in an alkaline etching solution having a pH of about 10, only the copper foil is removed. Since it is selectively etched, it can be easily peeled off. In this case, when the polymer film is an alkali-soluble film, the opposite surface of the metal support may be masked, but when the anisotropic conductive film is finally made adhesive, The adhesive layer may be formed first and used as a substitute for masking. Further, in the peeling method by the selective etching described above, the metal material used for this conductor may be nickel-plated in advance by the above-mentioned method, and therefore the metal material is not limited to nickel and copper or Other metals may be used.
このようにして得られた異方導電膜は、上記したような
めっきなどの処理を必要とする場合にはこれを実施し、
その後これを所定の幅にスリットしてリボン状のものと
して使用するのであるが、このものはLCDとFPCまたはIC
との間に介在させ、圧接することによってLCDとFPCまた
はICを電気的に接続するものであるので、このものは接
着機能を有するものとすることがよく、したがってこれ
はその異方導電膜を熱溶融性の接着剤溶液中に浸漬する
か、またはこの接着剤溶液を異方導電膜にコーティング
した後、これを乾燥して異方導電膜の両面に接着剤層を
形成させるか、または剥離フィルムなどの基材上に形成
された接着剤層を該異方導電膜の両面にラミネートする
ことなどによって接着剤層を形成することが好ましい
が、この熱溶融接着剤層の形成は前記した高分子フィル
ムをキャスティングで形成するのに用いたコーティング
方法によればよい。しかし、この熱溶融接着剤の厚みは
これが高分子フィルム面から突出している両末端肥大の
リベット状の導電体の高さよりも小さいと接着剤と電極
が接しないので接着できず、これが厚すぎると接着時の
加熱加圧によって流動する接着剤の量が多くなりすぎて
樹脂の流動に時間がかかり、接続に必要な時間が長くな
るし、流動した接着剤のたまりによってFPCが変形する
ことにより、応力が生じ接続信頼性が低下するおそれが
生じるので、これは高分子フィルム面から突出している
導電体の高さより5〜50μm厚くなる程度とすればよ
く、これによればLCDとFPCおよびICとの接続をより容易
にすることができるという有利性が与えられる。なお、
ここに使用される接着剤は熱溶融性のものであればよ
く、これにはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック
共重合体、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック
共重合体、飽和共重合ポリエステル樹脂、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合
体、エチレン−アクリル酸イソブチル共重合体、ナイロ
ン11、ナイロン12、アイオノマー樹脂などの熱可塑性エ
ラストマーや熱可塑性樹脂に必要に応じロジンおよびロ
ジン誘導体、テルペン樹脂および変性テルペン樹脂、石
油樹脂、クマロン−インデン樹脂、フェノール樹脂、ア
ルキッド樹脂などの粘着付与剤やエポキシ系樹脂、イソ
シアネート系の潜在性硬化剤、光硬化性樹脂、酸化防止
剤、安定剤などを添加し、必要に応じトルエン、メチル
エチルケトン、酢酸エチル、セロソルブなどの溶剤に溶
解したものとすればよいが、この異方導電膜の上下面に
形成される熱溶融性接着剤は、この上下面において接着
する相手がガラス基板やFPCに例示されるように異なる
ものであることから、この接着相手に合わせて上下面で
組成の異なるものとしてもよい。The anisotropic conductive film thus obtained is subjected to treatment such as plating as described above, if necessary.
After that, it is slit into a predetermined width and used as a ribbon, which is used for LCD and FPC or IC.
Since this is to electrically connect the LCD and the FPC or IC by interposing between them and press-contacting each other, it is preferable that this one has an adhesive function. Immersion in a hot-melt adhesive solution, or coating of this adhesive solution on an anisotropic conductive film, then drying this to form an adhesive layer on both sides of the anisotropic conductive film, or peeling The adhesive layer is preferably formed by laminating an adhesive layer formed on a substrate such as a film on both surfaces of the anisotropic conductive film. The coating method used to form the molecular film by casting may be used. However, if the thickness of this hot-melt adhesive is smaller than the height of the rivet-shaped conductor with both ends enlarged that protrudes from the polymer film surface, the adhesive and the electrode cannot contact and cannot be bonded, and if this is too thick The amount of adhesive that flows due to heat and pressure during bonding becomes too large, it takes time for the resin to flow, the time required for connection becomes long, and because the FPC is deformed due to the pool of flowing adhesive, Since stress may occur and connection reliability may be reduced, this may be about 5 to 50 μm thicker than the height of the conductor protruding from the polymer film surface. The advantage is given that the connection can be made easier. In addition,
The adhesive used here may be one that is heat-meltable, and includes styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isobutylene-styrene block copolymer, saturated copolymer polyester resin, ethylene-acetic acid. Vinyl copolymers, ethylene-ethyl acrylate copolymers, ethylene-isobutyl acrylate copolymers, nylon 11, nylon 12, ionomer resins and other thermoplastic elastomers and thermoplastic resins as required for rosin and rosin derivatives, terpenes Resins and modified terpene resins, petroleum resins, coumarone-indene resins, phenol resins, alkyd resins and other tackifiers, epoxy resins, isocyanate-based latent curing agents, photocurable resins, antioxidants, stabilizers, etc. Add toluene, methyl ethyl ketone, and acetic acid as needed. It may be dissolved in a solvent such as chill or cellosolve, but the heat-melting adhesive formed on the upper and lower surfaces of this anisotropic conductive film is exemplified by a glass substrate or FPC whose upper and lower surfaces are bonded. As described above, the upper and lower surfaces may have different compositions according to the bonding partner.
この本発明によって得られた異方導電膜を使用すると、
従来の分散型異方導電膜で問題とされている二次凝集塊
などによるリークが発生しないし、また接着剤の流動に
伴なって導電体が移動することもないのでヒートシール
部周囲における接着剤のたまり部での導電粒子の連鎖に
よるリーク発生もなく、さらにはその導電体が分散型異
方導電膜の導電粒子のように任意に分散されたものでは
なく、これは所定の位置に配置されたものであるので、
接続される電極間に導電粒子が存在せずに不導通を生じ
るという従来の分散型異方導電膜におけるような問題が
なく、これはまた電鋳法により形成された両末端肥大の
導電体の厚さ、形状が均一性にすぐれているので、従来
の分散型異方導電膜における導電粒子のバラツキにより
接続抵抗が著しく高くなったり、不導通を生じるなどの
問題もなくなるという有利性をもつものとなるし、これ
はまたカラーLCDパネルにおける接続ピッチである0.2mm
以下の電極の接続が可能になるという有利性をもつもの
である。When the anisotropic conductive film obtained by the present invention is used,
Leakage due to secondary agglomerates, which has been a problem with conventional dispersion type anisotropic conductive films, does not occur, and the conductor does not move with the flow of the adhesive, so adhesion around the heat seal part There is no leak due to the chain of conductive particles in the agent accumulation part, and the conductor is not arbitrarily dispersed like the conductive particles of the dispersion type anisotropic conductive film, and it is arranged at a predetermined position. Since it was done,
There is no problem as in the conventional dispersed type anisotropic conductive film that the conductive particles are not present between the electrodes to be connected, which causes non-conduction. Since the thickness and shape are excellent in uniformity, it has the advantage that there will be no problems such as the connection resistance becoming extremely high due to the dispersion of conductive particles in the conventional dispersion type anisotropic conductive film, or the occurrence of non-conduction. This is also the connection pitch of 0.2mm in color LCD panels.
It has an advantage that the following electrodes can be connected.
[実施例] つぎに本発明の実施例をあげる。[Examples] Next, examples of the present invention will be described.
実施例1 金属支持体として厚さ100μm、幅225mmの圧延銅箔・C
−1020[竹内金属箔粉工業(株)製商品名]を使用し、
この表面にポリパラバン酸ワニス・ソルラックXT−101
[日東化学工業(株)製商品名]をナイフコーターを用
いて塗工し、これを金属支持体側から100℃の温度で30
秒間加熱したのち、連続乾燥炉中に導入して150℃で60
秒間加熱乾燥させて、金属支持体上に厚さ30μmのポリ
パラバン酸フィルムを形成させた。Example 1 100 μm thick rolled copper foil C having a width of 225 mm as a metal support
-1020 [trade name of Takeuchi Metal Foil & Powder Co., Ltd.]
Polyparabanic acid varnish Sollac XT-101 is on this surface.
[Nitto Chemical Industry Co., Ltd. product name] was coated using a knife coater, and this was applied at a temperature of 100 ° C from the metal support side for 30
After heating for 2 seconds, introduce it into a continuous drying oven and
After heating and drying for 2 seconds, a polyparabanic acid film having a thickness of 30 μm was formed on the metal support.
ついで、このポリパラバン酸フィルムに発振波長が1.06
μm、最大発振出力が12WであるTEA00発振モードの連続
励起YAGレーザー・SL115L[日本電気(株)製商品名]
に超音波Qスイッチユニット・SL231G[日本電気(株)
製商品名]を組みこんだ繰り返し周波数1kHz、尖頭出力
20kW以上、パルス幅約80・n secのYAGレーザスクライバ
ーを使用して、このYAGレーザを精密光学レンズを用い
て50μmのスポット径に集光し、これを上記ポリパラバ
ン酸フィルムに照射して穴径約50μmの穴明を行ない、
このフィルムをNCテープを用いてその照射位置を100μ
mずらしてサイド穴明け加工し、これを繰り返すことに
よって50μmの穴明けを100μmのピッチで該フィルム
の幅方向に実施し、幅方向の一列が終了すると次の一列
を100μm移動して行なうと共に、その穴明け位置が前
列の穴明け位置の中央にくるように千鳥掛に配列したの
ち、このフィルムの表面をメチルアルコールを含浸させ
た布でラビングし、純水で洗浄してレーザーによる穴明
けで出たカスなどを除去した。Then, the oscillation wavelength of this polyparabanic acid film was 1.06.
TEA 00 oscillation mode continuously pumped YAG laser SL115L with μm and maximum oscillation output of 12 W [trade name of NEC Corporation]
Ultrasonic Q switch unit ・ SL231G [NEC]
[Product name] incorporated, repetition frequency 1kHz, peak output
Using a YAG laser scriber with a pulse width of about 80 nsec and a power of 20 kW or more, this YAG laser is focused to a spot diameter of 50 μm using a precision optical lens, and this is irradiated onto the polyparabanic acid film to produce a hole diameter. Make a hole of about 50 μm,
The irradiation position of this film is 100μ using NC tape.
After performing side drilling after shifting by m, 50 μm holes are drilled in the width direction of the film at a pitch of 100 μm by repeating this, and when one row in the width direction is completed, the next row is moved by 100 μm, and After arranging them in a staggered manner so that the punching position is in the center of the punching position in the front row, the surface of this film is rubbed with a cloth impregnated with methyl alcohol, washed with pure water and laser drilled. The dust that had come out was removed.
洗浄終了後、これを乾燥しその裏面の銅箔にマスキング
用の粘着フィルムをラミネートとし、この穴明け加工さ
れたポリパラバン酸フィルムを40゜ボーメの酸化第二鉄
溶液を収納したエッチング槽に浸漬し、このエッチング
液を加圧ポンプで加圧してノズルより噴出させると共に
この液に超音波をかけて該穴部にエッチング液が完全に
浸漬するようにして金属支持体としての銅箔を20μm蝕
刻し、純水による洗浄を数回繰り返したのち、0.1規定
のクロム酸ナトリウム水溶液に1秒間浸漬して剥離用皮
膜を形成し、水洗した。After completion of washing, this was dried and a copper foil on the back side was laminated with an adhesive film for masking, and this perforated polyparabanic acid film was dipped in an etching tank containing a 40 ° Baume ferric oxide solution. The etching solution is pressurized by a pressure pump and jetted from a nozzle, and ultrasonic waves are applied to the etching solution so that the etching solution is completely immersed in the hole to etch a copper foil as a metal support to a thickness of 20 μm. After repeating washing with pure water several times, it was immersed in an aqueous solution of 0.1 N sodium chromate for 1 second to form a peeling film, and washed with water.
つぎにこれをワット浴中に浸漬し、電鋳法によってニッ
ケルを析出させてこのニッケルの厚みがポリパラバン酸
フィルムの表面から20μm突出するようして末端肥大の
リベット状の導電体を形成させ、ついでこのマスキング
フィルムを銅箔より剥離した後、これを亜塩素酸アンモ
ニウム水溶液にアンモニアを加えてpH10としたアルカリ
エッチング液・アルカリエッチ[(株)ヤマトヤ商会製
商品名]に浸漬して金属支持体としての銅箔を完全に除
去し、水洗、乾燥させたところ、約50μmのリベット状
ニッケル導電体が100μmのピッチで千鳥掛に配列され
たポリパラバン酸フィルムを基材とした異方導電膜が得
られたので、このニッケル表面に無電解メッキで厚さ0.
015μmの金薄膜を形成させたのち、この異方導電膜の
上下面に厚さ50μmのシリコーン離型剤コートポリエス
テルフィルム・セラピールQ−1[東洋メタライジング
(株)製商品名]上にガラス転移点6℃、環球法軟化点
123℃の飽和共重合ポリエステル・バイロン#300[東洋
紡績(株)製商品名]100重量部をトルエン200重量部に
溶解した熱溶融性接着剤溶液をナイフコーターを用いて
塗工し、乾燥して乾燥膜厚30μmの熱溶融接着剤層を形
成した接着フィルムを加熱加圧によりラミネートした。Next, this is immersed in a Watt bath, nickel is deposited by an electroforming method, and the thickness of this nickel is projected by 20 μm from the surface of the polyparabanic acid film to form a rivet-like conductor with an enlarged terminal. After peeling off this masking film from the copper foil, it was immersed in an alkaline etching solution / alkali etch [product name of Yamatoya Shokai Co., Ltd.] to pH 10 by adding ammonia to an aqueous solution of ammonium chlorite to form a metal support. After completely removing the copper foil, washing with water and drying, an anisotropic conductive film based on a polyparabanic acid film in which rivet-like nickel conductors of about 50 μm were arranged in a zigzag pattern at a pitch of 100 μm was obtained. As a result, the nickel surface is electroless plated to a thickness of 0.
After forming a gold thin film with a thickness of 015 μm, a glass transition was performed on the upper and lower surfaces of this anisotropic conductive film, with a 50 μm thick silicone release agent coated polyester film, Therapy Q-1 [trade name of Toyo Metallizing Co., Ltd.]. 6 ℃, softening point of ring and ball method
Saturated copolyester Byron # 300 [trade name of Toyobo Co., Ltd.] at 123 ° C 100 parts by weight of 200 parts by weight of toluene dissolved in a hot-melt adhesive solution was applied using a knife coater and dried. Then, an adhesive film having a dry film thickness of 30 μm and having a hot-melt adhesive layer formed thereon was laminated by heating and pressing.
つぎに、このようにして得た異方導電膜を幅3mmにスリ
ットしてリボン状としたものを、銅箔1オンス(36μ
m)、電極幅が0.075mmで電極ピッチが0.15mmのすずメ
ッキした電極をもつフレキシブルプリント基板(FPC)
と、上記と同様の電極幅と電極ピッチをもつITO電極ガ
ラス基板との間に挿入し、これをFPC側から150℃、40kg
f/cm2、10秒という条件でヒートシールし、その接続抵
抗と隣接電極間での絶縁抵抗を測定したところ、電極1,
000点の測定において接続抵抗はすべて0.5Ω/Pin以下で
あり、絶縁抵抗は1010Ω以上であった。Next, the anisotropic conductive film obtained in this way was slit into a width of 3 mm to form a ribbon, and 1 ounce of copper foil (36 μm)
m), flexible printed circuit board (FPC) with tin-plated electrodes with an electrode width of 0.075 mm and an electrode pitch of 0.15 mm
And an ITO electrode glass substrate with the same electrode width and electrode pitch as above, insert it from the FPC side at 150 ° C, 40 kg
Heat sealing was performed under the condition of f / cm 2 for 10 seconds, and the connection resistance and insulation resistance between adjacent electrodes were measured.
In the measurement at 000 points, the connection resistances were all 0.5 Ω / Pin or less, and the insulation resistance was 10 10 Ω or more.
実施例2 実施例1で使用した厚さ100μmの圧延銅箔上に厚さ30
μmのポリパラバン酸フィルムを形成させたフィルム上
にロールコーターを用いてポジタイプレジスト、ODUR−
1010[東京応化工業(株)製商品名]を2μmの乾燥膜
厚となるように塗工し、120℃で20分間プリベークした
のち、つづいてこの裏面の銅箔にマスキング用の粘着フ
ィルムをラミネートした。ついで、露光機・PLA520F C
M−290[キャノン(株)製商品名]を用いて該レジスト
表面に合成石英の板材にクロム蒸着を施し、これにφ=
50μm、ピッチ100μmにパターニングされたポジマス
クを密着させたのち、10秒間紫外線を照射して露光し、
露光終了したものを専用の現像液・ODUR−1010現像液
[東京応化工業(株)製商品名]中に2分間攪拌しなが
ら浸漬して現像し、さらに専用のリンス液・ODUR−1010
リンス液[東京応化工業(株)製商品名]中に1分間攪
拌しながら浸漬して現像液を中和した後、100℃で20分
間ポストベークし、このポストベークしたものを5重量
%の苛性ソーダ水溶液に約5分間浸漬したところ、ポリ
パラバン酸フィルムが溶解して所定のパターニングで穴
明け加工されたポリパラバン酸フィルムが得られた。Example 2 On the rolled copper foil having a thickness of 100 μm used in Example 1, a thickness of 30
A positive type resist, ODUR-, using a roll coater on the film on which a polyparabanic acid film of μm is formed.
1010 [trade name of Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.] is applied to a dry film thickness of 2 μm, prebaked at 120 ° C. for 20 minutes, and then an adhesive film for masking is laminated on the copper foil on the back side. did. Next, exposure machine PLA520F C
M-290 [trade name of Canon Inc.] was used to deposit chromium on a synthetic quartz plate on the resist surface.
After contacting a positive mask patterned to 50 μm and 100 μm pitch, irradiate with UV light for 10 seconds to expose,
The exposed product is immersed in a special developer, ODUR-1010 developer [trade name of Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.] for 2 minutes while stirring, and then developed, and a special rinse solution, ODUR-1010.
The developer was neutralized by immersing it in a rinse solution (trade name of Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) with stirring for 1 minute, and then post-baked at 100 ° C. for 20 minutes. When immersed in an aqueous solution of caustic soda for about 5 minutes, the polyparabanic acid film was dissolved and a polyparabanic acid film perforated by a predetermined patterning was obtained.
つぎにこのように穴明け加工されたポリパラバン酸フィ
ルムについて実施例1と同様の方法でエッチングし、電
鋳法でニッケル製の導電体をポリパラバン酸フィルムの
表面から両末端が20μm突出するように形成させ、この
ニッケル表面に金薄膜を形成させてからこれを金属支持
体から剥離し、さらに接着剤層を設けて異方導電膜を作
り、これを幅3mmにスリットしたリボン状のものを実施
例1と同じLCDとFPCとの接続に用いたところ、このもの
も電極1,000点の測定において接続抵抗0.5Ω/Pin以下、
絶縁抵抗1010Ω以上という結果を与えた。Next, the polyparabanic acid film thus punched was etched in the same manner as in Example 1, and a nickel conductor was formed by electroforming so that both ends of the polyparabanic acid film protruded from the surface of the polyparabanic acid film by 20 μm. Then, after forming a gold thin film on this nickel surface, peeling this from the metal support, further providing an adhesive layer to make an anisotropic conductive film, and ribbon-like one slit into a width of 3 mm. When used to connect the same LCD and FPC as in 1, the connection resistance was 0.5Ω / Pin or less when measuring 1,000 electrodes.
The insulation resistance was 10 10 Ω or more.
[発明の効果] 本発明は異方導電膜の製造方法に関するもので、これは
電気絶縁性の高分子フィルムを金属支持体上に形成し、
このフィルム上に所定のパターニングで穴明けし、この
穴明け部下方の金属支持体をエッチングして孔部を設
け、ここに金属導電体を挿入し、ついでこれを金属支持
体から剥離して異方導電体を製造するというものである
が、得られる異方導電体はこれをLCDのガラス基板とFPC
の間に設置すればこの間の絶縁が高分子フィルムで確保
されるし、ガラス基板とFPCはこのリベット状の導電体
によって接触導通されこの場合には従来公知の分散型異
方導電膜で問題点とされている二次凝集塊によるリーク
発生、ヒートシール部における接着剤のたまりによるリ
ークの発生もなく、さらには電極間に粒子がないので粒
径のバラツキによる不利もなくなるという有利性が与え
られるし、上記した製造方法によれば目的とする異方導
電膜を容易に、かつ確実に得ることができ、この場合穴
明けのためのパターニングも任意のパターンで行なうこ
とができるのでLCDの画素数増加に伴なう0.2mm以下とい
う電極ピッチにも充分対応できると共に、ICチップなど
の接続コネクターを容易に製造することができるという
有利性が与えられる。[Effect of the Invention] The present invention relates to a method for producing an anisotropic conductive film, which comprises forming an electrically insulating polymer film on a metal support,
A hole is formed on this film by a predetermined patterning, the metal support below the hole is etched to form a hole, a metal conductor is inserted therein, and then this is peeled from the metal support to make a difference. This is to manufacture a directional conductor.The resulting anisotropic conductor is used for the LCD glass substrate and FPC.
If installed between the two, the insulation between them is secured by the polymer film, and the glass substrate and the FPC are brought into contact with each other by this rivet-shaped conductor, in which case there is a problem with the conventionally known dispersed anisotropic conductive film. There is no leakage due to secondary agglomerate, which is said to occur, no leakage due to accumulation of adhesive in the heat seal part, and there is no particle between electrodes, so there is no disadvantage due to particle size variation. However, according to the above-mentioned manufacturing method, the target anisotropic conductive film can be easily and surely obtained, and in this case, the patterning for drilling can be performed in an arbitrary pattern. It is possible to sufficiently cope with an electrode pitch of 0.2 mm or less due to the increase, and it is possible to easily manufacture a connector such as an IC chip.
第1図a)〜e)、第2図a)〜e)は本発明による異
方導電膜製造方法の各工程図、第3図a)、c)は本発
明になる異方導電膜の斜視図、第3図b)はその縦断面
図、第4図a)〜c)は従来公知の分散型異方導電膜を
使用してLCDガラス基板とFPCとの接続図を示したもので
ある。1 a) to e) and 2 a) to e) are process diagrams of the anisotropic conductive film manufacturing method according to the present invention, and FIGS. 3 a) and c) are anisotropic conductive films according to the present invention. FIG. 3 is a perspective view, FIG. 3 b) is a longitudinal sectional view thereof, and FIGS. 4 a) to 4 c) are connection diagrams of an LCD glass substrate and an FPC using a conventionally known dispersion type anisotropic conductive film. is there.
Claims (3)
該フィルムを貫通し、その上下面に突出する両末端肥大
のリベット状の金属導電体を互いに独立して点状に配置
してなる異方導電膜の製造方法であって下記の1)〜
5)の順からなることを特徴とする異方導電膜の製造方
法。 1) 電気絶縁性の高分子フィルムを平板状の金属支持
体上に形成し、 2) 該高分子フィルムに所定のパターニングで穴明け
加工し、 3) 該穴明け加工された高分子フィルム側から金属支
持体をエッチング加工し、 4) 該エッチング後に両末端肥大のリベット状の金属
導電体を電鋳法によって該高分子フィルムの穴部に形成
し、 5) リベット状金属導電体を充填した該高分子フィル
ムを金属支持体から剥離する。1. A rivet-shaped metal conductor having enlarged ends at both ends, which penetrates the electrically insulating polymer film in the thickness direction thereof and projects on the upper and lower surfaces thereof, is arranged in a dot shape independently of each other. A method for manufacturing an anisotropic conductive film, comprising the following 1) to
A method of manufacturing an anisotropic conductive film, characterized by comprising the order of 5). 1) An electrically insulating polymer film is formed on a flat metal support, 2) The polymer film is perforated by a predetermined patterning, and 3) From the perforated polymer film side. Etching the metal support, and 4) after the etching, forming a rivet-shaped metal conductor with enlarged ends at the holes of the polymer film by electroforming, and 5) filling the rivet-shaped metal conductor with the metal conductor. The polymer film is peeled off from the metal support.
開けする方法が該金属支持体上に形成された高分子フィ
ルム表面にレーザー光を照射することにより行なわれる
請求項1に記載した異方導電膜の製造方法。2. The anisotropic conductivity according to claim 1, wherein the method of forming holes in the polymer film by predetermined patterning is performed by irradiating the surface of the polymer film formed on the metal support with laser light. Membrane manufacturing method.
明けする方法が、該金属支持体上に形成された高分子フ
ィルム表面にフォトレジスト層を形成する工程、該フォ
トレジストを露光、現像してパターニングする工程、お
よびパターンに基づいて該高分子フィルムをエッチング
により加工する工程により行なわれる請求項1に記載し
た異方導電膜の製造方法。3. A method of forming holes in a polymer film by a predetermined patterning method, the method comprising the steps of forming a photoresist layer on the surface of the polymer film formed on the metal support, exposing and developing the photoresist. The method for producing an anisotropic conductive film according to claim 1, which is performed by a step of patterning and a step of processing the polymer film by etching based on the pattern.
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| JP2228820A JPH07105174B2 (en) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | Method for manufacturing anisotropic conductive film |
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Applications Claiming Priority (1)
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1991
- 1991-08-26 DE DE4128261A patent/DE4128261A1/en not_active Withdrawn
- 1991-08-27 GB GB9118373A patent/GB2248979A/en not_active Withdrawn
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