JPH07112672B2 - 研磨制御装置 - Google Patents
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- JPH07112672B2 JPH07112672B2 JP1198106A JP19810689A JPH07112672B2 JP H07112672 B2 JPH07112672 B2 JP H07112672B2 JP 1198106 A JP1198106 A JP 1198106A JP 19810689 A JP19810689 A JP 19810689A JP H07112672 B2 JPH07112672 B2 JP H07112672B2
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Description
A.産業上の利用分野 本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造を制御する装置に係
り、更に詳細に説明すれば、薄膜磁気ヘッドの一括製造
に用いる研磨制御装置に係る。 B.従来技術 高速データ処理システムでは、大容量記憶装置のニーズ
に応えるため、磁気ディスク装置が用いられている。デ
ータをディスクのトラックに記憶したり、データをトラ
ックから検索する際に、一般に磁気変換器と呼ばれる磁
気ヘッドがディスク上に位置付けられる。磁気ディスク
上のデータ密度を一層向上させるべく、ディスク上のト
ラック幅を一層狭くして、より多くのデータの読み書き
を行うことが要請されている。磁気ヘッド素子から最大
の効率を引き出すには、その磁極片は、スロート高さ
(のどの高さ又は空隙深さ)と呼ばれる寸法を持たなけ
ればならない。かかるスロート高さは、所定ヘッドから
最大量の電気信号を生成するように、一定限度の許容公
差内に維持しなければならない。 所要のスロート高さを得るための通常の方法では、研磨
面を利用して、磁極片の先端を所望の長さまで正確に研
磨するようにしている。研磨工程中の、スロート高さを
制御するための適当な方法は、本発明者による米国特許
第4689877号(特開昭63−29315号公報)に記述されてい
る。この特許では、最終的なスロート高さまで研磨仕上
げすべき磁気ヘッド素子の列の各端部に電気的研磨ガイ
ド(ELG:Electrical Lapping Guide)構造体を設けると
ともに、これらのELG構造体の抵抗値を測定するという
方法が用いられている。かかるELG構造体は、磁気ヘッ
ド素子の磁極片と同じ長さになるように、一方向に研磨
される。所定時間におけるELG構造体の抵抗値は、除去
された材料の量を指示するから、かかる抵抗値は、研磨
仕上げ中の磁気ヘッド素子の最終的なスロート高さを指
示することになる。 磁気ヘッド素子が次第に小さくなると、列中の全ての磁
気ヘッド素子が研磨端部と整列しなくなる可能性が大き
くなる。この状態は、列湾曲(row bow)と呼ばれる。
列湾曲の問題は、IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN,
June 1981,Vol.24,No.1A,page 198において、本発明者
により検討されている。この文献に開示されている研磨
制御位置では、磁気ヘッド素子の列の各端部と中央部
に、ELGが設けられている。磁気ヘッド素子の列が装着
されるトランスファ・ツールには、可撓性の梁材が設け
られ、磁気ヘッド素子の列の中央部にかかる両方向性の
圧力に加えて、トランスファ・ツールの各端部には、補
正圧力が加えられる。列湾曲の問題は、米国特許第4457
114号(特開昭59−81050号公報)でも検討されている。
この特許では、1列に配設された磁気ヘッド素子の各々
の間にELGが設けられ、かかる磁気ヘッド素子の列を保
持する部材は、固定された中央部と片持梁式の端部を持
つように形成される。かかる端部は、抵抗率が大きい関
連する発熱体によって決定される位置まで曲げられるの
で、研磨工程中の列湾曲を補償することができる。 列湾曲の問題に対する公知の解決法は、追加のELGを必
要としているため、本来ならば一層多くの磁気ヘッドを
作製するために使用することができるスペースを、かか
る追加のELGが占有していることは明らかであり、従っ
てスペースの効率的利用という観点からすると、かかる
解決法は望ましいものではない。 C.発明が解決しようとする問題点 従って、本発明の目的は、従来技術が必要としていた追
加の電気的研磨ガイド(ELG)の数を減少させるため、
これに代えて各薄膜磁気ヘッド素子を構成する磁気抵抗
(MR)素子を利用し、研磨工程中に、かかるMR素子の抵
抗値を監視することによって、各薄膜磁気ヘッド素子の
スロート高さを動的に制御するようにした研磨制御装置
を提供することにある。 D.問題点を解決するための手段 本発明に従った、一括製造される薄膜磁気ヘッド素子を
所望の高さに正確に加工するための研磨制御装置では、
基板上に形成された1列の磁気ヘッド素子を利用する。
磁気ヘッド素子の各々を構成するMR素子は、高さを決定
する縁部に加えて、少なくとも2つの端子を有する。磁
気ヘッド素子の列は、各MR素子の高さを決定する縁部を
研磨する適した位置に装着され、そして当該高さを決定
する縁部の研磨中にMR素子の電気抵抗値を測定する手段
が設けられる。測定された抵抗値を使用して、列内の各
MR素子を研磨する度合が制御される。この抵抗値はMR素
子の高さに関係付けられているので、この抵抗値を通し
てMR素子の所望の高さが得られたことが判ると、研磨工
程が終了する。 本発明の1つの特徴は、薄膜磁気ヘッド素子の列の保持
具が、1つの梁材を形成するための細長いH形のスロッ
トを備えていて、磁気ヘッド素子の列がこの梁材に装着
される、という点にある。この保持具は、梁材のたわみ
がほぼ2次曲線をなすように設計されている。 本発明の他の特徴は、研磨工程中の列内の各MR素子と接
触するための、それぞれ隔離した端子を持つフラット・
ケーブルが設けられる、という点にある。また、研磨工
程中にかかる電気的接触を維持するのに必要な圧力を加
えるため、ばね負荷された加圧棒が使用される。 E.実施例 本発明は、薄膜磁気ヘッド・アセンブリの製造に利用す
るのが望ましい。かかる磁気ヘッド素子の変換器の部分
を形成するため、磁性材、導電材及び電気絶縁材の各層
を被着して、磁気ディスク上の磁性膜との変換機能に必
要な、周知の磁極片と磁気空隙を形成することが行われ
る。複数の磁気ヘッド素子をウェハ上に被着した後、こ
のウェハを切断して、各々が1組の磁気ヘッド素子を有
する複数列の磁気ヘッド素子を形成する。磁気ヘッド素
子の各々は、磁気抵抗(MR)型の読み取り素子から成
る。当該技術分野では周知のように、誘導型の書き込み
ヘッド素子を同一のスライダ上に設けて、読み取りヘッ
ドと書き込みヘッドの両方を同一のスライダ上に搭載す
ることもできる。電気的研磨ガイド(ELG)は、磁気ヘ
ッド素子が被着されるのと同時に、ウェハ上に形成され
る。少なくとも1個のELGが、磁気ヘッド素子の列の各
端部に被着される。ELGは、研磨による粗仕上げの制御
に使われ、MR素子の抵抗値は、その最終的なスロート高
さが得られるまで研磨を制御するために検出される。ウ
ェハは、磁気ヘッドのスライダとなるように加工され
る。実際の使用状況では、このスライダを支持装置に装
着し、一方、この支持装置を、回転中のディスクのトラ
ック上に磁気ヘッドを位置付けるためのアクセス装置に
装着する。従って、本発明の研磨制御装置は、一括製造
プロセスにおける磁気ヘッド素子の列の研磨を制御する
ものである。 第1図は、複数の磁気ヘッド素子12を有する基板列10の
研磨を制御する装置の全容を示すブロック図であり、同
図において、電気的研磨ガイド(ELG)14及び16は、列1
0の両端部に配置されている。各磁気ヘッド素子12は、
誘導型の書き込み素子とMR型の読み取り素子(以下「MR
素子」と略記)から成る。先に述べたように、複数の磁
気ヘッド素子12を担持する基板列10と、ELG 14及び16
は、ウェハ全体の一部であるに過ぎない。なぜなら、ウ
ェハには、複数列の磁気ヘッド素子と、複数行の磁気ヘ
ッド素子が含まれているからである。基板列10は、保持
具18に固定されて、3つのアクチュエータ20、22、24に
対向するように配置される。アクチュエータ20、22、24
は、基板列10を研磨板26と隔離した状態で位置付け、基
板列10を研磨板26に押し付けるとともに、保持具18にか
かる圧力の量を制御する。研磨板26の研磨面は、相対運
動によって、基板列10を研磨するように作用する。基板
列10は、材料を除去するために研磨される。かかる研磨
が行われるのは、後述するように、磁気ヘッド素子12の
スロートを正確に位置決めできるようにするためであ
る。 研磨板26によって行われる研磨の深さは、最初はELG 14
及び16を介して監視される。ELG 14及び16は、磁気ヘッ
ド素子12の各層と同時に基板上に被着され、磁気ヘッド
素子12のスロート高さを電気的に決定するための手段を
与える。ELG 14及び16は、マルチプレクサ28に接続され
る。マルチプレクサ28は、ELG 14及び16の電気抵抗値を
個別に検出するため、このデータを、電気抵抗値を測定
するための標準的な抵抗計であるディジタル・オーム・
メータ30に送る。ディジタル・オーム・メータ30は、そ
の測定データを制御装置32に送る。制御装置32は、アク
チュエータ20、22、24にかかる圧力を変化させて基板列
10を水平に保つように、アクチュエータ20、22、24を制
御する。研磨による所望の粗仕上げの寸法は、ELG 14及
び16の制御下で得ることができる。 磁気ヘッド素子12を研磨する上で最も重要な寸法は、MR
素子の高さであるから、この点に関連する本発明の特徴
は、研磨工程中に各MR素子の抵抗値を直接的に検出する
ことにより、各MR素子の高さを、基板列10中の各磁気ヘ
ッド素子12ごとにオンライン式に動的に決定できるよう
にする、という点にある。 研磨工程中に各MR素子の抵抗値を測定すると、基板列10
の各部分が受ける圧力の量を制御することが可能とな
り、かくてアクチュエータ20、22、24は、基板列10を研
磨面に対し水平に維持することができる。この場合、ア
クチュエータ20、22、24の各々が加える圧力の量と、か
かる圧力が加わる時間とに基づいて、基板列10上で除去
される材料の量を決定することができる。特定のアクチ
ュエータを制御し且つ差動的な研磨技法を使用する場合
は、凹凸いずれかの列湾曲の状態を補正することができ
る。アクチュエータ20、22、24が生ずる圧力を異ならし
めると、基板列10の材料の研磨量が変化する。また、基
板列10を可撓性の梁材に装着すると、この梁材は、材料
が除去されるにつれて、後述するように特定のたわみ曲
線に沿ってたわむようになる。 各MR素子からの相対的な抵抗値を比較することにより、
基板列10に沿った複数の磁気ヘッド素子12の各々を構成
する各MR素子の高さを、研磨工程中に一定に維持するこ
とができる。これらのMR素子の抵抗値は、マルチプレク
サ28を通して、ディジタル・オーム・メータ30がこれを
測定する。各MR素子について測定された抵抗値は、制御
装置32の制御下で、マルチプレクサ28及びディジタル・
オーム・メータ30を通してアドレスすることができる。
かかる測定済みの抵抗値は、制御装置32に格納され、研
磨工程中に磁気ヘッド素子12について得られたMR素子の
高さの指示値として利用される。制御装置32は、各MR素
子の抵抗値を間断なく測定して、基板列10を研磨板26に
対し水平に維持することにより、全てのMR素子が同じ高
さまで研磨されるようにする。更に、研磨工程を通して
MR素子の所定の高さが得られたことが検出されると、制
御装置32は、基板列10を研磨面から引き離して研磨工程
を終了するように、アクチュエータ20、22、24に対し指
令することもできる。 一般に、各MR素子の抵抗値は、制御装置32が検出する。
この場合、制御装置32は、例えば基板列10の異なる部分
にあるMR素子間の抵抗値の違いに応答して、比較的低い
抵抗値を持つMR素子が位置するような基板列10の部分へ
追加の圧力を加える。このようにすると、基板列10の当
該部分において追加の材料を除去することが可能となる
から、当該部分におけるMR素子について測定される抵抗
値が大きくなる。 第2図は、本発明の1実施例に従った、ELGとMR素子の
配置を示す。ELG 14及び16は基板列10の両端部に置か
れ、複数のMR素子は、基板列10に沿ってELG 14及び16の
間に並んで配置される。これらのMR素子は2つの構成12
a及び12bを持つように作製され、そしてこれらの構成は
基板列に沿って交互に配置されている。第2図の下部に
ある拡大図に示すように、MR素子12aは、上縁部13から
の高さがh1になるように被着され、一方、MR素子12b
は、これより大きい高さh2を持つように被着される。全
てのMR素子12a及び12bの上縁部13は整列しているから、
2つのMR素子12a及び12bの高さは、各MR素子の既知の高
さと測定済みの抵抗値を考慮して、校正することができ
る。測定済みの抵抗値には、リード15の抵抗値も含まれ
ており、従ってリード15の抵抗値も決定することができ
る。 MR素子を通しての抵抗値(Ω)は、次式で定義すること
ができる。 R(合計)=R(リード)+R(素子) (1) ここで、R(合計)は合計の抵抗値であり、R(リー
ド)は電流を運ぶリード15による抵抗値であり、R(素
子)はMR素子による抵抗値である。 特に、MR素子の抵抗値に注目すると、式(1)を次のよ
うに変形することができる。 ここで、AはMR金属の抵抗率であり、1、及びtはMR素
子の長さ、高さ及び厚さを示すパラメータである。これ
らのパラメータA、1及びtを1つの定数kとしてまと
めると、次式が得られる。 前式から次式が導かれる。 研磨終了時の、最終的なMR素子の高さを正確に求めるた
めには、kとR(リード)の両方が既知でなければなら
ない。式(4)だけでは、これらのパラメータを直接的
に決定することはできない。しかしながら、もし、研磨
工程が2つのMR素子の明確な初期高さh1及びh2で以て開
始し且つかかる初期高さを持つMR素子が基板列10の全体
を通して交互に配置されているものとすれば、2つの隣
接するMR素子について、2つの未知数を持つ次の2つの
式を立てるのは簡単なことである。 これらの式から、kとR(リード)の値を、直接的且つ
個別的に決定することができる。 既知の2つの高さ持つ複数のMR素子をこのように配置す
る場合、これらのMR素子を使用して研磨工程を制御する
ことができる。このようにすると、2つの校正を別々に
行って、各MR素子の最終的な抵抗値と関係付けることが
できるからである。 第3図に示す保持具18は、基板列10内にある全てのMR素
子の高さを、研磨工程中の一方向性の圧力によって制御
することができるように、設計されている。保持具18の
下面34には、研磨工程の開始前に複数の磁気ヘッド素子
を担持する基板列10が接合される。保持具18には、可撓
性の梁材38を与えるための、H形の細長いスロット36が
設けられている。寸法A、B、C及びDによって決まる
スロット36の形状は、MR素子のスロート高さを精密に制
御する上で重要である。これらの寸法は、梁材38の剛性
と最大のたわみを決定するとともに、たわみ曲線の形状
をも決定する。計算可能なスロット36の寸法A、B、C
及びDを適正に選択すると、梁材38の中央部に負荷が集
中した状態で、梁材38のたわみ曲線を2次多項式に近似
させることができる(このことが必要となるのは、保持
具18の下面34に基板列10を接合すると、使用された接合
プロセスに応じて、基板列10が正又は負方向にたわむこ
とがあり、そして一般的な場合には、そのたわみ曲線が
2次多項式の曲線に近似するためである)。かかる集中
負荷は、アクチュエータ22の一端と係合し且つ関連する
圧力を梁材38の中央部に伝える、捕獲された押し棒40に
よって生ぜられる。保持具18は、位置決め孔42によっ
て、研磨工程中に正確な位置に保たれる。 先にも述べたように、複数の磁気ヘッド素子を担持する
基板列10を、保持具18の梁材38のような可撓性の梁材に
装着すると、差動的な研磨を行わせることができる。こ
の技法を利用して、差動的な圧力を加えるようにする
と、圧力の大小及びその位置に応じて、除去される材料
の量も変化する。例えば、梁材38の中央部の圧力が端部
の圧力よりも低い(又はゼロの)場合、基板列10の中央
部に位置する磁気ヘッド素子のスロート高さは、これに
比例して大きくなる。梁材38の端部の圧力が高くなる場
合、基板列10の端部に位置する磁気ヘッド素子のスロー
ト高さは、小さくなる。 研磨工程中、保持具18は、第5図及び第6図に示すマガ
ジン・アセンブリによって、所定の位置に保持される。
マガジン・アセンブリの背板44は、正確に位置付けられ
た1対の位置決めピン46を含んでいる。保持具18は、位
置決め孔42(第3図)及び位置決めピン46によって、背
板44に隣接して正確に位置決めされる。保持具18に接合
された基板列10上の各磁気ヘッド素子との電気的接触
は、フラット・ケーブル48(第4図)によって行われ
る。フラット・ケーブル48は、絶縁性の裏当て材及び複
数の導体50から成り、各導体50の一端にそれぞれ設けら
れた各端子52が、基板列10上の各接点パッド11(第7
図)との電気的接触をなすのに対し、各導体50の他端に
それぞれ設けられた各接点54は、マルチプレクサ28へ至
る導電経路へ接続される。フラット・ケーブル46は、そ
の位置決め孔53へ位置決めピン46を挿入することによ
り、保持具18に対して正確に位置決めすることができ
る。 マガジン本体55が、適当なクランプ手段(図示せず)に
よる予定の力で所定の位置に固定されると、保持具18
は、研磨工程中に固定位置に保持される。保持具18を固
定位置に保つのに必要な力は、端子52と接点パッド11と
の間の電気的接触を与えるのに必要な力より大きく、実
際、この力はフラット・ケーブル48に損傷を与えてしま
うほどである。フラット・ケーブル48に加わる接触圧力
を予定の安全値に調整するため、圧力棒58による圧力を
受けて、弾性パッド56(第6図、第7図)が、フラット
・ケーブル48と接触する。加圧棒58は、ばね材60によっ
て、マガジン本体55に取り付けられる。必要に応じて、
例えば負荷謂整ねじ62によって圧力を調整することがで
きるように、ばね材60を装着することができる。 第8図及び第9図には、研磨工程中に、基板列10内にあ
る磁気ヘッド素子との電気的接触を与えるための手段が
示されている。この手段は、前述のものとは異なるフラ
ット・ケーブル70を含んでおり、その各導体50の一端に
は、各端子72がそれぞれ設けられているのに対し、各導
体50の他端には、マルチプレクサ26へ接続するための複
数の端子(図示せず)が設けられている。端子72の各々
にはドーム形の接点素子74が設けられており、これは基
板列10上の接点パッド11と接続するように位置付けられ
ている。接点素子74は、これを例えば金めっきのハンダ
ボールとし、リフロー式のハンダ付けにより、導体50の
端部に作られた孔に付着させることができる。フラット
・ケーブル70の端部には、スリット76も設けられてい
る。これらのスリット76は、各接点パッド11に対するコ
ンプライアント式の接触を、独立的に且つ或る程度の融
通性を以て行うことができるようにするためのものであ
る。 以下、研磨制御装置の動作を説明する。複数の磁気ヘッ
ド素子12がELGとともにウェハ上に被着された後、この
ウェハを切断して、各端部にELGを備えた基板列10(第
1図)を形成する。基板列10が保持具18に固定されるの
に対し、保持具18はマガジン・アセンブリにクランプさ
れ、次いで研磨装置中にセットされる。この場合、基板
列10は、その表面上の材料を削り取るように、研磨板26
に隣接して位置付けられる。最初の段階の研磨は、粗仕
上げを行うためのものであって、ELG 14及び16によって
制御される。 次に、研磨を接続する間、制御装置30の制御下で、各MR
素子の抵抗値を検出するとともに、全てのMR素子の高さ
を等しくする(従って、列湾曲を動的に補償する)ため
に、アクチュエータ20、22、24が加えるべき圧力を計算
する。このことは、各MR素子の高さを正確に計算するこ
とができるように、シート抵抗値とリード抵抗値を局所
的に決定することによって達成される。 研磨環境では、電気的ノイズが問題となり得るから、測
定される制御ファクタに対し、ノイズ信号が悪影響を与
えないようにすることが必要である。更に、1つの「は
ぐれ」素子が測定値に過大な影響を与えないようにする
ことも必要である。これを達成する方法は、抵抗値を計
算した後、2次曲線の適合度を決定する試験を行い、次
に他のMR素子と比べて抵抗値が異常に変化している「は
ぐれ」素子を不適合として除外する「適合度試験」を行
うことである。かくて、かかる「はぐれ」素子が圧力の
補正に悪影響を与えるのを防止することができる。「適
合度試験」は、少なくとも4つのMR素子を要し、任意の
MR素子とその適合値の違いを決定するブラケット試験を
適用することから成る。もし、この値が予定値を超える
なら、当該MR素子は「適合度」の計算には適さないもの
として除外されることになる。 2次曲線の「適合度試験」に合格した全てのMR素子は、
「平衡度」の決定に対して線形的に準備される。「平衡
度」とは、「適合度試験」に合格した全てのMR素子のう
ち、左端にあるMR素子の高さ(SHL)と右端にあるMR素
子の高さ(SHR)との差である。 平衡度=(SHL−SHR) ここで、SHLとSHRは、2次曲線の「適合度試験」に合格
した全てのMR素子について、線形的に適合された端部の
MR素子の高さである。「平衡度」のファクタは、例えば
表1に示すように制御範囲±△Hで操作する場合は、2
ビットのフィールドによって表すことができる。
り、更に詳細に説明すれば、薄膜磁気ヘッドの一括製造
に用いる研磨制御装置に係る。 B.従来技術 高速データ処理システムでは、大容量記憶装置のニーズ
に応えるため、磁気ディスク装置が用いられている。デ
ータをディスクのトラックに記憶したり、データをトラ
ックから検索する際に、一般に磁気変換器と呼ばれる磁
気ヘッドがディスク上に位置付けられる。磁気ディスク
上のデータ密度を一層向上させるべく、ディスク上のト
ラック幅を一層狭くして、より多くのデータの読み書き
を行うことが要請されている。磁気ヘッド素子から最大
の効率を引き出すには、その磁極片は、スロート高さ
(のどの高さ又は空隙深さ)と呼ばれる寸法を持たなけ
ればならない。かかるスロート高さは、所定ヘッドから
最大量の電気信号を生成するように、一定限度の許容公
差内に維持しなければならない。 所要のスロート高さを得るための通常の方法では、研磨
面を利用して、磁極片の先端を所望の長さまで正確に研
磨するようにしている。研磨工程中の、スロート高さを
制御するための適当な方法は、本発明者による米国特許
第4689877号(特開昭63−29315号公報)に記述されてい
る。この特許では、最終的なスロート高さまで研磨仕上
げすべき磁気ヘッド素子の列の各端部に電気的研磨ガイ
ド(ELG:Electrical Lapping Guide)構造体を設けると
ともに、これらのELG構造体の抵抗値を測定するという
方法が用いられている。かかるELG構造体は、磁気ヘッ
ド素子の磁極片と同じ長さになるように、一方向に研磨
される。所定時間におけるELG構造体の抵抗値は、除去
された材料の量を指示するから、かかる抵抗値は、研磨
仕上げ中の磁気ヘッド素子の最終的なスロート高さを指
示することになる。 磁気ヘッド素子が次第に小さくなると、列中の全ての磁
気ヘッド素子が研磨端部と整列しなくなる可能性が大き
くなる。この状態は、列湾曲(row bow)と呼ばれる。
列湾曲の問題は、IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN,
June 1981,Vol.24,No.1A,page 198において、本発明者
により検討されている。この文献に開示されている研磨
制御位置では、磁気ヘッド素子の列の各端部と中央部
に、ELGが設けられている。磁気ヘッド素子の列が装着
されるトランスファ・ツールには、可撓性の梁材が設け
られ、磁気ヘッド素子の列の中央部にかかる両方向性の
圧力に加えて、トランスファ・ツールの各端部には、補
正圧力が加えられる。列湾曲の問題は、米国特許第4457
114号(特開昭59−81050号公報)でも検討されている。
この特許では、1列に配設された磁気ヘッド素子の各々
の間にELGが設けられ、かかる磁気ヘッド素子の列を保
持する部材は、固定された中央部と片持梁式の端部を持
つように形成される。かかる端部は、抵抗率が大きい関
連する発熱体によって決定される位置まで曲げられるの
で、研磨工程中の列湾曲を補償することができる。 列湾曲の問題に対する公知の解決法は、追加のELGを必
要としているため、本来ならば一層多くの磁気ヘッドを
作製するために使用することができるスペースを、かか
る追加のELGが占有していることは明らかであり、従っ
てスペースの効率的利用という観点からすると、かかる
解決法は望ましいものではない。 C.発明が解決しようとする問題点 従って、本発明の目的は、従来技術が必要としていた追
加の電気的研磨ガイド(ELG)の数を減少させるため、
これに代えて各薄膜磁気ヘッド素子を構成する磁気抵抗
(MR)素子を利用し、研磨工程中に、かかるMR素子の抵
抗値を監視することによって、各薄膜磁気ヘッド素子の
スロート高さを動的に制御するようにした研磨制御装置
を提供することにある。 D.問題点を解決するための手段 本発明に従った、一括製造される薄膜磁気ヘッド素子を
所望の高さに正確に加工するための研磨制御装置では、
基板上に形成された1列の磁気ヘッド素子を利用する。
磁気ヘッド素子の各々を構成するMR素子は、高さを決定
する縁部に加えて、少なくとも2つの端子を有する。磁
気ヘッド素子の列は、各MR素子の高さを決定する縁部を
研磨する適した位置に装着され、そして当該高さを決定
する縁部の研磨中にMR素子の電気抵抗値を測定する手段
が設けられる。測定された抵抗値を使用して、列内の各
MR素子を研磨する度合が制御される。この抵抗値はMR素
子の高さに関係付けられているので、この抵抗値を通し
てMR素子の所望の高さが得られたことが判ると、研磨工
程が終了する。 本発明の1つの特徴は、薄膜磁気ヘッド素子の列の保持
具が、1つの梁材を形成するための細長いH形のスロッ
トを備えていて、磁気ヘッド素子の列がこの梁材に装着
される、という点にある。この保持具は、梁材のたわみ
がほぼ2次曲線をなすように設計されている。 本発明の他の特徴は、研磨工程中の列内の各MR素子と接
触するための、それぞれ隔離した端子を持つフラット・
ケーブルが設けられる、という点にある。また、研磨工
程中にかかる電気的接触を維持するのに必要な圧力を加
えるため、ばね負荷された加圧棒が使用される。 E.実施例 本発明は、薄膜磁気ヘッド・アセンブリの製造に利用す
るのが望ましい。かかる磁気ヘッド素子の変換器の部分
を形成するため、磁性材、導電材及び電気絶縁材の各層
を被着して、磁気ディスク上の磁性膜との変換機能に必
要な、周知の磁極片と磁気空隙を形成することが行われ
る。複数の磁気ヘッド素子をウェハ上に被着した後、こ
のウェハを切断して、各々が1組の磁気ヘッド素子を有
する複数列の磁気ヘッド素子を形成する。磁気ヘッド素
子の各々は、磁気抵抗(MR)型の読み取り素子から成
る。当該技術分野では周知のように、誘導型の書き込み
ヘッド素子を同一のスライダ上に設けて、読み取りヘッ
ドと書き込みヘッドの両方を同一のスライダ上に搭載す
ることもできる。電気的研磨ガイド(ELG)は、磁気ヘ
ッド素子が被着されるのと同時に、ウェハ上に形成され
る。少なくとも1個のELGが、磁気ヘッド素子の列の各
端部に被着される。ELGは、研磨による粗仕上げの制御
に使われ、MR素子の抵抗値は、その最終的なスロート高
さが得られるまで研磨を制御するために検出される。ウ
ェハは、磁気ヘッドのスライダとなるように加工され
る。実際の使用状況では、このスライダを支持装置に装
着し、一方、この支持装置を、回転中のディスクのトラ
ック上に磁気ヘッドを位置付けるためのアクセス装置に
装着する。従って、本発明の研磨制御装置は、一括製造
プロセスにおける磁気ヘッド素子の列の研磨を制御する
ものである。 第1図は、複数の磁気ヘッド素子12を有する基板列10の
研磨を制御する装置の全容を示すブロック図であり、同
図において、電気的研磨ガイド(ELG)14及び16は、列1
0の両端部に配置されている。各磁気ヘッド素子12は、
誘導型の書き込み素子とMR型の読み取り素子(以下「MR
素子」と略記)から成る。先に述べたように、複数の磁
気ヘッド素子12を担持する基板列10と、ELG 14及び16
は、ウェハ全体の一部であるに過ぎない。なぜなら、ウ
ェハには、複数列の磁気ヘッド素子と、複数行の磁気ヘ
ッド素子が含まれているからである。基板列10は、保持
具18に固定されて、3つのアクチュエータ20、22、24に
対向するように配置される。アクチュエータ20、22、24
は、基板列10を研磨板26と隔離した状態で位置付け、基
板列10を研磨板26に押し付けるとともに、保持具18にか
かる圧力の量を制御する。研磨板26の研磨面は、相対運
動によって、基板列10を研磨するように作用する。基板
列10は、材料を除去するために研磨される。かかる研磨
が行われるのは、後述するように、磁気ヘッド素子12の
スロートを正確に位置決めできるようにするためであ
る。 研磨板26によって行われる研磨の深さは、最初はELG 14
及び16を介して監視される。ELG 14及び16は、磁気ヘッ
ド素子12の各層と同時に基板上に被着され、磁気ヘッド
素子12のスロート高さを電気的に決定するための手段を
与える。ELG 14及び16は、マルチプレクサ28に接続され
る。マルチプレクサ28は、ELG 14及び16の電気抵抗値を
個別に検出するため、このデータを、電気抵抗値を測定
するための標準的な抵抗計であるディジタル・オーム・
メータ30に送る。ディジタル・オーム・メータ30は、そ
の測定データを制御装置32に送る。制御装置32は、アク
チュエータ20、22、24にかかる圧力を変化させて基板列
10を水平に保つように、アクチュエータ20、22、24を制
御する。研磨による所望の粗仕上げの寸法は、ELG 14及
び16の制御下で得ることができる。 磁気ヘッド素子12を研磨する上で最も重要な寸法は、MR
素子の高さであるから、この点に関連する本発明の特徴
は、研磨工程中に各MR素子の抵抗値を直接的に検出する
ことにより、各MR素子の高さを、基板列10中の各磁気ヘ
ッド素子12ごとにオンライン式に動的に決定できるよう
にする、という点にある。 研磨工程中に各MR素子の抵抗値を測定すると、基板列10
の各部分が受ける圧力の量を制御することが可能とな
り、かくてアクチュエータ20、22、24は、基板列10を研
磨面に対し水平に維持することができる。この場合、ア
クチュエータ20、22、24の各々が加える圧力の量と、か
かる圧力が加わる時間とに基づいて、基板列10上で除去
される材料の量を決定することができる。特定のアクチ
ュエータを制御し且つ差動的な研磨技法を使用する場合
は、凹凸いずれかの列湾曲の状態を補正することができ
る。アクチュエータ20、22、24が生ずる圧力を異ならし
めると、基板列10の材料の研磨量が変化する。また、基
板列10を可撓性の梁材に装着すると、この梁材は、材料
が除去されるにつれて、後述するように特定のたわみ曲
線に沿ってたわむようになる。 各MR素子からの相対的な抵抗値を比較することにより、
基板列10に沿った複数の磁気ヘッド素子12の各々を構成
する各MR素子の高さを、研磨工程中に一定に維持するこ
とができる。これらのMR素子の抵抗値は、マルチプレク
サ28を通して、ディジタル・オーム・メータ30がこれを
測定する。各MR素子について測定された抵抗値は、制御
装置32の制御下で、マルチプレクサ28及びディジタル・
オーム・メータ30を通してアドレスすることができる。
かかる測定済みの抵抗値は、制御装置32に格納され、研
磨工程中に磁気ヘッド素子12について得られたMR素子の
高さの指示値として利用される。制御装置32は、各MR素
子の抵抗値を間断なく測定して、基板列10を研磨板26に
対し水平に維持することにより、全てのMR素子が同じ高
さまで研磨されるようにする。更に、研磨工程を通して
MR素子の所定の高さが得られたことが検出されると、制
御装置32は、基板列10を研磨面から引き離して研磨工程
を終了するように、アクチュエータ20、22、24に対し指
令することもできる。 一般に、各MR素子の抵抗値は、制御装置32が検出する。
この場合、制御装置32は、例えば基板列10の異なる部分
にあるMR素子間の抵抗値の違いに応答して、比較的低い
抵抗値を持つMR素子が位置するような基板列10の部分へ
追加の圧力を加える。このようにすると、基板列10の当
該部分において追加の材料を除去することが可能となる
から、当該部分におけるMR素子について測定される抵抗
値が大きくなる。 第2図は、本発明の1実施例に従った、ELGとMR素子の
配置を示す。ELG 14及び16は基板列10の両端部に置か
れ、複数のMR素子は、基板列10に沿ってELG 14及び16の
間に並んで配置される。これらのMR素子は2つの構成12
a及び12bを持つように作製され、そしてこれらの構成は
基板列に沿って交互に配置されている。第2図の下部に
ある拡大図に示すように、MR素子12aは、上縁部13から
の高さがh1になるように被着され、一方、MR素子12b
は、これより大きい高さh2を持つように被着される。全
てのMR素子12a及び12bの上縁部13は整列しているから、
2つのMR素子12a及び12bの高さは、各MR素子の既知の高
さと測定済みの抵抗値を考慮して、校正することができ
る。測定済みの抵抗値には、リード15の抵抗値も含まれ
ており、従ってリード15の抵抗値も決定することができ
る。 MR素子を通しての抵抗値(Ω)は、次式で定義すること
ができる。 R(合計)=R(リード)+R(素子) (1) ここで、R(合計)は合計の抵抗値であり、R(リー
ド)は電流を運ぶリード15による抵抗値であり、R(素
子)はMR素子による抵抗値である。 特に、MR素子の抵抗値に注目すると、式(1)を次のよ
うに変形することができる。 ここで、AはMR金属の抵抗率であり、1、及びtはMR素
子の長さ、高さ及び厚さを示すパラメータである。これ
らのパラメータA、1及びtを1つの定数kとしてまと
めると、次式が得られる。 前式から次式が導かれる。 研磨終了時の、最終的なMR素子の高さを正確に求めるた
めには、kとR(リード)の両方が既知でなければなら
ない。式(4)だけでは、これらのパラメータを直接的
に決定することはできない。しかしながら、もし、研磨
工程が2つのMR素子の明確な初期高さh1及びh2で以て開
始し且つかかる初期高さを持つMR素子が基板列10の全体
を通して交互に配置されているものとすれば、2つの隣
接するMR素子について、2つの未知数を持つ次の2つの
式を立てるのは簡単なことである。 これらの式から、kとR(リード)の値を、直接的且つ
個別的に決定することができる。 既知の2つの高さ持つ複数のMR素子をこのように配置す
る場合、これらのMR素子を使用して研磨工程を制御する
ことができる。このようにすると、2つの校正を別々に
行って、各MR素子の最終的な抵抗値と関係付けることが
できるからである。 第3図に示す保持具18は、基板列10内にある全てのMR素
子の高さを、研磨工程中の一方向性の圧力によって制御
することができるように、設計されている。保持具18の
下面34には、研磨工程の開始前に複数の磁気ヘッド素子
を担持する基板列10が接合される。保持具18には、可撓
性の梁材38を与えるための、H形の細長いスロット36が
設けられている。寸法A、B、C及びDによって決まる
スロット36の形状は、MR素子のスロート高さを精密に制
御する上で重要である。これらの寸法は、梁材38の剛性
と最大のたわみを決定するとともに、たわみ曲線の形状
をも決定する。計算可能なスロット36の寸法A、B、C
及びDを適正に選択すると、梁材38の中央部に負荷が集
中した状態で、梁材38のたわみ曲線を2次多項式に近似
させることができる(このことが必要となるのは、保持
具18の下面34に基板列10を接合すると、使用された接合
プロセスに応じて、基板列10が正又は負方向にたわむこ
とがあり、そして一般的な場合には、そのたわみ曲線が
2次多項式の曲線に近似するためである)。かかる集中
負荷は、アクチュエータ22の一端と係合し且つ関連する
圧力を梁材38の中央部に伝える、捕獲された押し棒40に
よって生ぜられる。保持具18は、位置決め孔42によっ
て、研磨工程中に正確な位置に保たれる。 先にも述べたように、複数の磁気ヘッド素子を担持する
基板列10を、保持具18の梁材38のような可撓性の梁材に
装着すると、差動的な研磨を行わせることができる。こ
の技法を利用して、差動的な圧力を加えるようにする
と、圧力の大小及びその位置に応じて、除去される材料
の量も変化する。例えば、梁材38の中央部の圧力が端部
の圧力よりも低い(又はゼロの)場合、基板列10の中央
部に位置する磁気ヘッド素子のスロート高さは、これに
比例して大きくなる。梁材38の端部の圧力が高くなる場
合、基板列10の端部に位置する磁気ヘッド素子のスロー
ト高さは、小さくなる。 研磨工程中、保持具18は、第5図及び第6図に示すマガ
ジン・アセンブリによって、所定の位置に保持される。
マガジン・アセンブリの背板44は、正確に位置付けられ
た1対の位置決めピン46を含んでいる。保持具18は、位
置決め孔42(第3図)及び位置決めピン46によって、背
板44に隣接して正確に位置決めされる。保持具18に接合
された基板列10上の各磁気ヘッド素子との電気的接触
は、フラット・ケーブル48(第4図)によって行われ
る。フラット・ケーブル48は、絶縁性の裏当て材及び複
数の導体50から成り、各導体50の一端にそれぞれ設けら
れた各端子52が、基板列10上の各接点パッド11(第7
図)との電気的接触をなすのに対し、各導体50の他端に
それぞれ設けられた各接点54は、マルチプレクサ28へ至
る導電経路へ接続される。フラット・ケーブル46は、そ
の位置決め孔53へ位置決めピン46を挿入することによ
り、保持具18に対して正確に位置決めすることができ
る。 マガジン本体55が、適当なクランプ手段(図示せず)に
よる予定の力で所定の位置に固定されると、保持具18
は、研磨工程中に固定位置に保持される。保持具18を固
定位置に保つのに必要な力は、端子52と接点パッド11と
の間の電気的接触を与えるのに必要な力より大きく、実
際、この力はフラット・ケーブル48に損傷を与えてしま
うほどである。フラット・ケーブル48に加わる接触圧力
を予定の安全値に調整するため、圧力棒58による圧力を
受けて、弾性パッド56(第6図、第7図)が、フラット
・ケーブル48と接触する。加圧棒58は、ばね材60によっ
て、マガジン本体55に取り付けられる。必要に応じて、
例えば負荷謂整ねじ62によって圧力を調整することがで
きるように、ばね材60を装着することができる。 第8図及び第9図には、研磨工程中に、基板列10内にあ
る磁気ヘッド素子との電気的接触を与えるための手段が
示されている。この手段は、前述のものとは異なるフラ
ット・ケーブル70を含んでおり、その各導体50の一端に
は、各端子72がそれぞれ設けられているのに対し、各導
体50の他端には、マルチプレクサ26へ接続するための複
数の端子(図示せず)が設けられている。端子72の各々
にはドーム形の接点素子74が設けられており、これは基
板列10上の接点パッド11と接続するように位置付けられ
ている。接点素子74は、これを例えば金めっきのハンダ
ボールとし、リフロー式のハンダ付けにより、導体50の
端部に作られた孔に付着させることができる。フラット
・ケーブル70の端部には、スリット76も設けられてい
る。これらのスリット76は、各接点パッド11に対するコ
ンプライアント式の接触を、独立的に且つ或る程度の融
通性を以て行うことができるようにするためのものであ
る。 以下、研磨制御装置の動作を説明する。複数の磁気ヘッ
ド素子12がELGとともにウェハ上に被着された後、この
ウェハを切断して、各端部にELGを備えた基板列10(第
1図)を形成する。基板列10が保持具18に固定されるの
に対し、保持具18はマガジン・アセンブリにクランプさ
れ、次いで研磨装置中にセットされる。この場合、基板
列10は、その表面上の材料を削り取るように、研磨板26
に隣接して位置付けられる。最初の段階の研磨は、粗仕
上げを行うためのものであって、ELG 14及び16によって
制御される。 次に、研磨を接続する間、制御装置30の制御下で、各MR
素子の抵抗値を検出するとともに、全てのMR素子の高さ
を等しくする(従って、列湾曲を動的に補償する)ため
に、アクチュエータ20、22、24が加えるべき圧力を計算
する。このことは、各MR素子の高さを正確に計算するこ
とができるように、シート抵抗値とリード抵抗値を局所
的に決定することによって達成される。 研磨環境では、電気的ノイズが問題となり得るから、測
定される制御ファクタに対し、ノイズ信号が悪影響を与
えないようにすることが必要である。更に、1つの「は
ぐれ」素子が測定値に過大な影響を与えないようにする
ことも必要である。これを達成する方法は、抵抗値を計
算した後、2次曲線の適合度を決定する試験を行い、次
に他のMR素子と比べて抵抗値が異常に変化している「は
ぐれ」素子を不適合として除外する「適合度試験」を行
うことである。かくて、かかる「はぐれ」素子が圧力の
補正に悪影響を与えるのを防止することができる。「適
合度試験」は、少なくとも4つのMR素子を要し、任意の
MR素子とその適合値の違いを決定するブラケット試験を
適用することから成る。もし、この値が予定値を超える
なら、当該MR素子は「適合度」の計算には適さないもの
として除外されることになる。 2次曲線の「適合度試験」に合格した全てのMR素子は、
「平衡度」の決定に対して線形的に準備される。「平衡
度」とは、「適合度試験」に合格した全てのMR素子のう
ち、左端にあるMR素子の高さ(SHL)と右端にあるMR素
子の高さ(SHR)との差である。 平衡度=(SHL−SHR) ここで、SHLとSHRは、2次曲線の「適合度試験」に合格
した全てのMR素子について、線形的に適合された端部の
MR素子の高さである。「平衡度」のファクタは、例えば
表1に示すように制御範囲±△Hで操作する場合は、2
ビットのフィールドによって表すことができる。
【表1】平衡度左 右 意 味 所要動作 0 0 初期設定 平衡圧力 0 1 平衡度<−△Hのとき設定 左圧力減少 1 0 平衡度>+△Hのとき設定 右圧力減少 1 0 平衡度の符号が変わるとき設定 平衡圧力 制御装置32が計算する他のファクタは、「湾曲度」であ
り、これを次式で表すことができる。 ここで、SHMIDDLEは、2次曲線の「適合度試験」に合格
した全てのMR素子のうち、中央に位置するMR素子の高さ
である。「湾曲度」のファクタは、表2に示すように制
御範囲±△Bで操作する場合は、2ビットのフィールド
によって表すことができる。
り、これを次式で表すことができる。 ここで、SHMIDDLEは、2次曲線の「適合度試験」に合格
した全てのMR素子のうち、中央に位置するMR素子の高さ
である。「湾曲度」のファクタは、表2に示すように制
御範囲±△Bで操作する場合は、2ビットのフィールド
によって表すことができる。
【表2】湾曲度+ − 意 味 所要動作 0 0 初期設定 平衡圧力 0 1 湾曲度<−△Bのとき設定 中央圧力増加 1 0 湾曲度>+△Bのとき設定 中央圧力減少 0 0 湾曲度の符号が変わるとき設定 平衡圧力 研磨工程には3つの段階があり、各段階は、次の段階に
移行する前に完了しなければならない。第1の段階はEL
G段階であって、この段階では、ELGの抵抗値を使用し
て、MR素子を切り進むまで基板列10に対する圧力の平衡
が取られる。従来技術のように、複数の異なるELGを使
用する場合には、MR素子の公称高さに対し、各ELGの高
さをそれぞれ異ならしめることができる。一旦、2つの
MR素子が切り進まれると、この後の圧力の平衡を取るた
め、これらのMR素子について測定された抵抗値を使用し
て制御が行われる。 第2の段階はスラリー段階であって、この段階では、MR
素子の高さが予定の平均高さになるまでスラリーが使用
される。この試験については、あらかじめ設定された数
のMR素子を考慮しなければならず、また閾値に達する場
合は、研磨用の圧力は解除されるが、クランプ圧力は維
持される。 第3の段階はつや出し(polishing)段階であって、こ
の段階は、スラリーを使用せずに行われる。この段階
は、最後に残った数ミクロン程度の材料を除去するため
のものであり、MR素子が予定の高さに達すると、研磨圧
力とクランプ圧力が解除される。 研磨工程は、例えば、制御装置32の内部に格納した索引
テーブルによって制御することができる。表3に索引テ
ーブルの例を示す。 研磨工程の開始時には、全ての制御ビットがゼロに設定
される。この例では、アクチュエータ20、22、24用の圧
力を3つの異なるレベルにしているが、他のレベルの圧
力も使用できることは明らかである。各段階中の
「左」、「中」及び「右」は、アクチュエータ20、22及
び24にそれぞれ対応する。「平衡度」と「湾曲度」の計
算された組み合わせについては、表3に示す索引テーブ
ルをアクセスすることにより、アクチュエータ20、22、
24の各々に適した圧力レベルが得られる。かくて、全て
の可能なMR素子が選択された高さに収まるように、基板
列10が研磨される。 F.発明の効果 前述のように本発明によれば、従来技術が必要としてい
た追加の電気適研磨ガイド(ELG)の数を減少させるこ
とができるので、複数の薄膜磁気ヘッド素子の列が形成
されるウェハ(基板)上のスペースを有効に利用するこ
とができ、しかも各薄膜磁気ヘッド素子のスロート高さ
を精密に制御することができる。
移行する前に完了しなければならない。第1の段階はEL
G段階であって、この段階では、ELGの抵抗値を使用し
て、MR素子を切り進むまで基板列10に対する圧力の平衡
が取られる。従来技術のように、複数の異なるELGを使
用する場合には、MR素子の公称高さに対し、各ELGの高
さをそれぞれ異ならしめることができる。一旦、2つの
MR素子が切り進まれると、この後の圧力の平衡を取るた
め、これらのMR素子について測定された抵抗値を使用し
て制御が行われる。 第2の段階はスラリー段階であって、この段階では、MR
素子の高さが予定の平均高さになるまでスラリーが使用
される。この試験については、あらかじめ設定された数
のMR素子を考慮しなければならず、また閾値に達する場
合は、研磨用の圧力は解除されるが、クランプ圧力は維
持される。 第3の段階はつや出し(polishing)段階であって、こ
の段階は、スラリーを使用せずに行われる。この段階
は、最後に残った数ミクロン程度の材料を除去するため
のものであり、MR素子が予定の高さに達すると、研磨圧
力とクランプ圧力が解除される。 研磨工程は、例えば、制御装置32の内部に格納した索引
テーブルによって制御することができる。表3に索引テ
ーブルの例を示す。 研磨工程の開始時には、全ての制御ビットがゼロに設定
される。この例では、アクチュエータ20、22、24用の圧
力を3つの異なるレベルにしているが、他のレベルの圧
力も使用できることは明らかである。各段階中の
「左」、「中」及び「右」は、アクチュエータ20、22及
び24にそれぞれ対応する。「平衡度」と「湾曲度」の計
算された組み合わせについては、表3に示す索引テーブ
ルをアクセスすることにより、アクチュエータ20、22、
24の各々に適した圧力レベルが得られる。かくて、全て
の可能なMR素子が選択された高さに収まるように、基板
列10が研磨される。 F.発明の効果 前述のように本発明によれば、従来技術が必要としてい
た追加の電気適研磨ガイド(ELG)の数を減少させるこ
とができるので、複数の薄膜磁気ヘッド素子の列が形成
されるウェハ(基板)上のスペースを有効に利用するこ
とができ、しかも各薄膜磁気ヘッド素子のスロート高さ
を精密に制御することができる。
第1図は、列湾曲を制御するために使用することができ
る、本発明に従った研磨制御装置の全容を示すブロック
図である。 第2図は、本発明の1実施例に従った、基板列内にある
電気的研磨ガイド(ELG)及び磁気ヘッドの配置を示す
ブロック図である。 第3図は、本発明について有用な保持具の1実施例を示
す平面図である。 第4図は、本発明のフラット・ケーブルの1実施例を示
す平面図である。 第5図は、研磨工程中にトランスファ・ツールを所定の
位置に保持するマガジン・アセンブリの1実施例を示す
上面図である。 第6図は、第5図の断面図である。 第7図は、研磨工程中に基板列中の磁気ヘッド素子との
電気的接触を与える手段を示す、一部を破断した斜視図
である。 第8図は、研磨工程中に基板列中の磁気ヘッド素子との
電気的接触を与える手段の代替実施例を示す、一部を破
断した斜視図である。 第9図は、第8図に示す実施例の拡大図である。 10……基板列 11……接点パッド 12……磁気ヘッド素子 16……電気的研磨ガイド(ELG) 18……保持具 20、22、24……アクチュエータ 26……研磨板 28……マルチプレクサ 30……ディジタル・オーム・メータ 32……制御装置
る、本発明に従った研磨制御装置の全容を示すブロック
図である。 第2図は、本発明の1実施例に従った、基板列内にある
電気的研磨ガイド(ELG)及び磁気ヘッドの配置を示す
ブロック図である。 第3図は、本発明について有用な保持具の1実施例を示
す平面図である。 第4図は、本発明のフラット・ケーブルの1実施例を示
す平面図である。 第5図は、研磨工程中にトランスファ・ツールを所定の
位置に保持するマガジン・アセンブリの1実施例を示す
上面図である。 第6図は、第5図の断面図である。 第7図は、研磨工程中に基板列中の磁気ヘッド素子との
電気的接触を与える手段を示す、一部を破断した斜視図
である。 第8図は、研磨工程中に基板列中の磁気ヘッド素子との
電気的接触を与える手段の代替実施例を示す、一部を破
断した斜視図である。 第9図は、第8図に示す実施例の拡大図である。 10……基板列 11……接点パッド 12……磁気ヘッド素子 16……電気的研磨ガイド(ELG) 18……保持具 20、22、24……アクチュエータ 26……研磨板 28……マルチプレクサ 30……ディジタル・オーム・メータ 32……制御装置
フロントページの続き (72)発明者 アレン・マイケル・デソーチエス アメリカ合衆国カリフオルニア州サンタ・ クラーズ、ラ・マドローナ・ドライブ1153 番地 (72)発明者 ジヨージ・ステイブン・パル アメリカ合衆国カリフオルニア州サラト ガ、トリイー・オークス・ウエイ19731番 地 (72)発明者 マイケル・ポール・サロ アメリカ合衆国カリフオルニア州サン・ホ セ、カントリイ・レーン5095番地 (72)発明者 モハマード・アイナヤツト・ウラー アメリカ合衆国カリフオルニア州モーガ ン・ヒル、ブルージエイ・ドライブ17475 番地 (56)参考文献 特開 昭63−29315(JP,A) 特開 昭60−98515(JP,A) 特開 昭59−81050(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】一括製造される複数の薄膜磁気変換器の各
素子の所望の高さを正確に得るための研磨制御装置であ
って、 高さを決定する縁部及び少なくとも2つの端子を有する
磁気抵抗素子を各薄膜磁気変換器が有するように、基板
上に形成された複数の前記薄膜磁気変換器の列と、 前記各磁気抵抗素子の前記高さを決定する縁部を研磨す
るのに適した位置に、前記薄膜磁気変換器の列を載置す
るための載置手段と、 前記高さを決定する縁部の研磨中に、前記各磁気抵抗素
子の抵抗値を測定するための測定手段と、 前記各磁気抵抗素子の前記測定された抵抗値に応答し
て、前記高さを決定する縁部の研磨中に、前記各磁気抵
抗素子の抵抗値対高さ特性を校正するための手段と、 前記校正された抵抗値対高さ特性に応答して、前記薄膜
磁気変換器の列中にある前記各磁気抵抗素子の研磨の度
合を制御するための研磨度合制御手段と、 前記各磁気抵抗素子が予定の高さに達したときに研磨を
停止させるための停止手段と、 を備える研磨制御装置。 - 【請求項2】一括製造される各薄膜磁気変換器の所望の
高さを正確に得るための研磨制御装置であって、 高さを決定する縁部及び少なくとも2つの端子を有する
磁気抵抗素子を各薄膜磁気変換器が有するように、基板
上に形成された複数の前記薄膜磁気変換器の列と、 実質的に2次曲線状にたわむことが可能な梁材を形成す
るように、一端付近に細長いH形のスロットを有する保
持具と、 前記各磁気抵抗素子の前記高さを決定する縁部を研磨す
るのに適した位置に、前記薄膜磁気変換器の列を載置す
るための載置手段と、 少なくとも1つが前記保持具の梁材に圧力を加えるよう
に配置される複数の圧力変換手段と、 前記高さを決定する縁部の研磨中に、前記各磁気抵抗素
子の抵抗値を測定するための測定手段と、 前記各磁気抵抗素子の前記測定された抵抗値に応答し
て、前記圧力変換手段を制御する信号を発生して前記各
磁気抵抗素子の研磨を制御するための手段と、 前記各磁気抵抗素子が予定の高さに達したときに研磨を
停止させるための停止手段と、 を備える研磨制御装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US07/250,685 US4914868A (en) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Lapping control system for magnetic transducers |
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