JPH07114321B2 - Magnetostatic wave device - Google Patents
Magnetostatic wave deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は静磁波装置に関し、特に体積前進静磁波（MS
FVW）を利用した静磁波装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetostatic wave device, and more particularly to a volume forward magnetostatic wave (MS
The present invention relates to a magnetostatic wave device using FVW).
（従来技術） 第７図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す図解図である。静磁波装置１は、静磁波素子２を
含む。静磁波素子２は、第８図に示すように、台として
GGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板３を
含む。GGG基板３上には、フェリ磁性基体としてのYIG
（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜４が形成
される。YIG薄膜４の主面上には、その長手方向に間隔
を隔てて、２つのトランスデューサ5aおよび5bが形成さ
れる。(Prior Art) FIG. 7 is an illustrative view showing an example of a conventional magnetostatic wave device as a background of the present invention. The magnetostatic wave device 1 includes a magnetostatic wave element 2. The magnetostatic wave element 2 is used as a table as shown in FIG.
It includes a GGG (gadolinium, gallium, garnet) substrate 3. On the GGG substrate 3, YIG as a ferrimagnetic substrate
A thin film 4 (yttrium, iron, garnet) is formed. Two transducers 5a and 5b are formed on the main surface of the YIG thin film 4 at intervals in the longitudinal direction.
YIG薄膜４の主面に直交する方向には、YIG薄膜４に直流
磁界を印加するための２つの磁石６が形成される。これ
らの磁石６によって、YIG薄膜４の主面に直交する向き
に、直流磁界が印加される。そして、一方のトランスデ
ューサ5aに入力信号が入力される。それによって、YIG
薄膜４上に体積前進静磁波（MSFVW）が励起される。こ
の体積前進静磁波がYIG薄膜４上を伝搬し、他方のトラ
ンスデューサ5bで受信される。そして、トランスデュー
サ5bから出力信号として出力される。Two magnets 6 for applying a DC magnetic field to the YIG thin film 4 are formed in a direction orthogonal to the main surface of the YIG thin film 4. A DC magnetic field is applied by these magnets 6 in a direction orthogonal to the main surface of the YIG thin film 4. Then, the input signal is input to one transducer 5a. Thereby, YIG
A volume forward magnetostatic wave (MSFVW) is excited on the thin film 4. The volume forward magnetostatic wave propagates on the YIG thin film 4 and is received by the other transducer 5b. Then, it is output from the transducer 5b as an output signal.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような従来の静磁波装置では、YIG
薄膜の主面に直交する方向に磁石が配置されているた
め、静磁波装置の厚みが大きくなってしまう。(Problems to be Solved by the Invention) However, in such a conventional magnetostatic wave device, the YIG
Since the magnets are arranged in the direction orthogonal to the main surface of the thin film, the magnetostatic wave device has a large thickness.
また、磁石の中央付近では均一な磁界を得ることができ
るが、端部付近では磁界の強さが小さくなってしまう。
そのため、YIG薄膜に均一な磁界を印加しようとすれ
ば、YIG薄膜の主面より大きい面積を有する磁石を使用
する必要がある。そのため、このような静磁波装置は、
大型のものとなっていた。Further, a uniform magnetic field can be obtained near the center of the magnet, but the magnetic field strength becomes small near the ends.
Therefore, in order to apply a uniform magnetic field to the YIG thin film, it is necessary to use a magnet having an area larger than the main surface of the YIG thin film. Therefore, such a magnetostatic wave device is
It was a large one.
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型化すること
ができ、かつフェリ磁性基体に均一な直流磁界を印加す
ることができる静磁波装置を提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a magnetostatic wave device that can be miniaturized and can apply a uniform DC magnetic field to a ferrimagnetic substrate.
（課題を解決するための手段） この発明は、フェリ磁性基体を有する静磁波素子と、フ
ェリ磁性基体の主面に直交する方向に直流磁界を印加す
るための磁石とを含む静磁波装置において、磁石は、フ
ェリ磁性基体の主面に平行する方向に配置されたことを
特徴とする、静磁波装置である。(Means for Solving the Problem) The present invention provides a magnetostatic wave device including a magnetostatic wave element having a ferrimagnetic substrate, and a magnet for applying a DC magnetic field in a direction orthogonal to the main surface of the ferrimagnetic substrate, The magnet is a magnetostatic wave device characterized by being arranged in a direction parallel to the main surface of the ferrimagnetic substrate.
（作用） フェリ磁性基体の主面に平行する方向に磁石が配置さ
れ、その磁石による磁力線がフェリ磁性基体の主面を直
角に貫く。(Operation) Magnets are arranged in a direction parallel to the main surface of the ferrimagnetic substrate, and magnetic lines of force through the magnet penetrate the main surface of the ferrimagnetic substrate at a right angle.
（発明の効果） この発明によれば、フェリ磁性基体の主面に平行する方
向に磁石が配置されるため、フェリ磁性基体の主面に直
交する方向に磁石が配置されたものに比べて、静磁波装
置を薄型化することができる。しかも、フェリ磁性基体
を貫く磁力線は、上述のように配置された磁石によるも
のであるため、フェリ磁性基体の主面より大きい面積を
有する磁石を必要とせず、小さい磁石で均一な磁界を得
ることができる。(Effect of the Invention) According to the present invention, since the magnets are arranged in the direction parallel to the main surface of the ferrimagnetic base, as compared with the magnets arranged in the direction orthogonal to the main surface of the ferrimagnetic base, The magnetostatic wave device can be thinned. Moreover, since the magnetic field lines penetrating the ferrimagnetic base are due to the magnets arranged as described above, a magnet having a larger area than the main surface of the ferrimagnetic base is not required, and a uniform magnetic field can be obtained with a small magnet. You can
したがって、従来のものに比べて小型化され、しかもフ
ェリ磁性基体に均一な磁界を印加することができる静磁
波装置を得ることができる。Therefore, it is possible to obtain a magnetostatic wave device that is smaller than the conventional one and that can apply a uniform magnetic field to the ferrimagnetic substrate.
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments with reference to the drawings.
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。静磁
波装置10は静磁波素子12を含む。静磁波素子12は、台と
してのGGG基板14を含み、GGG基板14上にフェリ磁性基体
としてのYIG薄膜16が形成される。YIG薄膜16上には、そ
の長手方向に間隔を隔てて２つのトランスデューサ18a
および18bが形成される。トランスデューサ18a,18bは、
YIG薄膜16の幅方向に延びるように形成され、それぞれ
の一端が接地される。(Embodiment) FIG. 1 is an illustrative view showing one embodiment of the present invention. The magnetostatic wave device 10 includes a magnetostatic wave element 12. The magnetostatic wave device 12 includes a GGG substrate 14 as a base, and a YIG thin film 16 as a ferrimagnetic substrate is formed on the GGG substrate 14. On the YIG thin film 16, two transducers 18a are arranged at intervals in the longitudinal direction.
And 18b are formed. The transducers 18a and 18b are
The YIG thin film 16 is formed so as to extend in the width direction, and one end of each is grounded.
静磁波素子12の近傍には、２つの磁石20が形成される。
これらの磁石20は、YIG薄膜16の主面に平行する方向に
配置される。この実施例では、第１図においてその上側
がＮ極、下側がＳ極となるように、磁石20が配置され
る。Two magnets 20 are formed near the magnetostatic wave element 12.
These magnets 20 are arranged in a direction parallel to the main surface of the YIG thin film 16. In this embodiment, the magnet 20 is arranged so that the upper side thereof is the N pole and the lower side thereof is the S pole in FIG.
この静磁波装置10では、第２図に示すように、磁石20に
よってYIG薄膜16の主面に直交する方向に直流磁界が印
加される。そして、たとえば一方のトランスデューサ18
aに入力信号が入力される。この入力信号によって、YIG
薄膜16に体積前進静磁波（MSFVW）が励起され、他のト
ランスデューサ18bの方向に伝搬する。伝搬してきた静
磁波は、トランスデューサ18bで受信され、出力信号と
して出力される。In this magnetostatic wave device 10, as shown in FIG. 2, a DC magnetic field is applied by the magnet 20 in a direction orthogonal to the main surface of the YIG thin film 16. And, for example, one transducer 18
The input signal is input to a. With this input signal, YIG
A volume forward magnetostatic wave (MSFVW) is excited in the thin film 16 and propagates in the direction of another transducer 18b. The propagating magnetostatic wave is received by the transducer 18b and output as an output signal.
この静磁波装置10では、磁石20がYIG薄膜16の主面に平
行する方向に配置されるため、装置全体を薄型化するこ
とができる。また、上述のように配置された磁石によっ
て、YIG薄膜16の主面に直交する方向に直流磁界が印加
されるため、YIG薄膜16の主面より大きい面積を有する
磁石を必要とせず、小型の磁石を用いることができる。
したがって、従来のものに比べて、静磁波装置10を小型
化することができる。In the magnetostatic wave device 10, since the magnet 20 is arranged in the direction parallel to the main surface of the YIG thin film 16, the entire device can be thinned. Further, since the DC magnetic field is applied in the direction orthogonal to the main surface of the YIG thin film 16 by the magnets arranged as described above, a magnet having an area larger than the main surface of the YIG thin film 16 is not required, and the size is small. A magnet can be used.
Therefore, the magnetostatic wave device 10 can be downsized as compared with the conventional device.
なお、上述の実施例では、２つの磁石20を用いたが、第
３図に示すように、１つの磁石20に溝20aを形成し、こ
の溝20a内に静磁波素子12を置いてもよい。この場合、Y
IG薄膜16の主面に平行する方向にある部分の磁石20は同
一方向に磁化され、YIG薄膜16の主面に直交する方向に
ある部分の磁石20はそれと逆方向に磁化される。この場
合も、第３図に示すように、YIG薄膜16の主面に直交す
る方向に均一な直流磁界が印加される。そして、従来の
ものに比べて、静磁波装置10を薄型化，小型化すること
が可能である。また、第４図に示すように、複数の磁石
20を用いて、第３図に示す静磁波装置と同様の形状の静
磁波装置を形成してもよい。Although the two magnets 20 are used in the above-mentioned embodiment, as shown in FIG. 3, a groove 20a may be formed in one magnet 20, and the magnetostatic wave element 12 may be placed in the groove 20a. . In this case, Y
The magnet 20 in the portion parallel to the main surface of the IG thin film 16 is magnetized in the same direction, and the magnet 20 in the portion orthogonal to the main surface of the YIG thin film 16 is magnetized in the opposite direction. Also in this case, as shown in FIG. 3, a uniform DC magnetic field is applied in the direction orthogonal to the main surface of the YIG thin film 16. Further, the magnetostatic wave device 10 can be made thinner and smaller than the conventional one. Moreover, as shown in FIG.
20 may be used to form a magnetostatic wave device having a shape similar to that of the magnetostatic wave device shown in FIG.
さらに、第５図に示すように、２つの磁石20の一方側を
つなぐように、鉄などの磁性体22を形成してもよい。こ
の場合も、第５図に示すように、YIG薄膜16の主面に直
交する方向に直流磁界を印加することができ、静磁波装
置10を薄型化，小型化することができる。また、第６図
に示すように、磁石20の両側に磁性体22を形成しても同
様の効果を得ることができる。Further, as shown in FIG. 5, a magnetic body 22 such as iron may be formed so as to connect one side of the two magnets 20. Also in this case, as shown in FIG. 5, a DC magnetic field can be applied in a direction orthogonal to the main surface of the YIG thin film 16, and the magnetostatic wave device 10 can be thinned and downsized. Further, as shown in FIG. 6, the same effect can be obtained by forming the magnetic bodies 22 on both sides of the magnet 20.
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。 第２図は第１図に示す静磁波装置の磁界の分布状態を示
す図解図である。 第３図は第１図に示す静磁波装置の他の実施例と、その
磁界の分布状態を示す図解図である。 第４図は第３図に示す静磁波装置の変形例と、その磁界
の分布状態を示す図解図である。 第５図は第１図に示す静磁波装置のさらに他の実施例
と、その磁界の分布状態を示す図解図である。 第６図は第５図に示す静磁波装置の変形例と、その磁界
の分布状態を示す図解図である。 第７図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す図解図である。 第８図は第７図に示す従来の静磁波装置に用いられる静
磁波素子の一例を示す斜視図である。 図において、10は静磁波装置、12は静磁波素子、14はGG
G基板、16はYIG薄膜、20は磁石を示す。FIG. 1 is an illustrative view showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is an illustrative view showing a magnetic field distribution state of the magnetostatic wave device shown in FIG. FIG. 3 is an illustrative view showing another embodiment of the magnetostatic wave device shown in FIG. 1 and the distribution state of the magnetic field thereof. FIG. 4 is an illustrative view showing a modification of the magnetostatic wave device shown in FIG. 3 and a distribution state of the magnetic field thereof. FIG. 5 is an illustrative view showing still another embodiment of the magnetostatic wave device shown in FIG. 1 and the distribution state of the magnetic field thereof. FIG. 6 is an illustrative view showing a modification of the magnetostatic wave device shown in FIG. 5 and a distribution state of the magnetic field thereof. FIG. 7 is an illustrative view showing an example of a conventional magnetostatic wave device which is the background of the present invention. FIG. 8 is a perspective view showing an example of a magnetostatic wave element used in the conventional magnetostatic wave device shown in FIG. In the figure, 10 is a magnetostatic wave device, 12 is a magnetostatic wave element, and 14 is a GG.
G substrate, 16 YIG thin film, and 20 a magnet.
フロントページの続き (72)発明者 金谷 文夫 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 鎌土 恭秀 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平２−288406（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−236723（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130614（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−276301（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−121160（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−91325（ＪＰ，Ｕ)Front page continued (72) Inventor Fumio Kanaya 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Prefecture Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhide Kamachi 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Murata Manufacturing Co., Ltd (56) References JP-A-2-288406 (JP, A) JP-A-1-236723 (JP, A) JP-A 1-130614 (JP, A) JP-A-63-276301 (JP, A) JP-A-55-121160 (JP, A) Actual development 1-91325 (JP, U)
Claims (1)
記フェリ磁性基体の主面に直交する方向に直流磁界を印
加するための磁石とを含む静磁波装置において、 前記磁石は、前記フェリ磁性基体の主面に平行する方向
に配置されたことを特徴とする、静磁波装置。1. A magnetostatic wave device including a magnetostatic wave device having a ferrimagnetic substrate and a magnet for applying a DC magnetic field in a direction orthogonal to a main surface of the ferrimagnetic substrate, wherein the magnet is the ferrimagnetic substrate. A magnetostatic wave device, wherein the magnetostatic wave device is arranged in a direction parallel to the main surface of the base body.
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|---|---|---|---|
| JP2024658A JPH07114321B2 (en) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | Magnetostatic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JPH03229501A JPH03229501A (en) | 1991-10-11 |
| JPH07114321B2 true JPH07114321B2 (en) | 1995-12-06 |
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| JP2024658A Expired - Fee Related JPH07114321B2 (en) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | Magnetostatic wave device |
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1990
- 1990-02-02 JP JP2024658A patent/JPH07114321B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH03229501A (en) | 1991-10-11 |
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