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JPH0711635B2 - Liquid crystal display device manufacturing method - Google Patents
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JPH0711635B2 - Liquid crystal display device manufacturing method - Google Patents

Liquid crystal display device manufacturing method

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JPH0711635B2
JPH0711635B2 JP60099285A JP9928585A JPH0711635B2 JP H0711635 B2 JPH0711635 B2 JP H0711635B2 JP 60099285 A JP60099285 A JP 60099285A JP 9928585 A JP9928585 A JP 9928585A JP H0711635 B2 JPH0711635 B2 JP H0711635B2
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Japan
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liquid crystal
crystal display
light
substance
display device
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舜平 山崎
喬 犬島
晃 間瀬
光範 坂間
康平 沖津
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Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 この発明は、マイクロコンピュータ、ワードプロセッサ
またはテレビ等の表示部等に用いられる液晶表示装置の
作成方法に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a liquid crystal display device used for a display unit of a microcomputer, a word processor, a television, or the like.

「従来の技術」 固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、横方向640素子(フルカラーの場合は6
40×3=1920素子)また縦方向は200素子または526素子
とするA4判またはそれ以上の大面積マトリックス構成の
表示装置が求められている。
“Prior Art” In a solid-state display panel, a method of independently controlling each pixel is effective for a large area. As a panel using such active elements, 640 elements in the horizontal direction (6 for full color)
(40 × 3 = 1920 elements) Further, a display device having a large area matrix configuration of A4 size or more, which has 200 elements or 526 elements in the vertical direction, is required.

さらに大面積化に伴い液晶物質のスメチック相を用いた
高速応答性を示す液晶表示装置が作成されている。
Further, with the increase in area, a liquid crystal display device has been created which uses a smectic phase of a liquid crystal substance and exhibits a high-speed response.

「発明が解決しようとする問題点」 これら大面積液晶表示装置、特にスメチック相を用いた
液晶表示装置を作成する場合、問題となるのが液晶物質
を配向させる技術である。
"Problems to be Solved by the Invention" When making these large-area liquid crystal display devices, in particular, liquid crystal display devices using a smectic phase, the problem is the technique of orienting the liquid crystal substance.

この方法として、温度勾配法、スペーサーエッジ法及び
ラビング法等が現在行われているが、大面積化した場
合、ラビング法のみが可能である。しかし、この方法は
配向膜の表面に物理的に「キズ」をつけるため、大面積
セル全体での均一な配向、メモリ効果等が大きな問題と
なっている。
As the method, a temperature gradient method, a spacer edge method, a rubbing method and the like are currently performed, but when the area is increased, only the rubbing method is possible. However, since this method physically causes a "scratch" on the surface of the alignment film, uniform alignment in the entire large-area cell, memory effect, etc. are major problems.

「問題を解決するための手段」 本発明はこれらの問題を解決するための大面積用液晶表
示セル作製方法である。
"Means for Solving Problems" The present invention is a method for manufacturing a large-area liquid crystal display cell for solving these problems.

本発明は、一対の基板間に液晶性物質が充填された液晶
表示セルにおいて、前記液晶生物質の液晶分子を配列さ
せるために、前記液晶表示セルの表側または裏側の少な
くとも一方から前記液晶性物質の一部に対して光を照射
することで、前記光が照射された部分の前記液晶性物質
を等方性液体状態に変化させ、前記光が照射される位置
を一定方向に連続的に移動することにより、前記液晶性
物質が等方性液体状態となる位置を連続的に移動させる
ことを特徴とするものである。
The present invention relates to a liquid crystal display cell in which a liquid crystal substance is filled between a pair of substrates, in order to align liquid crystal molecules of the liquid crystal raw material, the liquid crystal substance is applied from at least one of the front side and the back side of the liquid crystal display cell. By irradiating a part of the light with light, the liquid crystal substance in the part irradiated with the light is changed to an isotropic liquid state, and the position irradiated with the light is continuously moved in a certain direction. By doing so, the position where the liquid crystalline substance is in an isotropic liquid state is continuously moved.

即ち、基板上に電極、電極配線、アクティブ素子等、回
路を構成するのに必要なものを形成後、基板を張り合わ
せて液晶用セルを形成後に液晶性物質の注入時または注
入後に、照射部分において長方形または楕円の断面形状
を有するように加工された光を液晶セルに照射し、照射
位置を相対的に移動させていくことにより、セル中に封
入された液晶性物質を配列させるものである。
That is, after forming the electrodes, electrode wiring, active elements, etc. necessary for forming a circuit on the substrate, the substrates are attached to each other to form a liquid crystal cell, and after or after injecting a liquid crystalline substance, in an irradiated portion. By irradiating the liquid crystal cell with light processed so as to have a rectangular or elliptical cross-sectional shape and moving the irradiation position relatively, the liquid crystal substance enclosed in the cell is aligned.

「作用」 即ち、液晶表示セルの表側または裏側の少なくとも一方
から液晶性物質の一部に対して、照射部分において例え
ば長方形または楕円の断面形状を有するように加工され
た光を照射することで、光が照射された部分の液晶性物
質のみを液晶相から等方性液体状態に変化させる。
"Operation" That is, by irradiating a part of the liquid crystalline substance from at least one of the front side and the back side of the liquid crystal display cell, by irradiating with light processed to have a rectangular or elliptical cross-sectional shape in the irradiation portion, Only the liquid crystal substance in the portion irradiated with light is changed from the liquid crystal phase to the isotropic liquid state.

さらに光の照射される位置を一定方向に連続的に移動さ
せて、液晶性物質が等方性液体状態となる位置を連続的
に移動させる。
Further, the position where the light is irradiated is continuously moved in a certain direction, and the position where the liquid crystalline substance is in the isotropic liquid state is continuously moved.

光照射が通過した液晶性物質は再び液晶相となり、スペ
ーサの界面状態や隣接する液晶分子の配列に従って液晶
分子が配列する。光照射位置を移動することにより順次
液晶分子が配列し、配向させることができる。
The liquid crystal substance passed through the light irradiation becomes a liquid crystal phase again, and the liquid crystal molecules are arranged according to the interface state of the spacer and the arrangement of the adjacent liquid crystal molecules. Liquid crystal molecules can be sequentially aligned and aligned by moving the light irradiation position.

即ち、長方形、楕円の形状に加工された光を液晶用セル
に対し相対的に移動させることによって人為的に温度勾
配を起こし、液晶を配向させるものである。
That is, the light processed into the shape of a rectangle or an ellipse is relatively moved with respect to the liquid crystal cell to artificially cause a temperature gradient to orient the liquid crystal.

以下、実施例によって本発明を説明する。Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples.

「実施例」 第2図は本実施例の固体表示装置を用いた回路図を示
す。
[Embodiment] FIG. 2 shows a circuit diagram using the solid-state display device of this embodiment.

図面において、画素は非線型素子(6)の電極(22)
(第2の電極)より液晶(7)の一方の電極(23)(第
3の電極)に連結している。非線型素子はクロック信号
を与えるX配線のアドレス線(8),(9)に第1の電
極(21)により連結している。他方、液晶(7)の第4
の電極(24)はY配線のデータ線(10)、(11)に連結
している。Y配線は他の透光性絶縁基板、代表的にはガ
ラス基板(第5図(C)における(20′))側にそれぞ
れ対応して設けている。そしてこの第4の電極(24)は
R(赤)(Y1),G(緑)(Y2),B(青)(Y3図面では省
略)のフィルタ(25),(25′)を有しており、フルカ
ラー化を施している。
In the drawing, a pixel is an electrode (22) of a non-linear element (6).
The (second electrode) is connected to one electrode (23) (third electrode) of the liquid crystal (7). The non-linear element is connected to the address lines (8) and (9) of the X wiring for supplying the clock signal by the first electrode (21). On the other hand, the fourth of the liquid crystal (7)
The electrode (24) is connected to the data lines (10) and (11) of the Y wiring. The Y wiring is provided corresponding to another translucent insulating substrate, typically a glass substrate ((20 ') in FIG. 5C) side. And the fourth electrode (24) is R (red) (Y 1), G (green) (Y 2), B (blue) filter (Y 3 is omitted in the drawing) (25), (25 ') It has, and is in full color.

このX配線は同一絶縁基板代表的にはガラス基板(第5
図(B),(C),(D)における(20))上に設けら
れている。その結果、クロストーク(33)がおきにく
く、この部分の抵抗を109Ω以上、好ましくは1010以上
とすることが可能となった。
This X wiring is the same insulating substrate, typically a glass substrate (5th
It is provided on (20) in the drawings (B), (C), and (D). As a result, crosstalk (33) was less likely to occur, and the resistance in this portion could be 10 9 Ω or higher, preferably 10 10 or higher.

かかる絵素をマトリックス構成せしめ、図面では2×2
を示した。しかし本発明はかかる小マトリックスではな
く、スケール・アップした表示装置例えば(画素100×1
00,1920×200または512)といった大きなマトリックス
のパネルに対し有効である。
These picture elements are arranged in a matrix, and 2 × 2 in the drawing.
showed that. However, the present invention is not such a small matrix, but a scaled-up display device such as (pixel 100 × 1
00,1920 × 200 or 512), which is effective for large matrix panels.

かくの如き複合ダイオードを用いた画素の一部である非
線型素子の製造工程およびその特性の例を第3図,第4
図に示している。
An example of the manufacturing process of a non-linear element which is a part of a pixel using such a composite diode and its characteristics are shown in FIGS.
Shown in the figure.

この第3図の製造工程は、第5図(A)における(30)
の領域を特に拡大して製造する場合に対応している。
The manufacturing process of FIG. 3 is (30) in FIG. 5 (A).
It corresponds to the case of manufacturing by expanding the area of.

第3図(A),(B),(C),(D-2)は第5図C-C′
の縦断面図に対応している。第3図(D-1)は第5図に
おけるA-A′の縦断面図に対応し、その素子構造を示し
ている。
Figures 3 (A), (B), (C), and (D-2) are shown in Figure 5 CC '.
It corresponds to the vertical sectional view of. FIG. 3 (D-1) corresponds to the vertical sectional view taken along the line AA 'in FIG. 5 and shows the element structure thereof.

第3図(A)において、透光性絶縁基板としてコーニン
グ7059ガラス(20)を用いた。この上面にスパッタ法ま
たは電子ビーム蒸着法により導電膜であるアルミニュー
ム(14)とその上のクロム膜(15)を0.1〜0.5μおよび
500〜1500Åの厚さにそれぞれ形成した。アルミニュー
ムの下にさらにガラスとの密着性を助長させるために、
クロム(500〜1500Å)を形成してもよい。
In FIG. 3 (A), Corning 7059 glass (20) was used as the translucent insulating substrate. An aluminum film (14), which is a conductive film, and a chromium film (15) on the aluminum film (15), which is a conductive film, are deposited on the upper surface by a sputtering method or an electron beam evaporation method in an amount of 0.1 to 0.5 μ and
Formed to a thickness of 500 to 1500Å. In order to further promote the adhesion with the glass under the aluminum,
Chromium (500-1500Å) may be formed.

この後、これらの全面にプラズマ気相反応法を用いてNI
N(NP-N,NIPIN,NIPI-INを含む)構造を有する非単結晶
半導体よりなる複合ダイオードを形成した。即ち、N型
半導体をシランに13.56MHzの高周波グロー放電を行うこ
とにより、200〜300℃に保持された基板上の被形成面上
に非単結晶半導体を作る。
After this, the entire surface of these was analyzed using the plasma vapor reaction method.
A composite diode made of non-single crystal semiconductor with N (including NP - N, NIPIN, NIPI - IN) structure was formed. That is, a non-single-crystal semiconductor is formed on the surface to be formed on the substrate held at 200 to 300 ° C. by subjecting the N-type semiconductor to silane at a high frequency glow discharge of 13.56 MHz.

その電気伝導度は、10-7〜10-4(Ωcm)-1を有し、500
〜2500Åの厚さとした。次に10-6〜10-7torrまで、十分
真空引きをした。シラン(SimH2m+2例えばm=1のSi
H4)とDMS(Si(CH3)とを用いさらに必要に応じて
B2H6を添加してI型の非単結晶半導体を300Å〜0.5μの
厚さに形成した。例えば0.2μの厚さに、DMS/(DMS+Si
H4)=1/80,B2H6/SiH4=7PPMとしてP-のSixC1-xを形成
した。さらに10-6〜10-7torrまで十分真空引きをした。
その上にN型半導体50〜500Åの厚さに積層してNP-N接
合のSi−SixC1-x(0<X<1)−Siヘテロ接合を形成
させた。
Its electrical conductivity is from 10 -7 to 10 -4 (Ωcm) -1 and is 500
The thickness was ~ 2500Å. Next, a sufficient vacuum was drawn up to 10 −6 to 10 −7 torr. Silane (SimH 2 m +2 eg Si with m = 1
H 4 ) and DMS (Si (CH 3 ) 3 )
B 2 H 6 was added to form an I-type non-single-crystal semiconductor with a thickness of 300Å to 0.5 µ. For example, with a thickness of 0.2μ, DMS / (DMS + Si
H 4 ) = 1/80, B 2 H 6 / SiH 4 = 7 PPM to form P SixC 1- x. Further, the vacuum was sufficiently drawn up to 10 -6 to 10 -7 torr.
An N-type semiconductor having a thickness of 50 to 500 Å was laminated thereon to form an NP - N junction Si-SixC1 - x (0 <X <1) -Si heterojunction.

この後、この上面に、遮光用のクロム(16)を電子ビー
ム蒸着法またはスパッタ法により第2の電極として積層
した。
After that, a light-shielding chromium (16) was laminated as a second electrode on the upper surface by an electron beam evaporation method or a sputtering method.

さらに、第3図(A),(B)に示す如く、第1のフォ
トマスク(17)により周辺部(26)が垂直になるよう
に異方性プラズマエッチを行い、積層体(18)を構成さ
せた。次にこれら全面に対し例えば200℃にて半導体
(6)に熱酸化を行い、固相−気相酸化による酸化珪素
の作製を行った。次にこれらの全面に感光性ポリイミド
樹脂(29)をコーティング法にて約2μの厚さに形成さ
せた。かくして、積層体(18)の上面(16)とポリイミ
ド樹脂(29)の上面(39)とは積層体(18)の凸部を除
きキュア後で概略同一平面(絶縁物表面と積層体表面と
がなめらかに連続している)となるようにさせた。例え
ば現像とキュアにより40〜50%減少する場合は、積層体
が約1μであるため、約2μの厚さとした。次にガラス
基板(20)側の裏面側より紫外光(40)を公知のマスク
アライナによりマスクを用いることなく露光させた。例
えばコビルト社のアライナーでは約2分間露光した。そ
の強度が300〜400nmの波長の紫外光(10mW/cm2)におい
ては15〜30秒で十分である。
Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, anisotropic plasma etching is performed by the first photomask (17) so that the peripheral portion (26) becomes vertical, and the laminate (18) is formed. Made me composed. Next, the semiconductor (6) was thermally oxidized to the entire surface at, for example, 200 ° C., and silicon oxide was produced by solid-phase / gas-phase oxidation. Next, a photosensitive polyimide resin (29) was formed on the entire surface of these by a coating method to a thickness of about 2 μm. Thus, the upper surface (16) of the laminate (18) and the upper surface (39) of the polyimide resin (29) are substantially flush with each other after curing (except for the convex portions of the laminate (18) (the surface of the insulator and the surface of the laminate). Are continuously continuous). For example, when the reduction is 40 to 50% due to development and curing, the thickness of the laminated body is about 2 .mu. Next, ultraviolet light (40) was exposed from the back surface side of the glass substrate (20) side by using a known mask aligner without using a mask. For example, an aligner manufactured by Cobilt Co., Ltd. was exposed for about 2 minutes. In the intensity of ultraviolet light (10 mW / cm 2 ) having a wavelength of 300 to 400 nm, 15 to 30 seconds is sufficient.

すると第3図(C)に示す如く、(26)の側面を有する
積層体に対し蔭となるその上方の凸領域は感光せず、そ
の側周辺のみが感光する。さらに現像を行った後、リン
ス液により非感光性の凸部を溶去した。かくして第3図
(C)を得た。
Then, as shown in FIG. 3 (C), the convex area above the laminated body having the side surface of (26) is not exposed, and only the periphery of that side is exposed. After further development, the non-photosensitive protrusions were removed by a rinse liquid. Thus, FIG. 3 (C) was obtained.

次にこれらすべてを180℃30分+300℃30分+400℃30分
の加熱を窒素中で行いキュアさせた。かくして積層体の
上面である非線型素子の第2の電極をフォトマスクを用
いることなく露光せしめるに加えて、この上面と周辺部
のポリイミド樹脂の絶縁物の表面とを概略同一平面を構
成させることが可能となった。
Then, all of these were heated at 180 ° C. for 30 minutes + 300 ° C. for 30 minutes + 400 ° C. for 30 minutes in nitrogen to be cured. Thus, in addition to exposing the second electrode of the non-linear element, which is the upper surface of the laminate, without using a photomask, the upper surface and the peripheral surface of the polyimide resin insulator are formed to be substantially flush with each other. Became possible.

次にこの第3図(C)の上面全面にCTFをITOまたは酸化
スズにより0.1〜0.5μの厚さに形成せしめた。さらに第
2のフォトマスクによりこのCTFを選択エッチングを
した。加えてこのCTF(23)が液晶の画素用第3の電極
(第2図(23))を構成するが、このCTFをマスクとし
て画素間(31)の不要の半導体を(D-1)に示す如く除
去した。かくして、第3図(D-1),(D-2)を得た。
Next, CTF was formed on the entire upper surface of FIG. 3 (C) with ITO or tin oxide to a thickness of 0.1 to 0.5 .mu.m. Further, this CTF was selectively etched by the second photomask. In addition, the CTF (23) constitutes the third pixel electrode (23 in FIG. 2) of the liquid crystal. By using this CTF as a mask, the unnecessary semiconductor between the pixels (31) is changed to (D-1). Removed as indicated. Thus, FIGS. 3D-1 and 3D-2 were obtained.

さらにこの後この半導体の(31)の側面に対しても(2
9)と同様の絶縁物CTF上の配向膜形成用のポリイミド樹
脂の一部も充填してを形成することは有効である。
After this, also for the (31) side of this semiconductor, (2
It is effective to fill a part of the polyimide resin for forming the alignment film on the insulator CTF similar to that of 9) and fill it.

即ち、第3図において、ガラス基板(20)上の第1の電
極(21),NP-NまたはNIN半導体積層体よりなる複合ダイ
オード(6),第2の電極(16),さらにこの第2の電
極に密接して透光性導電膜よりなる第3の電極(23)を
半導体積層体(6)と側周辺の有機樹脂とを覆うように
して設けた。
That is, in FIG. 3, the first electrode (21) on the glass substrate (20), the composite diode (6) made of NP - N or NIN semiconductor laminated body, the second electrode (16), and the second electrode (16). A third electrode (23) made of a translucent conductive film was provided so as to be in close contact with the above electrode so as to cover the semiconductor laminate (6) and the organic resin around the side.

この後、2枚の基板(20),(20′)を張り合わせ、約
10μのスペーサを間に入れ、周りを樹脂で固めて液晶セ
ルを形成した。この後、このセルを真空槽内に入れ、液
晶を注入した。この後長方形の形状に加工された光(本
実施例ではXeランプを用いた)を液晶セルに一方側より
照射した。この概略図を第1図(A)に示す。
After this, attach the two substrates (20) and (20 ') together,
A liquid crystal cell was formed by inserting a 10 μ spacer in between and solidifying the periphery with resin. After this, the cell was placed in a vacuum chamber and liquid crystal was injected. After that, light processed into a rectangular shape (a Xe lamp was used in this example) was applied to the liquid crystal cell from one side. This schematic diagram is shown in FIG.

本実施例では液晶物質としてDOBAMBCを用い、光源とし
ては液晶物質を等方性液体状態にまで昇温可能な出力、
本実施例では1KWのXeランプを用い、10mm×200mmの長方
形の形状に加工した。この光に対し、液晶セルを5mm/分
の速度で約60分で液晶を配向させることができた。その
後、液晶セルの両側に偏光板を接着し、液晶表示セルと
した。
In the present embodiment, DOBAMBC is used as the liquid crystal substance, and the light source that can raise the temperature of the liquid crystal substance to an isotropic liquid state,
In this example, a 1 KW Xe lamp was used to form a rectangular shape of 10 mm × 200 mm. In response to this light, the liquid crystal cell was able to align the liquid crystal at a speed of 5 mm / min in about 60 minutes. Then, polarizing plates were adhered to both sides of the liquid crystal cell to obtain a liquid crystal display cell.

なお 本発明は本実施例のみに限定されないことはいう
までもない。
Needless to say, the present invention is not limited to this embodiment.

特に、光源の種類及び出力は液晶物質の性質及び基板の
種類によって変更は可能である。
In particular, the type and output of the light source can be changed according to the nature of the liquid crystal material and the type of substrate.

「効果」 本発明により、従来は配向処理の有効な手段とされなが
らも大面積、大量生産等工業的には不向きとされていた
ものが可能となり、大面積の液晶表示セルの配向処理に
特に有効であった。
"Effects" The present invention makes it possible to realize an alignment treatment of a large-area liquid crystal display cell, which is not suitable for industrial use such as a large area and mass production although it has been an effective means for the alignment treatment. It was effective.

また、現在工業的に用いられているラビング法等に比べ
液晶物質が直接接する部分にホコリ等のゴミを発生させ
ることがまったくないため、液晶の配向が大面積で均一
に行われ欠陥がまったく発生せず大面積にわたって均一
な液晶の配向が得られた。
In addition, as compared with the rubbing method currently used industrially, there is no generation of dust such as dust in the part where the liquid crystal substance is in direct contact, so the liquid crystal is uniformly aligned in a large area and no defects occur. Without this, a uniform liquid crystal orientation was obtained over a large area.

又、ラビング法では、不可能といわれる、液晶物質のメ
モリー効果の利用が本発明では可能となり、大面積でか
つ高速応答性のすぐれた液晶表示セルを作成することが
できた。
Further, the present invention makes it possible to utilize the memory effect of the liquid crystal substance, which is said to be impossible in the rubbing method, and it is possible to prepare a liquid crystal display cell having a large area and excellent high-speed response.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明方法の概略図を示す。 第2図は本発明の液晶表示パネルの回路図を示す。 第3図は液晶セルの製造工程を示す縦断面図である。。 第4図は本発明に用いた複合ダイオードの非線型素子の
動作特性を示す。 第5図は本発明の表示パネルの平面図および縦断面図を
示す。
FIG. 1 shows a schematic diagram of the method of the present invention. FIG. 2 shows a circuit diagram of the liquid crystal display panel of the present invention. FIG. 3 is a vertical sectional view showing a manufacturing process of a liquid crystal cell. . FIG. 4 shows the operating characteristics of the nonlinear element of the composite diode used in the present invention. FIG. 5 shows a plan view and a vertical sectional view of the display panel of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂間 光範 東京都世田谷区北烏山7丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 沖津 康平 東京都世田谷区北烏山7丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 審査官 寺山 啓進 (56)参考文献 特開 昭59−49518(JP,A) 特開 昭60−66231(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mitsunori Sakama 7-21-21 Kitakarasyama, Setagaya-ku, Tokyo Inside the Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (72) Kohei Okitsu 7-21-21 Kitakarasyama, Setagaya-ku, Tokyo Keishin Terayama, Examiner, Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 21 (56) References JP 59-49518 (JP, A) JP 60-66231 (JP, A)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一対の基板間に液晶性物質が充填された液
晶表示セルにおいて、前記液晶性物質の液晶分子を配列
させるために、 前記液晶表示セルの表側または裏側の少なくとも一方か
ら前記液晶性物質の一部に対して光を照射することで、
前記光が照射された部分の前記液晶性物質を等方性液体
状態に変化させ、 前記光が照射される位置を一定方向に連続的に移動する
ことにより、前記液晶性物質が等方性液体状態となる位
置を連続的に移動させることを特徴とする液晶表示装置
作製方法。
1. In a liquid crystal display cell in which a liquid crystalline substance is filled between a pair of substrates, in order to arrange liquid crystal molecules of the liquid crystalline substance, at least one of the front side and the back side of the liquid crystal display cell is used for the liquid crystalline substance. By irradiating a part of the substance with light,
By changing the liquid crystal substance of the portion irradiated with the light to an isotropic liquid state and continuously moving the position irradiated with the light in a certain direction, the liquid crystal substance is changed to an isotropic liquid state. A method for manufacturing a liquid crystal display device, which comprises continuously moving a position in a state.
【請求項2】特許請求の範囲第1項において、前記光が
照射された部分における前記光の形状は長方形または楕
円形であることを特徴とする液晶表示装置作製方法。
2. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the shape of the light in the portion irradiated with the light is a rectangle or an ellipse.
【請求項3】特許請求の範囲第1項において、光照射は
一対の基板間に液晶性物質を注入する時に行なうことを
特徴とする液晶表示装置作製方法。
3. A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light irradiation is performed when a liquid crystal substance is injected between a pair of substrates.
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