JPH0712066B2 - 高信頼性封止構造体及びその製造方法 - Google Patents
高信頼性封止構造体及びその製造方法Info
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- JPH0712066B2 JPH0712066B2 JP62210338A JP21033887A JPH0712066B2 JP H0712066 B2 JPH0712066 B2 JP H0712066B2 JP 62210338 A JP62210338 A JP 62210338A JP 21033887 A JP21033887 A JP 21033887A JP H0712066 B2 JPH0712066 B2 JP H0712066B2
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- sealing
- highly reliable
- sealing portion
- sealing structure
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、封止構造を有する超大型計算機に係り、特に
はんだ封止部の欠陥を排除しかつ高信頼性のち密はんだ
層をもつ封止構造体及びその製造方法に関する。
はんだ封止部の欠陥を排除しかつ高信頼性のち密はんだ
層をもつ封止構造体及びその製造方法に関する。
従来の装置は、米国特許第4081825号明細書に記載のよ
うにセラミツクス多層板に冷水通路をもつハウジングの
封止構造方式で、封止部は金属ガスケツトによる機械的
な圧着方式によるものである。
うにセラミツクス多層板に冷水通路をもつハウジングの
封止構造方式で、封止部は金属ガスケツトによる機械的
な圧着方式によるものである。
この方式での問題点は、機械的な圧着封止であるため長
期間の使用において、セラミツクス多層板側の疲労破壊
の発生や金属ガスケツトのゆるみ等から封止内外部のリ
ーク発生により、封止内部の半導体素子特性劣化への影
響が大きいことや、場合によつては稼動短期間ごとの封
止部補修点検や部品交換が多いなど稼動上の問題が多
く、長期的な高信頼性が得られない構造であつた。
期間の使用において、セラミツクス多層板側の疲労破壊
の発生や金属ガスケツトのゆるみ等から封止内外部のリ
ーク発生により、封止内部の半導体素子特性劣化への影
響が大きいことや、場合によつては稼動短期間ごとの封
止部補修点検や部品交換が多いなど稼動上の問題が多
く、長期的な高信頼性が得られない構造であつた。
このため、構造的に種々の改良が要求され、ハウジング
のセラミツクス多層板への封止方法としてはSn-Pb系共
晶はんだによるはんだ封止構造指向にある（日経エレク
トロニクス、日経マグロウヒル社、3-26:155、1984）。
しかし、セラミツクス多層板上に多数個搭載された半導
体素子のいくつかが、特性劣化あるいは回路変更のため
に脱接続が必要とされた場合、封止部も当然ながら脱接
続のため加熱溶融と再封止が繰返される。
のセラミツクス多層板への封止方法としてはSn-Pb系共
晶はんだによるはんだ封止構造指向にある（日経エレク
トロニクス、日経マグロウヒル社、3-26:155、1984）。
しかし、セラミツクス多層板上に多数個搭載された半導
体素子のいくつかが、特性劣化あるいは回路変更のため
に脱接続が必要とされた場合、封止部も当然ながら脱接
続のため加熱溶融と再封止が繰返される。
上記従来技術は、機械的な圧着封止構造であり、圧着力
に対するセラミツクス多層板の耐久性の点について配慮
されておらず、セラミツクス多層板の疲労破壊等で封止
内部の半導体素子特性劣化の問題があつた。また、はん
だ封止構造においては、封止内部の半導体素子の脱接続
に絡み、はんだ封止部の繰返し封止による欠陥排除の点
について配慮されておらず、はんだ封止部の信頼性低下
や封止内外部のリーク発生による半導体素子特性の劣化
などの問題があつた。
に対するセラミツクス多層板の耐久性の点について配慮
されておらず、セラミツクス多層板の疲労破壊等で封止
内部の半導体素子特性劣化の問題があつた。また、はん
だ封止構造においては、封止内部の半導体素子の脱接続
に絡み、はんだ封止部の繰返し封止による欠陥排除の点
について配慮されておらず、はんだ封止部の信頼性低下
や封止内外部のリーク発生による半導体素子特性の劣化
などの問題があつた。
本発明の目的は、半導体装置のはんだ封止部の欠陥を排
除し、高信頼性のはんだ封止構造体及びその製造方法を
提供することにある。
除し、高信頼性のはんだ封止構造体及びその製造方法を
提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は高信頼性封
止構造体に関する発明であつて、多層配線基板上に搭載
した複数個の半導体素子の背面から放熱冷却する構造の
ハウジング封止部が該多層配線基板にはんだ封止された
封止構造体において、半導体素子を搭載しない外部領域
に面する封止部のはんだ部分が、内部よりもち密なはん
だ凝固組織であることを特徴とする。
止構造体に関する発明であつて、多層配線基板上に搭載
した複数個の半導体素子の背面から放熱冷却する構造の
ハウジング封止部が該多層配線基板にはんだ封止された
封止構造体において、半導体素子を搭載しない外部領域
に面する封止部のはんだ部分が、内部よりもち密なはん
だ凝固組織であることを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は、高信頼性封止構造体の
製造方法に関する発明であつて、第１の発明の高信頼性
封止構造体を製造する方法において、半導体素子を搭載
しない外部領域に面する封止部のはんだ部分を、再溶融
し、次いで急速に凝固させて、内部よりもち密なはんだ
凝固組織を形成させることを特徴とする。
製造方法に関する発明であつて、第１の発明の高信頼性
封止構造体を製造する方法において、半導体素子を搭載
しない外部領域に面する封止部のはんだ部分を、再溶融
し、次いで急速に凝固させて、内部よりもち密なはんだ
凝固組織を形成させることを特徴とする。
前記目的は、半導体装置のはんだ封止したはんだ層部
を、封止内部の半導体素子接合構造部にダメージを与え
ないように、また封止はんだ層の全域を溶かさず、すな
わち封止内外部のリーク発生がないように、該封止はん
だ層の封止外部側から、例えば、放射性エネルギービー
ムであるCW-YAGレーザ光（出力:100W、照射ビーム径：
φ3.0mm）を照射させて加熱溶融し、照射ビームを走査
（速度:10mm/sec）させ瞬時に凝固させることにより達
成される。
を、封止内部の半導体素子接合構造部にダメージを与え
ないように、また封止はんだ層の全域を溶かさず、すな
わち封止内外部のリーク発生がないように、該封止はん
だ層の封止外部側から、例えば、放射性エネルギービー
ムであるCW-YAGレーザ光（出力:100W、照射ビーム径：
φ3.0mm）を照射させて加熱溶融し、照射ビームを走査
（速度:10mm/sec）させ瞬時に凝固させることにより達
成される。
半導体装置のはんだ封止構造体において、半導体素子の
脱接続に絡んで繰返し封止され発生したボイドやマイク
ロブローホール等の欠陥を有する封止はんだ層は、封止
外部側から照射される放射性エネルギービームによつ
て、部分的に加熱され、外側のはんだフイレツト部から
内側に再溶融し、該ビームを走査させることにより順次
急冷凝固する。この場合、前記欠陥は、部分的な加熱の
再溶融時に除去される。
脱接続に絡んで繰返し封止され発生したボイドやマイク
ロブローホール等の欠陥を有する封止はんだ層は、封止
外部側から照射される放射性エネルギービームによつ
て、部分的に加熱され、外側のはんだフイレツト部から
内側に再溶融し、該ビームを走査させることにより順次
急冷凝固する。この場合、前記欠陥は、部分的な加熱の
再溶融時に除去される。
放射性エネルギービーム照射による加熱は、封止はんだ
層部のフイレツト表面からであり、部分的な加熱による
再溶融部分は、該ビームの移動で加熱源を失ない、また
セラミツクス多層板や封止ハウジングの熱容量の関係も
あり急冷凝固される。急冷凝固したはんだ層部分は組織
的にち密である。したがつて、はんだ封止部は、封止内
部側よりも封止外部側のはんだ組織がち密である二重は
んだ層となる。
層部のフイレツト表面からであり、部分的な加熱による
再溶融部分は、該ビームの移動で加熱源を失ない、また
セラミツクス多層板や封止ハウジングの熱容量の関係も
あり急冷凝固される。急冷凝固したはんだ層部分は組織
的にち密である。したがつて、はんだ封止部は、封止内
部側よりも封止外部側のはんだ組織がち密である二重は
んだ層となる。
一般に、はんだ組織が微細であることは、はんだ付継手
部の耐熱疲労寿命が高信頼化にあることや耐食性に優れ
ているといわれている。これによつて、半導体装置のは
んだ封止部は、繰返し封止時の欠陥排除が行われると同
時にはんだ組織のち密化が得られ、高信頼性封止構造体
が得られる。
部の耐熱疲労寿命が高信頼化にあることや耐食性に優れ
ているといわれている。これによつて、半導体装置のは
んだ封止部は、繰返し封止時の欠陥排除が行われると同
時にはんだ組織のち密化が得られ、高信頼性封止構造体
が得られる。
大型コンピユータのセラミツクス多層基板と冷却ハウジ
ングのはんだ封止部は、最も重要部分であるLSI素子実
装部分を保護しかつ素子上部からの熱冷却構造として必
須構造である。そのため、LSI素子特性を高信頼化に保
つためにもはんだ封止部の接続信頼性の向上が必要なこ
ととなる。
ングのはんだ封止部は、最も重要部分であるLSI素子実
装部分を保護しかつ素子上部からの熱冷却構造として必
須構造である。そのため、LSI素子特性を高信頼化に保
つためにもはんだ封止部の接続信頼性の向上が必要なこ
ととなる。
はんだ封止部の耐熱疲労特性を向上させるためには、は
んだ封止部に熱疲労破壊に起因するボイド等の欠陥がな
いこと、熱疲労に耐えれる十分なはんだ量の確保、はん
だ層そのものを長寿命化させることにつきる。
んだ封止部に熱疲労破壊に起因するボイド等の欠陥がな
いこと、熱疲労に耐えれる十分なはんだ量の確保、はん
だ層そのものを長寿命化させることにつきる。
本発明においては、はんだ部分の外部領域の組織をち密
化した。はんだ部分は、ハウジングと水平面で接してい
てもよく、あるいは傾斜をつけて外部領域を広くしても
よい。
化した。はんだ部分は、ハウジングと水平面で接してい
てもよく、あるいは傾斜をつけて外部領域を広くしても
よい。
このはんだの組成の例には、Sn系、Pb系からなる二元
系、及び複数元素からなる多元系のはんだ合金がある。
系、及び複数元素からなる多元系のはんだ合金がある。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１ 本発明の１実施例を、第１図〜第５図により説明する。
第1-1図は、本発明における半導体装置の高信頼性封止
構造体の１例の断面図であり、第1-2図は、そのはんだ
封止部の拡大断面図である。
構造体の１例の断面図であり、第1-2図は、そのはんだ
封止部の拡大断面図である。
第1-1図及び第1-2図において、符号１は多層基板、1aは
厚膜メタライズ、２は入出力ピン、３は半導体素子、４
はCCBはんだ、５はチツプキヤリア、６は共晶はんだ、
７は上くし歯、８は下くし歯、９はハウジング、10は低
温はんだ、11は微細組織はんだを意味する。
厚膜メタライズ、２は入出力ピン、３は半導体素子、４
はCCBはんだ、５はチツプキヤリア、６は共晶はんだ、
７は上くし歯、８は下くし歯、９はハウジング、10は低
温はんだ、11は微細組織はんだを意味する。
第２図及び第３図は放射エネルギービームの照射方法の
説明であり、符号９〜11は第１図と同義、9aは薄膜メタ
ライズ、12はレーザ光照射矢図、12aは照射スポツト、1
2b及び12cはスポツト走査方向矢図を意味する。
説明であり、符号９〜11は第１図と同義、9aは薄膜メタ
ライズ、12はレーザ光照射矢図、12aは照射スポツト、1
2b及び12cはスポツト走査方向矢図を意味する。
第４図は従来方法によるはんだ封止部縦断面図であり、
符号１、1a、９、9a及び10は前記のとおりであつて、13
はボイド欠陥を意味する。
符号１、1a、９、9a及び10は前記のとおりであつて、13
はボイド欠陥を意味する。
第５図は耐熱疲労特性の説明図であり、横軸はNf（寿
命）、縦軸はひずみ量を意味する。
命）、縦軸はひずみ量を意味する。
第１図に示したように、裏面側に入出力ピン２を具備し
たセラミツクス多層板１上に、発熱を放散伝達する上く
し歯７を背面につけ、脱接続を有効にするチツプキヤリ
ア５とCCBはんだ４で接続された半導体素子３を、共晶
はんだ６で搭載し、半導体素子等の発熱を冷却しかつ該
素子特性の保持及び信頼性向上のために、素子搭載全域
部をハウジング９（例えばMoCuあるいはAlN）で該多層
基板１にはんだ封止する。この場合、チツプキヤリア５
と半導体素子３の接続は、Pb-5％SnのCCBはんだ４で、
該基板上への搭載はPb-60％Sn（融点：液相190℃、固相
183℃）の共晶はんだ６である。したがつて、ハウジン
グの該基板封止はんだ材としては、該搭載部を再溶融す
るようなダメージを与えないため、共晶はんだの融点
（固相183℃）よりも低いはんだで封止する必要があ
る。そこで本発明では低温はんだ、例えばPb45％、Bi18
％、残Snからなるはんだ（融点：液相160℃、固相136
℃）で封止した。
たセラミツクス多層板１上に、発熱を放散伝達する上く
し歯７を背面につけ、脱接続を有効にするチツプキヤリ
ア５とCCBはんだ４で接続された半導体素子３を、共晶
はんだ６で搭載し、半導体素子等の発熱を冷却しかつ該
素子特性の保持及び信頼性向上のために、素子搭載全域
部をハウジング９（例えばMoCuあるいはAlN）で該多層
基板１にはんだ封止する。この場合、チツプキヤリア５
と半導体素子３の接続は、Pb-5％SnのCCBはんだ４で、
該基板上への搭載はPb-60％Sn（融点：液相190℃、固相
183℃）の共晶はんだ６である。したがつて、ハウジン
グの該基板封止はんだ材としては、該搭載部を再溶融す
るようなダメージを与えないため、共晶はんだの融点
（固相183℃）よりも低いはんだで封止する必要があ
る。そこで本発明では低温はんだ、例えばPb45％、Bi18
％、残Snからなるはんだ（融点：液相160℃、固相136
℃）で封止した。
封止する場合、Ni-Auめつきメタライズをしたハウジン
グの封止部にあらかじめロジン系フラツクスを用いてむ
かえはんだ層を形成させ、一方のセラミツクス多層板の
封止部（例えばW-Ni厚膜メタライズ1a）にも接続に必要
な量だけのむかえはんだ層を形成させた。
グの封止部にあらかじめロジン系フラツクスを用いてむ
かえはんだ層を形成させ、一方のセラミツクス多層板の
封止部（例えばW-Ni厚膜メタライズ1a）にも接続に必要
な量だけのむかえはんだ層を形成させた。
フラツクスの除去洗浄を十分にした後に、該セラミツク
ス多層板上にハウジングを位置合せをし、雰囲気炉中
（例えばHe又はN2ガス雰囲気）でそれぞれのはんだを加
熱溶融（最高温度180℃）させて接合し封止させた。
ス多層板上にハウジングを位置合せをし、雰囲気炉中
（例えばHe又はN2ガス雰囲気）でそれぞれのはんだを加
熱溶融（最高温度180℃）させて接合し封止させた。
一般に、接合面積の多い部分のはんだ付部においては、
第４図のはんだ封止部断面図に示すように、はんだ10と
メタライズ1a、9aとのぬれ反応ガスやメタライズそのも
のから加熱による発生ガス等によつて、ガスボイドやマ
イクロブローホール等のボイド欠陥13が生じ、はんだ層
内に形成されやすい。
第４図のはんだ封止部断面図に示すように、はんだ10と
メタライズ1a、9aとのぬれ反応ガスやメタライズそのも
のから加熱による発生ガス等によつて、ガスボイドやマ
イクロブローホール等のボイド欠陥13が生じ、はんだ層
内に形成されやすい。
第２図及び第３図は、はんだ封止したはんだ層部のボイ
ド欠陥を排除し、ち密なはんだ組織層を形成させる説明
図である。
ド欠陥を排除し、ち密なはんだ組織層を形成させる説明
図である。
第２図で、セラミツクス多層板１上にハウジング９を封
止した低温はんだ層10の封止外部側から放射性エネルギ
ービーム（例えば、CW-YAGレーザ光、出力：約100W、照
射ビームスポツト径：約φ3.0mm）を照射すると、図示
したように、封止はんだ断面層の外側から内側にかけ
て、はんだ層の部分的な再溶融が開始される。この場
合、はんだ層の全域を再溶融させてしまうと、封止内部
の雰囲気が外部とリークしてしまい半導体素子特性の保
持上からも好ましくない。したがつて、再溶融・凝固さ
せるはんだ層領域は、はんだ封止幅の1/3〜1/2がよい。
なお、加熱溶融幅は、該ビームの照射時間、出力等によ
つてコントロールできる。また、凝固は該ビームの照射
を停止するかあるいは照射場所を移動させると加熱溶融
の熱源が供給されず凝固形態をとる。該エネルギービー
ムによる部分的な加熱溶融は、該ビームが高出力による
高熱源であるため瞬時に開始できる特徴がある。逆に、
該エネルギービームの照射停止で部分的な溶融部は、未
溶融部からの熱吸収（熱伝達による）により瞬時すなわ
ち急冷凝固される。
止した低温はんだ層10の封止外部側から放射性エネルギ
ービーム（例えば、CW-YAGレーザ光、出力：約100W、照
射ビームスポツト径：約φ3.0mm）を照射すると、図示
したように、封止はんだ断面層の外側から内側にかけ
て、はんだ層の部分的な再溶融が開始される。この場
合、はんだ層の全域を再溶融させてしまうと、封止内部
の雰囲気が外部とリークしてしまい半導体素子特性の保
持上からも好ましくない。したがつて、再溶融・凝固さ
せるはんだ層領域は、はんだ封止幅の1/3〜1/2がよい。
なお、加熱溶融幅は、該ビームの照射時間、出力等によ
つてコントロールできる。また、凝固は該ビームの照射
を停止するかあるいは照射場所を移動させると加熱溶融
の熱源が供給されず凝固形態をとる。該エネルギービー
ムによる部分的な加熱溶融は、該ビームが高出力による
高熱源であるため瞬時に開始できる特徴がある。逆に、
該エネルギービームの照射停止で部分的な溶融部は、未
溶融部からの熱吸収（熱伝達による）により瞬時すなわ
ち急冷凝固される。
このため、再溶融して凝固させたはんだ層は、未溶融部
の結晶寸法（約10〜15μm/個）よりもち密なはんだ層
（結晶寸法：約１〜３μm/個）となる。したがつて、第
３図のようにハウジングとセラミツクス多層板のはんだ
封止部が比較的長寸法にある場合は、照射ビームをはん
だ封止部に沿つて走査（前期条件の場合、走査速度５〜
15mm/sec）させるか又は封止構造物を移動させること
で、第1-2図の断面構造が得られる。
の結晶寸法（約10〜15μm/個）よりもち密なはんだ層
（結晶寸法：約１〜３μm/個）となる。したがつて、第
３図のようにハウジングとセラミツクス多層板のはんだ
封止部が比較的長寸法にある場合は、照射ビームをはん
だ封止部に沿つて走査（前期条件の場合、走査速度５〜
15mm/sec）させるか又は封止構造物を移動させること
で、第1-2図の断面構造が得られる。
また、第３図のような封止構造体においては、該ビーム
照射スポツトを矢図12b、12cのように同時に走査するこ
とで封止構造物への熱ストレスは解消でき高能率であ
る。
照射スポツトを矢図12b、12cのように同時に走査するこ
とで封止構造物への熱ストレスは解消でき高能率であ
る。
第５図は、本発明で得られた高信頼性封止構体（第1-1
図）の耐熱疲労特性の説明図である。
図）の耐熱疲労特性の説明図である。
はんだ封止部に、放射性エネルギービームを照射させち
密なはんだ組織層を形成させた場合（第５図Ａ）と形成
させない場合（第５図Ｂ）との耐熱疲労特性は、該ビー
ム照射有りの方が無しの場合に比べて約10倍以上の信頼
性向上が得られた。更に、ち密なはんだ層部を形成した
構造は、形成なしのもに比べて数段の耐食性向上があつ
た。
密なはんだ組織層を形成させた場合（第５図Ａ）と形成
させない場合（第５図Ｂ）との耐熱疲労特性は、該ビー
ム照射有りの方が無しの場合に比べて約10倍以上の信頼
性向上が得られた。更に、ち密なはんだ層部を形成した
構造は、形成なしのもに比べて数段の耐食性向上があつ
た。
実施例２ 本発明の構造体の封止部の１例を第６図に示す。すなわ
ち第６図は本発明の他の１例におけるはんだ封止部の拡
大断面図である。第６図において符号１、1a、９、9a、
10及び11は前記のとおりであり、9bはハウジング封止部
を意味する。第６図に示すようにまず、冷却ハウジング
の封止部9bに傾斜加工部を加えてはんだ封止する。ハウ
ジング部の構造が傾斜であるため、はんだ封止時の発生
ガスは封止外部の方に逃げるため、はんだ封止層内の欠
陥は少なくなる。また、この構造により、封止部のセラ
ミツクス多層基板との間隙が封止外部側に大きくなり、
したがつて封止はんだ量が十分に確保できる。
ち第６図は本発明の他の１例におけるはんだ封止部の拡
大断面図である。第６図において符号１、1a、９、9a、
10及び11は前記のとおりであり、9bはハウジング封止部
を意味する。第６図に示すようにまず、冷却ハウジング
の封止部9bに傾斜加工部を加えてはんだ封止する。ハウ
ジング部の構造が傾斜であるため、はんだ封止時の発生
ガスは封止外部の方に逃げるため、はんだ封止層内の欠
陥は少なくなる。また、この構造により、封止部のセラ
ミツクス多層基板との間隙が封止外部側に大きくなり、
したがつて封止はんだ量が十分に確保できる。
更に、封止外部側のはんだ面が大きいことは、封止はん
だ層を高信頼性に導くための放射性エネルギービーム照
射も容易で高熱量供給が可能となり、したがつて、瞬時
の再溶融・凝固が封止内部近傍まで行え、ち密なはんだ
層が多く形成でき、より一層の高信頼性向上を図ること
ができる。
だ層を高信頼性に導くための放射性エネルギービーム照
射も容易で高熱量供給が可能となり、したがつて、瞬時
の再溶融・凝固が封止内部近傍まで行え、ち密なはんだ
層が多く形成でき、より一層の高信頼性向上を図ること
ができる。
本発明によれば、はんだ封止部の欠陥の排除が容易にで
き、かつち密なはんだ層を形成することができる。した
がつて、耐熱疲労特性と耐食性に優れた高信頼性封止構
造の半導体装置を製造できる効果がある。
き、かつち密なはんだ層を形成することができる。した
がつて、耐熱疲労特性と耐食性に優れた高信頼性封止構
造の半導体装置を製造できる効果がある。
第1-1図は本発明の１実施例のはんだ封止構造体の縦断
面図、第1-2図はその部分拡大断面図、第２図及び第３
図は放射性エネルギービームの照射方法の説明図、第４
図は従来方法によるはんだ封止部縦断面図、第５図は耐
熱疲労特性の説明図、第６図は本発明の他の１例におけ
るはんだ封止部の拡大断面図である。 1:多層基板、1a:厚膜メタライズ、2:入出力ピン、3:半
導体、4:CCBはんだ、5:チツプキヤリア、6:共晶はん
だ、7:上くし歯、8:下くし歯、9:ハウジング、9a:薄膜
メタライズ、9b:ハウジング封止部、10:低温はんだ、1
1:微細組織はんだ、12:レーザ光照射矢図、12a:照射ス
ポツト、12a及び12b:照射スポツト走査方向矢図、13:ボ
イド欠陥
面図、第1-2図はその部分拡大断面図、第２図及び第３
図は放射性エネルギービームの照射方法の説明図、第４
図は従来方法によるはんだ封止部縦断面図、第５図は耐
熱疲労特性の説明図、第６図は本発明の他の１例におけ
るはんだ封止部の拡大断面図である。 1:多層基板、1a:厚膜メタライズ、2:入出力ピン、3:半
導体、4:CCBはんだ、5:チツプキヤリア、6:共晶はん
だ、7:上くし歯、8:下くし歯、9:ハウジング、9a:薄膜
メタライズ、9b:ハウジング封止部、10:低温はんだ、1
1:微細組織はんだ、12:レーザ光照射矢図、12a:照射ス
ポツト、12a及び12b:照射スポツト走査方向矢図、13:ボ
イド欠陥
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢畠 守 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 白井 貢 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所神奈川工場内 (72)発明者 和井 伸一 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所神奈川工場内 (56)参考文献 特開 昭62−264697（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−258456（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】多層配線基板上に搭載した複数個の半導体
素子の背面から放熱冷却する構造のハウジング封止部が
該多層配線基板にはんだ封止された封止構造体におい
て、半導体素子を搭載しない外部領域に面する封止部の
はんだ部分が、内部よりもち密なはんだ凝固組織である
ことを特徴とする高信頼性封止構造体。 - 【請求項２】該封止部のはんだの組成が、Sn系、Pb系か
らなる二元系、又は複数元素からなる多元系のはんだ合
金である特許請求の範囲第１項記載の高信頼性封止構造
体。 - 【請求項３】多層配線基板上に搭載した複数個の半導体
素子の背面から放熱冷却する構造のハウジング封止部が
該多層配線基板にはんだ封止された封止構造体を製造す
る方法において、半導体素子を搭載しない外部領域に面
する封止部のはんだ部分を、再溶融し、次いで急速に凝
固させて、内部よりもち密なはんだ凝固組織を形成させ
ることを特徴とする高信頼性封止構造体の製造方法。 - 【請求項４】該はんだ凝固組織を形成させる熱源とし
て、放射性エネルギービームを用いる特許請求の範囲第
３項記載の高信頼性封止構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62210338A JPH0712066B2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 高信頼性封止構造体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62210338A JPH0712066B2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 高信頼性封止構造体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6454748A JPS6454748A (en) | 1989-03-02 |
| JPH0712066B2 true JPH0712066B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=16587756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62210338A Expired - Lifetime JPH0712066B2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 高信頼性封止構造体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712066B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0392673U (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-20 | ||
| US5135397A (en) * | 1990-06-28 | 1992-08-04 | Hughes Aircraft Company | 3-d weather for digital radar landmass simulation |
| JPH04372079A (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置 |
| EP1920864B1 (en) * | 2006-11-13 | 2022-07-13 | Volvo Car Corporation | Method for laser brazing with twinspot |
| JP6189744B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-08-30 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
-
1987
- 1987-08-26 JP JP62210338A patent/JPH0712066B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6454748A (en) | 1989-03-02 |
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