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JPH07120732B2 - 紫外線による消去の可能なｅｐｒｏｍ型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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JPH07120732B2 - 紫外線による消去の可能なｅｐｒｏｍ型半導体装置とその製造方法 - Google Patents

紫外線による消去の可能なｅｐｒｏｍ型半導体装置とその製造方法

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JPH07120732B2
JPH07120732B2 JP61300212A JP30021286A JPH07120732B2 JP H07120732 B2 JPH07120732 B2 JP H07120732B2 JP 61300212 A JP61300212 A JP 61300212A JP 30021286 A JP30021286 A JP 30021286A JP H07120732 B2 JPH07120732 B2 JP H07120732B2
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、紫外線による消去の可能なEPROM型半導体装
置とその製造方法に関する。
この種装置については、一部に紫外線透過性の部分を有
するコンテナ（容器）又はパッケージを用い、その中に
配された半導体チップに紫外線が達し得るよう構成せね
ばならないことが知られでいる。
今日知られているこのための解決法によれば、水晶（ク
オーツ）又はサファイアレンズを嵌め込んだセラミック
製コンテナを必要とする。だが、これは高価につくもの
であり、従って満足し得る解決策とは言えない。
本発明の目的は、経済的に製造し得る、紫外線による消
去の可能なEPROM型半導体装置を製造することである。
本発明によれば、この目的は、上方部分に窓を有する紫
外線不透過性プラスチック材の中空体から成るコンテナ
内に配された半導体チップを有し、前記コンテナの内部
空間が紫外線透過性プラスチック材により充填されてい
るEPROM型半導体装置であって、中央のパッド及び側方
のリードから成る金属フレームと、この金属フレームの
上面及び下面に設けた絶縁材料のフレーム及び絶縁材料
の層と、前記パッド上に配し且つ前記リードに電気的に
接続された半導体チップと、前記絶縁材料のフレームに
囲まれた部分に前記半導体チップを覆って形成された紫
外線透過性プラスチック材の層と、この紫外線透過性プ
ラスチック材の層及び前記半導体チップの上方に設けら
れた窓を有し、前記紫外線透過性プラスチック材の層と
前記半導体チップと前記金属フレームの周囲に形成され
た紫外線不透過性プラスチック材のコンテナとから成る
ことを特徴とする紫外線による消去の可能なEPROM型半
導体装置を提供することにより達成される。
半導体チップとコンテナの窓の間に配される紫外線透過
性プラスチック材の厚みを正しく選択設定することによ
り機能上全く満足し得るものであると同時に経済的にも
はるかに有利な半導体装置を得ることが出来る。
また、金属フレームの上面及び下面に設けた絶縁材料の
フレーム及び絶縁材料の層が存在することにより、これ
らが紫外線透過性プラスチック材の層を充填する際の密
封壁として機能するため、紫外線透過性プラスチック材
の層を成形する金型は上型のみで足り、従前の如く上型
と下型を組み合わせて使用する必要がないので、その分
だけ製造コストの削減を図ることができる。
本発明による半導体装置の製造に採用し得る製造方法の
実施例を、本発明の例示のみの意味で、添付図面に示
す。
第１図ないし第３図に示される製造方法は、中央のパッ
ド２及び側方のリード３を有する通常の金属フレーム１
を利用するものである。フレーム１の下面には絶縁材料
の層４が予め形成されており、また上面には絶縁材料の
フレーム５が予め設けられている。ここで、細径の電線
又はボンド７により側方のリード３に電気的に接続され
た半導体チップ６をパッド２に取付ける。この状態が第
１図に示されている。巣（キャビティ）が絶縁材のフレ
ーム５に囲まれた部分（面積）に等しい水平方向の寸法
を有する適宜の金型を用いまた絶縁材料の層４及びフレ
ーム５を密封壁として利用して、半導体チップ６、ボン
ド７及び金属フレーム１の下方の部分に紫外線に対し透
明な即ち紫外線透過性であるような化学組成及び／又は
厚みを有する樹脂８の層を形成する。この樹脂８の層
は、後述の目的のため、半導体チップ６に心合わせをし
た環状の突起部９をその上方部分に有している。この状
態が第２図に示されている。
上記のように製造された組立体の周囲に、適宜形状の金
型を用いて、樹脂８の環状の突起部９と、従ってまた半
導体チップ６とに心合わせした窓11を有する、紫外線不
透過性樹脂のコンテナ又はパッケージ10を形成する。こ
の時、突起部９は窓11の下方にある紫外線透過性樹脂の
部分に紫外線不透過性樹脂が入り込むのを防止する。以
上により、第３図に示される完成装置が製造される。
第４図ないし第８図に示される製造方法は、中央のパッ
ド22、内方のフレーム23、外方のフレーム24及びリード
25を有する金属フレーム21（第４図）を利用するもので
ある。パッド22に半導体チップ26を取付け、これをボン
ド27によりリード25に接続する。適宜金型を用いまた内
方のフレーム23をガスケットとして利用して、半導体チ
ップ26及びボンド27上に紫外線に対し透明であるような
厚みの樹脂28の層を形成する。この樹脂28の層は、半導
体チップ26に心合わせをした中央の突起部29をその上方
部分に有している（第５図及び第６図）。内方のフレー
ム23を切断除去し（第７図）、最後に紫外線透過性の樹
脂層28の中央上方の突起部29と、従ってまた半導体チッ
プ26とに心合わせした窓31を有する、紫外線不透過性樹
脂のコンテナ又はパッケージ30を形成する。以上によ
り、第８図に示される装置が製造される。
第９図ないし第11図に示される製造方法は、紫外線不透
過性のプラスチック材から、中央部に窓42を有する中空
体の形でリード43の組立体に予め形成されたコンテナ又
はパッケージ41を利用する（第９図）という点で、上に
記載した製造方法とは実質的に異なるものである。コン
テナ41中に、ボンド45によりリード43に接続した半導体
チップ44を挿入して取付け、次いで半導体チップ44とボ
ンド45の組立体に紫外線透過性の樹脂46の層を注入形成
する（第10図）。窓42中に、肩部47との当接係合を利用
して、紫外線透過性のレンズ48を挿入して取付けるが、
このレンズにより樹脂層46を押圧し、それがコンテナ41
の内部空間を完全に占めるようにして、その厚み分布を
均一に設定固定する（第11図）。この方法によれば、半
導体チップ44の欠陥のない保護のみならず、紫外線を透
過させるのに適した紫外線透過性樹脂の厚みの設定もま
た可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図及び第３図は、本発明の製造方法の１実
施例の種々の工程における、本発明による半導体装置を
示す断面図であり、第４図、第５図、第６図、第７図及
び第８図は他の製造方法の種々の工程における半導体装
置を示す平面図（第４図、第５図及び第７図）及び断面
図（第６図及び第８図）であり、第９図、第10図及び第
11図は、更に他の製造方法の種々の工程における半導体
装置の断面図である。 １……金属フレーム、２……（中央の）パッド、３……
リード、4,5……絶縁材料の層、６……半導体チップ、
７……電線又はボンド、８……紫外線透過性の樹脂（又
はその層）、９……突起部、10……コンテナ又はパッケ
ージ、11……窓。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｃ 8617−4Ｍ 23/29 23/31 29/788 29/792

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上方部分に窓（11）を有する紫外線不透過
    性プラスチック材の中空体から成るコンテナ（10）内に
    配された半導体チップ（６）を有し、前記コンテナ（1
    0）の内部空間が紫外線透過性プラスチック材（８）に
    より充填されているEPROM型半導体装置であって、中央
    のパッド（２）及び側方のリード（３）から成る金属フ
    レーム（１）と、この金属フレーム（１）の上面及び下
    面に設けた絶縁材料のフレーム（５）及び絶縁材料の層
    （４）と、前記パッド（２）上に配し且つ前記リード
    （３）に電気的に接続された半導体チップ（６）と、前
    記絶縁材料のフレーム（５）に囲まれた部分に前記半導
    体チップ（６）を覆って形成された紫外線透過性プラス
    チック材の層（８）と、この紫外線透過性プラスチック
    材の層（８）及び前記半導体チップ（６）の上方に設け
    られた窓（11）を有し、前記紫外線透過性プラスチック
    材の層（８）と前記半導体チップ（６）と前記金属フレ
    ーム（１）の周囲に形成された紫外線不透過性プラスチ
    ック材のコンテナ（10）とから成ることを特徴とする紫
    外線による消去の可能なEPROM型半導体装置。
  2. 【請求項２】中央のパッド（２）及び側方のリード
    （３）から成る金属フレーム（１）を準備する工程と、
    絶縁材料のフレーム（５）及び絶縁材料の層（４）を前
    記金属フレーム（１）の上面及び下面に設ける工程と、
    半導体チップ（６）を前記パッド（２）上に配し且つそ
    れを前記リード（３）に電気的に接続する工程と、紫外
    線透過性プラスチック材の層（８）を前記絶縁材料のフ
    レーム（５）に囲まれた部分に前記半導体チップ（６）
    を覆って形成する工程と、前記紫外線透過性プラスチッ
    ク材の層（８）及び前記半導体チップ（６）の上方に窓
    （11）を形成して紫外線不透過性プラスチック材のコン
    テナ（10）を前記紫外線透過性プラスチック材（８）の
    層、前記半導体チップ（６）及び前記金属フレーム
    （１）の周囲に形成する工程とを有するEPROM型半導体
    装置の製造方法であって、前記紫外線透過性プラスチッ
    ク材の層（８）に上方突起部（９）を形成し、これを前
    記コンテナ（10）形成時の障壁形成及び心合わせに利用
    することを特徴とする紫外線による消去の可能なEPROM
    型半導体装置の製造方法。
JP61300212A 1985-12-20 1986-12-18 紫外線による消去の可能なｅｐｒｏｍ型半導体装置とその製造方法 Expired - Lifetime JPH07120732B2 (ja)

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IT23335A/85 1985-12-20

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