Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH07120910B2 - Transistor type high frequency power supply - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH07120910B2 - Transistor type high frequency power supply - Google Patents

Transistor type high frequency power supply

Info

Publication number
JPH07120910B2
JPH07120910B2 JP62209256A JP20925687A JPH07120910B2 JP H07120910 B2 JPH07120910 B2 JP H07120910B2 JP 62209256 A JP62209256 A JP 62209256A JP 20925687 A JP20925687 A JP 20925687A JP H07120910 B2 JPH07120910 B2 JP H07120910B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
high frequency
transistor
power
signal
signals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62209256A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6453615A (en
Inventor
弘 矢野
政司 下永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP62209256A priority Critical patent/JPH07120910B2/en
Publication of JPS6453615A publication Critical patent/JPS6453615A/en
Publication of JPH07120910B2 publication Critical patent/JPH07120910B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Arc Welding In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 複数個のトランジスタ増幅器により別々に電力増幅した
高周波信号を合成して大幅に電力増幅された高周波信号
を出力するトランジスタ型高周波電源に関し、 トランジスタ増幅器で発生する高周波の影響を除去する
ことを目的とし、高周波信号を分配器を通して並列にm
個(ただし、mは4以上の整数)のトランジスタ増幅器
に供給して夫々電力を増幅し、該m個のトランジスタ増
幅器より並列に取り出された高周波信号を合成器により
合成して電力増幅度がm倍とされた合成高周波信号を取
り出すトランジスタ型高周波電源において、該m個のト
ランジスタ増幅器より並列に取り出された該高周波信号
のうち一定数の信号ずつを合成する合成手段と、該合成
手段の各出力合成信号に対して夫々その不要周波数成分
を除去して前記合成器へ供給するフィルタ回路とを具備
するように構成する。
The present invention relates to a transistor-type high-frequency power supply that combines high-frequency signals that have been separately power-amplified by a plurality of transistor amplifiers and outputs a high-frequency signal that has been significantly power-amplified. In order to remove the effect of
(Where m is an integer equal to or greater than 4) to amplify the power respectively, and the high frequency signals extracted in parallel from the m transistor amplifiers are combined by a combiner to obtain a power amplification degree m. In a transistor type high frequency power source for taking out a doubled combined high frequency signal, a combining means for combining a fixed number of signals out of the high frequency signals taken out in parallel from the m transistor amplifiers, and respective outputs of the combining means. A filter circuit for removing unnecessary frequency components from the synthesized signal and supplying the synthesized signal to the synthesizer is provided.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明はトランジスタ型高周波電源に係り、特に複数個
のトランジスタ増幅器により別々に電力増幅した高周波
信号を合成して大幅に電力増幅された高周波信号を出力
するトランジスタ型高周波電源に関する。
The present invention relates to a transistor type high frequency power source, and more particularly to a transistor type high frequency power source that combines high frequency signals that have been separately power-amplified by a plurality of transistor amplifiers and outputs a significantly power-amplified high frequency signal.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

プラズマ処理装置に対して13.56MHzの励起周波数(高周
波信号)を供給するようなトランジスタ型高周波電源
は、例えば2400W程度の大電力を必要とするが、500W以
上の出力になると高出力トランジスタが無いことから、
複数個のトランジスタ増幅器を並列に設け、夫々のトラ
ンジスタ増幅器の出力高周波信号を合成器により合成す
る。
A transistor-type high-frequency power supply that supplies an excitation frequency (high-frequency signal) of 13.56MHz to a plasma processing device requires a large amount of power, for example, about 2400W, but there is no high-output transistor at an output of 500W or more. From
A plurality of transistor amplifiers are provided in parallel, and the output high frequency signals of the respective transistor amplifiers are combined by a combiner.

これにより、例えば300Wの高周波信号を出力できるトラ
ンジスタ増幅器を8個並列に設け、それらの出力高周波
信号を合成器により合成すると、2400(=8×300)W
に電力増幅された高周波信号を合成器より取り出すこと
ができる。
As a result, if 8 transistor amplifiers that can output high-frequency signals of 300 W are provided in parallel and the output high-frequency signals are combined by a combiner, 2400 (= 8 × 300) W
The high-frequency signal whose power has been amplified can be taken out from the combiner.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかるに、上記の従来のトランジスタ型高周波電源は、
トランジスタ増幅器において発生した高周波により、出
力インピーダンスが規定の50Ωに調整しにくく、またト
ランスの発熱を低下させるための放熱機構が必要なため
に装置が大型となるという問題点があった。
However, the above-mentioned conventional transistor type high frequency power supply,
Due to the high frequency generated in the transistor amplifier, it is difficult to adjust the output impedance to the prescribed 50Ω, and a heat dissipation mechanism for reducing the heat generation of the transformer is required, which causes a problem that the device becomes large.

本発明は上記の点に鑑みて創作されたもので、トランジ
スタ増幅器で発生する不要な高周波の影響を除去したト
ランジスタ型高周波電源を提供することを目的とする。
The present invention was created in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a transistor type high frequency power source in which the influence of unnecessary high frequency generated in the transistor amplifier is removed.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

第1図は本発明の原理構成図を示す。図において、1は
入力高周波信号をm分岐(ただし、mは4以上の整数)
する分配器、21〜2mはm個のトランジスタ増幅器、31
3nは一定数の信号ずつを合成する合成手段、41〜4nはn
個(ただし、nはmより小なる正の整数)は合成手段31
〜3nに各々対応して設けられたフィルタ回路、5はn個
の合成信号を合成して合成高周波信号を取り出す合成器
である。
FIG. 1 shows the principle configuration of the present invention. In the figure, 1 is an input high frequency signal branched into m (where m is an integer of 4 or more)
Distributor, 2 1 to 2 m are m transistor amplifiers, 3 1 to
3 n is a synthesizing means for synthesizing a fixed number of signals at a time, 4 1 to 4 n are n
The number (where n is a positive integer smaller than m) is the synthesizing means 3 1
Filter circuits 5 provided corresponding to 3 n respectively, are synthesizers for synthesizing n synthesized signals and extracting synthesized high frequency signals.

フィルタ回路41〜4nは高周波信号の信号帯域は波し、
高調波のような不要周波数成分を除去する周波数特性に
設定されている。
The filter circuits 4 1 to 4 n wave the signal band of the high frequency signal,
The frequency characteristic is set to remove unnecessary frequency components such as harmonics.

〔作用〕[Action]

トランジスタ増幅器21〜2mにより夫々電力増幅されて取
り出された高周波信号は、一定数の信号ずつがn個の合
成手段31〜3nにより夫々合成される。従って、上記一定
数をiとすると、n×i=mとなる。
Frequency signal taken out are respectively the power amplifier by transistor amplifier 2 1 to 2 m are each a certain number of signals are respectively synthesized by the n synthesizing means 3 1 to 3 n. Therefore, if the constant number is i, then n × i = m.

合成手段31〜3nにより各々合成されて並列に取り出され
た高周波信号はフィルタ回路41〜4nに別々に供給され、
ここで不要周波数成分を除去された後合成器5に供給さ
れる。これにより、合成器5からはトランジスタ増幅器
21〜2mの各出力高周波信号を更にm倍に電力増幅した高
周波信号が取り出される。
The high frequency signals synthesized by the synthesizing means 3 1 to 3 n and taken out in parallel are separately supplied to the filter circuits 4 1 to 4 n ,
Here, the unnecessary frequency component is removed and then supplied to the synthesizer 5. As a result, the transistor amplifier from the synthesizer 5
A high-frequency signal obtained by power-amplifying each output high-frequency signal of 2 1 to 2 m by m times is extracted.

ここで、フィルタ回路41〜4nにより入力高周波信号の不
要な高周波が除去されるので、不要な高周波による後段
回路へ与える悪影響を防止することができる。また、フ
ィルタ回路41〜4nの個数は合成手段31〜3nによりトラン
ジスタ増幅器21〜2mで増幅された信号より小さい個数と
することができ、したがって、各信号を夫々フィルタリ
ングすることにより信号の減衰量を小さくできる。
Since unnecessary high-frequency input RF signal by the filter circuit 4 1 to 4 n is removed, it is possible to prevent adverse effects to the subsequent circuit due to unnecessary high frequency. Further, the number of filter circuits 4 1 to 4 n can be smaller than the number of signals amplified by the transistor amplifiers 2 1 to 2 m by the combining means 3 1 to 3 n , so that each signal can be filtered individually. Can reduce the amount of signal attenuation.

〔実施例〕〔Example〕

第2図(A)は本発明の一実施例のブロック図、第2図
(B)は同図(A)に対応した電力増幅度の変化を示
す。第2図(A)において、水晶振動子7及び増幅器8
よりなる発振器9より取り出された、例えば13.65MHzの
高周波信号はプリアンプ10により第2図(B)に示す如
く3Wに電力増幅された後、ドライブアンプ11に供給さ
れ、ここで更に電力増幅されて64Wとなる。
FIG. 2 (A) is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 (B) shows a change in power amplification corresponding to FIG. 2 (A). In FIG. 2A, the crystal oscillator 7 and the amplifier 8
The high-frequency signal of, for example, 13.65 MHz taken out from the oscillator 9 made up of is amplified by the preamplifier 10 to 3 W as shown in FIG. 2 (B), and then supplied to the drive amplifier 11, where it is further amplified in power. It becomes 64W.

このドライブアンプ11の出力高周波信号は前記分配器1
に相当する分配器12により8分岐され、夫々8Wの高周波
信号とされてから8個のパワーアンプ131〜138に別々に
供給される。すなわち、本実施例はm=8の場合であ
り、また後述する如くn=4の場合である。
The output high frequency signal of the drive amplifier 11 is the distributor 1
Is divided into eight by a distributor 12 corresponding to the above, and each of them is made into a high frequency signal of 8 W, and then supplied to eight power amplifiers 13 1 to 13 8 separately. That is, the present embodiment is a case of m = 8, and a case of n = 4 as described later.

パワーアンプ131〜138は夫々入力高周波信号の8Wを300W
に電力増幅する複数個のトランジスタ等から構成された
公知の増幅器で、前記トランジスタ増幅器21〜2mを構成
しているが、その増幅動作の際に不要な高周波を発生す
る。
Each of the power amplifiers 13 1 to 13 8 outputs 8 W of the input high frequency signal to 300 W.
In a known amplifier that is composed of a plurality of transistors such that the power amplifier, said transistor amplifier 2 1 but constitutes a to 2 m, to generate unwanted high frequency during its amplifying operation.

パワーアンプ131〜138のうち、131及び132の両出力高周
波信号は合成器141に供給され、同様に133及び134の両
出力高周波信号は合成器142に、135及び136の両出力高
周波信号は合成器143に、更に137及び138の両出力高周
波信号は合成器144に夫々供給される。
Of the power amplifiers 13 1 to 13 8 , both output high frequency signals of 13 1 and 13 2 are supplied to the combiner 14 1 , and similarly both output high frequency signals of 13 3 and 13 4 are supplied to the combiner 14 2 and 13 5 respectively. The output high frequency signals of 13 and 13 6 are supplied to the combiner 14 3 and the output high frequency signals of 13 7 and 13 8 are supplied to the combiner 14 4 .

合成器141〜144は本実施例の要部をなす回路部で、前記
合成手段31〜3nとフィルタ回路41〜4nとを構成してい
る。本実施例では、合成器141〜144は夫々第3図に示す
如き構成とされている。
The synthesizers 14 1 to 14 4 are circuit portions which are essential parts of the present embodiment, and constitute the synthesizer means 3 1 to 3 n and the filter circuits 4 1 to 4 n . In this embodiment, the combiner 14 1-14 4 is the structure shown in each of Figure 3.

第3図において、19,20は夫々コネクタで、前記パワー
アンプ131〜138のうち対応する2つのパワーアンプより
夫々300Wの高周波信号が供給される。コネクタ19よりの
第1の高周波信号とコネクタ20よりの第2の高周波信号
とはコイルL1,L2及びL3,L4により誘導結合されて低域フ
ィルタ21に供給される。
In FIG. 3, 19 and 20 in each connector, the high frequency signal of the corresponding two power amplifiers from each 300W of the power amplifier 131-134 8 is supplied. The first high frequency signal from the connector 19 and the second high frequency signal from the connector 20 are inductively coupled by the coils L 1 , L 2 and L 3 , L 4 and supplied to the low pass filter 21.

低域フィルタ21はコンデンサC1〜C6とコイルL6,L7から
なり、上記第1及び第2の高周波信号周波数13.65MHzを
通過させ、その不要な高周波は減衰させる低域通過特性
に選定されている。これにより、第1及び第2の高周波
信号からなる合成高周波信号は低域フィルタ21によりそ
の不要高周波成分(高調波)を除去される。
The low-pass filter 21 is composed of capacitors C 1 to C 6 and coils L 6 and L 7 , and is selected as a low-pass characteristic that passes the first and second high-frequency signal frequencies of 13.65 MHz and attenuates the unnecessary high-frequency. Has been done. As a result, the unnecessary high frequency component (harmonic) is removed by the low pass filter 21 from the combined high frequency signal composed of the first and second high frequency signals.

この低域フィルタ21の出力合成高周波信号は出力トラン
ス22を通してコネクタ23へ出力される。このコネクタ23
に得られる合成高周波信号は第1及び第2の高周波信号
が夫々300Wなので、それらの和の600Wに増幅されたもの
となる。
The output synthesized high frequency signal of the low pass filter 21 is output to the connector 23 through the output transformer 22. This connector 23
Since the first and second high-frequency signals of the obtained composite high-frequency signal are 300 W each, they are amplified to 600 W which is the sum of them.

一方、本発明の要旨とは直接関係ないが、コイルL2,L3
及びL5よりなる誘導結合により、前記第1及び第2の高
周波信号が合成された後、抵抗R1及びR2よりなる抵抗分
圧回路を通してダイオードD1に供給され、ここで整流さ
れる。
On the other hand, although not directly related to the gist of the present invention, the coils L 2 and L 3
And the first and second high frequency signals are combined by inductive coupling of L 5 and then supplied to the diode D 1 through the resistor voltage divider circuit of the resistors R 1 and R 2 and rectified therein.

ダイオードD1より取り出された整流信号は抵抗R3,コン
デンサC7により平滑された後コネクタ24へパワーモニタ
用信号として出力される。
The rectified signal extracted from the diode D 1 is smoothed by the resistor R 3 and the capacitor C 7 , and then output to the connector 24 as a power monitor signal.

再び第2図に戻って説明するに、上記の構成の合成器14
1〜144より夫々取り出された合成高周波信号は、第2図
(A)に示す合成器15に夫々供給され、ここで合成され
る。
Referring back to FIG. 2 again, the synthesizer 14 having the above-mentioned configuration is described.
1-14 4 from each fetched synthesized high frequency signal, are respectively supplied to the synthesizer 15 shown in FIG. 2 (A), where they are synthesized.

これにより、合成器15からは第2図(B)に示す如く24
00W(=600W×4)に電力増幅された合成高周波信号が
取り出される。この合成高周波信号は方向性結合器16に
より入射波と反射波との分離が行なわれ、パワーモニタ
を行なわれた後、出力端子17を介してプロセスチェンバ
ー内の電極にプラズマ励起周波数として印加される。
As a result, as shown in FIG.
The composite high frequency signal power-amplified to 00 W (= 600 W × 4) is taken out. This composite high frequency signal is separated into an incident wave and a reflected wave by a directional coupler 16 and is subjected to power monitoring, and then applied as an plasma excitation frequency to an electrode in the process chamber via an output terminal 17. .

なお、第2図(A)では図示を省略したが、方向性結合
器16よりのパワーモニタ信号と前記コネクタ24よりのモ
ニタ信号とを比較し、それに応じて実効パワーが一定と
なるように発振器9の発振周波数信号のレベルが制御さ
れる。
Although not shown in FIG. 2 (A), the power monitor signal from the directional coupler 16 is compared with the monitor signal from the connector 24, and the oscillator is adjusted so that the effective power becomes constant accordingly. The level of the oscillation frequency signal 9 is controlled.

このように、本実施例によれば、低域フィルタ21により
高周波を除去しているので、出力トランス22の発熱量が
少なくて済み、また出力インピーダンスも容易に調整で
きる。また、低減フィルタ21は合成器141〜144に設けら
れており、パワーアンプ131及び132の出力を合成した信
号が供給されその低減成分を除去する。このため、低減
フィルタ21の個数はパワーアンプ131〜138の半分で済
み、したがって低域フィルタ21による信号の減衰は各パ
ワーアンプ131〜138に対してフィルタを設ける場合に比
して小さくできる。
As described above, according to this embodiment, since the high frequency is removed by the low-pass filter 21, the amount of heat generated by the output transformer 22 is small, and the output impedance can be easily adjusted. Further, reduction filter 21 is provided to a combiner 14 1-14 4, the signal obtained by combining the output of the power amplifier 13 1 and 13 2 is to remove the reducing components are supplied. Therefore, the number of the reduction filters 21 is half that of the power amplifiers 13 1 to 13 8 , and therefore the signal attenuation by the low-pass filter 21 is smaller than that in the case where a filter is provided for each power amplifier 13 1 to 13 8 . Can be made smaller.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

上述の如く、本発明によれば、高周波による後段回路へ
与える悪影響を防止することができるので、出力トラン
スの発熱量が少なく、放熱のための装置が小型で済み、
またトランジスタ増幅器の出力インピーダンスを規定値
に容易に調整することができる等の特長を有するもので
ある。また、フィルタ回路41〜4nには合成手段31〜3n
よりトランジスタ増幅器21〜2mで増幅された信号を合成
した信号が供給され、信号数より少なくできるため、各
信号をフィルタリングする場合に比べてフィルタ回路に
よる信号の減衰を小さくできる等の特長を有する。
As described above, according to the present invention, it is possible to prevent the adverse effect of the high frequency on the subsequent circuit, so that the heat generation amount of the output transformer is small, and the device for heat dissipation can be small.
Further, it has a feature that the output impedance of the transistor amplifier can be easily adjusted to a specified value. Further, the filter circuit 4 1 to 4 n combined signal the signal amplified by the transistor amplifier 2 1 to 2 m are supplied by synthetic means 3 1 to 3 n, since it smaller than the number of signals, each signal filtering Compared with the case where it does, it has the feature that the attenuation of the signal by the filter circuit can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の原理構成図、 第2図は本発明の一実施例のブロック図と電力増幅度の
推移を示す図、 第3図は本発明の要部の一実施例の回路図である。 図において、 1,12は分配器、 21〜2mはトランジスタ増幅器、 31〜3nは合成手段、 41〜4nはフィルタ回路、 5,141〜144,15は合成器、 131〜138はパワーアンプ、 21は低域フィルタ、 L1〜L7はコイル を示す。
FIG. 1 is a block diagram of the principle of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of an embodiment of the present invention and a diagram showing a transition of power amplification, and FIG. 3 is a circuit diagram of an embodiment of a main part of the present invention. Is. In the figure, 1 and 12 are distributors, 2 1 to 2 m are transistor amplifiers, 3 1 to 3 n are combining means, 4 1 to 4 n are filter circuits, 5, 14 1 to 14 4 and 15 are combiners, 13 1 to 13 8 are power amplifiers, 21 is a low-pass filter, and L 1 to L 7 are coils.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】高周波信号を分配器(1)を通して並列に
m個(ただし、mは4以上の整数)のトランジスタ増幅
器(21〜2m)に供給して夫々電力を増幅し、該m個のト
ランジスタ増幅器(21〜2m)より並列に取り出された高
周波信号を合成器(5)により合成して電力増幅度がm
倍とされた合成高周波信号を取り出すトランジスタ型高
周波電源において、 該m個のトランジスタ増幅器(21〜2m)より並列に取り
出された該高周波信号のうち一定数の信号ずつを合成す
る合成手段(31〜3m)と、 該合成手段(31〜3n)の各出力合成信号に対して夫々そ
の不要周波数成分を除去して前記合成器(5)へ供給す
るフィルタ回路(41〜4n)とを具備したことを特徴とす
るトランジスタ型高周波電源。
1. A high-frequency signal is supplied in parallel through a distributor (1) to m (where m is an integer of 4 or more) transistor amplifiers (2 1 to 2 m ) to amplify electric power, and the m The high-frequency signals extracted in parallel from the individual transistor amplifiers (2 1 to 2 m ) are combined by the combiner (5) and the power amplification degree is m.
In the transistor-type high-frequency power source to retrieve the multiple of synthetic high frequency signal, combining means for combining each predetermined number of signals of the m transistors amplifier (2 1 to 2 m) the high-frequency signal extracted in parallel from the ( 3 1 to 3 m ) and a filter circuit (4 1 to 4 1 ) for removing unnecessary frequency components from the output combined signals of the combining means (3 1 to 3 n ) and supplying them to the combiner (5). 4 n ) and a transistor type high frequency power supply.
JP62209256A 1987-08-25 1987-08-25 Transistor type high frequency power supply Expired - Lifetime JPH07120910B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62209256A JPH07120910B2 (en) 1987-08-25 1987-08-25 Transistor type high frequency power supply

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62209256A JPH07120910B2 (en) 1987-08-25 1987-08-25 Transistor type high frequency power supply

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6453615A JPS6453615A (en) 1989-03-01
JPH07120910B2 true JPH07120910B2 (en) 1995-12-20

Family

ID=16569943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62209256A Expired - Lifetime JPH07120910B2 (en) 1987-08-25 1987-08-25 Transistor type high frequency power supply

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07120910B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5902070B2 (en) 2012-08-27 2016-04-13 株式会社東芝 Power amplifier and transmitter
JP5897529B2 (en) * 2013-03-07 2016-03-30 株式会社東芝 Power amplifier and transmitter

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52130634U (en) * 1976-03-31 1977-10-04

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6453615A (en) 1989-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4560945A (en) Adaptive feedforward cancellation technique that is effective in reducing amplifier harmonic distortion products as well as intermodulation distortion products
US5691668A (en) Feedforward amplifier
KR20040064732A (en) High-frequency power source and its control method, and plasma processor
JP6513225B2 (en) Doherty amplifier
CN115668758A (en) Tracker module, power amplifier module, high frequency module and communication device
EP2461478B1 (en) Reducing distortion
JPH07120910B2 (en) Transistor type high frequency power supply
JP3436850B2 (en) High frequency amplifier for wireless communication equipment matching multiple signals with different frequencies
JPH09289421A (en) High frequency power amplifier
US3327238A (en) Parallel active circuit elements with provision for power distribution
US10693419B2 (en) Reduction of power consumption in integral ultra-wideband power amplifiers
KR20230117827A (en) External reference signal source generator for DDS chip operation
US3471796A (en) Power amplifier including plurality of transistors operating in parallel
JP3963428B2 (en) High frequency power supply
CN119602753A (en) A low-noise harmonic suppression RF system for filter band control
US6756863B2 (en) High-frequency oscillator of frequency switching type and high-frequency oscillation method
US10763802B2 (en) Amplifier module
US7019596B2 (en) Multiple output high-frequency oscillator
US12028036B2 (en) Power amplifier with harmonic filter
JP2000341594A (en) Intermediate frequency circuit for television tuner
JP3224509B2 (en) Microwave multiplier
JP2018088575A (en) Class D power amplifier
US11114985B2 (en) High frequency amplifier
JPH03238908A (en) High efficiency semiconductor amplifier
JP4082920B2 (en) Delay filter and distortion compensation amplifier using the same