JPH07122134B2 - Ion plating method - Google Patents
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- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 42
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、イオンプレーティング方法に係り、特に、
面積の大きい被蒸着基板に対し、長時間にわたり良好な
膜形成を行うことのできるイオンプレーティング方法に
関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ion plating method, and in particular,
The present invention relates to an ion plating method capable of forming a good film on a vapor deposition substrate having a large area for a long time.
［従来の技術］ イオンプレーティングは、蒸着めっきの一種で、加熱蒸
発した蒸着材料を、例えば正イオン化して、負電位の被
蒸着基板に衝突・付着させることにより、確実な蒸着め
っきが得られるようにしたものである。[Prior Art] Ion plating is a type of vapor deposition plating, and positive vaporization of a vapor deposition material that has been heated and evaporated, for example, is positively ionized and is made to collide with and adhere to a substrate to be vapor-deposited at a negative potential, whereby reliable vapor deposition plating can be obtained. It was done like this.
この種のイオンプレーティングに使用される装置の概略
構造を、第５図に基づいて説明する。A schematic structure of an apparatus used for this type of ion plating will be described with reference to FIG.
チャンバ１内には、真空状態のところに、例えば、窒素
や炭素等の反応ガス２が供給される。この反応ガス２に
は、放電を生じさせるためのアルゴン等の不活性ガスが
混合されている。A reaction gas 2 such as nitrogen or carbon is supplied into the chamber 1 at a vacuum state. The reaction gas 2 is mixed with an inert gas such as argon for generating electric discharge.
チャンバ１内の底部には、蒸着材料３を所定の蒸気圧
（10-2〜10-3Torr）が得られるまで、温度でいえば、融
点よりも少し高い温度まで加熱して蒸発させ、蒸発物質
４にするための蒸発源５が設けてある。At the bottom of the chamber 1, the vapor deposition material 3 is heated to a temperature slightly higher than the melting point and vaporized until a predetermined vapor pressure (10 -2 to 10 -3 Torr) is obtained. An evaporation source 5 for forming the substance 4 is provided.
蒸発源５は、電子ビーム６を利用した、いわゆる電子ビ
ーム蒸発源であり、水冷された坩堝７に蒸着材料３を入
れ、これに電子ビーム６を直接当てて加熱し、蒸発物質
４を得ている。The evaporation source 5 is a so-called electron beam evaporation source using the electron beam 6, and the evaporation material 3 is put in a water-cooled crucible 7 and the electron beam 6 is directly applied to the evaporation material 3 to heat the evaporation material 3 to obtain an evaporation substance 4. There is.
チャンバ１の側壁には、坩堝７より電位が高い直流放電
電極板８が設けてある。A DC discharge electrode plate 8 having a higher potential than that of the crucible 7 is provided on the side wall of the chamber 1.
該直流放電電極板８は、モリブデン（Mo）、タンタル
（Ta）、タングステン（Ｗ）等で形成され、蒸発源５か
ら熱電子（e-）９を放出させて、前記反応ガス２や、蒸
発物質４に衝突させ、該反応ガス２や蒸発物質４をイオ
ン化し、あるいは励起するものである。The DC discharge electrode plate 8 is formed of molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), etc., and emits thermoelectrons (e − ) 9 from the evaporation source 5 to generate the reaction gas 2 and the evaporation gas. It collides with the substance 4 to ionize or excite the reaction gas 2 and the vaporized substance 4.
チャンバ１内の上方には、めっきされる被務蒸着基板10
が配置されている。被蒸着基板10は、坩堝７より電位が
低く、ヒータ11によって加熱されるようになっている。Above the inside of the chamber 1 is the work vapor deposition substrate 10 to be plated.
Are arranged. The vapor deposition substrate 10 has a lower potential than the crucible 7 and is heated by the heater 11.
なお、蒸発源５と被蒸着基板10との間には、開閉可能な
シャッタ12が設けられている。また、坩堝７と直流放電
電極板８との間、および坩堝７と被蒸着基板10との間の
各々に、直流電源13,14が接続されている。また、図
中、15は真空排気である。A shutter 12 that can be opened and closed is provided between the evaporation source 5 and the deposition target substrate 10. DC power supplies 13 and 14 are connected between the crucible 7 and the DC discharge electrode plate 8 and between the crucible 7 and the deposition target substrate 10, respectively. Further, in the figure, 15 is vacuum exhaust.
以上の構成において、電子ビーム６によって加熱された
蒸着材料は、蒸発物質４となってチャンバ１内に蒸発す
る。このとき、蒸発源５から直流放電電極板８へ向けて
放出される熱電子（e-）９が、蒸発物質４に衝突して、
電子を弾き出し、正イオン化する。また、反応ガス２も
同様に熱電子９の衝突により正イオン化する。In the above configuration, the vapor deposition material heated by the electron beam 6 becomes the vaporized substance 4 and vaporizes in the chamber 1. At this time, the thermoelectrons (e − ) 9 emitted from the evaporation source 5 toward the DC discharge electrode plate 8 collide with the evaporation substance 4,
It ejects electrons and turns them into positive ions. Similarly, the reaction gas 2 is also positively ionized by the collision of the thermoelectrons 9.
これら正イオン化された蒸発物質４と反応ガス２は、電
位の低い被蒸着基板10に引かれて衝突する。そして、蒸
発物質４と反応ガス２が化合して蒸着膜を形成する。The positively ionized evaporation material 4 and the reaction gas 2 are attracted and collide with the deposition target substrate 10 having a low potential. Then, the vaporized substance 4 and the reaction gas 2 combine to form a vapor deposition film.
このように、イオンプレーティング装置は、蒸発物質４
をイオン化するので、被蒸着基板10に確実に付着し、長
期間使用しても剥離しない強固なめっきが得られる。In this way, the ion plating device is equipped with the evaporation material 4
Is ionized, it is possible to obtain a strong plating that surely adheres to the substrate 10 to be vapor-deposited and does not peel off even after long-term use.
［発明が解決しようとする問題点］ 上述したイオンプレーティングを行う場合、熱電子９の
放出量、すなわちイオン化電流Ｉが安定していること
が、良好な蒸着膜を形成する上で、極めて重要である。[Problems to be Solved by the Invention] When performing the above-described ion plating, it is extremely important that the amount of emitted thermoelectrons 9, that is, the ionization current I is stable, in order to form a good vapor deposition film. Is.
しかしながら、上述した従来のイオンプレーティング装
置においては、次のような現象が見られた。これを第６
図の波形図を参照して説明する。However, the following phenomenon was observed in the above-mentioned conventional ion plating apparatus. This is the sixth
Description will be made with reference to the waveform charts of the figures.
ある時刻T1が経過するまでは、イオン化電流Ｉは、大
きな変化がなく安定している。The ionization current I is stable without a large change until a certain time T 1 elapses.
時刻T1経過後、イオン化電流Ｉの変化が次第に増大す
る（時刻T1〜T2の間）。After the time T 1 , the change in the ionization current I gradually increases (between the times T 1 and T 2 ).
さらに時間が経過すると、イオン化電流Ｉの変化が極
めて大きくなり、その頻度も増加する（時刻T2〜T3）。When the time further passes, the change in the ionization current I becomes extremely large and the frequency thereof also increases (time T 2 to T 3 ).
やがて、安定な操業が不可能となり、イオンプレーテ
ィング運転を中止せざるを得なくなる（時刻T3）。Eventually, stable operation becomes impossible, and the ion plating operation must be stopped (time T 3 ).
また、イオン化電流Ｉが変動するため、被蒸着基板10
での成膜条件が変わり、均一な膜が形成されなくなると
ともに、被蒸着基板10の表面も荒れ、良好な膜が得られ
ない。Further, since the ionization current I changes, the deposition target substrate 10
The film forming conditions are changed so that a uniform film cannot be formed and the surface of the substrate 10 to be vapor-deposited is rough, so that a good film cannot be obtained.
このような現象の原因は、次のようであると考えられ
る。The cause of such a phenomenon is considered to be as follows.
すなわち、従来のように、２〜３時間程度の短時間操業
の場合は、あまり問題ないが、それ以上長時間操業する
場合は、蒸発源５の蒸着材料３が消費されて、くぼみが
できたり、熱変形したり、あるいは、チャンバ１から剥
離して蒸発源５の上に落下した蒸着物質が、蒸着材料３
に溶け込んで、不純物の混じった蒸着材料を形成してし
まったりする。That is, as in the conventional case, there is no problem when operating for a short time of about 2 to 3 hours, but when operating for a longer time than that, the vapor deposition material 3 of the evaporation source 5 is consumed and a depression is formed. The vapor deposition material that is thermally deformed or is peeled off from the chamber 1 and dropped onto the evaporation source 5 is
It will melt into the metal and form a vapor deposition material containing impurities.
この結果、溶解部から蒸発する割合が一定でなくなった
り、また、不純物の混じった蒸着材料３を溶解している
間に突沸を起こしたりする。この突沸は、蒸着材料３
（たとえば、Ti）より、蒸着物質（たとえばTiN）の方
が溶解温度が高いことにより生じるものである。As a result, the rate of evaporation from the melting portion is not constant, and bumping occurs during melting of the vapor deposition material 3 containing impurities. This bumping is caused by evaporation material 3
It is caused by the higher melting temperature of the vapor deposited material (eg TiN) than (eg Ti).
このような現象が生じると、イオン変電流Ｉが大きく変
動し始める。そのため、坩堝７の蒸着材料３の表面状態
も、ますます荒れてきて、イオン化電流Ｉの変動をさら
に大きくし、異常放電を発生させて操業を停止させてし
まう。When such a phenomenon occurs, the ion variable current I starts to fluctuate greatly. Therefore, the surface condition of the vapor deposition material 3 on the crucible 7 becomes more and more rough, and the fluctuation of the ionization current I is further increased, causing abnormal discharge and stopping the operation.
この発明は、このような背景の下になされたもので、長
時間にわたって安定な操業を可能とするとともに、常に
良好な成膜を行うことのできるイオンプレーティング方
法を提供することを目的とする。The present invention has been made under such a background, and an object of the present invention is to provide an ion plating method that enables stable operation for a long time and can always perform good film formation. .
［問題点を解決するための手段］ 上記問題点を解決するためにこの発明は、 蒸発源の蒸着材料を加熱蒸発して蒸発物質を得る過程
と、該蒸発物質をイオン化する過程と、前記イオン化さ
れた蒸発物質を被蒸着基板に蒸着する過程とを有するイ
オンプレーティング方法において、 イオン化電流の変動が大きくなり始めた時点で、イオン
プレーティングを中断する過程と、 蒸発源の蒸着材料を再溶解して、該蒸着材料の凹凸や熱
変形の修正を行うとともに、蒸着材料の表面に落下、あ
るいは一部溶け込んでいる不純物を蒸発させて取り除く
過程と、 蒸着材料を、表面が滑らかで不純物をほとんど含まない
状態に復帰させた後、再度イオンプレーティングを開始
する過程と、 イオン化電流の変動が大きくなり始める毎に、上記各過
程を繰り返す過程とを 有することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the present invention provides a process of heating and evaporating a vapor deposition material of an evaporation source to obtain a vaporized substance, a process of ionizing the vaporized substance, and the ionization. In the ion plating method, which includes the step of depositing the vaporized substance on the substrate to be vapor-deposited, the step of interrupting the ion plating when the fluctuation of the ionization current begins to increase and re-dissolving the vapor deposition material of the evaporation source. Then, the unevenness and thermal deformation of the vapor deposition material are corrected, and the process of evaporating and removing the impurities that have fallen or partially dissolved on the surface of the vapor deposition material and the vapor deposition material that has a smooth surface and almost no impurities are removed. After returning to the state that does not include it, the process of restarting the ion plating and the above processes are repeated each time the fluctuation of the ionization current begins to increase. And having a degree.
［作用］ 上記方法によれば、イオン化電流の変動により、蒸着材
料の不都合、すなわち、熱変形、凹凸、不純物の混入な
どが早期に検出される。この時点で、蒸着材料を再溶解
して整形するので、常に良好なイオンプレーティングを
継続することができる。[Operation] According to the above method, the inconvenience of the vapor deposition material, that is, thermal deformation, unevenness, mixing of impurities, and the like can be detected early due to the fluctuation of the ionization current. At this point, since the vapor deposition material is redissolved and shaped, good ion plating can always be continued.
［実施例］ 以下、図面を参照して、本発明を適用した実施例を説明
する。なお、この実施例に係るイオンプレーティング構
成は、第５図の従来装置と同様である。[Embodiment] An embodiment to which the present invention is applied will be described below with reference to the drawings. The configuration of the ion plating according to this embodiment is similar to that of the conventional device shown in FIG.
第１図は、蒸発源５の詳細を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing details of the evaporation source 5.
蒸発源５は、坩堝７と、この坩堝７の円環状凹部に入れ
られたドーナツ状の蒸着材料３とを有し、坩堝７は緩や
かに回転するようになっている。この場合、電子ビーム
６は、移動しないから、坩堝７の回転につれて、蒸着材
料３の溶解部3aが順次移行し、この溶解部3aから第５図
の蒸発物質４が蒸発する。The evaporation source 5 has a crucible 7 and a donut-shaped vapor deposition material 3 placed in an annular recess of the crucible 7, and the crucible 7 is adapted to rotate gently. In this case, since the electron beam 6 does not move, the melting portion 3a of the vapor deposition material 3 sequentially moves as the crucible 7 rotates, and the evaporation substance 4 of FIG. 5 evaporates from the melting portion 3a.
こうしてイオンプレーティング操業を継続していくと、
第４図の時刻T1で、イオン化電流Ｉの変動が大きくなり
始める。この時刻T1から少し経過した時刻T2に、イオン
プレーティング操業を停止する。すなわち、第５図のシ
ャッタ12を閉じ、反応ガス２の吹き込みを止め、電極1
3,14を落とす。この結果、蒸発物質４と熱電子９がなく
なる。If you continue the ion plating operation in this way,
At time T 1 in FIG. 4, the fluctuation of the ionization current I begins to increase. The time T 2, which after a short time from the time T 1, stops the ion plating operation. That is, the shutter 12 in FIG. 5 is closed, the blowing of the reaction gas 2 is stopped, and the electrode 1
Drop 3,14. As a result, the evaporated substance 4 and the thermoelectrons 9 are lost.
第２図は、上記時刻T2における蒸着材料３の状態を示す
ものである。長時間の運転により、蒸着材料３には、く
ぼみや熱変形が生じている。また、チャンバ１の内壁等
からは、蒸着物質等の不純物が剥離して落下したりし、
その一部が蒸着材料３に溶け込んだりしている。FIG. 2 shows the state of the vapor deposition material 3 at the time T 2 . Due to the long-time operation, the vapor deposition material 3 is indented or thermally deformed. In addition, impurities such as vapor deposition substances may peel off and fall from the inner wall of the chamber 1,
Part of it is dissolved in the vapor deposition material 3.
そこで、電子ビーム６を適当に振らせながら、蒸着材料
３の表面を再溶解し、くぼみや熱変形をなくすととも
に、蒸着材料３の表面に付着している不純物、あるいは
蒸着材料３の表面に一部溶け込んでいる不純物を溶解し
て、蒸発させてしまう。このとき、シャッタ12が閉じて
いるため、蒸発した不純物は被蒸着基板10には蒸着しな
い。Therefore, while appropriately shaking the electron beam 6, the surface of the vapor deposition material 3 is redissolved to eliminate dents and thermal deformation, and the impurities adhering to the surface of the vapor deposition material 3 or the surface of the vapor deposition material 3 are removed. Partly dissolved impurities are dissolved and evaporated. At this time, since the shutter 12 is closed, the evaporated impurities are not deposited on the deposition target substrate 10.
第３図は、上記のようにして、もとの形に整形した蒸着
材料３の状態を示すものである。ただし、当然のことな
がら、蒸着材料３の量は、イオンプレーティング操業、
および再溶解により、イオンプレーティング開始時より
減少している。FIG. 3 shows the state of the vapor deposition material 3 shaped into the original shape as described above. However, as a matter of course, the amount of the vapor deposition material 3 depends on the ion plating operation,
Also, due to re-dissolution, the amount has decreased from the start of ion plating.
第４図の時刻T2〜T3において、再溶解による整形が終了
すると、時刻T3からイオンプレーティングを再開する。
すなわち、電源13,14を再投入し、反応ガス２供給を再
開し、かつシャッタ12を開ける。At the times T 2 to T 3 in FIG. 4, when the shaping by remelting is completed, the ion plating is restarted from the time T 3 .
That is, the power supplies 13 and 14 are turned on again, the supply of the reaction gas 2 is restarted, and the shutter 12 is opened.
以下、同様に、時刻T4でイオン化電流Ｉの変動が大きく
なり始めたら、その少し後の時刻T5でイオンプレーティ
ングの操業を中断して、時刻T5〜T6の間に、蒸着材料３
を再溶解して整形する。そして、時刻T6に、イオンプレ
ーティングの操業を再開する。また、時刻T6〜T9にて
も、同様の操作を繰り返す。Hereinafter, similarly, when at time T 4 began variation of the ionization current I is large, its interrupt the operation of ion plating at time T 5 slightly later, between times T 5 through T 6, the deposition material Three
Redissolve and shape. Then, at time T 6 , the operation of ion plating is restarted. Also, at time T 6 ~T 9, repeat the same operation.
こうして、イオン化電流Ｉの変動が大きくなり始めるた
びに、上述した再溶解により蒸着材料３を整形して、イ
オンプレーティング操業を継続する。これにより、次の
ような効果をあげることができる。Thus, each time the fluctuation of the ionization current I begins to increase, the vapor deposition material 3 is shaped by the above-mentioned remelting, and the ion plating operation is continued. As a result, the following effects can be achieved.
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明は、イオン化電流の変動
が大きくなり始めたときに、イオンプレーティング操作
を中断し、蒸着材料を再溶解して整形し、当初の状態に
復帰させてから、イオンプレーティングを再開するよう
にしたので、次の効果を得ることができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, when the fluctuation of the ionization current starts to increase, the ion plating operation is interrupted, the vapor deposition material is remelted and shaped, and the initial state is restored. After that, the ion plating is restarted, so that the following effects can be obtained.
長時間のイオンプレーティングが可能である。Ion plating for a long time is possible.
被蒸着基板の面積が大きかったり、長尺物の場合、蒸発
源を移動させながら、あるいは、被蒸着基板を移動させ
ながら、イオンプレーティングを行う必要がある。これ
は、蒸発物質が被蒸着基板に当たる範囲は、ある狭い範
囲に限定されるためである。したがって、被蒸着基板の
面積が小さいものと同じ膜厚を生成する場合でも、イオ
ンプレーティングに長時間要する。If the deposition target substrate has a large area or is long, it is necessary to perform ion plating while moving the evaporation source or while moving the deposition target substrate. This is because the range in which the evaporation material hits the deposition target substrate is limited to a certain narrow range. Therefore, even when a film having the same area as that of the substrate to be vapor-deposited is produced, ion plating takes a long time.
本発明は、このような場合に、特に有効である。The present invention is particularly effective in such a case.
イオン化電流の変動が大きくなる前に、イオンプレー
ティング操業を中断するので、成膜に悪影響を及ぼすこ
となく、良好な成膜が可能である。すなわち、膜の特性
が均一で、荒れが少ない成膜が可能である。Since the ion plating operation is suspended before the fluctuation of the ionization current becomes large, good film formation can be performed without adversely affecting the film formation. That is, it is possible to form a film having uniform film characteristics and less roughness.
蒸着材料の再溶解は、チャンバ内の真空をブレイクす
る（破る）ことなく行える。このため、成膜条件の変動
を最小限に抑えることができ、安定度の高い成膜が実現
される。The re-melting of the vapor deposition material can be performed without breaking (breaking) the vacuum in the chamber. Therefore, it is possible to minimize the fluctuation of the film forming conditions, and to realize a highly stable film forming.
第１図はこの発明を適用した一実施例によるイオンプレ
ーティング装置の蒸発源の構成を示す図、第２図はイオ
ンプレーティングにより変形した蒸着材料の状態を示す
断面図、第３図は再溶解により整形した蒸着材料の状態
を示す断面図、第４図は本実施例におけるイオン化電流
の変動を示す図、第５図はイオンプレーティング装置の
構成を示す図、第６図は従来のイオンプレーティング装
置におけるイオン化電流の変動を示す図である。 １……チャンバ、２……反応ガス、３……蒸着材料、3a
……溶解部、４……蒸発物質、５……蒸発源、６……電
子ビーム、７……坩堝、８……直流放電電極板、９……
熱電子、10……被蒸着基板、11……ヒータ、12……シャ
ッタ、13,14……電源、15……真空排気。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an evaporation source of an ion plating apparatus according to an embodiment to which the present invention is applied, FIG. 2 is a sectional view showing a state of a vapor deposition material deformed by the ion plating, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the state of the vapor deposition material shaped by melting, FIG. 4 is a view showing the fluctuation of the ionization current in this embodiment, FIG. 5 is a view showing the configuration of the ion plating apparatus, and FIG. It is a figure which shows the fluctuation | variation of the ionization current in a plating apparatus. 1 ... Chamber, 2 ... Reaction gas, 3 ... Deposition material, 3a
...... Melting part, 4 ... Evaporation material, 5 ... Evaporation source, 6 ... Electron beam, 7 ... Crucible, 8 ... DC discharge electrode plate, 9 ...
Thermionics, 10 ... Evaporated substrate, 11 ... Heater, 12 ... Shutter, 13,14 ... Power supply, 15 ... Vacuum exhaust.
Claims (1)
を得る過程と、該蒸発物質をイオン化する過程と、前記
イオン化された蒸発物質を被蒸着基板に蒸着する過程と
を有するイオンプレーティング方法において、 イオン化電流の変動が大きくなり始めた時点で、イオン
プレーティングを中断する過程と、 蒸発源の蒸着材料を再溶解して、該蒸着材料の凹凸や熱
変形の修正を行うとともに、蒸着材料の表面に落下、あ
るいは一部溶け込んでいる不純物を蒸発させて取り除く
過程と、 蒸着材料を、表面が滑らかで不純物をほとんど含まない
状態に復帰させた後、再度イオンプレーティングを開始
する過程と、 イオン化電流の変動が大きくなり始める毎に、上記各過
程を繰り返す過程とを 有することを特徴とするイオンプレーティング方法。1. An ion plate having a step of heating and evaporating an evaporation material of an evaporation source to obtain an evaporation material, a step of ionizing the evaporation material, and a step of evaporating the ionized evaporation material on a deposition substrate. In the coating method, when the fluctuation of the ionization current begins to increase, the process of interrupting the ion plating and re-melting the evaporation material of the evaporation source to correct unevenness and thermal deformation of the evaporation material, A process of evaporating and removing impurities that have fallen or partially dissolved on the surface of the evaporation material, and a process of returning the evaporation material to a smooth surface and containing almost no impurities, and then starting ion plating again. And an ion plating method comprising the steps of repeating the above steps each time the fluctuation of the ionization current starts to increase.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250939A JPH07122134B2 (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Ion plating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250939A JPH07122134B2 (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Ion plating method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196371A JPH0196371A (en) | 1989-04-14 |
| JPH07122134B2 true JPH07122134B2 (en) | 1995-12-25 |
Family
ID=17215260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250939A Expired - Lifetime JPH07122134B2 (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Ion plating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122134B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109609916A (en) * | 2019-01-23 | 2019-04-12 | 湖南宇诚精密科技有限公司 | A kind of electron beam evaporation deposition machine plated film correcting device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52126168A (en) * | 1976-04-15 | 1977-10-22 | Hitachi Ltd | Preparing device for thin films |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62250939A patent/JPH07122134B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0196371A (en) | 1989-04-14 |
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