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JPH07130609A - Method of changing dimension of plotting pattern - Google Patents
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JPH07130609A - Method of changing dimension of plotting pattern - Google Patents

Method of changing dimension of plotting pattern

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Publication number
JPH07130609A
JPH07130609A JP16136193A JP16136193A JPH07130609A JP H07130609 A JPH07130609 A JP H07130609A JP 16136193 A JP16136193 A JP 16136193A JP 16136193 A JP16136193 A JP 16136193A JP H07130609 A JPH07130609 A JP H07130609A
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JP
Japan
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pattern
main circuit
scribe line
obtaining
dimension
Prior art date
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Pending
Application number
JP16136193A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Arai
一幸 新井
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP16136193A priority Critical patent/JPH07130609A/en
Publication of JPH07130609A publication Critical patent/JPH07130609A/en
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】スクライブラインパターン部SPとメイン回路
パターン部CPとを含む描画パターン10の描画データ
から、CADデータに変更せずに、それぞれ別の縮尺で
寸法を変更した寸法変更描画パターン40の描画データ
を得るもの。 【構成】スクライブラインパターン部SPとメイン回路
パターン部CPの中間の枠のパターンの中間枠パターン
16を発生させ、これと描画パターン10のAND処
理、ANDNOT処理によりスクライブラインパターン
部SPとメイン回路パターン部CPとを分離し、それぞ
れ別の縮尺で寸法変更処理したのち、合成することによ
り、別々の縮尺で寸法変更された寸法変更描画パターン
40の描画データを得る方法。
(57) [Abstract] [Purpose] The drawing data of the drawing pattern 10 including the scribe line pattern portion SP and the main circuit pattern portion CP is not changed to CAD data, but the dimensions are changed at different scales. Obtaining drawing data of the drawing pattern 40. [Structure] An intermediate frame pattern 16 of an intermediate frame pattern between a scribe line pattern portion SP and a main circuit pattern portion CP is generated, and an AND processing and an ANDNOT processing of this and a drawing pattern 10 are performed, and the scribe line pattern portion SP and the main circuit pattern are formed. A method for obtaining drawing data of the size-changed drawing pattern 40 whose size has been changed at different scales by separating the part CP from each other, performing size change processing at different scales, and then synthesizing them.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子線描画装置でフォト
マスク、レチクルのごときパターンを描画する際の描画
パターンの寸法変更方法に関するものであり、更に詳細
には既に作成されたフォトマスクなどの描画パターンが
スクライブラインパターン部とメイン回路パターン部よ
りなるものである場合、メイン回路パターン部および/
もしくはスクライブラインパターン部に寸法変更を施し
て寸法変更された描画パターンを得る方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for changing the size of a drawing pattern when drawing a pattern such as a photomask or reticle with an electron beam drawing apparatus, and more specifically to a photomask which has already been created. If the drawing pattern consists of a scribe line pattern part and a main circuit pattern part, the main circuit pattern part and / or
Alternatively, the present invention relates to a method for obtaining a drawing pattern having a changed size by changing the size of the scribe line pattern portion.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より電子線描画装置が知られ、かか
る電子線描画装置を用いて半導体集積回路の製造に用い
るフォトマスク、レチクルのごとき精密なパターンを描
画することが知られている。かかる電子線描画装置でC
ADデータを描画する場合、CADデータを電子線描画
装置のデータたる描画データに変換し、得られた描画デ
ータを電子線描画装置にかけて描画する。ところで、既
に作成されたフォトマスクなどの描画パターンがスクラ
イブラインパターン部とメイン回路パターン部よりなる
ものである場合がある。スクライブラインパターンはシ
リコンウェハ上に多面付に形成された個々の集積回路を
切り分けるためにシリコンウェハを切断する目標のライ
ンである。メイン回路パターンは、実際に電気的な動作
をする回路を形成するパターンである。スクライブライ
ンは通常、縦横に複数の直線が交差する、いわゆる碁盤
の目のような形状をなしており、メイン回路パターンは
スクライブラインに周囲を囲まれた領域の中に存在す
る。近年、スクライブラインパターンと、メイン回路パ
ターンの各々について、別々の寸法変更処理を施すこと
が多々ある。たとえば、スクライブラインパターンの幅
は変更せずに、メイン回路パターンの寸法を縮小するよ
うな処理が施される。その理由は例えば、ウェハ製造プ
ロセスの進歩により、従来より細い幅の線のパターンを
シリコンウェハ上に形成することができるようになった
が、メイン回路パターンを新たに設計し直すのは手間が
かかり、設計の誤りを誘発しやすいので、従来のパター
ンの描画データに寸法変更処理を施す。ただし、スクラ
イブラインの幅も同時に細くしてしまうと、シリコンウ
ェハの断裁がしにくくなるので、スクライブラインの幅
は変更しないことが一般的である。上記のごとき場合、
すなわちスクライブラインパターンの幅は変更せずに、
メイン回路パターンの寸法を縮小するような場合、従来
方法では、描画データをCADデータに変換し、CAD
システムでCRTを観察しながらスクライブラインパタ
ーン部とメイン回路パターン部とに分離し、メイン回路
パターン部に寸法変更処理を施し、寸法変更しないスク
ライブラインパターンと、寸法変更したメイン回路パタ
ーンをOR処理し、得られたCADデータを描画データ
に変換するものであった。ところが、上記の処理は、描
画データからCADデータへの変換処理、およびその逆
変換処理を含むもので、非常に煩雑であり、処理時間が
かかるという問題点があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, an electron beam drawing apparatus is known, and it is known that such an electron beam drawing apparatus is used to draw a precise pattern such as a photomask or a reticle used for manufacturing a semiconductor integrated circuit. With such an electron beam drawing device, C
When drawing the AD data, the CAD data is converted into drawing data which is data of the electron beam drawing apparatus, and the obtained drawing data is drawn by the electron beam drawing apparatus. By the way, there are cases where a drawing pattern such as a photomask that has already been created is composed of a scribe line pattern portion and a main circuit pattern portion. The scribe line pattern is a target line for cutting a silicon wafer in order to cut individual integrated circuits formed on the silicon wafer in multiple directions. The main circuit pattern is a pattern that forms a circuit that actually operates electrically. The scribe line normally has a so-called cross-shaped shape in which a plurality of straight lines cross each other in the vertical and horizontal directions, and the main circuit pattern exists in an area surrounded by scribe lines. In recent years, the scribe line pattern and the main circuit pattern are often subjected to different dimension changing processes. For example, a process of reducing the size of the main circuit pattern is performed without changing the width of the scribe line pattern. The reason is that, for example, due to the progress of the wafer manufacturing process, it has become possible to form a line pattern having a narrower width than the conventional one on a silicon wafer, but it is troublesome to newly redesign the main circuit pattern. Since it is easy to induce a design error, the dimension change processing is performed on the drawing data of the conventional pattern. However, if the width of the scribe line is also made thin at the same time, it becomes difficult to cut the silicon wafer, and therefore the width of the scribe line is generally not changed. In the case of the above,
That is, without changing the width of the scribe line pattern,
In the case of reducing the size of the main circuit pattern, the conventional method converts the drawing data into CAD data and
While observing the CRT with the system, it is separated into a scribe line pattern part and a main circuit pattern part, and the main circuit pattern part is subjected to size change processing, and the scribe line pattern that does not change size and the size-changed main circuit pattern are OR-processed. The CAD data obtained was converted into drawing data. However, the above-described processing includes a conversion processing from drawing data to CAD data and an inverse conversion processing thereof, which is very complicated and takes a processing time.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、既に作成さ
れたフォトマスクなどの描画パターンがスクライブライ
ンパターン部とメイン回路パターン部よりなるものであ
る場合、メイン回路パターン部および/もしくはスクラ
イブラインパターン部に寸法変更を施して寸法変更され
た描画パターンを得る方法であって、特に元の描画デー
タに処理を施すことにより、寸法変更されたパターンの
描画データを得る、言い換えればCADデータに変換、
逆変換を必要としない、描画パターンの寸法変更方法に
関するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, in the case where a drawing pattern such as a photomask which has already been formed is composed of a scribe line pattern portion and a main circuit pattern portion, the main circuit pattern portion and / or the scribe line pattern is formed. A method for obtaining a dimension-changed drawing pattern by subjecting a portion to a dimension change, in particular, processing the original drawing data to obtain the dimension-changed pattern drawing data, in other words, converting into CAD data,
The present invention relates to a drawing pattern dimension changing method that does not require reverse conversion.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するものであって、第1および第2の発明は、スクライ
ブラインパターン部(SP)の寸法はそのままで、メイ
ン回路パターン部(CP)に寸法変更処理を施すもので
あり、第1の発明では、スクライブラインパターン部
(SP)とメイン回路パターン部(CP)とを含む描画
パターン(10)の描画データから、寸法を変更した描
画パターンの寸法変更描画データを得る、描画パターン
の寸法変更方法において、描画データより、下記の処理
工程により、寸法変更描画データを得ることを特色とす
る描画パターンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 メイン回路パターン(20)に寸法変更処理を施し
てメイン回路パターン部(CP)の寸法の変更されたパ
ターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得る、
寸法変更処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 寸法変更メイン回路パターン(22)とスクライブ
ラインパターン(30)をOR処理して、スクライブラ
インパターン部(SP)の寸法はそのままでメイン回路
パターン部(CP)の寸法の変更されたパターンの寸法
変更描画パターン(40)を得るOR処理工程。 としたものである。
The present invention achieves the above object. In the first and second inventions, the dimensions of the scribe line pattern portion (SP) are the same, and the main circuit pattern portion (CP) is maintained. ) Is subjected to dimension change processing. In the first invention, the drawing is performed by changing the dimension from the drawing data of the drawing pattern (10) including the scribe line pattern part (SP) and the main circuit pattern part (CP). A method for changing the dimension of a drawing pattern for obtaining drawing data for changing the dimension of a drawing pattern, which is characterized in that the dimension changing drawing data is obtained from the drawing data by the following processing steps. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). The plus resize pattern (14) is subjected to a minus resize process for reducing the contour of the pattern existing portion,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). Dimension change processing is performed on the main circuit pattern (20) to obtain a dimension-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the dimension of the main circuit pattern portion (CP) is changed.
Dimension change process. ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). Dimension change The main circuit pattern (22) and the scribe line pattern (30) are OR-processed, and the dimension of the main circuit pattern section (CP) is changed while the dimension of the scribe line pattern section (SP) remains unchanged. An OR processing step for obtaining a drawing pattern (40). It is what

【0005】また、第2の発明では、スクライブライン
パターン部(SP)とメイン回路パターン部(CP)と
を含む描画パターン(10)の描画データから、寸法を
変更した描画パターンの寸法変更描画データを得る、描
画パターンの寸法変更方法において、描画データより、
下記の処理工程により、寸法変更描画データを得ること
を特色とする描画パターンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭の拡張する量をXとすると、 X≧+MAX(C1 /2 ,C2 /2) プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭を縮小する量をYとすると −〔X+MIN{(B1 −C1 )/2 ,(B2 −C2
)/2}〕≦Y≦−X 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 メイン回路パターン(20)に寸法変更処理を施し
てメイン回路パターン部(CP)の寸法の変更されたパ
ターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得る、
寸法変更処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 寸法変更メイン回路パターン(22)とスクライブ
ラインパターン(30)をOR処理して、スクライブラ
インパターン部(SP)の寸法はそのままでメイン回路
パターン部(CP)の寸法の変更されたパターンの寸法
変更描画パターン(40)を得るOR処理工程。 としたものである。
According to the second aspect of the invention, the drawing data of the drawing pattern whose size is changed from the drawing data of the drawing pattern (10) including the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). In the drawing pattern dimension changing method,
A drawing pattern size changing method characterized by obtaining size change drawing data by the following processing steps. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). Here, when the amount of expansion of the contour of the pattern is X, X ≧ + MAX (C1 / 2, C2 / 2) plus resizing The minus resizing process for reducing the contour of the existing portion of the pattern (14) is performed,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). Here, when the amount of reducing the contour of the pattern is Y,-[X + MIN {(B1-C1) / 2, (B2-C2
) / 2}] ≦ Y ≦ −X An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). Dimension change processing is performed on the main circuit pattern (20) to obtain a dimension-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the dimension of the main circuit pattern portion (CP) is changed.
Dimension change process. ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). Dimension change The main circuit pattern (22) and the scribe line pattern (30) are OR-processed, and the dimension of the main circuit pattern section (CP) is changed while the dimension of the scribe line pattern section (SP) remains unchanged. An OR processing step for obtaining a drawing pattern (40). It is what

【0006】第3および第4の発明は、スクライブライ
ンパターン部(SP)の寸法およびメイン回路パターン
部(CP)に寸法変更処理を施すものであり、第3の発
明では、スクライブラインパターン部(SP)とメイン
回路パターン部(CP)とを含む描画パターン(10)
の描画データから、寸法を変更した描画パターンの寸法
変更描画データを得る、描画パターンの寸法変更方法に
おいて、描画データより、下記の処理工程により、寸法
変更描画データを得ることを特色とする描画パターンの
寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 メイン回路パターン(20)に寸法変更処理を施し
てメイン回路パターン部(CP)の寸法の変更されたパ
ターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得る、
寸法変更処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 スクライブラインパターン(30)に寸法変更処理
を施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る、スクライブラインパターン寸法変更処理工程。 寸法変更メイン回路パターン(22)と寸法変更ス
クライブラインパターン(32)をOR処理して、スク
ライブラインパターン部(SP)およびメイン回路パタ
ーン部(CP)の寸法の変更されたパターンの寸法変更
描画パターン(40)を得るOR処理工程。 としたものである。
In the third and fourth inventions, the dimensions of the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP) are subjected to a dimension changing process. In the third invention, the scribe line pattern portion ( Drawing pattern (10) including SP) and main circuit pattern portion (CP)
In the drawing pattern dimension changing method for obtaining the size-changed drawing data of the drawing pattern whose size has been changed, the drawing pattern characterized by obtaining the size-changed drawing data from the drawing data by the following processing steps How to change dimensions. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). The plus resize pattern (14) is subjected to a minus resize process for reducing the contour of the pattern existing portion,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). Dimension change processing is performed on the main circuit pattern (20) to obtain a dimension-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the dimension of the main circuit pattern portion (CP) is changed.
Dimension change process. ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). The scribe line pattern (30) is subjected to a size change process to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To obtain the scribe line pattern dimension change processing step. The dimension change main circuit pattern (22) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to change the dimension of the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). OR processing step for obtaining (40). It is what

【0007】また、第4の発明では、スクライブライン
パターン部(SP)とメイン回路パターン部(CP)と
を含む描画パターン(10)の描画データから、寸法を
変更した描画パターンの寸法変更描画データを得る、描
画パターンの寸法変更方法において、描画データより、
下記の処理工程により、寸法変更描画データを得ること
を特色とする描画パターンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。ここ
で、パターンの輪郭の拡張する量をXとすると、 X≧+MAX(C1 /2 ,C2 /2) プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭を縮小する量をYとすると −〔X+MIN{(B1 −C1 )/2 ,(B2 −C2
)/2}〕≦Y≦−X 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 メイン回路パターン(20)に寸法変更処理を施し
てメイン回路パターン部(CP)の寸法の変更されたパ
ターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得る、
寸法変更処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 スクライブラインパターン(30)に寸法変更処理
を施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る、スクライブラインパターン寸法変更処理工程。 寸法変更メイン回路パターン(22)と寸法変更ス
クライブラインパターン(32)をOR処理して、スク
ライブラインパターン部(SP)およびメイン回路パタ
ーン部(CP)の寸法の変更されたパターンの寸法変更
描画パターン(40)を得るOR処理工程。
According to the fourth aspect of the invention, the drawing data of the drawing pattern whose size is changed from the drawing data of the drawing pattern (10) including the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP) is used. In the drawing pattern dimension changing method,
A drawing pattern size changing method characterized by obtaining size change drawing data by the following processing steps. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). Here, when the amount of expansion of the contour of the pattern is X, X ≧ + MAX (C1 / 2, C2 / 2) plus resizing The minus resizing process for reducing the contour of the existing portion of the pattern (14) is performed,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). Here, when the amount of reducing the contour of the pattern is Y,-[X + MIN {(B1-C1) / 2, (B2-C2
) / 2}] ≦ Y ≦ −X An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). Dimension change processing is performed on the main circuit pattern (20) to obtain a dimension-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the dimension of the main circuit pattern portion (CP) is changed.
Dimension change process. ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). The scribe line pattern (30) is subjected to a size change process to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To obtain the scribe line pattern dimension change processing step. The dimension change main circuit pattern (22) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to change the dimension of the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). OR processing step for obtaining (40).

【0008】第5および第6の発明は、スクライブライ
ンパターン部(SP)に寸法処理を施し、メイン回路パ
ターン部(CP)はそのままの寸法とするものであり、
第5の発明では、スクライブラインパターン部(SP)
とメイン回路パターン部(CP)とを含む描画パターン
(10)の描画データから、寸法を変更した描画パター
ンの寸法変更描画データを得る、描画パターンの寸法変
更方法において、描画データより、下記の処理工程によ
り、寸法変更描画データを得ることを特色とする描画パ
ターンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 スクライブラインパターン(30)に寸法変更処理
を施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る、スクライブラインパターン寸法変更処理工程。 メイン回路パターン(20)と寸法変更スクライブ
ラインパターン(32)をOR処理して、スクライブラ
インパターン部(SP)の寸法は変更されメイン回路パ
ターン部(CP)の寸法はそのままのパターンの寸法変
更描画パターン(40)を得るOR処理工程。 としたものである。
In the fifth and sixth aspects of the present invention, the scribe line pattern portion (SP) is subjected to a dimension processing, and the main circuit pattern portion (CP) is left as it is.
In the fifth invention, the scribe line pattern portion (SP)
In the drawing pattern dimension changing method for obtaining the dimension change drawing data of the drawing pattern having the changed size from the drawing data of the drawing pattern (10) including the main circuit pattern portion (CP), the following processing is performed from the drawing data. A drawing pattern dimension changing method characterized by obtaining dimension change drawing data depending on the process. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). The plus resize pattern (14) is subjected to a minus resize process for reducing the contour of the pattern existing portion,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). The scribe line pattern (30) is subjected to a size change process to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To obtain the scribe line pattern dimension change processing step. The main circuit pattern (20) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to change the dimension of the scribe line pattern portion (SP) and leave the dimension of the main circuit pattern portion (CP) unchanged. OR process to obtain pattern (40). It is what

【0009】また、第6の発明では、スクライブライン
パターン部(SP)とメイン回路パターン部(CP)と
を含む描画パターン(10)の描画データから、寸法を
変更した描画パターンの寸法変更描画データを得る、描
画パターンの寸法変更方法において、描画データより、
下記の処理工程により、寸法変更描画データを得ること
を特色とする描画パターンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭の拡張する量をXとすると、 X≧+MAX(C1 /2 ,C2 /2) プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭を縮小する量をYとすると −〔X+MIN{(B1 −C1 )/2 ,(B2 −C2
)/2}〕≦Y≦−X 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 スクライブラインパターン(30)に寸法変更処理
を施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る、スクライブラインパターン寸法変更処理工程。 メイン回路パターン(20)と寸法変更スクライブ
ラインパターン(32)をOR処理して、スクライブラ
インパターン部(SP)の寸法は変更されメイン回路パ
ターン部(CP)の寸法はそのままのパターンの寸法変
更描画パターン(40)を得るOR処理工程。 としたものである。
According to the sixth aspect of the invention, the drawing data of the drawing pattern (10) including the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP) is changed in size from the drawing data of the drawing pattern. In the drawing pattern dimension changing method,
A drawing pattern size changing method characterized by obtaining size change drawing data by the following processing steps. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). Here, when the amount of expansion of the contour of the pattern is X, X ≧ + MAX (C1 / 2, C2 / 2) plus resizing The minus resizing process for reducing the contour of the existing portion of the pattern (14) is performed,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). Here, when the amount of reducing the contour of the pattern is Y,-[X + MIN {(B1-C1) / 2, (B2-C2
) / 2}] ≦ Y ≦ −X An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). The scribe line pattern (30) is subjected to a size change process to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To obtain the scribe line pattern dimension change processing step. The main circuit pattern (20) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to change the dimension of the scribe line pattern portion (SP) and leave the dimension of the main circuit pattern portion (CP) unchanged. OR process to obtain pattern (40). It is what

【0010】[0010]

【作用】本発明では、予め作成されたフォトマスクのパ
ターンの電子線描画装置の描画データのパターンの寸法
を変更するにあたり、本発明の処理工程はいずれも描画
データのままで処理することができるため、CADデー
タに変換、および寸法変更処理したのち描画データに逆
変換する必要はない。
In the present invention, when changing the size of the pattern of the drawing data of the electron beam drawing apparatus for the pattern of the photomask created in advance, all the processing steps of the present invention can be processed with the drawing data as it is. Therefore, it is not necessary to convert the data into CAD data, perform the size change processing, and then reversely convert into the drawing data.

【0011】[0011]

【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
(図1、2参照) この実施例は、スクライブラインパターン部の寸法およ
びメイン回路パターン部の寸法の両方の寸法を変更した
描画パターンの寸法変更描画データを得る実施例を示
す。既に作成された描画パターン(10)は、スクライ
ブラインパターン部(SP)とメイン回路パターン部
(CP)とを含むものである。この描画パターン(1
0)の描画データに、以下の画像処理を順次施す。ま
ず、描画パターン(10)を白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る。次に、得られた反転描画パターン(12)
に、パターンの輪郭を拡張するプラスリサイズ処理を施
して、反転描画パターン(12)のパターンの輪郭の拡
張されたプラスリサイズパターン(14)を得る。ここ
で、パターンの輪郭の拡張する量をXとすると、 X≧+MAX(C1 /2 ,C2 /2) MAX(C1 /2 ,C2 /2)は、C1 /2、C2 /
2のいずれか大きい方の値である。描画パターン(1
0)は既に作成されたパターンであるので、C1 、C2
は既知の値であり、従ってパターンの輪郭の拡張する量
Xは、適宜定めることができる。次に、前記のごとく得
られたプラスリサイズパターン(14)に、パターンの
存在部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施し
て、スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路
パターン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パタ
ーン(16)を得る。ここで、パターンの輪郭を縮小す
る量をYとすると −〔X+MIN{(B1 −C1 )/2 ,(B2 −C2
)/2}〕≦Y≦−X MIN〔(B1 −C1 )/2 ,(B2 −C2 )/2〕
は、(B1 −C1 )/2、(B2 −C2 )/2のいずれ
か小さい方の値である。描画パターン(10)は既に作
成されたパターンであるので、B1 、C1 、B2 、C2
、は既知の値であり、従ってパターンの輪郭の縮小す
る量Yは、適宜定めることができる。中間枠パターン
(16)の枠パターンは、上記のごとく処理工程によ
り、スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路
パターン部(CP)の間に枠ラインが位置する。
The present invention will be described in detail with reference to the following examples.
(See FIGS. 1 and 2) This embodiment shows an embodiment in which the dimension change drawing data of the drawing pattern in which both the dimensions of the scribe line pattern portion and the dimensions of the main circuit pattern portion are changed is obtained. The drawing pattern (10) already created includes a scribe line pattern portion (SP) and a main circuit pattern portion (CP). This drawing pattern (1
The following image processing is sequentially applied to the drawing data of 0). First, the drawing pattern (10) is subjected to black-and-white reversal processing so that the reversed drawing pattern (1
2) is obtained. Next, the obtained reverse drawing pattern (12)
Then, a plus resizing process for expanding the contour of the pattern is performed to obtain a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is expanded. Here, when the amount of expansion of the contour of the pattern is X, X ≧ + MAX (C1 / 2, C2 / 2) MAX (C1 / 2, C2 / 2) is C1 / 2, C2 /
It is the larger value of two. Drawing pattern (1
0) is a pattern already created, so C1, C2
Is a known value, and therefore the amount X of expansion of the contour of the pattern can be appropriately determined. Next, the plus resizing pattern (14) obtained as described above is subjected to a minus resizing process for reducing the contour of the existing portion of the pattern, so that the middle of the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP) is obtained. An intermediate frame pattern (16) of the frame pattern of is obtained. Here, when the amount of reducing the contour of the pattern is Y,-[X + MIN {(B1-C1) / 2, (B2-C2
) / 2}] ≤Y≤-X MIN [(B1-C1) / 2, (B2-C2) / 2]
Is the smaller of (B1 -C1) / 2 and (B2 -C2) / 2. Since the drawing pattern (10) is a pattern that has already been created, B1, C1, B2, C2
, Is a known value, and therefore the amount Y of reducing the contour of the pattern can be appropriately determined. In the frame pattern of the intermediate frame pattern (16), the frame line is located between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP) by the processing steps as described above.

【0012】次に、描画パターン(10)と、前記のご
とくして得られた中間枠パターン(16)のAND処理
により、メイン回路パターン部(CP)のパターンのメ
イン回路パターン(20)を得る。次に、メイン回路パ
ターン(20)に希望する縮尺の寸法変更処理を施し
て、メイン回路パターン部(CP)の寸法の変更された
パターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得
る。
Then, the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) is obtained by ANDing the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) obtained as described above. . Next, the main circuit pattern (20) is subjected to a size reduction process of a desired scale to obtain a size-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the size of the main circuit pattern portion (CP) is changed.

【0013】次に、描画パターン(10)と、前記のご
とくして得られた中間枠パターン(16)にANDNO
T処理〔描画パターン(10)と中間枠パターン(1
6)のNOTパターンとをAND処理〕を施して、スク
ライブラインパターン部(SP)のパターンのスクライ
ブラインパターン(30)を得る。次に、スクライブラ
インパターン(30)に希望する縮尺の寸法変更処理を
施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る。
Then, ANDNO is applied to the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) obtained as described above.
T processing [drawing pattern (10) and intermediate frame pattern (1
AND processing with the NOT pattern of 6)] is performed to obtain a scribe line pattern (30) of the scribe line pattern portion (SP). Next, the scribe line pattern (30) is subjected to size change processing of a desired scale to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To get

【0014】次に、寸法変更メイン回路パターン(2
2)と、寸法変更スクライブラインパターン(32)を
OR処理して、スクライブラインパターン部(SP)お
よびメイン回路パターン部(CP)ともに寸法の変更さ
れたパターンの、寸法変更描画パターン(40)を得
る。
Next, the dimension change main circuit pattern (2
2) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to obtain the dimension change drawing pattern (40) of the pattern whose dimension is changed in both the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). obtain.

【0015】前記実施例は、スクライブラインパターン
部の寸法およびメイン回路パターン部の寸法の両方の寸
法を変更した描画パターンの寸法変更描画データを得る
実施例を示したが、スクライブラインパターン部の寸法
またはメイン回路パターン部の寸法の一方のみの寸法変
更の場合は、それぞれその寸法変更しないパターンにつ
き最後のOR処理すればよい。
In the above-mentioned embodiment, the dimension change drawing data of the drawing pattern in which both the size of the scribe line pattern part and the size of the main circuit pattern part are changed is obtained, but the size of the scribe line pattern part is obtained. Alternatively, when only one of the dimensions of the main circuit pattern portion is changed, the final OR processing may be performed for each pattern whose dimension is not changed.

【0016】[0016]

【発明の効果】本発明は以上のごとき構成であるから、
下記に示す如き優れた実用上の効果を有する。即ち、本
発明は、既に作成されたフォトマスクなどの描画パター
ンがスクライブラインパターン部とメイン回路パターン
部よりなるものである場合、メイン回路パターン部およ
び/もしくはスクライブラインパターン部に寸法変更を
施して寸法変更された描画パターンを得る場合、CAD
データに変換、および逆変換する必要はなく、描画デー
タに処理を施すことにより、寸法変更されたパターンの
描画データを得ることができる。従って、短時間に寸法
変更されたパターンの描画データを得ることができるこ
とはもとより、高額なCADシステムを使用する必要が
なく、更にはミスが無く処理できる。
Since the present invention is constructed as described above,
It has excellent practical effects as shown below. That is, according to the present invention, when a drawing pattern such as a photomask that has already been formed is composed of a scribe line pattern portion and a main circuit pattern portion, the main circuit pattern portion and / or the scribe line pattern portion are dimensionally changed. If you want to obtain a drawing pattern with a changed size, use CAD
It is not necessary to convert the data into data and vice versa, and it is possible to obtain the drawing data of the dimension-changed pattern by processing the drawing data. Therefore, it is possible to obtain drawing data of a pattern whose size has been changed in a short time, and it is not necessary to use an expensive CAD system, and further, processing can be performed without error.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す、処理工程を示す説明
図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing a processing step, showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の同実施例のフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart of the same embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

スクライブラインパターン部 ‥‥SP メイン回路パターン部 ‥‥CP 描画パターン ‥‥10 反転描画パターン ‥‥12 プラスリサイズパターン ‥‥14 中間枠パターン ‥‥16 メイン回路パターン ‥‥20 寸法変更メイン回路パターン ‥‥22 スクライブラインパターン ‥‥30 寸法変更スクライブラインパターン ‥‥32 寸法変更描画パターン ‥‥40 Scribe line pattern ・ ・ ・ SP main circuit pattern ‥ CP drawing pattern ‥ 10 Reverse drawing pattern ‥ 12 Plus resizing pattern ‥ 14 Middle frame pattern ‥ 16 Main circuit pattern ‥ 20 Dimension change main circuit pattern ‥‥ 22 Scribe line pattern ・ ・ ・ 30 Dimension change scribe line pattern ・ ・ ・ 32 Dimension change drawing pattern ・ ・ ・ 40

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】スクライブラインパターン部(SP)とメ
イン回路パターン部(CP)とを含む描画パターン(1
0)の描画データから、寸法を変更した描画パターンの
寸法変更描画データを得る、描画パターンの寸法変更方
法において、描画データより、下記の処理工程により、
寸法変更描画データを得ることを特色とする描画パター
ンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(1 0)の反転描画パターン(12)を得る白黒反転処理工
程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 メイン回路パターン(20)に寸法変更処理を施し
てメイン回路パターン部(CP)の寸法の変更されたパ
ターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得る、
寸法変更処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 寸法変更メイン回路パターン(22)とスクライブ
ラインパターン(30)をOR処理して、スクライブラ
インパターン部(SP)の寸法はそのままでメイン回路
パターン部(CP)の寸法の変更されたパターンの寸法
変更描画パターン(40)を得るOR処理工程。
1. A drawing pattern (1) including a scribe line pattern portion (SP) and a main circuit pattern portion (CP).
In the drawing pattern size changing method for obtaining the size change drawing data of the drawing pattern whose size has been changed from the drawing data of 0), the drawing data is changed from the drawing data by the following process steps.
Dimension change Method for changing the dimension of a drawing pattern, which is characterized by obtaining drawing data. A black-and-white reversal processing step of performing black-and-white reversal processing on the drawing pattern (10) to obtain a reversal drawing pattern (12) of the reversed drawing pattern (10). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). The plus resize pattern (14) is subjected to a minus resize process for reducing the contour of the pattern existing portion,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). Dimension change processing is performed on the main circuit pattern (20) to obtain a dimension-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the dimension of the main circuit pattern portion (CP) is changed.
Dimension change process. ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). Dimension change The main circuit pattern (22) and the scribe line pattern (30) are OR-processed, and the dimension of the main circuit pattern section (CP) is changed while the dimension of the scribe line pattern section (SP) remains unchanged. An OR processing step for obtaining a drawing pattern (40).
【請求項2】スクライブラインパターン部(SP)とメ
イン回路パターン部(CP)とを含む描画パターン(1
0)の描画データから、寸法を変更した描画パターンの
寸法変更描画データを得る、描画パターンの寸法変更方
法において、描画データより、下記の処理工程により、
寸法変更描画データを得ることを特色とする描画パター
ンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭の拡張する量をXとすると、 X≧+MAX(C1 /2 ,C2 /2) プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭を縮小する量をYとすると −〔X+MIN{(B1 −C1 )/2 ,(B2 −C2
)/2}〕≦Y≦−X 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 メイン回路パターン(20)に寸法変更処理を施し
てメイン回路パターン部(CP)の寸法の変更されたパ
ターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得る、
寸法変更処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 寸法変更メイン回路パターン(22)とスクライブ
ラインパターン(30)をOR処理して、スクライブラ
インパターン部(SP)の寸法はそのままでメイン回路
パターン部(CP)の寸法の変更されたパターンの寸法
変更描画パターン(40)を得るOR処理工程。
2. A drawing pattern (1) including a scribe line pattern portion (SP) and a main circuit pattern portion (CP).
In the drawing pattern size changing method for obtaining the size change drawing data of the drawing pattern whose size has been changed from the drawing data of 0), the drawing data is changed from the drawing data by the following process steps.
Dimension change Method for changing the dimension of a drawing pattern, which is characterized by obtaining drawing data. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). Here, when the amount of expansion of the contour of the pattern is X, X ≧ + MAX (C1 / 2, C2 / 2) plus resizing The minus resizing process for reducing the contour of the existing portion of the pattern (14) is performed,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). Here, when the amount of reducing the contour of the pattern is Y,-[X + MIN {(B1-C1) / 2, (B2-C2
) / 2}] ≦ Y ≦ −X An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). Dimension change processing is performed on the main circuit pattern (20) to obtain a dimension-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the dimension of the main circuit pattern portion (CP) is changed.
Dimension change process. ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). Dimension change The main circuit pattern (22) and the scribe line pattern (30) are OR-processed, and the dimension of the main circuit pattern section (CP) is changed while the dimension of the scribe line pattern section (SP) remains unchanged. An OR processing step for obtaining a drawing pattern (40).
【請求項3】スクライブラインパターン部(SP)とメ
イン回路パターン部(CP)とを含む描画パターン(1
0)の描画データから、寸法を変更した描画パターンの
寸法変更描画データを得る、描画パターンの寸法変更方
法において、描画データより、下記の処理工程により、
寸法変更描画データを得ることを特色とする描画パター
ンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 メイン回路パターン(20)に寸法変更処理を施し
てメイン回路パターン部(CP)の寸法の変更されたパ
ターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得る、
寸法変更処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 スクライブラインパターン(30)に寸法変更処理
を施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る、スクライブラインパターン寸法変更処理工程。 寸法変更メイン回路パターン(22)と寸法変更ス
クライブラインパターン(32)をOR処理して、スク
ライブラインパターン部(SP)およびメイン回路パタ
ーン部(CP)の寸法の変更されたパターンの寸法変更
描画パターン(40)を得るOR処理工程。
3. A drawing pattern (1) including a scribe line pattern portion (SP) and a main circuit pattern portion (CP).
In the drawing pattern size changing method for obtaining the size change drawing data of the drawing pattern whose size has been changed from the drawing data of 0), the drawing data is changed from the drawing data by the following process steps.
Dimension change Method for changing the dimension of a drawing pattern, which is characterized by obtaining drawing data. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). The plus resize pattern (14) is subjected to a minus resize process for reducing the contour of the pattern existing portion,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). Dimension change processing is performed on the main circuit pattern (20) to obtain a dimension-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the dimension of the main circuit pattern portion (CP) is changed.
Dimension change process. ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). The scribe line pattern (30) is subjected to a size change process to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To obtain the scribe line pattern dimension change processing step. The dimension change main circuit pattern (22) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to change the dimension of the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). OR processing step for obtaining (40).
【請求項4】スクライブラインパターン部(SP)とメ
イン回路パターン部(CP)とを含む描画パターン(1
0)の描画データから、寸法を変更した描画パターンの
寸法変更描画データを得る、描画パターンの寸法変更方
法において、描画データより、下記の処理工程により、
寸法変更描画データを得ることを特色とする描画パター
ンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。ここ
で、パターンの輪郭の拡張する量をXとすると、 X≧+MAX(C1 /2 ,C2 /2) プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭を縮小する量をYとすると −〔X+MIN{(B1 −C1 )/2 ,(B2 −C2
)/2}〕≦Y≦−X 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 メイン回路パターン(20)に寸法変更処理を施し
てメイン回路パターン部(CP)の寸法の変更されたパ
ターンの寸法変更メイン回路パターン(22)を得る、
寸法変更処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 スクライブラインパターン(30)に寸法変更処理
を施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る、スクライブラインパターン寸法変更処理工程。 寸法変更メイン回路パターン(22)と寸法変更ス
クライブラインパターン(32)をOR処理して、スク
ライブラインパターン部(SP)およびメイン回路パタ
ーン部(CP)の寸法の変更されたパターンの寸法変更
描画パターン(40)を得るOR処理工程。
4. A drawing pattern (1) including a scribe line pattern portion (SP) and a main circuit pattern portion (CP).
In the drawing pattern size changing method for obtaining the size change drawing data of the drawing pattern whose size has been changed from the drawing data of 0), the drawing data is changed from the drawing data by the following process steps.
Dimension change Method for changing the dimension of a drawing pattern, which is characterized by obtaining drawing data. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). Here, when the amount of expansion of the contour of the pattern is X, X ≧ + MAX (C1 / 2, C2 / 2) plus resizing The minus resizing process for reducing the contour of the existing portion of the pattern (14) is performed,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). Here, when the amount of reducing the contour of the pattern is Y,-[X + MIN {(B1-C1) / 2, (B2-C2
) / 2}] ≦ Y ≦ −X An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). Dimension change processing is performed on the main circuit pattern (20) to obtain a dimension-changed main circuit pattern (22) of the pattern in which the dimension of the main circuit pattern portion (CP) is changed.
Dimension change process. ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). The scribe line pattern (30) is subjected to a size change process to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To obtain the scribe line pattern dimension change processing step. The dimension change main circuit pattern (22) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to change the dimension of the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). OR processing step for obtaining (40).
【請求項5】スクライブラインパターン部(SP)とメ
イン回路パターン部(CP)とを含む描画パターン(1
0)の描画データから、寸法を変更した描画パターンの
寸法変更描画データを得る、描画パターンの寸法変更方
法において、描画データより、下記の処理工程により、
寸法変更描画データを得ることを特色とする描画パター
ンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 スクライブラインパターン(30)に寸法変更処理
を施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る、スクライブラインパターン寸法変更処理工程。 メイン回路パターン(20)と寸法変更スクライブ
ラインパターン(32)をOR処理して、スクライブラ
インパターン部(SP)の寸法は変更されメイン回路パ
ターン部(CP)の寸法はそのままのパターンの寸法変
更描画パターン(40)を得るOR処理工程。
5. A drawing pattern (1) including a scribe line pattern portion (SP) and a main circuit pattern portion (CP).
In the drawing pattern size changing method for obtaining the size change drawing data of the drawing pattern whose size has been changed from the drawing data of 0), the drawing data is changed from the drawing data by the following process steps.
Dimension change Method for changing the dimension of a drawing pattern, which is characterized by obtaining drawing data. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). The plus resize pattern (14) is subjected to a minus resize process for reducing the contour of the pattern existing portion,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). The scribe line pattern (30) is subjected to a size change process to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To obtain the scribe line pattern dimension change processing step. The main circuit pattern (20) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to change the dimension of the scribe line pattern portion (SP) and leave the dimension of the main circuit pattern portion (CP) unchanged. OR process to obtain pattern (40).
【請求項6】スクライブラインパターン部(SP)とメ
イン回路パターン部(CP)とを含む描画パターン(1
0)の描画データから、寸法を変更した描画パターンの
寸法変更描画データを得る、描画パターンの寸法変更方
法において、描画データより、下記の処理工程により、
寸法変更描画データを得ることを特色とする描画パター
ンの寸法変更方法。 描画パターン(10)に白黒反転処理をして、反転
された描画パターン(10)の反転描画パターン(1
2)を得る白黒反転処理工程。 反転描画パターン(12)にパターンの輪郭を拡張
するプラスリサイズ処理を施して、反転描画パターン
(12)のパターンの輪郭の拡張されたプラスリサイズ
パターン(14)を得るプラスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭の拡張する量をXとすると、 X≧+MAX(C1 /2 ,C2 /2) プラスリサイズパターン(14)にパターンの存在
部分の輪郭を縮小するマイナスリサイズ処理を施して、
スクライブラインパターン部(SP)とメイン回路パタ
ーン部(CP)の中間の枠のパターンの中間枠パターン
(16)を得るマイナスリサイズ処理工程。 ここで、パターンの輪郭を縮小する量をYとすると −〔X+MIN{(B1 −C1 )/2 ,(B2 −C2
)/2}〕≦Y≦−X 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)の
AND処理により、メイン回路パターン部(CP)のパ
ターンのメイン回路パターン(20)を得るAND処理
工程。 描画パターン(10)と中間枠パターン(16)に
ANDNOT処理を施してスクライブラインパターン部
(SP)のパターンのスクライブラインパターン(3
0)を得るANDNOT処理工程。 スクライブラインパターン(30)に寸法変更処理
を施して、寸法の変更されたスクライブラインパターン
(30)の寸法変更スクライブラインパターン(32)
を得る、スクライブラインパターン寸法変更処理工程。 メイン回路パターン(20)と寸法変更スクライブ
ラインパターン(32)をOR処理して、スクライブラ
インパターン部(SP)の寸法は変更されメイン回路パ
ターン部(CP)の寸法はそのままのパターンの寸法変
更描画パターン(40)を得るOR処理工程。
6. A drawing pattern (1) including a scribe line pattern portion (SP) and a main circuit pattern portion (CP).
In the drawing pattern size changing method for obtaining the size change drawing data of the drawing pattern whose size has been changed from the drawing data of 0), the drawing data is changed from the drawing data by the following process steps.
Dimension change Method for changing the dimension of a drawing pattern, which is characterized by obtaining drawing data. Black-and-white reversal processing is performed on the drawing pattern (10), and the reversal drawing pattern (1
Black-and-white reversal processing step for obtaining 2). A plus resizing process for obtaining a plus resizing pattern (14) in which the contour of the reverse drawing pattern (12) is extended by performing a plus resizing process for extending the contour of the reverse drawing pattern (12). Here, when the amount of expansion of the contour of the pattern is X, X ≧ + MAX (C1 / 2, C2 / 2) plus resizing The minus resizing process for reducing the contour of the existing portion of the pattern (14) is performed,
A minus resizing process step of obtaining an intermediate frame pattern (16) of a frame pattern between the scribe line pattern portion (SP) and the main circuit pattern portion (CP). Here, when the amount of reducing the contour of the pattern is Y,-[X + MIN {(B1-C1) / 2, (B2-C2
) / 2}] ≦ Y ≦ −X An AND processing step of obtaining the main circuit pattern (20) of the pattern of the main circuit pattern portion (CP) by the AND processing of the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16). ANDNOT processing is performed on the drawing pattern (10) and the intermediate frame pattern (16) to create a scribe line pattern (3) of the scribe line pattern portion (SP).
ANDNOT processing step of obtaining 0). The scribe line pattern (30) is subjected to a size change process to change the size of the scribe line pattern (30) whose size has been changed.
To obtain the scribe line pattern dimension change processing step. The main circuit pattern (20) and the dimension change scribe line pattern (32) are OR-processed to change the dimension of the scribe line pattern portion (SP) and leave the dimension of the main circuit pattern portion (CP) unchanged. OR process to obtain pattern (40).
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100248067B1 (en) * 1995-05-29 2000-03-15 오가와 에이지 Aftergrow lamp
EP0952554A3 (en) * 1998-02-26 2003-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Information processing apparatus and information processing method
JP2007298626A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of density distribution mask

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EP0952554A3 (en) * 1998-02-26 2003-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Information processing apparatus and information processing method
JP2007298626A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of density distribution mask

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