JPH0714120B2 - 超電導磁気遮蔽体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は超電導体によって磁界を遮蔽する超電導磁気遮
蔽体に関するものである。

（従来の技術） 従来、超電導を利用した磁気遮蔽体としては、磁界の強
さに応じて第１種超電導体及び第２種超電導体が用いら
れていた。第１種超電導体を用いた磁気遮蔽体は、超電
導の性質である完全反磁性（マイスナ−効果）を利用す
るものであるが、その臨界磁界が低いため強い磁界を遮
蔽することは不可能である。ところが第２種超電導体を
用いた磁気遮蔽体は、超電導状態と常電導状態との混合
状態を利用するものであり、その臨界磁界は上部臨界磁
界と下部臨界磁界とに分かれ、上部臨界磁界が極めて高
いため強い磁界の遮蔽に利用することができる。

また、同じ第２種超電導体を用いた磁気遮蔽体におい
て、鎖交磁束不変の原理に基づくいわゆる電磁遮蔽効果
も強い磁界の遮蔽に利用することができる。

（発明が解決しようとする課題） 上記の如き磁気遮蔽体は厚みが増すと遮蔽効果がアップ
するので、強い磁界に対しては厚手の超電導材が用いら
れる。しかし厚くすると局部的な磁束流動により発熱し
て遮蔽効果が激減すると云う二次的弊害を生じることが
ある。従って上記の如く第２種超電導体を用いて強い磁
界を遮蔽する場合、超電導材の比較的厚いシート或いは
テープを多層に重ね合せたものや、アルミニウム或いは
銅と共に積層した構造のものが採用される。然し乍ら、
両者は、強い磁界を充分に遮蔽するには全体厚みが厚く
ならざるを得ず、重量が非常に大きくなる為実用性の点
で不充分さがあった。亦、前者の場合、低磁界であって
も速い励磁により磁束跳躍（遮蔽体内部に磁束が侵入
し、中心に向かって移動することによって温度上昇を引
き起こし、更に多くの磁束が侵入するという破局現象）
を起こしやすく磁界を遮蔽するために必要な安定性に欠
くと云った難点があった。一方後者は、アルミニウムや
銅の冷却効果が付加され前者より比較的改善された構造
であると言えるが、なお超電導材のもつ特性を充分に発
揮させる構造には至っていなかった。そしてこのような
超電導磁気遮蔽体は、厚みが厚い程磁気遮蔽効果は大き
い（超電導体の厚みと磁気遮蔽効果とは正比例するとさ
れていた）ので、上記の如く発熱等を抑える処理が講じ
られれば薄手のものを積層するよりも出来るだけ厚い超
電導体を用いる方が製造コスト及び工数を低減させ得る
為有利であると考えられていた。

而して、本発明者等は上記第２種超電導体の基本特性に
ついて鋭意探求した結果、窒化ニオブ及び窒化チタンの
混晶体を主成分とする薄膜を金属基板に積層すると、薄
膜であっても従来にない磁気遮蔽効果が得られることを
知見し、ここにこの新規な超電導磁気遮蔽体を提供せん
とするものである。

亦、本発明者等は、特願昭60−024254号に於いて、薄層
の超電導体を複数積層すると全体厚みが同一であっても
単一層のものより磁気遮蔽効果が飛躍的に向上すること
を知見しこれを利用した超電導磁気遮蔽体を提案した
が、窒化ニオブと窒化チタンとから成る混晶体を金属基
板に薄層にして定着するのが一般に難しく、特に後述の
反応性スパッタ法で蒸着薄膜に形成すると上記混晶体が
基板から剥離し易いと問題があり、従って、超電導体と
して上記混晶体を使用して磁気遮蔽体とするには、耐剥
離強度の大きな積層構造に構成する必要があった。

更に、本発明者等は、特願昭62−068499号に於いて、超
電導の反磁性による遮蔽と電磁遮蔽とを併用した超電導
磁気遮蔽体を提案したが、上記に本提案の思想をも適用
すれば極めて優れた磁気遮蔽効果が得られることを知見
したので、これも併せて提供せんとするものである。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成する為の本発明の構成を添付の実施例図
に基づき説明する。第１図は本発明の請求項１に係る磁
気遮蔽耐の基本例に示す縦断面図、第２図乃至第５図は
同請求項２乃至５に係る磁気遮蔽体の基本例を示す縦断
面図、第６図は同請求項６に係る磁気遮蔽体の一例を示
す斜視図、第７図は第６図のVII−VII線断面図である。
即ち、請求項１に係る本発明超電導磁気遮蔽体は、ニオ
ブ、チタン及びニオブ−チタン合金等の金属より選ばれ
たいずれか１種の基板１と、窒化ニオブ及び窒化チタン
の混晶体（以下、NbN・TiNと略称する）を主成分とし基
板１上に定着された超電導薄膜層２とより成ることを要
旨とする。

請求項２に係る超電導磁気遮蔽体は、銅、アルミニウ
ム、ニッケル、ステンレス鋼、チタン、ニオブ若しくは
ニオブ−チタン合金などの基板１上に、ニオブ−チタン
合金（以下、Nb−Ti合金と略称する）層３を介して上記
超電導薄膜層２が定着一体とされたものである。

請求項３に係る超電導磁気遮蔽体は、上記基板１上に、
Nb−Ti合金層３、超電導薄膜層２及びNb−Ti合金層３が
この順序で積層一体とされて成るものである。

請求項４に係る超電導磁気遮蔽体は、上記基板１上に、
Nb−Ti合金層３、超電導薄膜層２及び金属薄膜層４がこ
の順序で多数繰り返し積層一体とされて成るものであ
る。

請求項５に係る超電導磁気遮蔽体は、上記基板１上に、
Nb−Ti合金層３、超電導薄膜層２、Nb−Ti合金層３及び
常電導性の金属薄膜層４がこの順序で多数繰り返し積層
一体とされて成るものである。

更に、請求項６に係る超電導磁気遮蔽体は、上記各遮蔽
体が厚み方向に貫通する多数の小孔５…を有することを
特徴とするものである。

上記超電導薄膜層２は、Nb−Ti合金をターゲットとし、
アルゴン−窒素ガス雰囲気下で反応性スパッタ法によ
り、上記基板１上に又はNb−Ti合金層３上に蒸着形成さ
れる。形成された薄膜は NbN_(x)・TiN_(1-x)（但し、0.1≦ｘ＜１） の組成式を持つ混晶体を主成分とし（通常上記方法によ
れば70重量％以上を占める）、他にNb及びTiの単体、Nb
Tiその他を若干含む（同30重量％未満）ものである。ｘ
はスパッタリングのターゲットとしてのNb−Ti合金の配
合組成を変えることにより適宜調整し得る。またNb−Ti
合金層３及び金属薄膜層４もスパッタ法により形成され
る。

超電導薄膜層２を反応性スパッタリング法により形成す
る場合、基板１を加熱若しくは非加熱の状態で行なうこ
とが可能であるが、後記実施例で示す如く非加熱の方が
１〜２割磁気遮蔽効果が大である。亦、該超電導薄膜層
２の厚みは、10μｍ以下望ましくは数μｍであり、10μ
ｍを越えると安定化効果が減退し、遮蔽効果が低下する
傾向となる。

Nb−Ti合金層３は、これ自体超電導的性質を保有する
が、本発明では、銅、アルミニウム、ニッケル、ステン
レス鋼を基板としてこれに直接スパッタ蒸着しても混晶
体の窒化物は接着強度が小さく剥離し易いが、Nb−Ti合
金層３に対しては窒化物との親和力が大きくて混晶体の
薄膜層２は強固に密着するので、基板１と超電導薄膜層
２とを強固に接着一体とするべく機能し、その厚みは10
0μｍ以下が望ましい。100μｍを超えると上記同様安定
化効果が減退し、遮蔽効果が低下する傾向となる。基板
１は、上記超電導薄膜層２やその積層体を定着する担持
体としての機能を有するとともに、超電導層の冷却機能
を奏するもので、上記の如く銅、アルミニウム、ニッケ
ル、ステンレススチール及びチタン等の熱電導率の良い
金属が採用される。

更に、金属薄膜層４は超電導層間に介在されて各層の冷
却機能を奏するものであり、上記同様熱伝導率の良い金
属が採用される。

小孔５…は、前記先願（特願昭62−068499号）で述べた
如く、電磁遮蔽の機能を奏するもので、各小孔５の開口
面積は３cm²以下、且つ全体の開口率は90％以下である
ことが望ましい。開口面積が３cm²を、また開口率が90
％を超えると、取扱い上において、また高磁場環境下で
の応力に対して強度が不十分となり、加えて超電導薄膜
層の面積が小さくなり強い磁界を遮蔽するのに必要な遮
蔽電流（環境磁界を打ち消すような磁界を発生するよう
に流れる電流）の容量が得られなくなる。更に上記小孔
の開口面積が３cm²を超えると各小孔内の遮蔽磁界に勾
配が出来、各部分における完全な遮蔽が難しくなる。一
方開口面積が小さ過ぎるとスパッタリングの際に目詰り
を起し易くなる。

（作用） 本発明超電導磁気遮蔽体の作用について述べる。請求項
１に係る磁気遮蔽体は、本発明の最も基本的層構造を有
するものである。斯かる遮蔽体を強い磁界内に置いた
時、超電導薄膜層２の厚みが数μｍであっても極めて高
い磁気遮蔽効果を発揮する。これは、NbN・TiN特有の磁
気遮蔽効果に起因するものである。また、基板１は、チ
タン、ニオブ、Nb−Ti合金であるから、窒化物との親和
力が大きくて混晶体の薄膜層２を強固に密着させて担持
し、液体ヘリウム中に伝熱して薄膜層２を冷却して強磁
界中の該混晶体の超電導体を安定化させる。

請求項２に係る磁気遮蔽体は、上記超電導薄膜層２と基
板１との接着力を強固にしたものであり、これら層間に
Nb−Ti合金層３が介在されている。NbN・TiNのスパッタ
蒸着層は、銅、アルミニウム、ステンレス鋼などの金属
との馴染みが悪く、スパッタリングにより金属基板１に
直接定着する場合、鱗状になって剥離することが往々に
してある。しかし、本態様の如くNb−Ti合金層３が基板
１と超電導薄膜層２との間に介在されていると、該合金
層３が両者に馴染み性が良いので各層は強固に接着一体
とされる。しかも、Nb−Ti合金自体も超電導体であるの
で、超電導特性が相乗され磁気遮蔽効果が増長される。

請求項３に係る磁気遮蔽体は、上記請求項２に係る超電
導薄膜層２の表面に、更にNb−Ti合金層３を積層したも
のである。この場合、表面側Nb−Ti合金層３の磁気遮蔽
効果が付加され、全体としての磁気遮蔽量が増大する。

請求項４に係る磁気遮蔽体は、Nb−Ti合金層３、超電導
薄膜層２及び金属薄膜層４をこの順序で繰り返し基板１
上に積層したものであり、該金属薄膜層４は基板１と共
に超電導層をサンドイッチ状に挟装し、これにより多層
の積層体であっても各超電導層の冷却安定化が図られ
る。斯かる冷却効果は、具体的には、超電導薄膜層２の
全ての部分に於いて放熱効果を高め、磁束流動による温
度上昇を低く抑え、また常電導転位した部分の電流の岐
路を形成し発生熱量を抑えて常電導転移部分を超電導へ
復起させる効果を持つ。一般に、超電導材料を多層にし
たものを強い磁界に晒した場合、第１層が最も強い磁界
に晒され、第２層以後の各層では少しずつ磁界が弱くな
り、最終層では殆ど零となる。このような機能は各層が
安定に働かなくては充分に発揮されず、例えば第１層で
磁束跳躍が起こった場合、第２層では急激な磁界の変化
を受け、第２層でも磁束跳躍を起こすことになり、結果
として所望の磁気遮蔽効果が得られなくなる。本実施態
様に於いては、各層が金属薄膜層４により冷却されるか
ら安定に機能し、高レベルの磁気遮蔽効果が維持される
のである。更に、Nb−Ti合金層３が超電導薄膜層２及び
金属薄膜層４の間に介在されることになるから、該合金
層３の両層２、４に対する馴染み性により各層が強固に
一体とされる。尚、最上面には必ずしも金属薄膜層４が
存在することを要しない。

請求項５に係る磁気遮蔽体は、Nb−Ti合金層３、超電導
薄膜層２、Nb−Ti合金層３及び金属薄膜層４を基板１上
に繰り返し積層したものであり、この場合も金属薄膜層
４が超電導層をサンドイッチ状に挟装し、多層の積層体
であっても該金属薄膜層４により各超電導層の冷却安定
化が図られる。また、該金属薄膜層４の両面にはNb−Ti
合金層３が存在するから、各層が強固に一体とされる。

請求項６に係る磁気遮蔽体に於いて、小孔５…の開設部
では電磁遮蔽効果が発現され、また小孔５…の開設部以
外の部分では完全反磁性及び超電導状態と常電導状態と
の混合状態による反磁性を利用した超電導遮蔽効果が発
現される。これら２種の遮蔽作用が相乗して極めて効果
的に磁気遮蔽がなされる。電磁遮蔽では、超電導体でで
きた閉回路に遮蔽すべき磁界を打ち消すような逆向きの
磁界を生起する遮蔽電流が流れるため、超電導体の臨界
電流密度が大きいものほど、強い磁界を効率よく且つ安
定に遮蔽し得る。亦、超電導薄膜層２を薄膜化すること
によって、上部臨界磁界及び臨界電流密度が同種のバル
クの値よりも大きくなるため、前述の両遮蔽方法を組み
合わせた請求項６に係る磁気遮蔽体は、極めて強い磁界
の遮蔽に用いることが可能であると共に、比較的少ない
超電導材料で所望の強さの磁界を遮蔽することができ
る。また、本磁気遮蔽体は、網目状遮蔽体のごとく閉回
路形成の為のハンダ等による接合部が全く存在しないの
で、これを臨界温度以下に保持すると、遮蔽を行うべき
閉回路（小孔周辺部）の全抵抗が零となり、遮蔽すべき
磁界が一様磁界あるいは変動磁界に関係なく、完全な遮
蔽が可能であり、その応用に制限がない。更に、基板に
小孔を有しない一様なシートを用いたものと比べ、小孔
５…内部にも冷媒がゆきわたるため冷却が全領域に充分
なされると共に、高磁界においては小孔５…の周辺部に
磁束を強制的にトラップし、磁束流動による発熱を抑え
得るような構造となっているため、高磁界における安定
化効果は抜群である。

更に、前述のごとく超電導薄膜層２が薄いほど安定化効
果が得られるが、請求項６に係る遮蔽体では該薄膜層２
を磁束の侵入深さより薄くしても、同種のバルクによる
上部臨界磁界より高い磁界であっても遮蔽可能である。
即ち、第２種超電導体ではコヒーレンス長さ（超電導電
子が存在し得る超電導材料表面からの深さ）より磁束の
侵入深さの方が大きいため、磁束の侵入深さ以下の厚み
であっても電気抵抗が零である性質は保持されると共
に、上部臨界磁界についても同種のバルクに関する値よ
りもかなり上昇するからである。

従来の薄膜を積層化した超電導磁気遮蔽体は、安定化効
果を得るため磁束の侵入深さ以下まで小さくすると、磁
界の強さ及び超電導材層の層数に関係なく磁界が殆ど通
りぬけてしまうため遮蔽困難になる。ところが、請求項
６に係る磁気遮蔽体は電磁遮蔽をも行うものであり、超
電導薄膜層２の厚みが磁束の侵入深さ以下であっても超
電導層の抵抗は零であるため、遮蔽電流が流れ磁気遮蔽
効果は消失しない。

亦、請求項６に係る磁気遮蔽体において超電導薄膜層２
を複数にする場合は、該超電導薄膜層２相互間に金属薄
膜層４が介在されるが、この場合の金属薄膜層４の冷却
安定化効果は上記と同様である。次に実施例について述
べる。

（実施例） 〔Ｉ〕厚さ40μｍの無孔チタン基板上に下記の如く各層
を積層し、これを強磁界内に設置して最大磁気遮蔽量を
測定した。その結果を各表に示す。尚、超電導薄膜層の
形成は、既述の如くNb−Ti合金をターゲットとし、窒素
−アルゴン混合ガス雰囲気下反応性スパッタ法により行
なった。この場合超電導薄膜層中にはNbN・TiN混晶体は
80〜90重量％含有される。以下の各表中＊１は超電導薄
膜層の膜厚を、＊２はNb−Ti合金層の膜厚を示す。

（１）請求項１に対応する実施例； 第１表から超電導薄膜層の膜厚が薄くても磁気遮蔽効果
が高いことが理解される。尚、層数は、超電導薄膜層の
数を示す。

（２）請求項２に対応する実施例； 上記スパッタリングの際、基板を約300℃で加熱した場
合としない場合について測定した。

（２−ｉ）基板非加熱の場合； 尚、層数は、超電導薄膜層及びNb−Ti合金層を一単位と
した複合膜（以下、複合膜ａと云う）の層数を示す。第
２表から、超電導薄膜層が薄くても高レベルの磁気遮蔽
効果が得られることが理解される。

（２−ii）基板加熱の場合； 尚、層数は上記と同様である。本表の実施例No.16、1
7、18は夫々第２表の実施例No.4、７、８に対応する
が、これらを比較すれば明らかな如く、基板非加熱の方
が１〜２割磁気遮蔽効果が優れていることが理解され
る。これは、基板加熱を行なうと、膜中にストレスがか
かり、層間拡散によって遮蔽特性が幾分低下するものと
考えられる。

（３）請求項３に対応する実施例； 上記同様スパッタリングの際、基板を約300℃で加熱し
た場合としない場合について測定した。

（３−ｉ）基板非加熱の場合； 尚、層数は、Nb−Ti合金層、超電導薄膜層及びNb−Ti合
金層を一単位とした複合膜（以下、複合膜ｂと云う）の
層数を示す。第４表からNb−Ti合金層の相乗的磁気遮蔽
効果が理解される。

（３−ii）基板加熱の場合； 尚、層数は上記と同様である。本表の実施例No.29、3
0、31は、第４表の実施例No.19、20、23に夫々対応する
が、ここでも基板非加熱の方が磁気遮蔽効果が１〜２割
優れていることが理解される。

（４）請求項４に対応する実施例； 尚、層数は複合膜ａの層数を示す。また、各複合膜間に
はアルミニウムの薄膜層が介在されている。本表の実施
例No.32、33は第２表の実施例No.4に、34は同５に、ま
た35は同７に夫々対応するが、層数に比例するように磁
気遮蔽量が増大することが理解される。

（５）請求項５に対応する実施例； 尚、層数は複合膜ｂの層数を示す。また、各複合膜間に
はアルミニウムの薄膜層が介在されている。本表の実施
例No.36は第４表の実施例No.19に、37は同20に、また38
は同22に夫々対応するが、ここでも層数に比例するよう
に磁気遮蔽量が増大することが理解される。

〔６〕請求項６に対応する実施例； 請求項１〜５に係る遮蔽体に多数の小孔を開設したもの
について最大磁気遮蔽量を測定した。この場合、基板に
直径2mmの円孔を開口率20％で開設し、その上に各層を
上記スパッタ法により積層形成した。

（１）請求項１に係る遮蔽体に小孔を開設した場合； 尚、層数は第１表の場合と同様である。

（２）請求項２に係る遮蔽体に小孔を開設した場合； 層数は第２表の場合と同様である。

（３）請求項３に係る遮蔽体に小孔を開設した場合； 尚、層数は第４表の場合と同様である。

（４）請求項４に係る遮蔽体に小孔を開設した場合； 尚、層数は第６表の場合と同様である。

（５）請求項５に係る遮蔽体に小孔を開設した場合； 尚、層数は第７表の場合と同様である。第８表至第12表
から、小孔を設けたものは小孔を設けないものに比べ磁
気遮蔽効果が若干増大していることが理解される。これ
は小孔による電磁遮蔽効果が付加された結果であると考
えられる。即ち、第８表乃至第10表から、小孔を設けた
ものは、小孔を設けないものに比べ、超電導薄膜層の膜
厚が比較的厚い５μｍ以上の場合、磁気遮蔽効果が若干
増大していることが理解できる。亦、第11表及び第12表
から、小孔を有する遮蔽体の磁気遮蔽効果は、積層層数
に完全に比例することがわかる。これは基板に小孔を有
しない一様なシートを用いたものに比べ小孔内部にも冷
媒がゆきわたるため冷却が全領域に充分になされると共
に、小孔部に磁束を強制的にトラップし磁束流動による
発熱を抑え得るような構造となっているため、高磁界に
おかれても極めて安定であるからと考えられる。

ところで、Nb−Ti合金層層はこれ自体超電導的性質を保
有するものであるが、本発明では基板と超電導薄膜層と
を強固に接着一体とすべく機能するものであるため、そ
の膜厚には制限がない。しかし、第９表及び第10表に示
す如く、Nb−Ti合金層層の膜厚が100μｍを超えると、
複合膜ａ、複合膜ｂ及びこれらの積層体の磁気遮蔽効果
は低下する傾向となる。これは上記安定化効果が減退す
るためと考えられる。

尚、上記実施例では基板及び金属薄膜層としてチタンを
用いた例を示したが、他の金属でも同様の結果が得られ
ることは本発明者等の実験により確認されている。

（発明の効果） 叙上の如く、本発明の請求項１に係る超電導磁気遮蔽体
は、遮蔽の主体たるNbN・TiNを主成分とする超電導薄膜
層特有の磁気遮蔽効果により数μｍの薄膜であっても極
めて強い磁界を遮蔽することが出来る。しかも、該超電
導薄膜層は金属の基板と一体とされているから、その冷
却効果等により安定化され、優れた磁気遮蔽効果が良好
に維持される。

亦、請求項２に係る超電導磁気遮蔽体は、上記請求項１
に係る基板と超電導薄膜層との間に両者に馴染み性の良
いNb−Ti合金層が介在されているから、耐剥離強度が大
であり実用性が飛躍的に増大すると共にNb−Ti合金層の
超電導特性が付加され、磁気遮蔽効果が更に優れたもの
となり、また請求項３に係る超電導磁気遮蔽体は、これ
に更にNb−Ti合金層の超電導特性が付加され、一層その
磁気遮蔽効果が増大する。

請求項４に係る超電導磁気遮蔽体は、請求項２に係る超
電導薄膜層及びNb−Ti合金層を一単位とし金属薄膜層を
介して繰り返し積層したものであり、超電導薄膜層の層
数にほぼ比例した磁気遮蔽効果が得られると共に各層間
に介在された金属薄膜層の冷却効果により安定化が図ら
れる。特に、超電導層の単一厚みと薄膜を多数積層した
厚みとを同一とした場合に、後者の方が磁気遮蔽効果が
遥かに高くまた安定性が良く、その実用価値は飛躍的に
増大する。亦、Nb−Ti合金層が各層を強固に一体とすべ
く機能し、耐剥離強度の大なる多層構造が提供される。

請求項５に係る超電導磁気遮蔽体は、請求項３に係るNb
−Ti合金層、超電導薄膜層及びNb−Ti合金層を一単位と
し金属薄膜層を介して繰り返し積層したものであり、請
求項４に係るものに更にNb−Ti合金層の超電導特性が相
乗されて優れた磁気遮蔽効果を奏する。

請求項６に係る超電導磁気遮蔽体は、上記請求項１乃至
５に係る遮蔽体に厚み方向に貫通する多数の小孔を設け
たもので、該小孔による電磁遮蔽及び冷却効果等が付加
され、磁気遮蔽効果が一層顕著となると共に極めて安定
なものとなる。

このように、本発明の超電導磁気遮蔽体は、いずれも磁
気遮蔽効果に優れ且つ安定なものであり、しかも軽量且
つ安価に製することができ、その有用性は極めて大であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の請求項１に係る磁気遮蔽体の基本例を
示す縦断面図、第２図乃至第５図は同請求項２乃至５に
係る磁気遮蔽体の基本例を示す縦断面図、第６図は同請
求項６に係る磁気遮蔽体の一例を示す斜視図、第７図は
第６図のVII−VII線断面図である。 （符号の説明） １……基板、２……超電導薄膜層、３……Nb−Ti層、４
……金属薄膜層、５……小孔。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】チタン、ニオブ及びニオブ−チタン合金の
   金属より選ばれたいずれか１種の基板（１）と、窒化ニ
   オブ及び窒化チタンの混晶体を主成分として基板（１）
   に定着された超電導薄膜層（２）と、より成る超電導磁
   気遮蔽体。
2. 【請求項２】銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス
   鋼、チタン、ニオブ若しくはニオブ−チタン合金などの
   基板（１）上に、ニオブ−チタン合金層（３）を介し
   て、窒化ニオブ及び窒化チタンの混晶体を主成分とする
   超電導薄膜層（２）が定着一体とされて成る超電導磁気
   遮蔽体。
3. 【請求項３】請求項２記載の超電導磁気遮蔽体の当該超
   電導薄膜層（２）上に、さらに、ニオブ−チタン合金層
   （３）が定着一体とされて成る超電導磁気遮蔽体。
4. 【請求項４】銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス
   鋼、チタン、ニオブ若しくはニオブ−チタン合金などの
   基板（１）上に、ニオブ−チタン合金層（３）、窒化ニ
   オブ及び窒化チタンの混晶体を主成分とする超電導薄膜
   層（２）及び常電導性金属薄膜層（４）が、この順序で
   多数繰り返し積層一体とされて成る超電導磁気遮蔽体。
5. 【請求項５】銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス
   鋼、チタン、ニオブ若しくはニオブ−チタン合金などの
   基板（１）上に、ニオブ−チタン合金層（３）、窒化ニ
   オブ及び窒化チタンの混晶体を主成分とする超電導薄膜
   層（２）、ニオブ−チタン合金層（３）及び常電導性の
   金属薄膜層（４）が、この順序で多数繰り返し積層一体
   とされて成る超電導磁気遮蔽体。
6. 【請求項６】上記超電導磁気遮蔽体の厚み方向に貫通す
   る多数の小孔（５）を有する請求項１乃至５何れか記載
   の超電導磁気遮蔽体。