JPH0715528B2 - テ−パ状光導波路の作製方法 - Google Patents
テ−パ状光導波路の作製方法Info
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- JPH0715528B2 JPH0715528B2 JP61136554A JP13655486A JPH0715528B2 JP H0715528 B2 JPH0715528 B2 JP H0715528B2 JP 61136554 A JP61136554 A JP 61136554A JP 13655486 A JP13655486 A JP 13655486A JP H0715528 B2 JPH0715528 B2 JP H0715528B2
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はコヒーレント光を使用する光情報処理分野ある
いは光通信，光応用計測制御分野に使用される光導波路
とレーザおよび光ファイバとの高効率結合を可能にする
テーパ状光導波路作製方法に関するものである。
いは光通信，光応用計測制御分野に使用される光導波路
とレーザおよび光ファイバとの高効率結合を可能にする
テーパ状光導波路作製方法に関するものである。
従来の技術 プロトン交換法によりLiNbO3上に光導波路を形成し、TE
/TMモードスプリッタや波長変換素子などが作製されて
いた。上記光導波路への結合効率を向上させるため光入
射部をテーパ状にすることが考えられる。
/TMモードスプリッタや波長変換素子などが作製されて
いた。上記光導波路への結合効率を向上させるため光入
射部をテーパ状にすることが考えられる。
従来、テーパ状光導波路の作製方法としてアプライド
オプティックス（Applied Optics）1979年３月号 Vol1
8,No.6 900〜902頁のジェー・シー・キャンベル氏（J.
C.Campbell）による方法がある。この方法は第３図に示
されるように保護マスク７が形成された基板１′を徐々
に硝酸銀５′の溶液に浸していくことにより拡散深さを
変化させてテーパ状光導波路を形成するというものであ
る。
オプティックス（Applied Optics）1979年３月号 Vol1
8,No.6 900〜902頁のジェー・シー・キャンベル氏（J.
C.Campbell）による方法がある。この方法は第３図に示
されるように保護マスク７が形成された基板１′を徐々
に硝酸銀５′の溶液に浸していくことにより拡散深さを
変化させてテーパ状光導波路を形成するというものであ
る。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の方法では基板であるLiNbO3基板に安息
香酸などの酸を用いてテーパ状光導波路を作製する場
合、溶液の蒸気のため光入射部以外の部分もプロトン交
換されてしまうという問題があった。また量産性，制御
性を良くするためには装置自体が大がかりになってしま
うという問題もあった。
香酸などの酸を用いてテーパ状光導波路を作製する場
合、溶液の蒸気のため光入射部以外の部分もプロトン交
換されてしまうという問題があった。また量産性，制御
性を良くするためには装置自体が大がかりになってしま
うという問題もあった。
問題点を解決するための手段 本発明は強誘電体基板の表面に酸を塗布し、光入射部と
光導波部の温度に変化を付けテーパ状導波路を作製しよ
うとするものである。
光導波部の温度に変化を付けテーパ状導波路を作製しよ
うとするものである。
作用 本発明の構成によれば蒸気の影響は受けず簡単に制御性
良く、しかも一度の熱処理によりテーパ状光導波路を作
製することができる。
良く、しかも一度の熱処理によりテーパ状光導波路を作
製することができる。
実 施 例 第１図は本発明のテーパ状光導波路の作製方法の一実施
例を示す構成図である。同図（ａ）で１はLiNbO3基板、
２はピロ燐酸、3,4は加熱されたAlブロックである。ピ
ロ燐酸２は純度95％のものを用いスピンナで300r.p.m,1
0秒間塗布を行った。またAlブロック３は230℃,Alブロ
ック４は260℃に加熱されている。このブロック3,4上で
LiNbO3基板１を10分間熱処理し、プロトン交換によりテ
ーパ状光導波路を作製した。同図（ｂ）に上記プロセス
により作製されたテーパ状光導波路の断面図を示す。光
導波部５は厚み0.5μm,光入射部６は厚み１μｍとなっ
た。
例を示す構成図である。同図（ａ）で１はLiNbO3基板、
２はピロ燐酸、3,4は加熱されたAlブロックである。ピ
ロ燐酸２は純度95％のものを用いスピンナで300r.p.m,1
0秒間塗布を行った。またAlブロック３は230℃,Alブロ
ック４は260℃に加熱されている。このブロック3,4上で
LiNbO3基板１を10分間熱処理し、プロトン交換によりテ
ーパ状光導波路を作製した。同図（ｂ）に上記プロセス
により作製されたテーパ状光導波路の断面図を示す。光
導波部５は厚み0.5μm,光入射部６は厚み１μｍとなっ
た。
次に厚み方向だけでなく横方向にも光が閉じ込められる
三次元導波路作製について第２図を用いて説明する。ま
ずLiNbO3基板１上に蒸着，フォトプロセスなどによりTa
による保護マスク７および保護マスク７に形成されたス
リット８を形成する。このLiNbO3基板１を先の実施例と
同様にAlブロック4,5を用いて熱処理しスリット８直下
に厚み0.5μｍの光導波部と厚み１μｍの光入射部が得
られた。He−Neレーザとこのテーパ状光導波路との結合
効率は光導波部だけのときの値30％に対して1.5倍の45
％が得られた。光導波部と光入射部との間には温度分布
によって良好なテーパ部が形成されたと思われる。
三次元導波路作製について第２図を用いて説明する。ま
ずLiNbO3基板１上に蒸着，フォトプロセスなどによりTa
による保護マスク７および保護マスク７に形成されたス
リット８を形成する。このLiNbO3基板１を先の実施例と
同様にAlブロック4,5を用いて熱処理しスリット８直下
に厚み0.5μｍの光導波部と厚み１μｍの光入射部が得
られた。He−Neレーザとこのテーパ状光導波路との結合
効率は光導波部だけのときの値30％に対して1.5倍の45
％が得られた。光導波部と光入射部との間には温度分布
によって良好なテーパ部が形成されたと思われる。
なお実施例では良質の基板が入手し易いLiNbO3基板を用
いたがLiTaO3基板などの強誘電体にも有効である。また
酸として室温で液状であるピロ燐酸を用いたが塗布でき
るものであればこれに限ることはない。
いたがLiTaO3基板などの強誘電体にも有効である。また
酸として室温で液状であるピロ燐酸を用いたが塗布でき
るものであればこれに限ることはない。
またLiNbO3は＋Ｚ板または−Ｚ板を用いると、他のX,Y
板等に比べ化学損傷を受けずに良好な光導波路が形成で
きる。
板等に比べ化学損傷を受けずに良好な光導波路が形成で
きる。
発明の効果 以上のように本発明のテーパ状光導波路作製方法によれ
ば、光入射部，テーパ部，光導波部の三部分が同時に作
製でき大幅にプロセスを簡略化することができる。また
光入射部形成の際に光導波部も同時に形成されるため酸
の蒸気による作製ムラを生じることもなく、制御性の点
でも優れている。また上記のように簡単に制御性良くテ
ーパ状光導波路が作製でき量産性に対しても有利とな
る。
ば、光入射部，テーパ部，光導波部の三部分が同時に作
製でき大幅にプロセスを簡略化することができる。また
光入射部形成の際に光導波部も同時に形成されるため酸
の蒸気による作製ムラを生じることもなく、制御性の点
でも優れている。また上記のように簡単に制御性良くテ
ーパ状光導波路が作製でき量産性に対しても有利とな
る。
第１図は本発明の第一実施例におけるテーパ状光導波路
の作製方法を示す断面図、第２図は同第二の実施例を示
す斜視図、第３図は従来のテーパ状光導波路の作製方法
を示す構成図である。 １……LiNbO3基板、２……ピロ燐酸、５……光導波部、
６……光入射部。
の作製方法を示す断面図、第２図は同第二の実施例を示
す斜視図、第３図は従来のテーパ状光導波路の作製方法
を示す構成図である。 １……LiNbO3基板、２……ピロ燐酸、５……光導波部、
６……光入射部。
Claims (2)
- 【請求項１】LiNbxTa1-xO3（０≦ｘ≦１）基板の表面
に、ピロ燐酸（H4P2O7）を主成分とする酸を塗布する工
程と、 前記LiNbxTa1-xO3（０≦ｘ≦１）基板の光入射部が形成
される部分の温度T1が、光導波部が形成される部分の温
度T2よりも高くなるような熱処理を行う工程とを含んで
なるテーパ状光導波路の作製方法。 - 【請求項２】LiNbxTa1-xO3（０≦ｘ≦１）基板が＋Ｚ板
または−Ｚ板である特許請求の範囲第１項記載のテーパ
状光導波路の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61136554A JPH0715528B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | テ−パ状光導波路の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61136554A JPH0715528B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | テ−パ状光導波路の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293203A JPS62293203A (ja) | 1987-12-19 |
| JPH0715528B2 true JPH0715528B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15177935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61136554A Expired - Fee Related JPH0715528B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | テ−パ状光導波路の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715528B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607403A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Canon Inc | 薄膜光導波路の作成方法 |
| JPS60133405A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-16 | Canon Inc | パタ−ン形成法 |
| JPS6170541A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Canon Inc | 薄膜型光学素子およびその作製方法 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP61136554A patent/JPH0715528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62293203A (ja) | 1987-12-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |