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JPH0715963B2 - 半導体装置 - Google Patents
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JPH0715963B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0715963B2
JPH0715963B2 JP62216855A JP21685587A JPH0715963B2 JP H0715963 B2 JPH0715963 B2 JP H0715963B2 JP 62216855 A JP62216855 A JP 62216855A JP 21685587 A JP21685587 A JP 21685587A JP H0715963 B2 JPH0715963 B2 JP H0715963B2
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JP
Japan
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semiconductor element
radiator
jig
semiconductor device
fixed
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賢造 畑田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/60—Securing means for detachable heating or cooling arrangements, e.g. clamps
    • H10W40/611—Bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体素子の効率的な放熱を目的とした半導体
装置に関するものである。
従来の技術 近年、LSIは大容量や多機能化のために、チップサイズ
も大きくなり、かつ電極数も数100に達してきた。その
ために単位面積当りの発熱量も高くなり、今後LSIの放
熱は大きな課題である。
従来の放熱を目的とした半導体装置は第３図に示すよう
に半導体素子１を容器２に入れワイヤ６により内部結線
をした後、放熱器３に前記容器２を固定させた構成であ
った。また、この様な半導体装置を回路基板４に搭載す
るには治具７をネジ５で固定していた。
発明が解決しようとする問題点 この様な構成においては、チップサイズや電極数が増大
すると容器２の平面積も大きくなるばかりか、半導体素
子１と放熱器３との間に容器２を介しているために、熱
抵抗は大きくなり、放熱効果を著しく妨げるものであっ
た。また、チップサイズや電極数の増大は、容器２のコ
スト高をまねくばかりか、実装面積も大きくなってしま
っていた。
問題点を解決するための手段 本発明は半導体素子をフィルムキャリヤ方式で搭載し、
放熱器に前記半導体素子の一面を直接固定する構成とす
るものである。
作用 このような本発明によれば半導体素子がフィルムキャリ
ヤ方式で搭載されるため、チップサイズの大型化や電極
数が増加しても実装面積が大きくならず、また半導体素
子が直接、放熱器と接するために放熱効率も高いもので
ある。
実施例 第１図に本発明の一実施例の構成を示す。半導体素子１
の電極はフィルムキャリヤ方式でフィルムテープ10上に
形成したリード11に接続される。前記半導体素子１の一
面は放熱器12の裏面に接し、治具13が半導体素子１の全
面を覆う如く設けられ、これと放熱器12とは半導体素子
１を挾みこむ様にして、ネジ14で治具13と放熱器は固定
される。また、治具13の一部はネジ16によって回路基板
15に固定される。
一方、半導体素子１の電極に接続されたリード11の他端
11′は回路基板15の配線電極と接続される。
第２図で本実施例の詳細な構成を説明する。放熱器12に
は半導体素子１を落し込み、固定するための孔20と、治
具13,フィルムテープ10を固定するためのネジ穴21が四
隅に設けられている。半導体素子１の電極はフィルムキ
ャリヤテープ10のデバイスホールに突出したリード群11
と接合され、前記リード群11の他端11′は回路基板の電
極と接合される様に構成される第２図においては、半導
体素子１が放熱器12の孔20に挿入され、熱伝導の良い導
電性接着剤等で固定される。一方治具13は、熱伝導性の
良いCu,Ni,コーバール等で形成され、少なくとも放熱器
12の底面を覆うと共に、その四隅には、ツバ22が設けら
れる孔22′が設けられている。半導体素子１を搭載した
フィルムテープ10を介して、放熱器12と治具13はネジ14
によって、固定される。この時、治具13と半導体素子１
との間には放熱材17が充填されており、半導体素子１の
表面からの熱を積極的に逃す。また、フィルムテープ10
のリード11は外部回路と接続するためのものであるが、
これが形成される位置は、治具13のツバ22とツバの間で
ある。前記ツバ22はツバに設けた孔22′によりネジによ
って回路基板に固定されるものである。
発明の効果 以上のように本発明によれば、次のような効果を得るこ
とができる。
半導体素子が放熱器に直接接触した構成であるので、
熱抵抗が著しく小さく放熱効果が高い。
例えば20×20mm□のチップで、放熱器寸法：平面積30×
30mm、フィンの高さ:15mm、フィン枚数６枚でAl製の放
熱器の場合、第２図の如く、半導体素子をアルミナ製の
容器に搭載した場合の熱抵抗は37℃/Wであったが、本発
明の第１図の構成では21.5℃/Wを達成することができ
た。
また、治具13により放熱器と半導体素子を搭載したフ
ィルムテープが固定され、かつ、この治具によって回路
基板に全体が固定、保持されるので、保持が各軸である
ばかりか、機械的振動に対しても強い。
治具13が半導体素子の他面と接し、ここからも半導体
素子の熱を治具13に伝え放熱できるので放熱効果に優れ
るものである。
半導体素子の搭載がフィルムテープによって行なわれ
るため、薄型の半導体装置が実現でき、またリードの取
出しが容易であるばかりか、構造が簡単で、実装コスト
も安価となり、さらに、全体の重量も軽くなるばかり
か、放熱器を含んだ半導体装置の大きさも小型にできる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第２
図は同装置の分解斜視図、第３図は従来の半導体装置の
断面図である。 １……半導体素子、10……フィルムテープ、12……放熱
器、13……治具、15……回路基板。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フィルムキャリヤ方式で搭載された半導体
    素子が放熱器と治具との間に設置され、前記放熱器と治
    具とで固定されると共に、治具の一部により回路基板に
    固定されてなる半導体装置。
  2. 【請求項２】少なくとも半導体素子の一面が放熱器に接
    すると共に、治具が前記半導体素子を覆う如く構成され
    ている特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
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