JPH071809B2 - Semiconductor laser drive circuit - Google Patents
Semiconductor laser drive circuitInfo
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- JPH071809B2 JPH071809B2 JP60270729A JP27072985A JPH071809B2 JP H071809 B2 JPH071809 B2 JP H071809B2 JP 60270729 A JP60270729 A JP 60270729A JP 27072985 A JP27072985 A JP 27072985A JP H071809 B2 JPH071809 B2 JP H071809B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、半導体レーザ駆動回路に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor laser drive circuit.
従来技術 一般に、レーザダイオード等の半導体レーザを使用する
装置においては、半導体レーザの出力を所望の設定値に
制御しなければならない場合がある。2. Description of the Related Art Generally, in an apparatus using a semiconductor laser such as a laser diode, it may be necessary to control the output of the semiconductor laser to a desired set value.
そこで、従来は例えば半導体レーザの発光出力をフオト
ダイオードで検出して、この検出結果を固定基準値と比
較し、この比較結果に応じて半導体レーザに供給する電
流を制御するようにしている。Therefore, conventionally, for example, the emission output of a semiconductor laser is detected by a photodiode, the detection result is compared with a fixed reference value, and the current supplied to the semiconductor laser is controlled according to the comparison result.
しかしながら、このようにして半導体レーザの出力を制
御するのでは、半導体レーザの出力を一つの値にしか制
御することができないという不都合がある。However, controlling the output of the semiconductor laser in this way has the disadvantage that the output of the semiconductor laser can be controlled to only one value.
目的 この発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、半導
体レーザの発光出力を容易に所要の出力に制御できるよ
うにすると共に、半導体レーザを過電流から保護するこ
とを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to allow the emission output of a semiconductor laser to be easily controlled to a required output and to protect the semiconductor laser from overcurrent.
構成 この発明は上記の目的を達成するため、半導体レーザの
発光出力を光量検出手段で検出する一方、設定値データ
をD/A変換するD/A変換器を備え、上記光量検出手段によ
る検出値とD/A変換器からの設定値との比較結果に応じ
て半導体レーザに供給する電流を制御すると共に、半導
体レーザに流れる電流を検出してこの検出値と予め定め
た基準値との比較結果に応じて半導体レーザに供給する
電流を制御するようにしたものである。Configuration The present invention, in order to achieve the above object, while detecting the light emission output of the semiconductor laser by the light amount detection means, equipped with a D / A converter for D / A conversion of the set value data, the detection value by the light amount detection means And the current supplied to the semiconductor laser is controlled according to the comparison result between the D / A converter and the set value, and the current flowing through the semiconductor laser is detected to compare the detected value with a predetermined reference value. The current supplied to the semiconductor laser is controlled according to the above.
以下、この発明の一実施例に基づいて具体的に説明す
る。Hereinafter, a specific description will be given based on an embodiment of the present invention.
図はこの発明の一実施例を示す回路図である。The drawing is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
半導体レーザとしてのレーザダイオード１の発光出力
（以下単に「出力」という）を光量検出手段であるフオ
トダイオード２で検出し、その光量検出値を利得＋Ａの
アンプ３で増幅して出力する。A light emitting output (hereinafter simply referred to as "output") of a laser diode 1 as a semiconductor laser is detected by a photo diode 2 which is a light amount detecting means, and the detected light amount is amplified and output by an amplifier 3 having a gain + A.
一方、D/A変換器４によつて図示しないマイクロコンピ
ユータ等から送られてくる８ビツトのデジタルデータで
ある設定値データをD/A変換して、設定値をアナログデ
ータに変換する。On the other hand, the D / A converter 4 D / A converts the set value data, which is 8-bit digital data sent from a microcomputer (not shown) or the like, and converts the set value into analog data.
そして、コンパレータ（COM）５によつてアンプ３から
のレーザダイオード１の出力に対応する検出値とD/A変
換器４かの設定値とを比較する。Then, the comparator (COM) 5 compares the detected value corresponding to the output of the laser diode 1 from the amplifier 3 with the set value of the D / A converter 4.
このコンパレータ５の出力をオペアンプOP及び抵抗R1か
らなるインバートアンプ（反転増幅器）６によつて増幅
し、このインバートアンプ６の出力をレーザダイオード
１に供給する電流を制御するトランジスタ７のベース電
圧として供給している。The output of the comparator 5 is amplified by an inverting amplifier (inverting amplifier) 6 composed of an operational amplifier OP and a resistor R 1, and the output of the inverting amplifier 6 is used as a base voltage of a transistor 7 for controlling a current supplied to the laser diode 1. We are supplying.
また、レーザダイオード１に流れる電流Ｉを抵抗８によ
つて電圧に変換し、この抵抗８の両端間電圧をコンパレ
ータ９によつて基準電圧Vrefと比較して、このコンパレ
ータ９の出力を抵抗R2を介してインバートアンプ６に入
力するコンパレータ５の出力に重ねている。Further, the current I flowing through the laser diode 1 is converted into a voltage by the resistor 8, the voltage across the resistor 8 is compared with the reference voltage Vref by the comparator 9, and the output of the comparator 9 is changed to the resistor R 2 It is superimposed on the output of the comparator 5 which is input to the invert amplifier 6 via.
なお、レーザダイオード１には、発光制御信号に応じて
レーザダイオード１の発光及び発光停止を制御するため
のスイツチとしてのFET10を並列に接続している。A FET 10 as a switch for controlling light emission and light emission stop of the laser diode 1 according to the light emission control signal is connected in parallel to the laser diode 1.
次に、このように構成したこの実施例の作用について説
明する。Next, the operation of this embodiment thus configured will be described.
レーザダイオード１からの射出光がフオトダイオード２
で受光され、フオトダイオード２によつてレーザダイオ
ード１の出力が検出され、この検出出力がアンプ３で増
幅されてコンパレータ５の一端に入力される。The light emitted from the laser diode 1 is the photo diode 2
The output of the laser diode 1 is detected by the photodiode 2, and the detected output is amplified by the amplifier 3 and input to one end of the comparator 5.
一方、コンパレータ５の他端にはデジタルデータである
設定値をD/A変換器４でD/A変換したアナログデータであ
る設定値電圧が入力されている。On the other hand, a set value voltage which is analog data obtained by D / A converting the set value which is digital data by the D / A converter 4 is input to the other end of the comparator 5.
そして、このコンパレータ５の出力がインバートアンプ
６で増幅されてトランジスタ７のベース電圧として印加
されている。The output of the comparator 5 is amplified by the invert amplifier 6 and applied as the base voltage of the transistor 7.
ここで、レーザダイオード１に流れる駆動電流が増加し
たとすると、フオトダイオード２の出力を増幅したアン
プ３の出力が増加する。Here, if the drive current flowing through the laser diode 1 increases, the output of the amplifier 3 that amplifies the output of the photodiode 2 increases.
このとき、このアンプ３の出力がD/A変換器４から出力
される設定値電圧よりも大きくなると、コンパレータ５
の出力が一方向に変化し、したがつてインバートアンプ
６の出力は＋方向に変化してトランジスタ７がオフする
方向に動き、レーザダイオード１に供給する駆動電流が
減少する。At this time, if the output of the amplifier 3 becomes larger than the set value voltage output from the D / A converter 4, the comparator 5
Output changes in one direction, and accordingly, the output of the invert amplifier 6 changes in + direction and moves in the direction in which the transistor 7 is turned off, and the drive current supplied to the laser diode 1 decreases.
それによつて、レーザダイオード１の出力はコンパレー
タ５の各入力が一致するまで、すなわちレーザダイオー
ド１の出力がD/A変換器４に与えられる設定値に対応し
た値になるまで減少する。As a result, the output of the laser diode 1 decreases until the inputs of the comparator 5 match, that is, the output of the laser diode 1 reaches a value corresponding to the set value given to the D / A converter 4.
また、逆にレーザダイオード１に流れる駆動電流が減少
したとすると、フオトダイオード２の出力を増幅したア
ンプ３の出力が減少する。On the contrary, if the drive current flowing through the laser diode 1 decreases, the output of the amplifier 3 that amplifies the output of the photodiode 2 decreases.
このとき、このアンプ３の出力がD/A変換器４から出力
される設定値電圧よりも小さくなると、コンパレータ５
の出力が＋方向に変化し、したがつてインバートアンプ
６の出力は−方向に変化してトランジスタ７がオンする
方向に動き、レーザダイオード１に供給する駆動電流が
増加する。At this time, if the output of the amplifier 3 becomes smaller than the set value voltage output from the D / A converter 4, the comparator 5
Output changes in the + direction, and accordingly, the output of the invert amplifier 6 changes in the − direction and moves in the direction in which the transistor 7 turns on, and the drive current supplied to the laser diode 1 increases.
それによつて、レーザダイオード１の出力はコンパレー
タ５の各入力が一致するまで、すなわちレーザダイオー
ド１の出力がD/A変換器４に与えられる設定値に対応し
た値になるまで増加する。As a result, the output of the laser diode 1 increases until the inputs of the comparator 5 match, that is, the output of the laser diode 1 reaches a value corresponding to the set value given to the D / A converter 4.
このようにして、レーザダイオード１の出力はD/A変換
器４に与えられる設定値になるように制御され、このと
きD/A変換器４の分解能でレーザダイオード１の出力を
制御することができる。In this way, the output of the laser diode 1 is controlled to the set value given to the D / A converter 4, and at this time, the output of the laser diode 1 can be controlled by the resolution of the D / A converter 4. it can.
また、レーザダイオード１に並列に接続したスイツチと
してのFET10がオン状態になつたときには、上述した一
連の動作がくずれるために、FET10にはトランジスタ７
が供給可能な最大電流が流れようとする。Further, when the FET 10 as a switch connected in parallel to the laser diode 1 is turned on, the series of operations described above is broken, so that the FET 10 is provided with the transistor 7.
The maximum current that can be supplied is about to flow.
しかし、レーザダイオード１に流れる電流が増加して抵
抗８の両端間電圧が基準電圧Vrefより高くなると、コン
パレータ９の出力が一方向に変化してインバートアンプ
６の出力が＋方向に変化し、トランジスタ７をオフする
方向に働くので、回路が保護される。However, when the current flowing through the laser diode 1 increases and the voltage across the resistor 8 becomes higher than the reference voltage Vref, the output of the comparator 9 changes in one direction and the output of the invert amplifier 6 changes in + direction. The circuit is protected because it works to turn off 7.
このように、この半導体レーザ駆動回路は、半導体レー
ザの出力を検出する一方、設定値データをD/A変換するD
/A変換器を備え、出力検出値とD/A変換器からの設定値
との比較結果に応じて半導体レーザに供給する電流を制
御すると共に、半導体レーザに流れる電流を検出してこ
の検出値と予め定めた基準値との比較結果に応じて半導
体レーザに供給する電流を制御する。In this way, this semiconductor laser drive circuit detects the output of the semiconductor laser and D / A converts the set value data.
The / A converter is provided, and the current supplied to the semiconductor laser is controlled according to the comparison result between the output detection value and the set value from the D / A converter, and the detection value is detected by detecting the current flowing through the semiconductor laser. The current supplied to the semiconductor laser is controlled according to the result of comparison between the reference value and a predetermined reference value.
それによつて、D/A変換器に与える設定データを変更す
るだけで容易に所要の出力に制御することができると共
に、半導体レーザに過電流が流れ続けることを防止でき
る。As a result, it is possible to easily control the output to the required level simply by changing the setting data given to the D / A converter, and it is possible to prevent the overcurrent from continuously flowing to the semiconductor laser.
また、回路構成が最少であるために系の応答が速く、更
にD/A変換器に設定値データを与えるだけでチエツクが
可能である。Also, the system response is quick because the circuit configuration is minimal, and moreover, the check is possible only by giving the set value data to the D / A converter.
効果 以上説明したように、この発明によれば、半導体レーザ
の発光出力を容易に所要のデータに制御することができ
ると共に、半導体レーザを過電流から保護することがで
きる。Effects As described above, according to the present invention, the light emission output of the semiconductor laser can be easily controlled to the required data, and the semiconductor laser can be protected from overcurrent.
【図面の簡単な説明】 図はこの発明の一実施例を示すブロツク図である。 １……レーザダイオード、２……フオトダイオード ３……アンプ、４……D/A変換器 ５……コンパレータ、６……インバートアンプ ７……トランジスタ、８……抵抗 ９……コンパレータBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. 1 ... Laser diode, 2 ... Photo diode, 3 ... Amplifier, 4 ... D / A converter, 5 ... Comparator, 6 ... Invert amplifier, 7 ... Transistor, 8 ... Resistor, 9 ... Comparator
Claims (1)
出手段と、設定値データをD/A変換するD/A変換器と、前
記光量検出手段の検出値とD/A変換器からの設定値との
比較結果に応じて前記半導体レーザに供給する電流を制
御する供給電流制御手段と、前記半導体レーザに流れる
電流を検出し、該検出値と予め定めた基準値との比較結
果に応じて前記半導体レーザに供給する電流を制御する
保護手段とを備えたことを特徴とする半導体レーザ駆動
回路。1. A light amount detecting means for detecting a light emission output of a semiconductor laser, a D / A converter for D / A converting set value data, a detection value of the light amount detecting means and setting from the D / A converter. Supply current control means for controlling the current supplied to the semiconductor laser according to the result of comparison with the value, and detecting the current flowing through the semiconductor laser, depending on the result of comparison between the detected value and a predetermined reference value. A semiconductor laser drive circuit comprising: a protection unit that controls a current supplied to the semiconductor laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270729A JPH071809B2 (en) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | Semiconductor laser drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270729A JPH071809B2 (en) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | Semiconductor laser drive circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130579A JPS62130579A (en) | 1987-06-12 |
| JPH071809B2 true JPH071809B2 (en) | 1995-01-11 |
Family
ID=17490142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60270729A Expired - Lifetime JPH071809B2 (en) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | Semiconductor laser drive circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071809B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102576978A (en) * | 2009-10-26 | 2012-07-11 | 三菱电机株式会社 | Light source driving device, light source driving method, and image display device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013207244A (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | Laser pointer |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5287024A (en) * | 1976-01-14 | 1977-07-20 | Agency Of Ind Science & Technol | Recording means for chiaroscuro image |
| JPS5575280A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Nec Corp | Gas laser device |
| JPS56106259A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-24 | Canon Inc | Control device for quantity of light |
| JPS5792884A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | Driving circuit for laser diode |
| JPS5821386A (en) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Fujitsu Ltd | Controller for semiconductor laser |
| JPS58107692A (en) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Protecting method for semiconductor laser |
| JPS6038965A (en) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | Laser beam printer control device |
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1985
- 1985-12-03 JP JP60270729A patent/JPH071809B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102576978A (en) * | 2009-10-26 | 2012-07-11 | 三菱电机株式会社 | Light source driving device, light source driving method, and image display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62130579A (en) | 1987-06-12 |
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