JPH0719798B2 - Arrangement method of fine metal balls - Google Patents
Arrangement method of fine metal ballsInfo
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- JPH0719798B2 JPH0719798B2 JP2189637A JP18963790A JPH0719798B2 JP H0719798 B2 JPH0719798 B2 JP H0719798B2 JP 2189637 A JP2189637 A JP 2189637A JP 18963790 A JP18963790 A JP 18963790A JP H0719798 B2 JPH0719798 B2 JP H0719798B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ICチップの電極と外部リードとの接続法の一
種であるTAB(Tape Automated Bonding)法において、
微細金属球(以下、バンプとも称する。)を所定の配列
パターンに従って配列する微細金属球の配列方法に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to a TAB (Tape Automated Bonding) method, which is one of the methods of connecting an electrode of an IC chip and an external lead,
The present invention relates to a method of arranging fine metal balls (hereinafter also referred to as bumps) according to a predetermined arrangement pattern.
TAB法は、ICチップの電極部へのリード配線を、TABテー
プ上にパターン化されて形成されているリードの先端部
分とICチップの電極部とを、バンプと呼ばれる接合用の
金属突起を介して接合する方法である。バンプは予めTA
Bテープのリード側か、もしくはICチップの電極側かの
いずれかに取り付けて置き、TABテープとICチップの接
合は、ボンディングマシンを使って加熱・加圧すること
により行う。In the TAB method, the lead wiring to the electrode part of the IC chip is connected to the tip part of the lead formed by patterning on the TAB tape and the electrode part of the IC chip via a metal projection for bonding called a bump. Is a method of joining. The bump is TA
The tape is attached to either the lead side of the B tape or the electrode side of the IC chip, and the TAB tape and the IC chip are joined by heating and pressing with a bonding machine.
バンプをICチップ側でなくTABテープのリード側に形成
しておく方法は、バンプ接合中にICチップを傷める心配
の無いことから、近年広く行われるようになってきた。
バンプ付きTABテープの従来の製造方法には、リードを
厚めに作っておき、バンプになる部分だけを残して他を
エッチング等により薄く削り取る方法や、予めガラス等
の基板上にメッキで作製しておいたバンプを、リード先
端部に転写する方法等がある。但し、これらの方法で作
製されたバンプ付きTABテープは、バンプの形状が矩形
に近いものとなるため、バンプの高さが正確に揃ってい
ないと、バンプとICチップの電極との接合にバラツキが
生じやすいという欠点があった。The method of forming bumps on the lead side of the TAB tape instead of on the IC chip side has become widely used in recent years because there is no concern of damaging the IC chip during bump bonding.
The conventional manufacturing method of TAB tape with bumps is to make leads thickly and leave only the parts that will become bumps and scrape off other parts by etching etc., or to prepare by plating on a substrate such as glass in advance. There is a method of transferring the deposited bump to the tip of the lead. However, the bumped TAB tape manufactured by these methods has a bump shape close to a rectangle, so if the bump heights are not exactly aligned, the bumps and IC chip electrodes will not be consistent. There was a drawback that was likely to occur.
本発明者等は先に、TABテープのリード先端部に球形状
のバンプを形成する新しい方法を、特願平1-234917号と
して出願した。この方法は、バンプを配列すべき位置に
合わせて貫通穴を設けた基板の裏側を真空に吸引してお
き、貫通穴部分にバンプとなる金属球を吸い寄せて仮固
定した後に、TABテープのリードと基板上に配列・仮固
定されている金属球とを重ね合わせて接合するものであ
る。The present inventors previously applied for a new method for forming a spherical bump on the lead tip of a TAB tape as Japanese Patent Application No. 1-234917. In this method, the back side of the substrate with through holes aligned with the positions where the bumps are to be arranged is sucked into a vacuum, the metal balls that will become the bumps are sucked into the through holes and temporarily fixed, and then the TAB tape leads And the metal spheres arranged and temporarily fixed on the substrate are overlapped and joined.
球形状のバンプは、これまでの、ガラス基板等の上にメ
ッキで形成された矩形のバンプに比べて変形しやすく、
接合の点では有利なものである。しかしながら、メッキ
によってバンプを形成する場合には、始めから配列すべ
き所定の位置を特定して形成することができるのに対し
て、球形状のバンプはバラバラの状態で作製されるた
め、所定の位置に如何にして能率良く配列するかが大き
な問題となる。Spherical bumps are easier to deform than conventional rectangular bumps formed by plating on a glass substrate,
It is advantageous in terms of joining. However, when the bumps are formed by plating, it is possible to specify and form a predetermined position to be arranged from the beginning, whereas spherical bumps are manufactured in a disjointed state, so A big problem is how to efficiently arrange the positions.
本発明は上記事情に基づいてなされたものであり、効率
良く、しかも確実に微細金属球を所定の位置に配列する
ことができる微細金属球の配列方法を提供することを目
的とするものである。The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for arranging fine metal spheres capable of arranging fine metal spheres at a predetermined position efficiently and reliably. .
上記の目的を達成するための本発明に係る微細金属球の
配列方法は、イオン化された雰囲気中で、基板上に微細
金属球を配列することを特徴とするものである。The method for arranging fine metal spheres according to the present invention for achieving the above object is characterized by arranging fine metal spheres on a substrate in an ionized atmosphere.
本発明は前記の構成によって、イオン化された雰囲気中
で微細金属球を基板上の所定の位置に配列することによ
り、帯電している微細金属球や配列されるときに帯電し
た微細金属球等がイオン化された雰囲気との間で電荷の
授受を行い電気的に中性になるので、静電気により微細
金属球が凝集したり、所定の位置以外の位置に微細金属
球が付着したりするのを防止する。According to the present invention, by arranging the fine metal spheres at a predetermined position on the substrate in the ionized atmosphere, the charged fine metal spheres and the fine metal spheres charged when arranged are It exchanges electric charge with the ionized atmosphere and becomes electrically neutral, preventing the aggregation of fine metal spheres due to static electricity and the adhesion of fine metal spheres to positions other than the prescribed position. To do.
以下に本発明の第1実施例を第1図乃至第3図を参照し
て説明する。第1図は本発明の第1実施例である微細金
属球の配列方法を説明する図、第2図(a)はその微細
金属球の配列方法において使用する微細金属球の配列装
置の配列部の概略斜視図、同図(b)はその配列部の概
略断面図、第3図はそのバンプ配列装置を用いたバンプ
転写装置の概略構成図である。本実施例においてはバン
プとして直径80μmの球形状のものを使用する。A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram for explaining a method for arranging fine metal balls according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 (a) is an arrangement portion of a fine metal ball arranging device used in the method for arranging fine metal balls. FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the array portion, and FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a bump transfer device using the bump array device. In this embodiment, bumps having a spherical shape with a diameter of 80 μm are used.
第3図に示すバンプ転写装置は、バンプ2を吸引して所
定の位置に配列するバンプ配列装置4と、TABテープ22
を送り出す機構(不図示)と、TABテープ22のリード26
の先端部にバンプ2を転写するために加熱・加圧するボ
ンディングツール6とを有するものである。The bump transfer device shown in FIG. 3 includes a bump arranging device 4 for sucking the bumps 2 and arranging them at a predetermined position, and a TAB tape 22.
A mechanism (not shown) for feeding the tape and the lead 26 of the TAB tape 22.
And a bonding tool 6 that heats and pressurizes in order to transfer the bump 2 to the tip of the.
バンプの配列装置4は、バンプ供給部8と、配列部10
と、排気部20と、イオン発生装置としてのイオンガン
(たとえば、シムコジャパン株式会社製、イオクリーン
ガン)30とを含むものである。配列部10は、第1図及び
第2図に示すようにバンプ配列用の基板12と、排気部20
により内部が減圧される吸引部14とからなる。また、配
列部10と排気部20とは排気管16を介して繋がれている。The bump arrangement device 4 includes a bump supply unit 8 and an arrangement unit 10.
And an ion gun (for example, Ioclean Gun manufactured by Simco Japan Co., Ltd.) 30 as an ion generator. The array unit 10 includes a substrate 12 for bump array and an exhaust unit 20 as shown in FIGS.
And the suction unit 14 whose interior is decompressed by. Further, the array unit 10 and the exhaust unit 20 are connected via an exhaust pipe 16.
イオンガン30は、たとえば図示しないコンプレッサから
の空気を電離し、発生したイオンをイオンビームとして
放出するものである。The ion gun 30 ionizes air from, for example, a compressor (not shown) and emits the generated ions as an ion beam.
本実施例の配列部10においては、厚さ30μmのニッケル
製の基板12を使用している。基板12にはバンプ2を配列
すべき全ての位置に直径約60μmの貫通穴13が設けられ
ている。吸引部14には貫通穴13に対応して開口部15が設
けられている。In the array portion 10 of this embodiment, a substrate 12 made of nickel and having a thickness of 30 μm is used. Through holes 13 having a diameter of about 60 μm are provided on the substrate 12 at all positions where the bumps 2 should be arranged. The suction part 14 is provided with an opening 15 corresponding to the through hole 13.
本装置を用いてバンプを所定パターンに配列しTABテー
プに転写するには、先ず排気部20を作動させて排気管16
を介して、吸引部14内を減圧状態にする。すると、貫通
穴13の表側には吸引力が発生する。このとき、第1図に
示すように配列部10を多数のバンプ2が載っているバン
プ供給部8の近くに寄せて、イオンガン30によってイオ
ンビームを基板12やバンプ供給部8の周辺に照射しなが
ら、バンプ2を貫通穴13に吸引する。In order to arrange the bumps in a predetermined pattern and transfer them to the TAB tape by using this device, first, the exhaust unit 20 is operated to operate the exhaust pipe 16
The inside of the suction unit 14 is depressurized via. Then, a suction force is generated on the front side of the through hole 13. At this time, as shown in FIG. 1, the array portion 10 is brought close to the bump supply portion 8 on which a large number of bumps 2 are mounted, and the ion beam is irradiated by the ion gun 30 onto the periphery of the substrate 12 and the bump supply portion 8. Meanwhile, the bump 2 is sucked into the through hole 13.
また、例えば配列部10を基板12が上側になるように設置
し、その基板12の周辺の雰囲気をイオンガン30によって
イオン化しながら、基板12上にバンプをふりかけること
により、バンプ2を貫通穴13に吸引するようにしてもよ
い。Further, for example, the array portion 10 is installed so that the substrate 12 is on the upper side, and while the atmosphere around the substrate 12 is ionized by the ion gun 30, the bumps 2 are sprinkled on the substrate 12 so that the bumps 2 are formed in the through holes 13. You may make it suck.
ところで、バンプを吸引する際にバンプの周辺にイオン
ビームを照射しない(すなわち、バンプの周辺の気体を
イオン化しない)場合には、摩擦等により帯電したバン
プが互いに凝集し、これらのバンプが一つの貫通穴に集
まったり、基板12の貫通穴13以外の位置に付着したりす
ることがある。このようなバンプの凝集が生ずると、バ
ンプをTABテープのリード先端部に転写する際に、当
然、歩留りが著しく低下する。By the way, when the bumps are sucked, if the periphery of the bumps is not irradiated with an ion beam (that is, the gas around the bumps is not ionized), the bumps charged by friction or the like aggregate with each other, and these bumps are separated by one. They may collect in the through holes or adhere to positions other than the through holes 13 of the substrate 12. If such agglomeration of bumps occurs, the yield will naturally decrease significantly when the bumps are transferred to the lead tips of the TAB tape.
本実施例の微細金属球の配列方法において、イオンガン
30によってイオンビームを照射することにより、イオン
化された雰囲気中で基板12にバンプ2を吸引するので、
帯電し凝集していたバンプはイオン化した気体との間に
電荷の授受を行い電気的に中性になる。また、吸引中に
他のバンプ2との摩擦等により帯電したバンプ2も中性
になる。したがって、各バンプ間には静電気が働かなく
なり、バンプが凝集しなくなるので、容易に各貫通穴13
に一つずつバンプ2を配置することができる。In the method of arranging the fine metal spheres of this embodiment, an ion gun is used.
By irradiating the ion beam with 30, the bumps 2 are attracted to the substrate 12 in the ionized atmosphere,
The charged and aggregated bumps exchange electric charges with the ionized gas to become electrically neutral. Further, the bumps 2 charged by friction with other bumps 2 during suction also become neutral. Therefore, static electricity does not work between the bumps, and the bumps do not aggregate.
The bumps 2 can be arranged one by one.
バンプ2を吸引して配列した後は、バンプ配列装置4の
基板12はボンディング受け部の役割を果たすことにな
る。先ず、ポリイミド等の絶縁物からなるフィルムキャ
リア24上にリード26が形成されたTABテープ22と基板12
との間の位置を、図示しない位置合わせ調整機構部を用
いて調整する。バンプ配列装置4の位置が決まったら、
適当な温度に加熱されているボンディングツール6によ
り一定の荷電を作用させることにより、貫通穴13に吸引
されていたバンプ2をTABテープの望まれたリード26の
先端部に転写・接合する。After sucking and arranging the bumps 2, the substrate 12 of the bump arranging device 4 serves as a bonding receiving portion. First, the TAB tape 22 having the leads 26 formed on the film carrier 24 made of an insulating material such as polyimide and the substrate 12 are formed.
The position between and is adjusted using a positioning adjustment mechanism section (not shown). Once the position of the bump arranging device 4 is decided,
By applying a constant charge by the bonding tool 6 heated to an appropriate temperature, the bumps 2 attracted to the through holes 13 are transferred / bonded to the desired tip ends of the leads 26 of the TAB tape.
バンプ2を写し取られたバンプ配列装置4は再びバンプ
を配列する工程に戻り、同時にTABテープ22が一コマ分
送られて新たなフレームが転写位置に送られ、上記と同
様にバンプ配列装置4の位置を調整した後、次のバンプ
2がTABテープ22のリード26の先端部に転写・接合され
る。The bump arranging device 4, which has copied the bumps 2, returns to the step of arranging the bumps again, and at the same time, the TAB tape 22 is sent for one frame and a new frame is sent to the transfer position. After the position of is adjusted, the next bump 2 is transferred and joined to the tip of the lead 26 of the TAB tape 22.
このように、本実施例の微細金属球の配列方法において
は、静電気除去対策を施すことにより、バンプを所定の
配列位置に確実に一つずつ配列することができるので、
バンプをTABテープのリード先端部に転写する際の歩留
りを著しく向上させることができる。As described above, in the method of arranging the fine metal spheres of the present embodiment, the bumps can be surely arranged one by one in the predetermined arrangement position by providing the static electricity removing measures.
It is possible to significantly improve the yield when transferring the bumps to the lead tips of the TAB tape.
次に、本発明の第2実施例を第4図及び第5図を用いて
説明する。第4図は本発明の第2実施例である微細金属
球の配列方法を説明する図、第5図(a)はその微細金
属球の配列方法において使用するバンプ配列装置の基板
の概略斜視図、同図(b)はその基板の概略断面図であ
る。尚、使用するバンプの大きさは第1実施例における
ものと同一である。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a diagram for explaining a method for arranging fine metal balls according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 (a) is a schematic perspective view of a substrate of a bump arranging device used in the method for arranging fine metal balls. FIG. 2B is a schematic sectional view of the substrate. The size of the bump used is the same as in the first embodiment.
第4図に示すバンプ配列装置は、バンプ供給部80と、基
板120と、イオン発生装置としてのイオンブロワ(シム
コジャパン株式会社製、A300型)300とを有する。基板1
20には配列パターンに対応する位置にバンプ2より少し
大きい直径100μmの穴130が設けられている。穴130の
深さは60μmである。イオンブロワ300はインオ化した
気体を緩やかに吹き出す装置である。The bump arranging device shown in FIG. 4 has a bump supply unit 80, a substrate 120, and an ion blower (A300 type, manufactured by Simco Japan Co., Ltd.) 300 as an ion generator. Board 1
A hole 130 having a diameter of 100 μm, which is slightly larger than the bump 2, is provided at a position corresponding to the array pattern on the 20. The depth of the hole 130 is 60 μm. The ion blower 300 is a device that gently blows out the inactivated gas.
上記のバンプ配列装置を用いてバンプを所定パターンに
配列するには、先ず基板120を傾斜させて、基板120の上
部からバンプ供給部80のバンプ2を基板120上に転が
す。このとき、基板120上を転がり落ちるバンプ2の周
辺にイオンブロワ300でイオン化した気体を吹きつけな
がら、バンプ2を穴130に落として、バンプを所定位置
に配置する。In order to arrange the bumps in a predetermined pattern using the above bump arranging device, the substrate 120 is first tilted and the bumps 2 of the bump supply unit 80 are rolled onto the substrate 120 from above the substrate 120. At this time, while the gas ionized by the ion blower 300 is blown around the bumps 2 rolling on the substrate 120, the bumps 2 are dropped into the holes 130 and the bumps are arranged at predetermined positions.
本実施例の微細金属球の配列方法においても、イオン化
した気体を基板120やバンプ2に吹きつけることによ
り、基板120の周辺をイオン化した雰囲気で包み、帯電
しているバンプをイオン化した気体により電気的に中性
化する。また、基板上を転がる際に基板や他のバンプと
の摩擦によりバンプが帯電した場合もバンプの中性化を
図ることができる。したがって、バンプ間には静電気が
働かなくなるので、容易に各穴130に一つずつバンプを
配列することができる。Also in the method of arranging the fine metal spheres of the present embodiment, the ionized gas is blown to the substrate 120 or the bumps 2 to wrap the periphery of the substrate 120 in the ionized atmosphere, and the charged bumps are electrically charged by the ionized gas. Become neutral. Further, when the bumps are charged due to friction with the substrate or another bump when rolling on the substrate, the neutralization of the bumps can be achieved. Therefore, since static electricity does not work between the bumps, one bump can be easily arranged in each hole 130.
バンプ2を所定の位置に配置した後は、基板120をボン
ディング受け部として第1実施例と同様に使用すること
によりバンプをTABテープのリード先端部に転写・接合
することができる。その他の作用・効果は第1の実施例
と同様である。After arranging the bumps 2 at predetermined positions, the bumps can be transferred and bonded to the lead tips of the TAB tape by using the substrate 120 as a bonding receiving portion in the same manner as in the first embodiment. Other functions and effects are similar to those of the first embodiment.
尚、上記の第1実施例には、イオン発生装置としてイオ
ンガンを使用した場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、第2実施例において使用
したイオンブロワを使用してもよい。上記の第2実施例
においても、同様である。In the first embodiment described above, the case where the ion gun is used as the ion generator has been described, but the present invention is not limited to this, and the ion blower used in the second embodiment is used. Good. The same applies to the second embodiment described above.
以上説明したように本発明によれば、帯電している微細
金属球や配列するときに帯電した微細金属球等を電気的
に中性にすることにより、微細金属球の凝集を防止し、
微細金属球を一つずつ確実に所定の位置に配列すること
が可能になり、したがって微細金属球をTABテープのリ
ード部に転写する際の歩留りを著しく向上させることが
できる微細金属球の配列方法を提供することができる。As described above, according to the present invention, by electrically neutralizing the charged fine metal spheres or the charged fine metal spheres when arrayed, the aggregation of the fine metal spheres is prevented,
A method for arranging fine metal spheres, which makes it possible to surely arrange the fine metal spheres one by one at a predetermined position, and thus significantly improve the yield when transferring the fine metal spheres to the lead portion of the TAB tape. Can be provided.
第1図は本発明の第1実施例である微細金属球の配列方
法を説明する図、第2図(a)はその微細金属球の配列
方法において使用するバンプ配列装置の配列部の概略斜
視図、同図(b)はその配列部の概略断面図、第3図は
そのバンプ配列装置を用いたバンプ転写装置の概略構成
図、第4図は本発明の第2実施例である微細金属球の配
列方法を説明する図、第5図(a)はその微細金属球の
配列方法において使用するバンプ配列装置の基板の概略
斜視図、同図(b)はその基板の概略断面図である。 2……バンプ、4……バンプ配列装置、6……ボンディ
ングツール、8,80……バンプ供給部、10……配列部、1
2,120……基板、13,130……穴、14……吸引部、15……
開口部、16……排気管、20……排気部、22……TABテー
プ、24……フィルムキャリア、26……リード、30……イ
オンガン、300……イオンブロワ。FIG. 1 is a diagram for explaining a method for arranging fine metal balls according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 (a) is a schematic perspective view of an arrangement portion of a bump arranging device used in the method for arranging fine metal balls. FIG. 1B is a schematic sectional view of the array portion, FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a bump transfer device using the bump array device, and FIG. 4 is a second embodiment of the present invention. FIG. 5 (a) is a schematic perspective view of a substrate of a bump arranging device used in the method of arranging fine metal spheres, and FIG. 5 (b) is a schematic sectional view of the substrate. . 2 ... Bump, 4 ... Bump arrangement device, 6 ... Bonding tool, 8,80 ... Bump supply unit, 10 ... Arrangement unit, 1
2,120 ... Substrate, 13,130 ... Hole, 14 ... Suction part, 15 ...
Opening part, 16 …… Exhaust pipe, 20 …… Exhaust part, 22 …… TAB tape, 24 …… Film carrier, 26 …… Lead, 30 …… Ion gun, 300 …… Ion blower.
Claims (1)
金属球を配列することを特徴とする微細金属球の配列方
法。1. A method of arranging fine metal balls on a substrate in an ionized atmosphere.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189637A JPH0719798B2 (en) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | Arrangement method of fine metal balls |
| EP91302037A EP0447170B1 (en) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same |
| MYPI91000398A MY106135A (en) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same. |
| DE69132891T DE69132891T2 (en) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Method for connecting bumps on TAB carrier conductors and an apparatus for arranging bumps |
| US07/669,189 US5114878A (en) | 1989-09-11 | 1991-03-13 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same |
| KR1019910004083A KR940004247B1 (en) | 1990-03-14 | 1991-03-14 | Bump arranging equipment and method for connecting bump to lead of tab tape |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2189637A JPH0719798B2 (en) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | Arrangement method of fine metal balls |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2933065B2 (en) * | 1997-06-18 | 1999-08-09 | 日本電気株式会社 | Arrangement method of small metal balls |
| US6107181A (en) * | 1997-09-08 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Method of forming bumps and template used for forming bumps |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP2189637A patent/JPH0719798B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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