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JPH0719811B2 - Wafer inspection method using a probe device - Google Patents
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JPH0719811B2 - Wafer inspection method using a probe device - Google Patents

Wafer inspection method using a probe device

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Publication number
JPH0719811B2
JPH0719811B2 JP62078892A JP7889287A JPH0719811B2 JP H0719811 B2 JPH0719811 B2 JP H0719811B2 JP 62078892 A JP62078892 A JP 62078892A JP 7889287 A JP7889287 A JP 7889287A JP H0719811 B2 JPH0719811 B2 JP H0719811B2
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JP
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wafer
probe
probe card
needle
alignment
Prior art date
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JP62078892A
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明弘 寺田
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Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は半導体ウェハ上に形成されたチップの電気的
特性を測定するためのプローブ装置によるウェハの検査
方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer inspection method using a probe apparatus for measuring the electrical characteristics of a chip formed on a semiconductor wafer.

[従来の技術] 一般にオートプローバ装置においては第3図に示すよう
に複数のウェハ1を収納したカセット103をローダー部1
01にセットし、品種を登録すると、自動的にカセット10
3内よりウェハ1を取り出し、チャック21に搭載する。
そしてアライメントステージ102等でコースアライメン
ト、ウェハ厚み測定を行ない、XYステージ100のセンタ
ーにチャック21を移動して、測定が行なわれる。この
際、測定の最初のウェハについては第4図に示すように
チャック21をプローブ針11側へ上昇接近せしめた後、マ
イクロスコープによってθ方向及びXY方向の微調整を行
ない、第5図に示すようにチップ2の電極3とプローブ
針11とを一致させる。
[Prior Art] Generally, in an auto-prober apparatus, as shown in FIG.
When set to 01 and register the type, cassette 10 is automatically
The wafer 1 is taken out from within 3 and mounted on the chuck 21.
Then, course alignment and wafer thickness measurement are performed by the alignment stage 102 and the like, and the chuck 21 is moved to the center of the XY stage 100 for measurement. At this time, for the first wafer to be measured, as shown in FIG. 4, the chuck 21 is moved up to the probe needle 11 side, and then finely adjusted in the θ direction and in the XY direction by the microscope, and then, as shown in FIG. Thus, the electrode 3 of the chip 2 and the probe needle 11 are aligned with each other.

[発明が解決しようとする問題点] このように従来のプローバにおいては、プローブ針とチ
ップの針合わせは、マイクロスコープを用いてオペレー
タによって行なわれており、その操作に熟練と多くの時
間を要していた。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the conventional prober, the needle alignment of the probe needle and the tip is performed by an operator using a microscope, and its operation requires skill and much time. Was.

本発明はオートプローブ装置における自動化の難関であ
ったプローブ針とチップ電極との自動針合わせを可能に
し、フルオートプローブ装置の実現を可能にすることを
目的とする。
An object of the present invention is to enable automatic needle alignment between a probe needle and a tip electrode, which has been difficult to automate in an automatic probe device, and to realize a fully automatic probe device.

[問題点を解決するための手段] このような目的を達成するため本発明の針合わせ方法
は、被検査ウェハのアライメントに先立って前記チップ
の配列方向とプローブカードとが一致するように前記プ
ローブカードを回転方向に調整しておき、次いで前記ウ
ェハのアライメント調整を行いこの時の前記ウェハの回
転量を記憶し、次に前記プローブカードを前記記憶した
回転量と同量回転した後、前記プローブ針と前記チップ
の電極とが一致するように、前記ウェハを水平方向に調
整したのちウェハの検査を実行することを特徴とし、更
にチップの配列方向とプローブカードとの回転方向の調
整及び前記水平方向の調整は、予め記憶されたウェハと
プローブ針との距離に基づいて前記ウェハを前記プロー
ブ針に接近させた後行なうことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve such an object, the needle alignment method of the present invention uses the probe so that the arrangement direction of the chips and the probe card are aligned before the alignment of the wafer to be inspected. The card is adjusted in the direction of rotation, then the alignment of the wafer is adjusted and the amount of rotation of the wafer at this time is stored, and then the probe card is rotated by the same amount as the stored amount of rotation, and then the probe is rotated. The wafer is adjusted in the horizontal direction so that the needle is aligned with the electrode of the chip, and then the wafer is inspected.Furthermore, the alignment of the chips and the rotation direction of the probe card are adjusted and the horizontal direction is adjusted. The adjustment of the direction is performed after the wafer is brought close to the probe needle based on a distance between the wafer and the probe needle that is stored in advance. It

[実施例] 以下、本発明の検査方法を図面に示す実施例に基き説明
する。
[Examples] Hereinafter, the inspection method of the present invention will be described based on Examples shown in the drawings.

第1図は本発明が適用されるプローブ装置の概要を示
し、主としてテスタ(図示せず)に接続されプローブ針
が設けられるプローブカード部10、ウェハを載置し、検
査プログラムに従って移動するためのステージ20、位置
決めなどの画像処理部30及び検査プログラムを出力する
中央制御部40とから成る。
FIG. 1 shows an outline of a probe apparatus to which the present invention is applied. Mainly, a probe card unit 10 connected to a tester (not shown) and provided with probe needles, a wafer are placed, and a wafer is moved according to an inspection program. It comprises a stage 20, an image processing unit 30 for positioning and the like, and a central control unit 40 for outputting an inspection program.

プローブカード部10はプローバ装置のヘッドプレートの
ほぼ中央に設けられ、プローブ針11を備えたプローブカ
ード12が取付けられ、プローブカード12をθ方向に回転
する機構を備える。
The probe card unit 10 is provided at substantially the center of the head plate of the prober device, has a probe card 12 having probe needles 11 attached thereto, and has a mechanism for rotating the probe card 12 in the θ direction.

ステージ20はウェハ1を搭載するウェハ載置台21、ウェ
ハ載置台21を支軸22方向(Z方向)に駆動するステップ
モータ23、ウェハ載置台21をXレール(図示せず)及び
Yレール(図示せず)に沿って移動するためのX軸駆動
モータ24、Y軸駆動モータ25から成る。
The stage 20 includes a wafer mounting table 21 on which the wafer 1 is mounted, a step motor 23 for driving the wafer mounting table 21 in the direction of the support shaft 22 (Z direction), and the wafer mounting table 21 on the X rail (not shown) and the Y rail (see FIG. It consists of an X-axis drive motor 24 and a Y-axis drive motor 25 for moving along (not shown).

画像処理部30はプローブカード部10上方に設置されるIT
Vカメラ31とモニター部32から成り、モニター部32は中
央制御部40に接続されている。
The image processing unit 30 is an IT installed above the probe card unit 10.
It is composed of a V camera 31 and a monitor unit 32, and the monitor unit 32 is connected to the central control unit 40.

中央制御部40はプローブカード部10のθ回転機構及びス
テージ20のステップモータ23、X軸駆動モータ24、Y軸
駆動モータ25を駆動制御する制御部41とその駆動量を記
憶するメモリー42を備える。
The central control unit 40 includes a θ rotation mechanism of the probe card unit 10 and a control unit 41 that controls the drive of the step motor 23, the X-axis drive motor 24, and the Y-axis drive motor 25 of the stage 20, and a memory 42 that stores the drive amount. .

ウェハ1とプローブカード12との関係及びチップ2の電
極3とプローブ針11との位置関係は第4図及び第5図に
示すとおりである。
The relationship between the wafer 1 and the probe card 12 and the positional relationship between the electrode 3 of the chip 2 and the probe needle 11 are as shown in FIGS. 4 and 5.

次に、このような構成において本発明の位置合わせ方法
について説明する。第2図はそのフローチャート図であ
る。
Next, the alignment method of the present invention having such a configuration will be described. FIG. 2 is a flow chart diagram thereof.

まず、測定に先立ってプローブカード部20にプローブカ
ード12を取付けると、ステップモータ23を駆動しチャッ
クトップ21をプローブ針12に接触するまでZ方向に上昇
させる。この時のステップモータ23の駆動量(チャック
トップ21の移動量)からウェハ載置台21上面の基準位置
(ウェハを搭載する位置)からプローブ針12までの距離
hを求め、メモリー42に記憶する。
First, when the probe card 12 is attached to the probe card unit 20 prior to the measurement, the step motor 23 is driven to raise the chuck top 21 in the Z direction until it contacts the probe needle 12. At this time, the distance h from the reference position (the position on which the wafer is mounted) on the upper surface of the wafer mounting table 21 to the probe needle 12 is obtained from the driving amount of the step motor 23 (movement amount of the chuck top 21) and stored in the memory 42.

次に、測定のスタートボタンを押すと、ウェハ1が搬送
部より搬送され、ロードポジションでウェハ載置台21上
にセットされる。
Next, when the measurement start button is pressed, the wafer 1 is transferred from the transfer section and set on the wafer mounting table 21 at the load position.

ここでウェハの厚み測定を行う。Here, the thickness of the wafer is measured.

この時、測定されたウェハの厚みdは中央制御部40のメ
モリー42に記憶する。
At this time, the measured wafer thickness d is stored in the memory 42 of the central controller 40.

次いでウェハ1はアライメントの前に、プローブカード
部10下に移動し、ウェハ1がプローブ針11に接触する直
前までZ方向に上昇させる。この時のZ方向の駆動量
(Z1)はメモリー42に記憶されたh及びdから自動的に
決まる。ここでhはウェハ載置台の基準位置からプロー
ブ針までの高さ、dはウェハの厚みである。すなわち、
Z1は(h−d)より若干量(10μm程度の所定量)少な
い値である。
Next, the wafer 1 is moved under the probe card unit 10 before the alignment, and is raised in the Z direction until just before the wafer 1 contacts the probe needle 11. The drive amount (Z 1 ) in the Z direction at this time is automatically determined from h and d stored in the memory 42. Here, h is the height from the reference position of the wafer mounting table to the probe needle, and d is the thickness of the wafer. That is,
Z 1 is a value slightly smaller than (h−d) (a predetermined amount of about 10 μm).

このようにウェハ1とプローブ針11が接近した状態で画
像処理部30によってウェハ1とプローブカードの位置合
わせ、即ち、ウェハ1のストリートライン2aとプローブ
カード12のθ方向とが一致するようにプローブカード12
のθ回転機構を調整する。
In this manner, with the wafer 1 and the probe needle 11 approaching each other, the image processing unit 30 aligns the wafer 1 and the probe card, that is, the probe 1 so that the street line 2a of the wafer 1 and the θ direction of the probe card 12 coincide with each other. Card 12
Adjust the θ rotation mechanism.

次いでウェハ載置台21を基準位置まで下降させアライメ
ントステージに移動し、アライメントを行なう。すなわ
ち、ストリートライン2aとX、Yレールの直交性が所定
の精度となるようにウェハ載置台21のθ軸を合わせる。
この時のウェハ載置台21のθ回転量(θ)をメモリー
42に記憶する。
Next, the wafer mounting table 21 is lowered to the reference position and moved to the alignment stage for alignment. That is, the θ axis of the wafer mounting table 21 is aligned so that the orthogonality between the street lines 2a and the X and Y rails has a predetermined accuracy.
The amount of θ rotation (θ 1 ) of the wafer mounting table 21 at this time is stored in the memory
Store in 42.

アライメント後のウェハ1を再びプローブカード部10に
移動し、Z方向に上昇させる。この時の駆動量は先の駆
動量(Z1)と同じである。そしてプローブカード12をア
ライメントステージにおけるウェハ載置台21のθ回転量
(θ)と同じだけ回転させる。これによってプローブ
カード12とウェハ1のストリートライン2aは一致する。
The wafer 1 after the alignment is moved again to the probe card unit 10 and raised in the Z direction. The drive amount at this time is the same as the previous drive amount (Z 1 ). Then, the probe card 12 is rotated by the same amount as the θ rotation amount (θ 1 ) of the wafer mounting table 21 on the alignment stage. As a result, the probe card 12 and the street line 2a of the wafer 1 coincide with each other.

次に、画像処理部30によりモニターしながら今度はプロ
ーブ針11とチップ2の電極3が一致するようにX軸駆動
モータ24及びY軸駆動モータ25を駆動制御する。プロー
ブ針11と電極3が第5図に示すように一致すると、プロ
ーブ針11とステージ21を相対的に移動たとえばウェハ載
置台21を所定量上昇し、測定準備が完了する。これよ
り、予め定められた検査例えば5点チェック、測定を開
始する。即ち、テスタから電気信号を出力し、電極パッ
ドからの出力信号を検出して予め記憶された期待値と比
較して検査する。
Next, while monitoring by the image processing unit 30, the X-axis drive motor 24 and the Y-axis drive motor 25 are drive-controlled so that the probe needle 11 and the electrode 3 of the tip 2 coincide with each other this time. When the probe needle 11 and the electrode 3 coincide with each other as shown in FIG. 5, the probe needle 11 and the stage 21 are relatively moved, for example, the wafer mounting table 21 is raised by a predetermined amount, and the measurement preparation is completed. From this, a predetermined inspection, for example, a 5-point check and measurement are started. That is, an electric signal is output from the tester, the output signal from the electrode pad is detected, and the output signal is compared with an expected value stored in advance for inspection.

[効果] 以上の説明からも明らかなように本発明のウェハ検査方
法においては、アライメントに先立ってプローブカード
のθをウェハのストリートラインと調整しておくと共
に、アライメント時のウェハ(載置台)の回転量を記憶
しておき、ウェハの針合わせ時には記憶された回転量だ
けプローブカードを回転させるようにしたので、ウェハ
の針合わせはX及びY方向のみ調整するだけでよく、短
時間に針合わせを行なうことができる。また、予めプロ
ーブ針とウェハ載置台までの距離を測定、記憶しておく
のでθ調整時及びXY調整時にはその記憶した距離に基き
自動的に所望の位置までウェハをプローブ針に接近させ
ることができる。
[Effect] As is clear from the above description, in the wafer inspection method of the present invention, the θ of the probe card is adjusted with the street line of the wafer prior to alignment, and the wafer (mounting table) during alignment is adjusted. Since the amount of rotation is stored and the probe card is rotated by the stored amount of rotation when the wafer is aligned with the needle, the needle alignment of the wafer only needs to be adjusted in the X and Y directions. Can be done. Further, since the distance between the probe needle and the wafer mounting table is measured and stored in advance, it is possible to automatically bring the wafer close to the probe needle to a desired position based on the stored distance during θ adjustment and XY adjustment. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明を適用するためのプローブ装置の概略
図、第2図は本発明の一実施例を示すフローチャート
図、第3図はプローブ装置の平面図、第4図はウェハと
プローブ針を示す図、第5図はチップの電極とプローブ
針を示す図である。 1、21……ウェハ 10、12……プローブカード 11……プローブ針 20……ステージ 23……ステップモータ 30……画像処理部 31……ITVカメラ 32……モニター部 40……中央制御部 41……駆動制御部 42……メモリー
FIG. 1 is a schematic diagram of a probe device for applying the present invention, FIG. 2 is a flow chart diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a plan view of the probe device, and FIG. 4 is a wafer and a probe needle. FIG. 5 is a view showing the electrodes of the chip and the probe needle. 1, 21 ... Wafer 10, 12 ... Probe card 11 ... Probe needle 20 ... Stage 23 ... Step motor 30 ... Image processing unit 31 ... ITV camera 32 ... Monitor unit 40 ... Central control unit 41 ...... Drive control unit 42 …… Memory

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被検査ウェハのアライメントに先立って前
記チップの配列方向とプローブカードとが一致するよう
に前記プローブカードを回転方向に調整しておき、次い
で前記ウェハのアライメント調整を行いこの時の前記ウ
ェハの回転量を記憶し、次に前記プローブカードを前記
記憶した回転量と同量回転した後、前記プローブ針と前
記チップの電極とが一致するように、前記ウェハを水平
方向に調整したのちウェハの検査を実行することを特徴
とするプローブ装置によるウェハの検査方法。
1. Prior to alignment of a wafer to be inspected, the probe card is adjusted in a rotating direction so that the arrangement direction of the chips and the probe card are aligned with each other, and then alignment adjustment of the wafer is performed. After storing the amount of rotation of the wafer and then rotating the probe card by the same amount as the stored amount of rotation, the wafer was adjusted horizontally so that the probe needle and the electrode of the chip were aligned. A method of inspecting a wafer by a probe device, which comprises performing an inspection of the wafer after that.
【請求項2】チップの配列方向とプローブカードとの回
転方向の調整及び前記水平方向の調整は、予め記憶され
たウェハとプローブ針との距離に基づいて前記ウェハを
前記プローブ針に接近させた後行なうことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のプローブ装置によるウェハ
の検査方法。
2. The adjustment of the chip arrangement direction and the rotation direction of the probe card and the horizontal adjustment are performed by bringing the wafer close to the probe needle based on a distance between the wafer and the probe needle stored in advance. The method for inspecting a wafer by a probe device according to claim 1, which is performed later.
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