JPH0719896B2 - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0719896B2 JPH0719896B2 JP63106385A JP10638588A JPH0719896B2 JP H0719896 B2 JPH0719896 B2 JP H0719896B2 JP 63106385 A JP63106385 A JP 63106385A JP 10638588 A JP10638588 A JP 10638588A JP H0719896 B2 JPH0719896 B2 JP H0719896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- semiconductor image
- sensor chip
- conductor layer
- semiconductor
- Prior art date
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリやデジタル複写機などの画像入
力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するもの
である。
力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するもの
である。
従来の技術 ファクシミリやデジタル複写機などの画像入力装置に用
いられる密着型イメージセンサには、CCD,MOS,バイポー
ラIC型センサ等の単結晶シリコンからなる半導体イメー
ジセンサチップを用いるものと、アモルファスシリコン
やCdS−Se等の半導体薄膜を用いたものがある。従来半
導体イメージセンサチップを用いた密着型イメージセン
サは、第３図及び第４図に示すようにアルミナやガラス
等の基板１の表面に金や銀−白金などの貴金属により所
望する回路導体層２を形成した回路基板上に、CCD,MOS,
バイポーラIC型センサ等の単結晶シリコンからなる半導
体イメージセンサチップ３を複数個直線状に高精度に配
列してエポキシ系やシアノアクリレート系の導電性接着
剤４により回路基板上に接着固定し、ダイボンド後各半
導体イメージセンサチップ３の電極端子と回路導体層２
とをワイヤーボンド法により金やアルミニウムなどの金
属細線５で接続し、しかる後カバーガラス６をかぶせて
封止用接着剤７で固定するハーメチック封止構造を有し
ていた。
いられる密着型イメージセンサには、CCD,MOS,バイポー
ラIC型センサ等の単結晶シリコンからなる半導体イメー
ジセンサチップを用いるものと、アモルファスシリコン
やCdS−Se等の半導体薄膜を用いたものがある。従来半
導体イメージセンサチップを用いた密着型イメージセン
サは、第３図及び第４図に示すようにアルミナやガラス
等の基板１の表面に金や銀−白金などの貴金属により所
望する回路導体層２を形成した回路基板上に、CCD,MOS,
バイポーラIC型センサ等の単結晶シリコンからなる半導
体イメージセンサチップ３を複数個直線状に高精度に配
列してエポキシ系やシアノアクリレート系の導電性接着
剤４により回路基板上に接着固定し、ダイボンド後各半
導体イメージセンサチップ３の電極端子と回路導体層２
とをワイヤーボンド法により金やアルミニウムなどの金
属細線５で接続し、しかる後カバーガラス６をかぶせて
封止用接着剤７で固定するハーメチック封止構造を有し
ていた。
発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような密着型イメージセンサでは、薄
型化が図りにくいことや、機械的衝撃に対する電気的接
続の信頼性及び耐湿性などの信頼性に乏しいなどの問題
点があった。また半導体イメージセンサチップ３の修正
が困難であるために工程歩留まりが悪く経済性に欠けた
り、カバーガラス６が成形品でるため高価でコストの面
でも問題点があった。本発明は、このような問題点を解
決するものであり、薄型で信頼性に優れ、且つ組み立て
の歩留まりを向上させて経済性に優れた密着型イメージ
センサを提供するものである。
型化が図りにくいことや、機械的衝撃に対する電気的接
続の信頼性及び耐湿性などの信頼性に乏しいなどの問題
点があった。また半導体イメージセンサチップ３の修正
が困難であるために工程歩留まりが悪く経済性に欠けた
り、カバーガラス６が成形品でるため高価でコストの面
でも問題点があった。本発明は、このような問題点を解
決するものであり、薄型で信頼性に優れ、且つ組み立て
の歩留まりを向上させて経済性に優れた密着型イメージ
センサを提供するものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の密着型イメージセン
サは、回路導体層を備えた透光性基板上に半導体イメー
ジセンサチップをフェースダウンで複数個直線状に透光
性接着剤で接着固定し、半導体イメージセンサチップと
回路導体層をTAB方式で電気的に接続した構造を有する
ものである。
サは、回路導体層を備えた透光性基板上に半導体イメー
ジセンサチップをフェースダウンで複数個直線状に透光
性接着剤で接着固定し、半導体イメージセンサチップと
回路導体層をTAB方式で電気的に接続した構造を有する
ものである。
作用 本発明の構造を用いることにより、構造的に薄型で且つ
電気的接続や耐湿度性などの信頼性に優れ、さらには組
み立ての歩留まりが向上し低コストの密着型イメージセ
ンサが実現できる。
電気的接続や耐湿度性などの信頼性に優れ、さらには組
み立ての歩留まりが向上し低コストの密着型イメージセ
ンサが実現できる。
実施例 以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の一実施例における密着イメージセン
サの斜視図、第２図はその要部断面図である。第１図、
第２図において11は透光性基板、12はこの透光性基板11
の上面に形成された回路導体層、13は半導体イメージセ
ンサチップ、14は透光性接着剤、15はポリイミドフィル
ム、16はポリイミドフィルム15を支持基板にしたフィル
ムリード、17はバンプである。以下第１図、第２図に基
ずいて詳細に述べる。
第１図は、本発明の一実施例における密着イメージセン
サの斜視図、第２図はその要部断面図である。第１図、
第２図において11は透光性基板、12はこの透光性基板11
の上面に形成された回路導体層、13は半導体イメージセ
ンサチップ、14は透光性接着剤、15はポリイミドフィル
ム、16はポリイミドフィルム15を支持基板にしたフィル
ムリード、17はバンプである。以下第１図、第２図に基
ずいて詳細に述べる。
（実施例１） 半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板上に、フォ
トトランジスタやフォトダイオード等の光検知素子アレ
ーとMOSやCCD,バイポーラIC等のスイッチング素子等で
構成した半導体イメージセンサの電極端子上にバリヤー
金属としてCr,Ti,Pd等を形成し、その上にCu,Au,In等を
蒸着法やメッキ法でバンプ16を作成し、この単結晶シリ
コン基板から高精度ダイシング技術を駆使して切断加工
することにより半導体イメージセンサチップ13を作成す
る。次にポリイミドフィルム15上に所望する銅箔パター
ンを35μｍの膜厚で形成したフィルムリード16へ0.5μ
ｍの膜厚でSnメッキ処理を施してフィルムキャリアを作
成し、半導体イメージセンサチップ13の電極端子上のバ
ンプ17とフィルムリード16をツールでボンディング圧力
0.05〜2.5Kg,ヒートタイム１〜3sec,ボンディング温度1
00〜500℃の条件でインナーボンディング（以下ILBと略
す）し半導体イメージセンサチップ13とフィルムリード
16を電気的に接続する。ついでガラス基板等の透光性基
板11上に金や銀−白金等の貴金属によりスクリーン印刷
法または薄膜形成法とフォトリソ法を用いて所望する回
路導体層12を形成し、更に回路導体層12のボンディング
パッド部にAuを２μｍ形成して回路基板を作成する。こ
の回路基板の所定の位置にシリコーン系，アクリル系，
エポキシ系で紫外線硬化型，熱硬化型，紫外線硬化と熱
硬化併用型の透光性接着剤14をスクリーン印刷やディス
ペンサー等で所定の膜厚だけ塗布し、その上にフィルム
リード16を有する半導体イメージセンサチップ13をフェ
ースダウンで複数個直線状に配列した後、フィルムリー
ド16と回路導体層12をアウタリードボンディング法で、
ボンディング温度100〜500℃，ボンディング圧力0.05〜
2.5Kg,ヒートタイム１〜3secの条件で接続する。その
後、紫外線照射または加熱して透光性接着剤14を硬化
し、半導体イメージセンサチップ13と回路基板を接着固
定して密着型イメージセンサを作成する。
トトランジスタやフォトダイオード等の光検知素子アレ
ーとMOSやCCD,バイポーラIC等のスイッチング素子等で
構成した半導体イメージセンサの電極端子上にバリヤー
金属としてCr,Ti,Pd等を形成し、その上にCu,Au,In等を
蒸着法やメッキ法でバンプ16を作成し、この単結晶シリ
コン基板から高精度ダイシング技術を駆使して切断加工
することにより半導体イメージセンサチップ13を作成す
る。次にポリイミドフィルム15上に所望する銅箔パター
ンを35μｍの膜厚で形成したフィルムリード16へ0.5μ
ｍの膜厚でSnメッキ処理を施してフィルムキャリアを作
成し、半導体イメージセンサチップ13の電極端子上のバ
ンプ17とフィルムリード16をツールでボンディング圧力
0.05〜2.5Kg,ヒートタイム１〜3sec,ボンディング温度1
00〜500℃の条件でインナーボンディング（以下ILBと略
す）し半導体イメージセンサチップ13とフィルムリード
16を電気的に接続する。ついでガラス基板等の透光性基
板11上に金や銀−白金等の貴金属によりスクリーン印刷
法または薄膜形成法とフォトリソ法を用いて所望する回
路導体層12を形成し、更に回路導体層12のボンディング
パッド部にAuを２μｍ形成して回路基板を作成する。こ
の回路基板の所定の位置にシリコーン系，アクリル系，
エポキシ系で紫外線硬化型，熱硬化型，紫外線硬化と熱
硬化併用型の透光性接着剤14をスクリーン印刷やディス
ペンサー等で所定の膜厚だけ塗布し、その上にフィルム
リード16を有する半導体イメージセンサチップ13をフェ
ースダウンで複数個直線状に配列した後、フィルムリー
ド16と回路導体層12をアウタリードボンディング法で、
ボンディング温度100〜500℃，ボンディング圧力0.05〜
2.5Kg,ヒートタイム１〜3secの条件で接続する。その
後、紫外線照射または加熱して透光性接着剤14を硬化
し、半導体イメージセンサチップ13と回路基板を接着固
定して密着型イメージセンサを作成する。
（実施例２） 実施例１における半導体イメージセンサチップ13の電極
端子上のバンプ材料としてPd−５％Snのハンダバンプ17
を用いてフィルムリード16と密着，加熱して電気的に接
続を行って密着型イメージセンサを構成したものであ
る。
端子上のバンプ材料としてPd−５％Snのハンダバンプ17
を用いてフィルムリード16と密着，加熱して電気的に接
続を行って密着型イメージセンサを構成したものであ
る。
（実施例３） 実施例１における半導体イメージセンサチップ13の電極
端子とフィルムリード16間にあるバンプ17を転写バンプ
方式によりフィルムリード16上に形成して密着型イメー
ジセンサを構成する。
端子とフィルムリード16間にあるバンプ17を転写バンプ
方式によりフィルムリード16上に形成して密着型イメー
ジセンサを構成する。
以上実施例１〜３ではアウターリードボンディング工程
後、透光性接着剤14を硬化させたが、先に半導体イメー
ジセンサチップ13と回路基板を硬化，接着，固定させた
後アウターリードボンディングを行ってもよい。また信
頼性向上及び機械的ダメージ防止の目的で半導体イメー
ジセンサチップ13の表面をエポキシ系やシリコーン系，
アクリル系の接着剤でモールドすると効果的である。
後、透光性接着剤14を硬化させたが、先に半導体イメー
ジセンサチップ13と回路基板を硬化，接着，固定させた
後アウターリードボンディングを行ってもよい。また信
頼性向上及び機械的ダメージ防止の目的で半導体イメー
ジセンサチップ13の表面をエポキシ系やシリコーン系，
アクリル系の接着剤でモールドすると効果的である。
発明の効果 以上のように本発明によれば、回路導体層を備えた透光
性基板上に半導体イメージセンサチップをフェースダウ
ンで複数個直線状に透光性接着剤で接着，固定し、半導
体イメージセンサチップと回路導体層をフィルムリード
で電気的に接続した構造を有するために、カバーガラス
がなくなり薄型で材料費が下がる。また透光性接着剤や
樹脂で半導体イメージセンサチップをモールドしている
ために機械的振動に強く、電気的接続や耐湿性などの信
頼性が向上する。さらに透光性接着剤を硬化させる前に
電気的にチェックできるために半導体イメージセンサチ
ップの修正が容易であり、したがって組み立て歩留まり
が向上し低コストで作成できるという効果がある。
性基板上に半導体イメージセンサチップをフェースダウ
ンで複数個直線状に透光性接着剤で接着，固定し、半導
体イメージセンサチップと回路導体層をフィルムリード
で電気的に接続した構造を有するために、カバーガラス
がなくなり薄型で材料費が下がる。また透光性接着剤や
樹脂で半導体イメージセンサチップをモールドしている
ために機械的振動に強く、電気的接続や耐湿性などの信
頼性が向上する。さらに透光性接着剤を硬化させる前に
電気的にチェックできるために半導体イメージセンサチ
ップの修正が容易であり、したがって組み立て歩留まり
が向上し低コストで作成できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例における密着イメージセンサ
の斜視図、第２図はその断面図、第３図は従来の密着イ
メージセンサの斜視図、第４図はその断面図である。 11……透光性基板、12……回路導体層、13……半導体イ
メージセンサチップ、14……透光性接着剤、15……ポリ
イミドフィルム、16……フィルムリード、17……バン
プ。
の斜視図、第２図はその断面図、第３図は従来の密着イ
メージセンサの斜視図、第４図はその断面図である。 11……透光性基板、12……回路導体層、13……半導体イ
メージセンサチップ、14……透光性接着剤、15……ポリ
イミドフィルム、16……フィルムリード、17……バン
プ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 8721−5Ｃ 7210−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ
Claims (2)
- 【請求項１】回路導体層を有する透光性基板上に半導体
イメージセンサチップをフェースダウンで複数個直線状
に透光性接着剤で接着固定し、前記半導体イメージセン
サチップと回路導体層をフィルムリードで電気的に接続
した密着型イメージセンサ。 - 【請求項２】半導体イメージセンサチップの表面を樹脂
でモールドした請求項１記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106385A JPH0719896B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106385A JPH0719896B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 密着型イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276773A JPH01276773A (ja) | 1989-11-07 |
| JPH0719896B2 true JPH0719896B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14432237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63106385A Expired - Lifetime JPH0719896B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719896B2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63106385A patent/JPH0719896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01276773A (ja) | 1989-11-07 |
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