JPH0722892B2 - 光ディスク成形用スタンパの裏面研磨装置 - Google Patents
光ディスク成形用スタンパの裏面研磨装置Info
- Publication number
- JPH0722892B2 JPH0722892B2 JP62307958A JP30795887A JPH0722892B2 JP H0722892 B2 JPH0722892 B2 JP H0722892B2 JP 62307958 A JP62307958 A JP 62307958A JP 30795887 A JP30795887 A JP 30795887A JP H0722892 B2 JPH0722892 B2 JP H0722892B2
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- Japan
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- stamper
- polishing pad
- polishing
- glass substrate
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は光ディスク基板成形用スタンパの製造装置に関
するものであり、特に、追記型（DRAWまたはWORM）光デ
ィスク、書替え可能型（E-DRAWまたはイレーザブル）光
ディスク等の光ディスクの基板（サブストレート）とし
て用いられるプラスチックディスク基板の成形用スタン
パの裏面研磨装置に関するものである。本発明は主とし
て上記のような精密度の高い光ディスク基板用のスタン
パの裏面研磨に用いられるが、当然ながら、精密度が相
対的に低い読み取り専用（ROM）型光ディスク基板用の
スタンパの裏面研磨に用いることもできる。
するものであり、特に、追記型（DRAWまたはWORM）光デ
ィスク、書替え可能型（E-DRAWまたはイレーザブル）光
ディスク等の光ディスクの基板（サブストレート）とし
て用いられるプラスチックディスク基板の成形用スタン
パの裏面研磨装置に関するものである。本発明は主とし
て上記のような精密度の高い光ディスク基板用のスタン
パの裏面研磨に用いられるが、当然ながら、精密度が相
対的に低い読み取り専用（ROM）型光ディスク基板用の
スタンパの裏面研磨に用いることもできる。
従来の技術 従来一般に用いられている光ディスク成形用スタンパの
製造プロセスを第３図(a)〜(d)を用いて説明する。先
ず、第３図(a)に示すように、ガラス基板11の表面上に
フォトレジスト12を塗布し、このレジスト12上にレーザ
ーカッティングマシン等を用いて情報あるいは信号を微
細レリーフパターン12′として形成する（第３図(b)）
（実際には、露光−現像−定着−未露光部分の洗浄除去
等の工程があるが、図では最終レリーフパターンのみを
示してある）。こうして得られたガラス原盤10の表面に
導電化皮膜13を形成（第３図(c)）した後、電鋳法、蒸
着法等により金属例えば、ニッケルの皮膜14を形成（第
３図(d)）し、これら導電化皮膜13および金属皮膜14を
一体としてガラス原盤10から剥離する。このようにして
製造されたスタンパは次いで、スタンパの厚味を精密に
微細調整するためにスタンパの裏面を研磨する。
製造プロセスを第３図(a)〜(d)を用いて説明する。先
ず、第３図(a)に示すように、ガラス基板11の表面上に
フォトレジスト12を塗布し、このレジスト12上にレーザ
ーカッティングマシン等を用いて情報あるいは信号を微
細レリーフパターン12′として形成する（第３図(b)）
（実際には、露光−現像−定着−未露光部分の洗浄除去
等の工程があるが、図では最終レリーフパターンのみを
示してある）。こうして得られたガラス原盤10の表面に
導電化皮膜13を形成（第３図(c)）した後、電鋳法、蒸
着法等により金属例えば、ニッケルの皮膜14を形成（第
３図(d)）し、これら導電化皮膜13および金属皮膜14を
一体としてガラス原盤10から剥離する。このようにして
製造されたスタンパは次いで、スタンパの厚味を精密に
微細調整するためにスタンパの裏面を研磨する。
実際には、上記金属皮膜14、例えば、ニッケル皮膜を電
鋳法、蒸着法等で形成する際に、ガラス原盤10を支持体
上に支持しておかなければならないので、一般には、第
４図に示すように、支柱30の先端から突出したネジと螺
合するナット31と、ワッシャ32によってガラス原盤10を
支持している。電鋳法の場合には上記ワッシャ32は一般
に電極の役目をしている。しかし、スタンパの中央部に
上記ワッシャ32が一体化されていると精密な研磨ができ
ないので、研磨の前にワッシャ部32を取り除いてから研
磨をしている。
鋳法、蒸着法等で形成する際に、ガラス原盤10を支持体
上に支持しておかなければならないので、一般には、第
４図に示すように、支柱30の先端から突出したネジと螺
合するナット31と、ワッシャ32によってガラス原盤10を
支持している。電鋳法の場合には上記ワッシャ32は一般
に電極の役目をしている。しかし、スタンパの中央部に
上記ワッシャ32が一体化されていると精密な研磨ができ
ないので、研磨の前にワッシャ部32を取り除いてから研
磨をしている。
発明が解決しようとする問題点 一般に、上記の研磨は手作業で行うか、自動研磨装置で
行う。しかし、スタンパは厚さが１mm以下と薄いため、
サンドペーパー等による手作業でのスタンパの裏面研磨
では面精度が出ず、応力によってスタンパが変形した
り、加工する人の個人差によってスタンパの厚味が変動
してしまうという欠点の他に、生産性が低いという欠点
がある。そのため、ガラス原盤10から剥離しない状態で
スタンパの裏面を研磨することが提案されているが、こ
の場合には、上記ワッシャ部を取り除かないと自動研磨
装置にかからない。そこで、従来は、ガラス原板からス
タンパを剥がし、上記ワッシャ部を一旦取り除いた後
に、再度スタンパをガラス原板に接着して自動研磨装置
にかけていた。しかし、この方法では上記の接着時にス
タンパとガラス原板との間に空気が入り、面精度が出な
い上に、接着手段が複雑になり、生産性も上がらない等
の問題点があった。
行う。しかし、スタンパは厚さが１mm以下と薄いため、
サンドペーパー等による手作業でのスタンパの裏面研磨
では面精度が出ず、応力によってスタンパが変形した
り、加工する人の個人差によってスタンパの厚味が変動
してしまうという欠点の他に、生産性が低いという欠点
がある。そのため、ガラス原盤10から剥離しない状態で
スタンパの裏面を研磨することが提案されているが、こ
の場合には、上記ワッシャ部を取り除かないと自動研磨
装置にかからない。そこで、従来は、ガラス原板からス
タンパを剥がし、上記ワッシャ部を一旦取り除いた後
に、再度スタンパをガラス原板に接着して自動研磨装置
にかけていた。しかし、この方法では上記の接着時にス
タンパとガラス原板との間に空気が入り、面精度が出な
い上に、接着手段が複雑になり、生産性も上がらない等
の問題点があった。
こうした従来法の欠点を改良するために、本出願人は昭
和62年11月10日付の発明の名称：「光ディスク成形用ス
タンパの裏面研磨装置」と題する特許出願において、ス
タンパが形成されたガラス基板が中心部取付け具によっ
て支持体に取り付けられた状態で上記スタンパの裏面を
研磨パッドによって研磨するための光ディスク成形用ス
タンパの裏面研磨装置において、上記中心部取付け具と
接触する部分に対応する研磨パッドの表面上に上記中心
部取付け具を収容するための溝を形成することを提案し
た。
和62年11月10日付の発明の名称：「光ディスク成形用ス
タンパの裏面研磨装置」と題する特許出願において、ス
タンパが形成されたガラス基板が中心部取付け具によっ
て支持体に取り付けられた状態で上記スタンパの裏面を
研磨パッドによって研磨するための光ディスク成形用ス
タンパの裏面研磨装置において、上記中心部取付け具と
接触する部分に対応する研磨パッドの表面上に上記中心
部取付け具を収容するための溝を形成することを提案し
た。
しかし、その後の研究の結果、電鋳時に生じる内部応力
のために、ロットによってはスタンパが形成されたガラ
ス基板が反ることがわかった。
のために、ロットによってはスタンパが形成されたガラ
ス基板が反ることがわかった。
すなわち、電鋳時によりスタンパとなる金属皮膜14を形
成する際には、析出金属の内部応力が最少になるように
操作条件を設定するが、電鋳浴の温度は一般に約50℃近
辺に設定される。そのため、電鋳後にスタンパが形成さ
れたガラス基板11を電鋳浴から約25℃の室温中に取り出
すと、ガラス基板11と金属皮膜14との熱膨張率の相違に
よりいわゆるバイメタル効果で全体が反ってしまう。従
って、この状態のスタンパ14が形成されたガラス基板11
を自動研磨装置にかけると、第５図に示すような状態で
自動研磨装置のクランプに取り付けられるため、得られ
たスタンパ14の内周部分と外周部とでスタンパ14の厚さ
が変化してしまう。
成する際には、析出金属の内部応力が最少になるように
操作条件を設定するが、電鋳浴の温度は一般に約50℃近
辺に設定される。そのため、電鋳後にスタンパが形成さ
れたガラス基板11を電鋳浴から約25℃の室温中に取り出
すと、ガラス基板11と金属皮膜14との熱膨張率の相違に
よりいわゆるバイメタル効果で全体が反ってしまう。従
って、この状態のスタンパ14が形成されたガラス基板11
を自動研磨装置にかけると、第５図に示すような状態で
自動研磨装置のクランプに取り付けられるため、得られ
たスタンパ14の内周部分と外周部とでスタンパ14の厚さ
が変化してしまう。
従って、本発明の目的はスタンパをガラス原盤10から剥
離しない状態で自動研磨装置でスタンパ裏面を研磨する
際の上記の問題点を解決することにある。
離しない状態で自動研磨装置でスタンパ裏面を研磨する
際の上記の問題点を解決することにある。
問題点を解決するための手段 上記問題を解決するために本発明の光ディスク成形用ス
タンパの裏面研磨装置はスタンパが形成されたガラス基
板が中心部取付け具によって支持体に取り付けられた状
態で上記スタンパの裏面を研磨パッドによって研磨する
ための光ディスク形成用スタンパの裏面研磨装置におい
て、 上記中心部取付け具と接触する部分に対応する研磨パッ
ドの表面上に上記中心部取付け具を収容するための溝が
形成されており、且つ 上記スタンパの外周部分と接触する研磨パッドの少なく
とも一部が除去されていることを特徴としている。
タンパの裏面研磨装置はスタンパが形成されたガラス基
板が中心部取付け具によって支持体に取り付けられた状
態で上記スタンパの裏面を研磨パッドによって研磨する
ための光ディスク形成用スタンパの裏面研磨装置におい
て、 上記中心部取付け具と接触する部分に対応する研磨パッ
ドの表面上に上記中心部取付け具を収容するための溝が
形成されており、且つ 上記スタンパの外周部分と接触する研磨パッドの少なく
とも一部が除去されていることを特徴としている。
一般に、上記中心部取付け具はネジ−ワッシャーによっ
て構成されている。また、上記スタンパはガラス基板の
表面にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト上
に微細レリーフパターンを形成したガラス原盤に金属皮
膜を形成して作られる。上記の微細レリーフパターンは
一般にレーザーカッティングによっておこなわれる。
て構成されている。また、上記スタンパはガラス基板の
表面にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト上
に微細レリーフパターンを形成したガラス原盤に金属皮
膜を形成して作られる。上記の微細レリーフパターンは
一般にレーザーカッティングによっておこなわれる。
本発明は、上記金属皮膜は電鋳法によって形成される場
合に好適に用いることができるが、蒸着等の他の任意の
金属皮膜形成法によって作ったものにも応用することが
できる。
合に好適に用いることができるが、蒸着等の他の任意の
金属皮膜形成法によって作ったものにも応用することが
できる。
好ましくは、上記微細レリーフパターンを形成したガラ
ス原盤上に予め導電化皮膜を形成してから上記電鋳法に
よって上記金属皮膜を形成する。
ス原盤上に予め導電化皮膜を形成してから上記電鋳法に
よって上記金属皮膜を形成する。
自動研磨装置自体としては周知の任意のものを用いるこ
とができるが、一般には自転する研磨パッドに、ガラス
原板上に形成したスタンパを当接させ、後者を研磨パッ
ドの自転運動によってつれまわりさせる、すなわち、自
公転させる。この際の研磨パッドの自転速度は一般に10
0rpm程度である。研磨パッドとしては一般にガラス研磨
に用いられているウレタンパッド等を用いることができ
る。
とができるが、一般には自転する研磨パッドに、ガラス
原板上に形成したスタンパを当接させ、後者を研磨パッ
ドの自転運動によってつれまわりさせる、すなわち、自
公転させる。この際の研磨パッドの自転速度は一般に10
0rpm程度である。研磨パッドとしては一般にガラス研磨
に用いられているウレタンパッド等を用いることができ
る。
本発明による上記の溝は上記中心部取付け具が収容でき
るだけの巾と深さを有していればよい。例えば、中心部
取付け具のワッシャーの直径が20mmの場合には、上記の
溝の巾も約20mmにすればよい。
るだけの巾と深さを有していればよい。例えば、中心部
取付け具のワッシャーの直径が20mmの場合には、上記の
溝の巾も約20mmにすればよい。
本願発明の好ましい一実施例による裏面研磨装置は、自
転する研磨パッドと、この研磨パッドに対して自公転す
るように上記スタンパが形成されたガラス基板を回転自
在に支持するクランプとを含み、上記ガラス基板が研磨
パッドに接触した状態でその上を自公転する相対運動の
少なくとも一部の期間において、ガラス基板上に形成さ
れた上記スタンパの外周部分が研磨パッドとの接触から
離れるようになっている。
転する研磨パッドと、この研磨パッドに対して自公転す
るように上記スタンパが形成されたガラス基板を回転自
在に支持するクランプとを含み、上記ガラス基板が研磨
パッドに接触した状態でその上を自公転する相対運動の
少なくとも一部の期間において、ガラス基板上に形成さ
れた上記スタンパの外周部分が研磨パッドとの接触から
離れるようになっている。
上記の溝は研磨パッドの回転軸と同心な円形の溝である
ことができる。
ことができる。
本願発明のさらに好ましい一実施例では上記研磨パッド
の平面が偏平な環状の断面を有し、上記中心部取付け具
が上記溝内に収容された状態において、上記ガラス基板
上に形成された上記スタンパの外周部分の少なくとも一
部が上記の偏平環状研磨パッドの内周端縁および／また
は外周端縁よりも外側に存在するようになっている。
の平面が偏平な環状の断面を有し、上記中心部取付け具
が上記溝内に収容された状態において、上記ガラス基板
上に形成された上記スタンパの外周部分の少なくとも一
部が上記の偏平環状研磨パッドの内周端縁および／また
は外周端縁よりも外側に存在するようになっている。
上記の偏平環状研磨パッドは真円または楕円形等の偏平
な円環状平面にすることができる。
な円環状平面にすることができる。
作用 本発明は、ガラス基板に密着したままのスタンパを上記
の構成を有する研磨装置を用いて研磨するため、電鋳時
に生じる内部応力あるいはガラス基板11と金属皮膜14と
の熱膨張率の相違に起因する反りがあったとしても、自
動研磨装置にかけて得られるスタンパ14の内周部分と外
周部分とでスタンパ14の厚さが変化してしまうというこ
とがなく、常に均一な厚味のスタンパに仕上げることが
出来る。
の構成を有する研磨装置を用いて研磨するため、電鋳時
に生じる内部応力あるいはガラス基板11と金属皮膜14と
の熱膨張率の相違に起因する反りがあったとしても、自
動研磨装置にかけて得られるスタンパ14の内周部分と外
周部分とでスタンパ14の厚さが変化してしまうというこ
とがなく、常に均一な厚味のスタンパに仕上げることが
出来る。
すなわち、高価な専用研磨装置を使わずに、汎用の自動
研磨装置の研磨パッドを加工するだけで常に均一な厚味
のスタンパに仕上げることが出来る。
研磨装置の研磨パッドを加工するだけで常に均一な厚味
のスタンパに仕上げることが出来る。
実施例 以下、本発明の光ディスク成形用スタンパの裏面研磨装
置の一実施例を添付図面を参照して説明する。
置の一実施例を添付図面を参照して説明する。
第１図は本発明の光ディスク成形用スタンパの裏面研磨
装置を示す概略縦断面図であり、第２図は第１図の裏面
研磨装置の概念的平面図である。
装置を示す概略縦断面図であり、第２図は第１図の裏面
研磨装置の概念的平面図である。
第１図に示すように、自動ガラス研磨装置のパッド部21
は図示しないモータによって中心点Ｏの周りを矢印の方
向に回転する。この研磨パッド部21はウレタン製でテー
ブル28上に支持され、例えば900rpmの自転速度で回転さ
れる。公知の方法によって電鋳によって形成されたスタ
ンパを有するガラス原盤23は、第２図に示すように、ク
ランプ25で固定され、矢印Ｃの方向に荷重がかけられた
状態で、図示していないモータによりシャフト26が回転
される。クランプ25とシャフト26との接点27はフリーに
なっており、この機構によりパッド21とガラス基板付ス
タンパ23との接触面は常に全面均一な研磨が行えるよう
になっている。
は図示しないモータによって中心点Ｏの周りを矢印の方
向に回転する。この研磨パッド部21はウレタン製でテー
ブル28上に支持され、例えば900rpmの自転速度で回転さ
れる。公知の方法によって電鋳によって形成されたスタ
ンパを有するガラス原盤23は、第２図に示すように、ク
ランプ25で固定され、矢印Ｃの方向に荷重がかけられた
状態で、図示していないモータによりシャフト26が回転
される。クランプ25とシャフト26との接点27はフリーに
なっており、この機構によりパッド21とガラス基板付ス
タンパ23との接触面は常に全面均一な研磨が行えるよう
になっている。
実際の研磨時には、パッド中心上部より図示していない
供給手段から液状研磨剤が滴下され、パッド部21が低速
で矢印Ａ方向に回転される。それによって、スタンパ付
ガラス基板23は矢印Ｂ方向に中速で自転され且つ矢印Ａ
方向に公転される。
供給手段から液状研磨剤が滴下され、パッド部21が低速
で矢印Ａ方向に回転される。それによって、スタンパ付
ガラス基板23は矢印Ｂ方向に中速で自転され且つ矢印Ａ
方向に公転される。
本発明では、上記研磨パッド部21が内側端縁IDと外側端
縁ODとを有する偏平の円環状部材によって構成されてい
る。この研磨パッド部21の表面上には、その外周端縁OD
と内周端縁ODのほぼ中間の位置に、溝22が形成されてい
る。この溝22は市販の研磨パッドに切り込みを入れて形
成するか、予め上記溝22を有する偏平の円環状研磨パッ
ドを製作してもよい。上記の溝22の巾は約15mmであり、
この巾はスタンパ付ガラス基板23の中央ワッシャー24が
丁度はまり込む程度の巾であればよい。
縁ODとを有する偏平の円環状部材によって構成されてい
る。この研磨パッド部21の表面上には、その外周端縁OD
と内周端縁ODのほぼ中間の位置に、溝22が形成されてい
る。この溝22は市販の研磨パッドに切り込みを入れて形
成するか、予め上記溝22を有する偏平の円環状研磨パッ
ドを製作してもよい。上記の溝22の巾は約15mmであり、
この巾はスタンパ付ガラス基板23の中央ワッシャー24が
丁度はまり込む程度の巾であればよい。
上記研磨パッド部21の上記内側端縁IDと外側端縁ODの各
半径は、スタンパ付ガラス基板23の中央ワッシャー24が
上記溝22にはまり込んだ状態、すなわ第２図の平面図の
状態で、上記スタンパ付ガラス基板23の放射方向両端部
分が上記内側端縁IDと外側端縁ODとから放射方向内側お
よび外側に突出するような値になっている。この突出量
d1およびd2はスタンパ付ガラス基板23の反りの程度によ
って異なる。一例としては直径200mmのスタンパの場合
には上記突出量d1およびd2を20〜30mmにする。
半径は、スタンパ付ガラス基板23の中央ワッシャー24が
上記溝22にはまり込んだ状態、すなわ第２図の平面図の
状態で、上記スタンパ付ガラス基板23の放射方向両端部
分が上記内側端縁IDと外側端縁ODとから放射方向内側お
よび外側に突出するような値になっている。この突出量
d1およびd2はスタンパ付ガラス基板23の反りの程度によ
って異なる。一例としては直径200mmのスタンパの場合
には上記突出量d1およびd2を20〜30mmにする。
第６図は本発明の研磨パッド部の他の実施例を示す第２
図と同様な図である。この第６図では真円の偏平環状研
磨パッドの代わりに楕円形の偏平な円環状研磨パッドが
用いられている。この実施例の場合には、図の上下の部
分に対応する研磨パッド区域では上記の突出量d1および
d2が実質的にゼロになっている。
図と同様な図である。この第６図では真円の偏平環状研
磨パッドの代わりに楕円形の偏平な円環状研磨パッドが
用いられている。この実施例の場合には、図の上下の部
分に対応する研磨パッド区域では上記の突出量d1および
d2が実質的にゼロになっている。
発明の効果 以上のように、本発明では、光ディスク成形用スタンパ
の裏面研磨装置のパッド表面に、スタンパの中央保持用
ワッシャー部を収容する溝を形成したのでスタンパをガ
ラス基板に密着させたままの状態でスタンパの裏面を常
に真平面状態のままで裏面研磨が行え、しかも上記スタ
ンパの外周部分と接触する研磨パッドの少なくとも一部
を除去した研磨パッドを用いたので、厚味の均一なスタ
ンパに研磨することが出来るという効果がある。
の裏面研磨装置のパッド表面に、スタンパの中央保持用
ワッシャー部を収容する溝を形成したのでスタンパをガ
ラス基板に密着させたままの状態でスタンパの裏面を常
に真平面状態のままで裏面研磨が行え、しかも上記スタ
ンパの外周部分と接触する研磨パッドの少なくとも一部
を除去した研磨パッドを用いたので、厚味の均一なスタ
ンパに研磨することが出来るという効果がある。
第１図は本発明による光ディスク成形用スタンパの裏面
研磨装置の概念的断面図、 第２図は第１図の裏面研磨装置の概念的平面図、 第３図は光ディスク成形用スタンパの製造工程を説明す
るための概念的断面図、 第４図は光ディスク成形用スタンパの製造工程で用いら
れるガラス基板保持手段を説明するための概念的断面
図、 第５図は従来法の欠点を説明するための第１図と同様な
概念的断面図、 第６図は本発明の他の実施例による研磨パッドを示す第
２図と同様な概念的断面図。 （図中符号） 11…ガラス基板 12…フォトレジスタ 12′…微細パターン 10…ガラス原盤 13…導電化皮膜 14…金属皮膜 21…パッド部 22…溝 23…ガラス基板付スタンパ 24…ワッシャー部 25…クランプ 26…シャフト 27…接点（フリー） 28…テーブル ID、OD…内側および外側端縁
研磨装置の概念的断面図、 第２図は第１図の裏面研磨装置の概念的平面図、 第３図は光ディスク成形用スタンパの製造工程を説明す
るための概念的断面図、 第４図は光ディスク成形用スタンパの製造工程で用いら
れるガラス基板保持手段を説明するための概念的断面
図、 第５図は従来法の欠点を説明するための第１図と同様な
概念的断面図、 第６図は本発明の他の実施例による研磨パッドを示す第
２図と同様な概念的断面図。 （図中符号） 11…ガラス基板 12…フォトレジスタ 12′…微細パターン 10…ガラス原盤 13…導電化皮膜 14…金属皮膜 21…パッド部 22…溝 23…ガラス基板付スタンパ 24…ワッシャー部 25…クランプ 26…シャフト 27…接点（フリー） 28…テーブル ID、OD…内側および外側端縁
Claims (5)
- 【請求項１】スタンパが形成されたガラス基板が中心部
取付け具によって支持体に取り付けられた状態で上記ス
タンパの裏面を研磨パッドによって研磨するための光デ
ィスク形成用スタンパの裏面研磨装置において、 上記中心部取付け具と接触する部分に対応する研磨パッ
ドの表面上に上記中心部取付け具を収容するための溝が
形成されており、且つ 上記スタンパの外周部分と接触する研磨パッドの少なく
とも一部が除去されていることを特徴とする光ディスク
形成用スタンパの裏面研磨装置。 - 【請求項２】上記裏面研磨装置が自転する研磨パッド
と、この研磨パッドに対して自公転するように上記スタ
ンパが形成されたガラス基板を回転自在に支持するクラ
ンプとを含み、上記ガラス基板が研磨パッドに接触した
状態でその上を自公転する相対運動の少なくとも一部に
おいて、ガラス基板上に形成された上記スタンパの外周
部分が研磨パッドとの接触から離れるようになっている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。 - 【請求項３】上記の溝が研磨パッドの回転軸と同心な円
形の溝であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項に記載の装置。 - 【請求項４】上記研磨パッドが偏平な環状の平面を有
し、上記中心部取付け具が上記溝内に収容された状態に
おいて、上記ガラス基板上に形成された上記スタンパの
外周部分の少なくとも一部が上記の偏平環状研磨パッド
の内周端縁および／または外周端縁よりも外側に存在す
るようになっていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項から第３項の何れか一項に記載の装置。 - 【請求項５】上記の偏平環状研磨パッドが偏平な円環状
平面をしていることを特徴とする特許請求の範囲第４項
に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307958A JPH0722892B2 (ja) | 1987-12-05 | 1987-12-05 | 光ディスク成形用スタンパの裏面研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307958A JPH0722892B2 (ja) | 1987-12-05 | 1987-12-05 | 光ディスク成形用スタンパの裏面研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153263A JPH01153263A (ja) | 1989-06-15 |
| JPH0722892B2 true JPH0722892B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=17975219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62307958A Expired - Lifetime JPH0722892B2 (ja) | 1987-12-05 | 1987-12-05 | 光ディスク成形用スタンパの裏面研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722892B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37997E1 (en) | 1990-01-22 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with controlled abrasion rate |
| US5234867A (en) * | 1992-05-27 | 1993-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad |
| US6787071B2 (en) * | 2001-06-11 | 2004-09-07 | General Electric Company | Method and apparatus for producing data storage media |
| DE10235017A1 (de) * | 2002-08-01 | 2004-02-12 | Peter Wolters Werkzeugmaschinen Gmbh | Vorrichtung zum Polieren von digitalen Speicherscheiben |
| JP5516051B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2014-06-11 | 旭硝子株式会社 | 研磨パッドを用いた研磨装置及びガラス板の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-05 JP JP62307958A patent/JPH0722892B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01153263A (ja) | 1989-06-15 |
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