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JPH07249632A - Electronic component connection structure and manufacturing method thereof - Google Patents
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JPH07249632A - Electronic component connection structure and manufacturing method thereof - Google Patents

Electronic component connection structure and manufacturing method thereof

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JPH07249632A
JPH07249632A JP6038289A JP3828994A JPH07249632A JP H07249632 A JPH07249632 A JP H07249632A JP 6038289 A JP6038289 A JP 6038289A JP 3828994 A JP3828994 A JP 3828994A JP H07249632 A JPH07249632 A JP H07249632A
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pad
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ハンダバンプ3内部に発生する応力が小さ
く、構造が簡単で、製造が容易な電子部品の接続構造が
提供される。 【構成】 半導体チップ1のパッド5と、基板2のパッ
ド6とは、ハンダバンプ3によって接続されている。ハ
ンダバンプ3は、つづみ状である。ハンダバンプ3の内
部には、金属製の芯部材4が設けられている。芯部材4
は、円形の底部41と円柱状のピン部42とで構成され
る。芯部材4は、半導体チップ1のパッド5にハンダ7
によって取り付けられる。
(57) [Summary] [Object] To provide a connection structure for an electronic component, which has a small stress generated inside the solder bump 3, has a simple structure, and is easy to manufacture. [Structure] The pads 5 of the semiconductor chip 1 and the pads 6 of the substrate 2 are connected by solder bumps 3. The solder bumps 3 are in the shape of a lump. Inside the solder bump 3, a metal core member 4 is provided. Core member 4
Is composed of a circular bottom portion 41 and a cylindrical pin portion 42. The core member 4 is attached to the pad 5 of the semiconductor chip 1 with the solder 7
Mounted by.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子部品の接続構造に関
し、特に半田バンプを用いた電子部品の接続構造に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connection structure for electronic parts, and more particularly to a connection structure for electronic parts using solder bumps.

【0002】[0002]

【従来の技術】半田バンプを用いた電子部品の接続方法
では、多数の接続端子を、一度に接続できる。このた
め、この接続方法は、多数の接続端子を有する電子部品
の接続に適している。例えば、数百の接続端子を有する
ベアチップの接続では、この方法が広く採用されるよう
になってきた。ここで、ベアチップとは、パッケージに
封入されない裸の状態の集積回路チップのことを指す。
2. Description of the Related Art In a method of connecting electronic components using solder bumps, a large number of connection terminals can be connected at one time. Therefore, this connecting method is suitable for connecting electronic components having a large number of connecting terminals. For example, in the connection of bare chips having several hundreds of connection terminals, this method has been widely adopted. Here, the bare chip refers to a bare integrated circuit chip that is not enclosed in a package.

【0003】ところが、ベアチップと基板とを半田バン
プで接続した場合、接続部分の故障がしばしば発生す
る。この故障の原因は、LSIチップとこれを搭載する
基板とで、熱膨張係数が異なることにある。作動時、L
SIチップは熱を発生する。この熱によって、LSIチ
ップおよび基板は膨張する。ところが、LSIチップ
と、基板とでは、熱膨張係数が異なる。したがって、L
SIチップと基板とでは、膨張する長さが異なる。この
結果、LSIチップと基板を接続する半田バンプ内部
に、応力が発生する。この応力は、LSIチップの作動
時に発生し、LSIチップが休止しているときには消滅
する。したがって、半田バンプ内部には、応力が、繰り
返し発生する。繰り返し発生する応力によって、半田バ
ンプは疲労する。疲労した半田バンプは、やがて破壊す
る。この結果、LSIチップと基板の接続部分の故障が
発生する。
However, when the bare chip and the substrate are connected by solder bumps, a failure of the connecting portion often occurs. The cause of this failure is that the coefficient of thermal expansion differs between the LSI chip and the substrate on which it is mounted. When operating, L
SI chips generate heat. This heat causes the LSI chip and the substrate to expand. However, the thermal expansion coefficient differs between the LSI chip and the substrate. Therefore, L
The SI chip and the substrate have different expansion lengths. As a result, stress is generated inside the solder bumps that connect the LSI chip and the substrate. This stress is generated when the LSI chip is in operation, and disappears when the LSI chip is at rest. Therefore, stress is repeatedly generated inside the solder bump. The repeated stress causes fatigue of the solder bump. The fatigued solder bumps will eventually be destroyed. As a result, a failure occurs at the connecting portion between the LSI chip and the substrate.

【0004】以上のような接続構造の故障を防止するた
めの技術の一例が、エヌ・マツイ、エス・ササキ、ティ
ー・オオサキ 共著 「ブイ・エル・エス・アイ チッ
プインターコネクション テクノロジー ユージング
スタクッド ソルダー バンプス」 プロシーディング
アイ・イー・イー・イー 第37回 エレクトロニッ
ク コンポーネンツ カンファレンス 第573頁〜第
578頁 (N.Matsui,S.Sasaki,T.Ohsaki "VLSI Chip
Interconnection Technology Using StackedSolder Bum
ps," Proc. IEEE 37th Electronic Components Conf.,
pp.573-578, May 1987.)に記載されている。この技術
では、複数の半田バンプを積み上げることにより、半田
バンプ内部の応力を減少している。
An example of the technique for preventing the above-mentioned failure of the connection structure is described in "MEL Chip, Interconnection Technology, B.L.S.C." by N. Matsui, S. Sasaki and T. Osaki.
"Stucd Solder Bumps" Proceeding I E E 37th Electronic Components Conference Page 573-578 (N.Matsui, S.Sasaki, T.Ohsaki "VLSI Chip
Interconnection Technology Using StackedSolder Bum
ps, "Proc. IEEE 37th Electronic Components Conf.,
pp.573-578, May 1987.). In this technique, stress inside the solder bumps is reduced by stacking a plurality of solder bumps.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この技
術では、ハンダバンプの構造がきわめて複雑である。ま
た、ハンダバンプの製造も、複雑かつ困難である。
However, in this technique, the structure of the solder bump is extremely complicated. Also, the manufacture of solder bumps is complicated and difficult.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、半田バ
ンプ内部の応力が少なく、構造が簡単であり、製造が容
易な、電子部品の接続構造を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a connection structure for electronic parts, which has less stress inside the solder bumps, has a simple structure, and is easy to manufacture.

【0007】この目的を達成するため、本発明の電子部
品の接続構造では、半田バンプの中に金属製の芯部材が
設けられる。
To achieve this object, in the connection structure for electronic parts of the present invention, a metal core member is provided in the solder bump.

【0008】また、本発明の別の実施態様では、つづみ
状に形成された半田バンプの内部に金属製の芯部材が設
けられる。
Further, in another embodiment of the present invention, a metallic core member is provided inside the solder bumps formed in a zigzag shape.

【0009】本発明の別の実施態様では、用途に応じ
て、芯部材の形状が様々に変形される。
In another embodiment of the present invention, the shape of the core member is variously modified depending on the application.

【0010】本発明の別の実施態様では、第1の電子部
品のパッドに芯部材を取り付ける第1のステップと、第
2の電子部品のパッド上に所定量の半田ペーストを塗布
する第2のステップと、前記半田ペースト内に前記芯部
材を挿入する第3のステップと、前記半田ペーストを加
熱して溶融し、この後冷却して凝固させる第4のステッ
プとを含む電子部品の接続方法が提供される。この電子
部品の接続方法では、前記半田ペーストの塗布量は、前
記第4のステップで溶融したときに表面張力によってつ
づみ状の形状を呈する量である。
In another embodiment of the present invention, a first step of attaching the core member to the pad of the first electronic component and a second step of applying a predetermined amount of solder paste onto the pad of the second electronic component. A method for connecting electronic components, which includes a step, a third step of inserting the core member into the solder paste, and a fourth step of heating and melting the solder paste, and then cooling and solidifying the solder paste. Provided. In this method of connecting electronic components, the amount of the solder paste applied is an amount that takes on a zigzag shape due to surface tension when melted in the fourth step.

【0011】本発明の別の実施態様では、第1の電子部
品のパッドに芯部材を取り付ける第1のステップと、前
記芯部材に環状の半田を挿入する第2のステップと、前
記芯部材が第2の電子部品のパッド上に位置するよう
に、前記第1の電子部品を第2の電子部品上に位置決め
する第3のステップと、前記環状の半田を加熱して溶融
し、この後冷却して凝固させる第4のステップとを含む
電子部品の接続方法が提供される。この電子部品の接続
方法で、前記環状の半田を構成する半田の量は、前記第
4のステップで溶融したときに表面張力によってつづみ
状の形状を呈する量である。
In another embodiment of the present invention, the first step of attaching the core member to the pad of the first electronic component, the second step of inserting the annular solder into the core member, and the core member A third step of positioning the first electronic component on the second electronic component so that it is located on the pad of the second electronic component, and heating and melting the annular solder, and then cooling. And a fourth step of solidifying the electronic component are provided. In this method of connecting electronic components, the amount of solder that forms the annular solder is an amount that forms a looped shape due to surface tension when melted in the fourth step.

【0012】さらに、本発明の電子部品の接続構造で用
いられる半導体デバイスは、ベアチップと、このベアチ
ップのパッドに取り付けられた芯部材とを含む。また、
この半導体デバイスの前記芯部材には、リフローソルダ
リングしたときにつづみ状の半田バンプが形成されるだ
けの量の半田が付着している。
Furthermore, the semiconductor device used in the connection structure for electronic parts of the present invention includes a bare chip and a core member attached to the pad of the bare chip. Also,
To the core member of this semiconductor device, solder is attached in an amount sufficient to form a solder bump having a staggered shape during reflow soldering.

【0013】[0013]

【実施例】図面を参照して、本発明の第1の実施例につ
いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0014】図1を参照すると、本実施例の電子部品の
接続構造では、半導体チップ1と基板2とが、ハンダバ
ンプ3により接続されている。
Referring to FIG. 1, in the connection structure for electronic components of this embodiment, a semiconductor chip 1 and a substrate 2 are connected by solder bumps 3.

【0015】半導体チップ1は、ベアチップである。半
導体チップ1の一面には、複数のパッド5が設けられて
いる。パッド5は、マトリックス状に配置されている。
パッド5は、積層された金属層によって構成されてい
る。パッド5は、直径1mmの円形である。
The semiconductor chip 1 is a bare chip. A plurality of pads 5 are provided on one surface of the semiconductor chip 1. The pads 5 are arranged in a matrix.
The pad 5 is composed of laminated metal layers. The pad 5 has a circular shape with a diameter of 1 mm.

【0016】基板2は、アルミナを母材とするセラミッ
ク基板9と、セラミック基板9上に設けられた有機絶縁
層8とを有する。有機絶縁層8は、セラミック基板9の
半導体チップ1に対向する面に、形成されている。有機
絶縁層8上には、複数のパッド6が設けられている。パ
ッド6は、マトリックス状に配置されている。各々のパ
ッド6は、対応するパッド5に対向する。パッド6は、
積層された金属層により、構成されている。パッド6
は、直径1mmの円形である。
The substrate 2 has a ceramic substrate 9 containing alumina as a base material, and an organic insulating layer 8 provided on the ceramic substrate 9. The organic insulating layer 8 is formed on the surface of the ceramic substrate 9 facing the semiconductor chip 1. A plurality of pads 6 are provided on the organic insulating layer 8. The pads 6 are arranged in a matrix. Each pad 6 faces the corresponding pad 5. Pad 6
It is composed of stacked metal layers. Pad 6
Is a circle having a diameter of 1 mm.

【0017】ハンダバンプ3は、半導体チップ1のパッ
ド5と、基板2のパッド6とを、電気的および機械的に
接続する。ハンダバンプ3は、つづみ状に形成されてい
る。
The solder bumps 3 electrically and mechanically connect the pads 5 of the semiconductor chip 1 and the pads 6 of the substrate 2. The solder bumps 3 are formed in a zigzag shape.

【0018】ハンダバンプ3の内部には、芯部材4が設
けられている。芯部材4は、ハンダ7によって、半導体
チップ1のパッド5に取り付けられている。ハンダ7
は、半導体チップ1のパッド5と、芯部材4とを、電気
的および機械的に接続する。ハンダ7の融点は、ハンダ
バンプ3を構成するハンダ10よりも高い。次に、ハン
ダバンプ3および芯部材4の形状の詳細について説明す
る。
A core member 4 is provided inside the solder bump 3. The core member 4 is attached to the pad 5 of the semiconductor chip 1 by the solder 7. Solder 7
Connects the pad 5 of the semiconductor chip 1 and the core member 4 electrically and mechanically. The melting point of the solder 7 is higher than that of the solder 10 forming the solder bump 3. Next, details of the shapes of the solder bumps 3 and the core member 4 will be described.

【0019】図2(a)を参照すると、芯部材4は、円
形の底部41と、円柱状のピン部42とから構成されて
いる。底部41とピン部42は、一体に形成されてい
る。底部41の直径L1は、1.0mmである。底部4
1の厚さL2は、0.015mmである。ピン部42の
高さL3は、0.0875mmである。ピン部42の直
径L4は、0.047mmである。底部41とピン部4
2とを接続する部分の断面形状は、半径R=0.01m
mの円弧である。
Referring to FIG. 2A, the core member 4 is composed of a circular bottom portion 41 and a columnar pin portion 42. The bottom portion 41 and the pin portion 42 are integrally formed. The diameter L1 of the bottom portion 41 is 1.0 mm. Bottom 4
The thickness L2 of 1 is 0.015 mm. The height L3 of the pin portion 42 is 0.0875 mm. The diameter L4 of the pin portion 42 is 0.047 mm. Bottom 41 and pin 4
The cross-sectional shape of the part connecting 2 with radius R = 0.01 m
It is an arc of m.

【0020】図2(b)を参照すると、ハンダバンプ3
の上端および下端の直径L8は、1.0mmである。ハ
ンダバンプ3の中央部の直径L5は、0.074mmで
ある。ハンダバンプ3の高さL6は、0.1mmであ
る。
Referring to FIG. 2B, the solder bump 3
The diameter L8 of the upper end and the lower end is 1.0 mm. The diameter L5 of the central portion of the solder bump 3 is 0.074 mm. The height L6 of the solder bump 3 is 0.1 mm.

【0021】図2(c)を参照すると、ピン部42の下
端と、パッド6の間の距離L7は、0.0125mmで
ある。
Referring to FIG. 2C, the distance L7 between the lower end of the pin portion 42 and the pad 6 is 0.0125 mm.

【0022】以上に示された芯部材4の各部分の寸法
は、適当な範囲内で変えることができる。ピン部42の
高さL3は、0.05mm〜0.1mmの範囲内で変え
ることができる。ピン部42の直径L4は、0.02m
m〜0.08mmの範囲内で変えることができる。ピン
部42の下端とパッド6の上面の間の距離L7は、0.
01mm〜0.02mmの範囲内で変えることができ
る。芯部材4の各部分の寸法は、ハンダバンプ3の形成
に適したものに設定される必要がある。より具体的に
は、芯部材4の各部分の寸法は、ハンダの表面張力によ
り、ハンダバンプ3が自然につづみ状になるように定め
なくてはならない。したがって、芯部材4の各部分の寸
法は、ハンダバンプ3を形成するハンダの種類によって
変わる。
The dimensions of the respective portions of the core member 4 shown above can be changed within an appropriate range. The height L3 of the pin portion 42 can be changed within the range of 0.05 mm to 0.1 mm. The diameter L4 of the pin portion 42 is 0.02 m
It can be changed within the range of m to 0.08 mm. The distance L7 between the lower end of the pin portion 42 and the upper surface of the pad 6 is 0.
It can be changed within the range of 01 mm to 0.02 mm. The size of each part of the core member 4 needs to be set to be suitable for forming the solder bumps 3. More specifically, the dimensions of each part of the core member 4 must be determined so that the solder bumps 3 naturally form a staggered shape due to the surface tension of the solder. Therefore, the size of each portion of the core member 4 changes depending on the type of solder forming the solder bump 3.

【0023】次に、図1に示された各部材の材料を詳細
に説明する。
Next, the material of each member shown in FIG. 1 will be described in detail.

【0024】パッド5およびパッド6の材料は、金また
は銅である。
The material of the pads 5 and 6 is gold or copper.

【0025】ハンダ7の材料の一例は、金スズハンダで
ある。ハンダ7は、ハンダバンプ3を構成するハンダ1
0よりも高い融点を有するものでなくてはならない。
An example of the material of the solder 7 is gold tin solder. The solder 7 is the solder 1 that constitutes the solder bump 3.
It must have a melting point higher than zero.

【0026】芯部材4の材料は、次の2条件を満たすも
のが好ましい。第1の条件は、ハンダバンプ3を構成す
るハンダ10よりも、熱膨張係数が小さいということで
ある。第2の条件は、ヤング率がなるべく大きい方がよ
い、ということである。第1の条件は、第2の条件より
も優先する。すなわち、ハンダ10よりも熱望膨張係数
が小さい材料の中で、ヤング率がなるべく大きいものを
選択すればよい。これらの条件を満たす材料を用いた場
合、接続部に加わる応力が小さくなることが、シミュレ
ーションの結果見いだされている。これらの条件を満た
す材料として、金、銀、銅合金およびコバールなどが挙
げられる。
The material of the core member 4 preferably satisfies the following two conditions. The first condition is that the coefficient of thermal expansion is smaller than that of the solder 10 forming the solder bump 3. The second condition is that the Young's modulus should be as large as possible. The first condition has priority over the second condition. That is, among the materials having a smaller coefficient of thermal expansion than the solder 10, a material having a Young's modulus as large as possible may be selected. It has been found as a result of simulation that the stress applied to the connecting portion is reduced when a material satisfying these conditions is used. Materials that satisfy these conditions include gold, silver, copper alloys and kovar.

【0027】ハンダバンプ3を構成するハンダ10の材
料の一例は、スズと鉛の共晶ハンダである。ハンダ10
は、ハンダ7よりも低い融点を持つものでなくてはなら
ない。 次に、好適な材料の組合せについて説明する。
An example of the material of the solder 10 forming the solder bump 3 is eutectic solder of tin and lead. Solder 10
Must have a melting point lower than that of solder 7. Next, a suitable combination of materials will be described.

【0028】パッド5の材料を金とした場合、ハンダ7
の材料は金スズハンダがよい。この組合せのとき、ハン
ダ7のぬれが良好になるためである。
When the material of the pad 5 is gold, the solder 7
Gold tin solder is a good material. This is because the wettability of the solder 7 is good in this combination.

【0029】芯部材4の材料が金または銀の場合、ハン
ダバンプ3を構成するハンダ10の材料は、スズ鉛の共
晶ハンダが良い。芯部材4の熱膨張率が、ハンダバンプ
3の熱膨張率よりも小さくなるためである。
When the material of the core member 4 is gold or silver, the material of the solder 10 constituting the solder bump 3 is preferably tin-lead eutectic solder. This is because the coefficient of thermal expansion of the core member 4 is smaller than that of the solder bump 3.

【0030】芯部材4の材料が金または銀であり、ハン
ダ10の材料がスズ鉛の共晶ハンダの場合、芯部材4に
メッキを施すのがよい。金および銀がハンダ10中に拡
散するのを防止するためである。好適なメッキ材料とし
て、銅を挙げることができる。 次に、図面を参照し
て、図1の接続構造の形成方法について説明する。
When the material of the core member 4 is gold or silver and the material of the solder 10 is a eutectic solder of tin-lead, the core member 4 is preferably plated. This is to prevent gold and silver from diffusing into the solder 10. Copper can be mentioned as a suitable plating material. Next, a method of forming the connection structure of FIG. 1 will be described with reference to the drawings.

【0031】図3を参照すると、第1のステップで、半
導体チップ1のパッド5に、芯部材4が取り付けられ
る。必要ならば、芯部材4には、予めメッキが施され
る。芯部材4は、パッド5上に塗布されたハンダ7をリ
フローソルダリングすることにより、取り付けられる。
リフローソルダリングは、フラックスを用いずに行うの
が好ましい。フラックスを使用しないため、フラックス
により生じる半導体チップ1の障害が防止できる。フラ
ックスを用いずにリフローソルダリングを行うために
は、窒素およびアルゴンなどのガス中で操作を行えばよ
い。
Referring to FIG. 3, in the first step, the core member 4 is attached to the pad 5 of the semiconductor chip 1. If necessary, the core member 4 is plated in advance. The core member 4 is attached by reflow soldering the solder 7 applied on the pad 5.
Reflow soldering is preferably performed without using flux. Since the flux is not used, it is possible to prevent the semiconductor chip 1 from being damaged by the flux. In order to perform the reflow soldering without using the flux, the operation may be performed in a gas such as nitrogen and argon.

【0032】図4(a)を参照すると、第2のステップ
で、基板2のパッド6上にハンダ10が塗布される。ハ
ンダ10は、スクリーン印刷法で塗布する。ハンダ10
の量は、ハンダバンプ3がつづみ状に形成されるように
調節される。
Referring to FIG. 4A, in a second step, the solder 10 is applied on the pads 6 of the substrate 2. The solder 10 is applied by a screen printing method. Solder 10
Is adjusted so that the solder bumps 3 are formed in a zigzag shape.

【0033】ハンダ10の最適な量は、芯部材4の各部
の寸法や、ハンダ10の材料によって変わる。特に、ハ
ンダ10の表面張力は、ハンダ10の最適量を定める大
きな要因となる。ハンダ10の最適量を、理論的に予測
するのは極めて困難である。ハンダ10の最適量は、実
験によって定められる。ハンダ10の量が多いと、ハン
ダバンプ3は中央部が膨らんだ形状になる。ハンダ10
の量が少ないと、ハンダバンプ3の上部が、小さくなっ
てしまう。定性的には、芯部材4のピン部42の直径L
4が大きいときには、多量のハンダ10が必要である。
芯部材4のピン部42の直径L4が小さいときには、ハ
ンダ10は少量でよい。
The optimum amount of the solder 10 depends on the size of each part of the core member 4 and the material of the solder 10. In particular, the surface tension of the solder 10 is a major factor in determining the optimum amount of the solder 10. It is extremely difficult to theoretically predict the optimum amount of the solder 10. The optimum amount of solder 10 is determined by experiment. When the amount of the solder 10 is large, the solder bump 3 has a shape in which the central portion is swollen. Solder 10
If the amount of is small, the upper part of the solder bump 3 becomes small. Qualitatively, the diameter L of the pin portion 42 of the core member 4
When 4 is large, a large amount of solder 10 is required.
When the diameter L4 of the pin portion 42 of the core member 4 is small, a small amount of solder 10 is sufficient.

【0034】図4(b)を参照すると、第3のステップ
で、ハンダ10の中に芯部材4が挿入される。芯部材4
のピン部42の下端とパッド6の上面の間が所定の距離
になるように、半導体チップ1の位置が調節される。
Referring to FIG. 4B, the core member 4 is inserted into the solder 10 in the third step. Core member 4
The position of the semiconductor chip 1 is adjusted so that the lower end of the pin portion 42 and the upper surface of the pad 6 have a predetermined distance.

【0035】図4(c)を参照すると、第4のステップ
で、ハンダ10がリフローソルダリングされる。まず、
ハンダ10が加熱される。加熱時、半導体チップ1およ
び基板2は水平に固定される。加熱されたハンダ10は
溶解する。溶解したハンダ10は、表面張力の効果によ
って、上方に引き上げられる。引き上げられたハンダ1
0は、表面張力の効果によって、つづみ状の形状にな
る。この後、ハンダ10は冷却される。冷却されたハン
ダ10は、凝固する。凝固したハンダ10は、つづみ状
の形状を呈する。
Referring to FIG. 4C, the solder 10 is reflow-soldered in a fourth step. First,
The solder 10 is heated. During heating, the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are fixed horizontally. The heated solder 10 melts. The melted solder 10 is pulled upward by the effect of surface tension. Lifted solder 1
0 has a jagged shape due to the effect of surface tension. After this, the solder 10 is cooled. The cooled solder 10 solidifies. The solidified solder 10 has a staggered shape.

【0036】次に、本実施例の有効性を検証するための
シミュレーションの結果について説明する。
Next, the result of the simulation for verifying the effectiveness of this embodiment will be described.

【0037】図5(a)を参照すると、本シミュレーシ
ョンでは、単独のハンダバンプ3の応力特性がシミュレ
ーションされた。ハンダバンプ3の位置は、基板2の最
外周である。各部材の特性は、図5(b)に示されるも
のに設定した。温度23℃でハンダバンプ3内の応力は
0であるという制約条件を課した。この制約条件の下
で、温度125℃におけるハンダバンプ3内部の応力が
シミュレーションされた。シミュレーション方法は、有
限要素法である。特性の比較を行うため、ハンダバンプ
3とは異なる形状の接続構造の応力特性も、併せてシミ
ュレーションされた。具体的には、(i)中央が膨らん
だ形状のもの、(ii)つづみ状であるが芯部材4が設
けられていないもの、(iii)芯部材4のみのもの、
(iv)本実施例のハンダバンプ3の4種類の構造がシ
ミュレーションされた。その結果が図5(c)に示され
ている。
With reference to FIG. 5A, in this simulation, the stress characteristics of a single solder bump 3 were simulated. The position of the solder bump 3 is the outermost periphery of the substrate 2. The characteristics of each member were set to those shown in FIG. The constraint condition that the stress in the solder bump 3 is 0 at a temperature of 23 ° C. was imposed. Under this constraint, the stress inside the solder bump 3 at a temperature of 125 ° C. was simulated. The simulation method is the finite element method. In order to compare the characteristics, the stress characteristics of the connection structure having a shape different from that of the solder bump 3 were also simulated. Specifically, (i) a shape with a bulged center, (ii) a staggered shape without the core member 4, (iii) a shape with only the core member 4,
(Iv) Four types of structures of the solder bump 3 of this embodiment were simulated. The result is shown in FIG.

【0038】図5(c)において、Maxで示される箇
所は、最大主応力が最大になる部分を示す。この部分に
おける応力を最大応力と呼ぶ。各構造の最大応力の比
が、応力比である。応力比では、(i)の構造の応力を
1とした。この結果、(ii)の構造の応力比は0.6
2であった。(iii)の構造の応力比は0.63であ
った。本実施例のハンダバンプ3の応力比は、0.51
であった。つまり、本実施例のハンダバンプ3は、他の
構造に比べ、温度上昇時に働く応力が小さいことが検証
された。
In FIG. 5 (c), the portion indicated by Max is the portion where the maximum principal stress is maximum. The stress in this portion is called the maximum stress. The ratio of the maximum stress of each structure is the stress ratio. Regarding the stress ratio, the stress of the structure (i) was set to 1. As a result, the stress ratio of the structure (ii) is 0.6
It was 2. The stress ratio of the structure (iii) was 0.63. The stress ratio of the solder bump 3 of this embodiment is 0.51.
Met. That is, it was verified that the solder bump 3 of the present embodiment has a smaller stress that acts when the temperature rises, as compared with the other structures.

【0039】以上のように、本実施例では、ハンダバン
プ3の中に芯部材4が設けられる。このような構造によ
り、温度上昇時に内部に生じる応力を小さくできる、と
いう効果が達成される。また、本実施例の電子部品の接
続構造は、構造が簡単である。さらに本実施例の電子部
品の接続構造は、製造が容易である。
As described above, in this embodiment, the core member 4 is provided in the solder bump 3. With such a structure, the effect that the internal stress generated when the temperature rises can be reduced is achieved. Further, the electronic component connection structure of this embodiment is simple in structure. Furthermore, the electronic component connection structure of this embodiment is easy to manufacture.

【0040】次に、図面を参照して、本発明の第2の実
施例について説明する。本実施例の特徴は、芯部材4の
構造にある。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The feature of this embodiment lies in the structure of the core member 4.

【0041】図6(a)〜(f)には、6種類の芯部材
4の構造が示されている。
6 (a) to 6 (f) show the structure of the core member 4 of six types.

【0042】図6(a)に示される構造は、第1の実施
例の芯部材4である。
The structure shown in FIG. 6A is the core member 4 of the first embodiment.

【0043】図6(b)に示される構造では、ピン部4
2が尖っている。
In the structure shown in FIG. 6B, the pin portion 4
2 is sharp.

【0044】図6(c)に示される構造では、ピン部4
2の断面が楕円形である。この構造は、パッド5および
パッド6の間隔が微細なときに有効である。
In the structure shown in FIG. 6C, the pin portion 4
The cross section of 2 is elliptical. This structure is effective when the distance between the pads 5 and 6 is minute.

【0045】図6(d)に示される構造では、ピン部4
2の内部に穴425が設けられている。この構造では、
穴425内部にハンダ10が侵入するので、図6(a)
の構造よりも、強固な接続が実現できる。
In the structure shown in FIG. 6D, the pin portion 4
A hole 425 is provided inside the No. 2. In this structure,
Since the solder 10 enters the inside of the hole 425, as shown in FIG.
A stronger connection can be realized than the structure of.

【0046】図6(e)に示される構造では、ピン部4
2が、ピン部421およびピン部422で構成されてい
る。ピン部421とピン部422の間には、間隙が設け
られる。この構造では、ピン部421とピン部422の
間の間隙にハンダ10が侵入するので、図6(a)の構
造よりも、強固な接続が実現できる。
In the structure shown in FIG. 6E, the pin portion 4
2 is composed of a pin portion 421 and a pin portion 422. A gap is provided between the pin portion 421 and the pin portion 422. In this structure, the solder 10 enters the gap between the pin portions 421 and 422, so that a stronger connection can be realized than in the structure of FIG. 6A.

【0047】図6(f)に示される構造では、ピン部4
2が、ピン部421、ピン部422、ピン部423およ
びピン部424の、4つの部分から構成されている。ピ
ン部421〜424の間には、間隙が設けられている。
この構造では、ピン部421〜424の間の間隙にハン
ダ10が侵入するので、図6(a)の構造よりも、強固
な接続が実現できる。
In the structure shown in FIG. 6F, the pin portion 4
2 is composed of four parts, a pin part 421, a pin part 422, a pin part 423 and a pin part 424. A gap is provided between the pin portions 421 to 424.
In this structure, the solder 10 enters the gap between the pin portions 421 to 424, so that a stronger connection can be realized than in the structure of FIG. 6A.

【0048】以上のように、本実施例では、芯部材4が
様々な構造に形成される。各々の構造は、使用される状
況にしたがって、選択されるべきである。また、各構造
の特徴を組み合わせて、別の構造を形成しても良い。例
えば、図6(b)の構造の特徴と図6(e)の構造の特
徴とを組み合わせることにより、2つの尖ったピン部4
21およびピン部422から、ピン部42が構成される
構造が得られる。
As described above, in this embodiment, the core member 4 is formed in various structures. Each structure should be chosen according to the circumstances in which it will be used. Further, the features of each structure may be combined to form another structure. For example, by combining the structural features of FIG. 6 (b) with the structural features of FIG. 6 (e), two pointed pin portions 4
21 and the pin portion 422, a structure in which the pin portion 42 is formed is obtained.

【0049】次に、図面を参照して、本発明の第3の実
施例について説明する。本実施例は、ハンダバンプ3の
形成方法に関するものである。この他の構造に関して
は、本実施例の構造は第1の実施例のものと同じであ
る。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. This embodiment relates to a method of forming the solder bump 3. With respect to other structures, the structure of this embodiment is the same as that of the first embodiment.

【0050】本実施例の第1のステップは、第1の実施
例のものと同じである。
The first step of this embodiment is the same as that of the first embodiment.

【0051】図7(a)を参照すると、本実施例の第2
のステップでは、芯部材4のピン部42に、ハンダリン
グ11が挿入される。ハンダリング11は、環状ハンダ
である。ハンダリング11の中央には、穴111が設け
られている。穴111がピン部42に挿入される。ハン
ダリング11は、つづみ形のハンダバンプ3を形成する
のに適した量の半田で構成されている。
Referring to FIG. 7A, the second embodiment
In the step of, the soldering 11 is inserted into the pin portion 42 of the core member 4. The solder ring 11 is an annular solder. A hole 111 is provided in the center of the solder ring 11. The hole 111 is inserted into the pin portion 42. The solder ring 11 is composed of an amount of solder suitable for forming the solder bumps 3 having a staggered shape.

【0052】図7(b)を参照すると、第3のステップ
では、半導体チップ1が基板2上に位置決めされる。ピ
ン部42の先端とパッド6の上面の間が、所定の間隔に
なるように半導体チップ1の位置が調節される。
Referring to FIG. 7B, in the third step, the semiconductor chip 1 is positioned on the substrate 2. The position of the semiconductor chip 1 is adjusted so that a predetermined gap is provided between the tip of the pin portion 42 and the upper surface of the pad 6.

【0053】図7(c)を参照すると、第4のステップ
では、ハンダリング11がリフローソルダリングされ
る。このステップは、第1の実施例の第4のステップと
同じである。第4のステップ終了後、つづみ形に形成さ
れたハンダバンプ3が得られる。
Referring to FIG. 7C, in the fourth step, the soldering 11 is reflow-soldered. This step is the same as the fourth step of the first embodiment. After the completion of the fourth step, the solder bumps 3 formed in a zigzag shape are obtained.

【0054】本実施例では、ピン部42にハンダリング
11が挿入される。ハンダリング11は適量の半田で構
成されている。このため、パッド6に塗布する半田の量
を調節する必要がない。また、図7(a)の構造を製品
として出荷することもできる。この場合、これを購入し
たユーザーは、半田の量を調節する必要がない。
In this embodiment, the solder ring 11 is inserted into the pin portion 42. The solder ring 11 is composed of a proper amount of solder. Therefore, it is not necessary to adjust the amount of solder applied to the pad 6. Further, the structure of FIG. 7A can be shipped as a product. In this case, the user who purchases this does not need to adjust the amount of solder.

【0055】次に、図面を参照して、本発明の第4の実
施例について説明する。本実施例の特徴は、基板2の構
造にある。本実施例では、芯部材4が基板2のパッド6
に設けられる。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The feature of this embodiment lies in the structure of the substrate 2. In this embodiment, the core member 4 is the pad 6 of the substrate 2.
It is provided in.

【0056】図8を参照すると、本実施例の基板2は、
セラミック基板9のみで構成されている。セラミック基
板9の上面にはパッド6が設けられている。パッド6の
上には、芯部材4が取り付けられている。芯部材4は、
ハンダ7によって取り付けられている。パッド6、ハン
ダ7および芯部材4の構造および材料は、第1の実施例
のものと同じである。
Referring to FIG. 8, the substrate 2 of this embodiment is
It is composed of only the ceramic substrate 9. Pads 6 are provided on the upper surface of the ceramic substrate 9. The core member 4 is mounted on the pad 6. The core member 4 is
It is attached by solder 7. The structure and material of the pad 6, the solder 7 and the core member 4 are the same as those of the first embodiment.

【0057】図9を参照すると、半導体チップ1と基板
2が接続された状態では、パッド5とパッド6とが、ハ
ンダバンプ3で接続される。ハンダバンプ3は、つづみ
形の形状を呈する。
With reference to FIG. 9, in a state where the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are connected, the pads 5 and 6 are connected by the solder bumps 3. The solder bump 3 has a staggered shape.

【0058】本実施例では、芯部材4が基板2に設けら
れる。本実施例では、第1の実施例と同じ効果が達成さ
れる。
In this embodiment, the core member 4 is provided on the substrate 2. In this embodiment, the same effect as that of the first embodiment is achieved.

【0059】次に本発明の他の実施態様について説明す
る。
Next, another embodiment of the present invention will be described.

【0060】本発明の第1の特徴は、ハンダバンプ3の
内部に、芯部材4を設けることにある。本発明の第2の
特徴は、つづみ状のハンダバンプ3の内部に、芯部材4
を設けることにある。本発明の第3の特徴は、表面張力
を利用して、ハンダバンプ3をつづみ形に形成すること
にある。また、本発明の第4の特徴は、用途に応じて、
芯部材4の形状を様々に変形することにある。本発明の
第5の特徴は、ピン部42にハンダリング11を挿入す
ることにある。本発明の第6の特徴は、基板2に芯部材
4を設けることにある。
The first feature of the present invention is to provide the core member 4 inside the solder bump 3. A second feature of the present invention is that the core member 4 is provided inside the solder bump 3 having a staggered shape.
Is to be provided. A third feature of the present invention is that the solder bumps 3 are formed in a staggered shape by utilizing surface tension. The fourth feature of the present invention is that
The purpose is to change the shape of the core member 4 in various ways. The fifth feature of the present invention is to insert the solder ring 11 into the pin portion 42. The sixth feature of the present invention is to provide the core member 4 on the substrate 2.

【0061】本発明の要旨は、これらの特徴にあり、上
述の実施例以外にも様々に実施することができる。例え
ば、第1〜4の実施例の特徴を相互に組み合わせること
もできる。また、本発明の接続構造は、ベアチップ以外
の接続にも、使用することができる。
The gist of the present invention lies in these characteristics and can be variously implemented other than the above-mentioned embodiments. For example, the features of the first to fourth embodiments can be combined with each other. The connection structure of the present invention can also be used for connections other than bare chips.

【0062】本発明において、ハンダバンプ3を形成す
る半田の量および芯部材4の形状は、適用される状況に
併せて適宜変更されるべきである。
In the present invention, the amount of solder that forms the solder bumps 3 and the shape of the core member 4 should be appropriately changed according to the application situation.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上のように、本発明では、ハンダバン
プ3の中に芯部材4が設けられる。このような構造によ
り、温度上昇時に内部に生じる応力を小さくできる、と
いう効果が達成される。この効果は、ハンダバンプ3の
形状をつづみ状とすることで、更に高められる。
As described above, in the present invention, the core member 4 is provided in the solder bump 3. With such a structure, the effect that the internal stress generated when the temperature rises can be reduced is achieved. This effect can be further enhanced by forming the solder bumps 3 into a zigzag shape.

【0064】また、本実施例の電子部品の接続構造は、
構造が簡単である。さらに本実施例の電子部品の接続構
造は、製造が容易である。
Further, the connection structure of the electronic parts of this embodiment is as follows.
The structure is simple. Furthermore, the electronic component connection structure of this embodiment is easy to manufacture.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例の電子部品の接続構造
を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a connection structure of an electronic component according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 芯部材4の詳細な構造を示す図。FIG. 2 is a view showing a detailed structure of a core member 4.

【図3】 第1の実施例の電子部品の接続構造の製造方
法を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a method for manufacturing a connection structure for electronic components according to the first embodiment.

【図4】 第1の実施例の電子部品の接続構造の製造方
法を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a method for manufacturing a connection structure for electronic components according to the first embodiment.

【図5】 (a)および(b)は、第1の実施例の電子
部品の接続構造の有効性を検証するシミュレーションの
設定条件を示す図。(c)は、第1の実施例の電子部品
の接続構造の有効性を検証するシミュレーションの結果
を示す図。
5A and 5B are diagrams showing setting conditions of a simulation for verifying the effectiveness of the connection structure of the electronic component of the first embodiment. (C) is a figure which shows the result of the simulation which verifies the effectiveness of the connection structure of the electronic component of 1st Example.

【図6】 本発明の第2の実施例の芯部材4の構造を示
す図。
FIG. 6 is a diagram showing a structure of a core member 4 according to a second embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第3の実施例の電子部品の接続構造
の製造方法を示す図。
FIG. 7 is a diagram showing a method of manufacturing a connection structure for electronic components according to a third embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第4の実施例の電子部品の接続構造
の一部を示す図。
FIG. 8 is a diagram showing a part of a connection structure of an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第4の実施例の電子部品の接続構造
を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing a connection structure of an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 2 基板 3 ハンダバンプ 4 芯部材 41 底部 42 ピン部 421 ピン部 422 ピン部 423 ピン部 424 ピン部 425 穴 5 パッド 6 パッド 7 ハンダ 8 有機絶縁層 9 セラミック基板 10 ハンダ 11 ハンダリング 111 穴 1 semiconductor chip 2 substrate 3 solder bump 4 core member 41 bottom part 42 pin part 421 pin part 422 pin part 423 pin part 424 pin part 425 hole 5 pad 6 pad 7 solder 8 organic insulating layer 9 ceramic substrate 10 solder 11 soldering 111 hole

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の電子部品と第2の電子部品とを接
続する半田バンプと、 この半田バンプの中に設けられた金属製の芯部材とを含
むことを特徴とする電子部品の接続構造。
1. A connection of electronic parts, comprising: a solder bump connecting the first electronic part and the second electronic part; and a metal core member provided in the solder bump. Construction.
【請求項2】 前記半田バンプがつづみ状に形成されて
いることを特徴とする請求項1記載の電子部品の接続構
造。
2. The connection structure for an electronic component according to claim 1, wherein the solder bump is formed in a zigzag shape.
【請求項3】 前記第1の電子部品がベアチップであ
り、前記第2の電子部品が基板であることを特徴とする
請求項1記載の電子部品の接続構造。
3. The connection structure for an electronic component according to claim 1, wherein the first electronic component is a bare chip, and the second electronic component is a substrate.
【請求項4】 前記芯部材が前記ベアチップに設けられ
ることを特徴とする請求項3記載の電子部品の接続構
造。
4. The connection structure for an electronic component according to claim 3, wherein the core member is provided on the bare chip.
【請求項5】 前記芯部材が前記基板に設けられること
を特徴とする請求項3記載の電子部品の接続構造。
5. The electronic component connection structure according to claim 3, wherein the core member is provided on the substrate.
【請求項6】 前記芯部材がピン部を有することを特徴
とする請求項1記載の電子部品の接続構造。
6. The electronic component connection structure according to claim 1, wherein the core member has a pin portion.
【請求項7】 前記芯部材の前記ピン部が尖っているこ
とを特徴とする請求項6記載の電子部品の接続構造。
7. The connection structure for an electronic component according to claim 6, wherein the pin portion of the core member is sharp.
【請求項8】 前記芯部材の前記ピン部が楕円形の断面
を有することを特徴とする請求項6記載の電子部品の接
続構造。
8. The connection structure for an electronic component according to claim 6, wherein the pin portion of the core member has an elliptical cross section.
【請求項9】 前記芯部材の前記ピン部の内部に穴が設
けられ、この穴が前記ピン部の先端に通じていることを
特徴とする請求項6記載の電子部品の接続構造。
9. The connecting structure for electronic parts according to claim 6, wherein a hole is provided inside the pin portion of the core member, and the hole communicates with a tip of the pin portion.
【請求項10】前記芯部材が複数のピン部を有すること
を特徴とする請求項6記載の電子部品の接続構造。
10. The connection structure for an electronic component according to claim 6, wherein the core member has a plurality of pin portions.
【請求項11】 第1の電子部品のパッドに芯部材を取
り付ける第1のステップと、 第2の電子部品のパッド上に所定量の半田ペーストを塗
布する第2のステップと、 前記半田ペースト内に前記芯部材を挿入する第3のステ
ップと、 前記半田ペーストを加熱溶融した後冷却することにより
半田バンプを形成する第4のステップとを含むことを特
徴とする電子部品の接続方法。
11. A first step of attaching a core member to a pad of a first electronic component, a second step of applying a predetermined amount of solder paste on a pad of the second electronic component, and inside the solder paste. And a fourth step of forming a solder bump by heating and melting the solder paste and then cooling the solder paste.
【請求項12】 前記半田ペーストの塗布量は、前記第
4のステップで溶融したときに表面張力によってつづみ
状の形状を呈する量であることを特徴とする請求項11
記載の電子部品の接続構造。
12. The amount of the solder paste applied is an amount that presents a zigzag shape due to surface tension when melted in the fourth step.
The connection structure of the described electronic components.
【請求項13】 第1の電子部品のパッドに芯部材を取
り付ける第1のステップと、 前記芯部材に環状の半田を挿入する第2のステップと、 前記芯部材が第2の電子部品のパッド上に位置するよう
に、前記第1の電子部品を第2の電子部品上に位置決め
する第3のステップと、 前記環状の半田を加熱溶融した後冷却することにより半
田バンプを形成する第4のステップとを含むことを特徴
とする電子部品の接続方法。
13. A first step of attaching a core member to a pad of a first electronic component, a second step of inserting annular solder into the core member, and a pad of the second electronic component in which the core member is a second pad. A third step of positioning the first electronic component on the second electronic component so as to be positioned above, and a fourth step of forming solder bumps by heating and melting the annular solder and then cooling it. And a step of connecting electronic components.
【請求項14】 前記環状の半田を構成する半田の量
は、前記第4のステップで溶融したときに表面張力によ
ってつづみ状の形状を呈する量であることを特徴とする
請求項13記載の電子部品の接続構造。
14. The amount of solder that constitutes the annular solder is an amount that takes on a zigzag shape due to surface tension when melted in the fourth step. Connection structure for electronic components.
【請求項15】 ベアチップと、 このベアチップのパッドに取り付けられた芯部材とを含
む半導体デバイス。
15. A semiconductor device including a bare chip and a core member attached to a pad of the bare chip.
【請求項16】 前記芯部材には、リフローソルダリン
グしたときにつづみ状の半田バンプが形成されるだけの
量の半田が付着していることを特徴とする請求項15記
載の半導体装置。
16. The semiconductor device according to claim 15, wherein the core member is attached with an amount of solder enough to form a solder bump having a slug shape when reflow soldering is performed.
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