JPH0725556B2 - 正方晶系の構造を有するビスマス・パラジウム・銅酸化物とその製造法 - Google Patents
正方晶系の構造を有するビスマス・パラジウム・銅酸化物とその製造法Info
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- JPH0725556B2 JPH0725556B2 JP3256983A JP25698391A JPH0725556B2 JP H0725556 B2 JPH0725556 B2 JP H0725556B2 JP 3256983 A JP3256983 A JP 3256983A JP 25698391 A JP25698391 A JP 25698391A JP H0725556 B2 JPH0725556 B2 JP H0725556B2
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、正方晶系の構造を有す
る新規なビスマス・パラジウム・銅酸化物とその製造法
に関する。
る新規なビスマス・パラジウム・銅酸化物とその製造法
に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
２成分系のビスマス・パラジウム酸化物化合物(Ｂi2Ｐd
Ｏ4)や、ビスマス・銅酸化物化合物(Ｂi2ＣuＯ4)の存在
は知られており、いずれも、空間群Ｐ４／nncに属する
正方晶系の同一構造を有している。これら公知の両化合
物の結晶学的データと熱特性とを
２成分系のビスマス・パラジウム酸化物化合物(Ｂi2Ｐd
Ｏ4)や、ビスマス・銅酸化物化合物(Ｂi2ＣuＯ4)の存在
は知られており、いずれも、空間群Ｐ４／nncに属する
正方晶系の同一構造を有している。これら公知の両化合
物の結晶学的データと熱特性とを
【表１】 に示す。また、ビスマス・パラジウム酸化物化合物に関
しては、室温でも良好な電気伝導性を示す半導体である
ことが知られている。
しては、室温でも良好な電気伝導性を示す半導体である
ことが知られている。
【０００３】本発明は、上記の２つの酸化物化合物の存
在に鑑みて、正方晶系に属する同一構造を有する新規な
ビスマス・パラジウム・銅酸化物を提供し、またその製
造法を提供することを目的とするものである。
在に鑑みて、正方晶系に属する同一構造を有する新規な
ビスマス・パラジウム・銅酸化物を提供し、またその製
造法を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明者は、従来の正方晶系の構造を有するビスマ
ス・パラジウム酸化物化合物とビスマス・銅酸化物化合
物について分析検討し、酸化ビスマス・酸化パラジウム
・酸化銅の３成分系において、新規な複酸化物を見い出
すべく鋭意研究した結果、ここに新規な酸化物固溶体を
発見したものである。
め、本発明者は、従来の正方晶系の構造を有するビスマ
ス・パラジウム酸化物化合物とビスマス・銅酸化物化合
物について分析検討し、酸化ビスマス・酸化パラジウム
・酸化銅の３成分系において、新規な複酸化物を見い出
すべく鋭意研究した結果、ここに新規な酸化物固溶体を
発見したものである。
【０００５】すなわち、本発明に係る酸化物固溶体は、
一般式
一般式
【化３】 Ｂｉ２Ｐｄ１−ｘＣｕｘＯ４ （０＜ｘ＜１） で示される正方晶系の構造を有することを特徴とするビ
スマス・パラジウム・銅酸化物である。
スマス・パラジウム・銅酸化物である。
【０００６】また、該ビスマス・パラジウム・銅酸化物
の製造法は、酸化ビスマス(Ｂi2Ｏ3)若しくは加熱され
ることにより酸化ビスマスに分解される化合物と、酸化
パラジウム(ＰdＯ)若しくは加熱されることにより酸化
パラジウムに分解される化合物又は酸化されて酸化パラ
ジウムとなる金属パラジウムと、酸化銅(ＣuＯ)若しく
は加熱分解により酸化銅を生ずる化合物とを、酸化ビス
マス、酸化パラジウム、酸化銅の割合がそれぞれ５０モ
ル％、５０(１−ｘ)モル％、５０ｘモル％(ここで、ｘ
は１を超えない正の数である)となるように混合して、
８００℃以下の温度で大気中で加熱することにより、一
般式
の製造法は、酸化ビスマス(Ｂi2Ｏ3)若しくは加熱され
ることにより酸化ビスマスに分解される化合物と、酸化
パラジウム(ＰdＯ)若しくは加熱されることにより酸化
パラジウムに分解される化合物又は酸化されて酸化パラ
ジウムとなる金属パラジウムと、酸化銅(ＣuＯ)若しく
は加熱分解により酸化銅を生ずる化合物とを、酸化ビス
マス、酸化パラジウム、酸化銅の割合がそれぞれ５０モ
ル％、５０(１−ｘ)モル％、５０ｘモル％(ここで、ｘ
は１を超えない正の数である)となるように混合して、
８００℃以下の温度で大気中で加熱することにより、一
般式
【化４】 Ｂｉ２Ｐｄ１−ｘＣｕｘＯ４ で示される正方晶系の構造を有するビスマス・パラジウ
ム・銅酸化物を得ることを特徴とするものである。
ム・銅酸化物を得ることを特徴とするものである。
【０００７】以下に本発明について詳述する。
【０００８】
【０００９】前述の公知の正方晶系の構造を有する酸化
物化合物のうち、代表例とみなされるビスマス・パラジ
ウム酸化物化合物(Ｂi2ＰdＯ4)の場合について粉末Ｘ線
回折の結果を、面間隔実測値、相対強度、面指数(ｈｋ
ｌ)の順に
物化合物のうち、代表例とみなされるビスマス・パラジ
ウム酸化物化合物(Ｂi2ＰdＯ4)の場合について粉末Ｘ線
回折の結果を、面間隔実測値、相対強度、面指数(ｈｋ
ｌ)の順に
【表２】 に示す。
【００１０】一方、本発明に係るビスマス・パラジウム
・銅酸化物固溶体のうち、ｘ＝０.５の場合の一般式Ｂi
2Ｐd0.5Ｃu0.5Ｏ4で示される化合物について、その粉末
Ｘ線回折パターンを同様に
・銅酸化物固溶体のうち、ｘ＝０.５の場合の一般式Ｂi
2Ｐd0.5Ｃu0.5Ｏ4で示される化合物について、その粉末
Ｘ線回折パターンを同様に
【表３】 に示す。
【００１１】表２及び表３を比較対照することから明ら
かなように、本発明に係るこの化合物Ｂi2Ｐd0.5Ｃu0.5
Ｏ4は、上記の公知の化合物Ｂi2ＰdＯ4と同様な正方晶
系の構造を有することがわかる。
かなように、本発明に係るこの化合物Ｂi2Ｐd0.5Ｃu0.5
Ｏ4は、上記の公知の化合物Ｂi2ＰdＯ4と同様な正方晶
系の構造を有することがわかる。
【００１２】なお、図１及び図２は、一般式
【化５】 Ｂｉ２Ｐｄ１−ｘＣｕｘＯ４ （０＜ｘ＜１） 、ｘ＝０.１、０.２５、０.５、０.７５、０.９の組成
を有する化合物の格子定数を、組成に対してプロットし
たものである。
を有する化合物の格子定数を、組成に対してプロットし
たものである。
【００１３】以上の分析結果より、本発明に係るビスマ
ス・パラジウム・銅酸化物は、正方晶系の構造を有する
と共に、公知の化合物であるＢi2ＰdＯ4とＢi2ＣuＯ4と
の間で完全固溶体を形成していることが認められる。
ス・パラジウム・銅酸化物は、正方晶系の構造を有する
と共に、公知の化合物であるＢi2ＰdＯ4とＢi2ＣuＯ4と
の間で完全固溶体を形成していることが認められる。
【００１４】この新規な正方晶系の構造を有するビスマ
ス・パラジウム・銅酸化物は、センサー、触媒等への応
用が期待される。
ス・パラジウム・銅酸化物は、センサー、触媒等への応
用が期待される。
【００１５】本発明に係る新規な酸化物は、次の方法に
よって製造される。
よって製造される。
【００１６】すなわち、酸化ビスマス(Ｂi2Ｏ3)若しく
は加熱されることにより酸化ビスマスに分解される化合
物と、酸化パラジウム(ＰdＯ)若しくは加熱されること
により酸化パラジウムに分解される化合物又は酸化され
て酸化パラジウムとなる金属パラジウムと、酸化銅(Ｃu
Ｏ)若しくは加熱分解により酸化銅を生ずる化合物と
を、酸化ビスマス、酸化パラジウム、酸化銅の割合がそ
れぞれ５０モル％、５０(１−ｘ)モル％、５０ｘモル％
(ここで、ｘは１を超えない正の数である)となるように
混合して、８００℃以下の温度で大気中で加熱すること
により、製造することができる。
は加熱されることにより酸化ビスマスに分解される化合
物と、酸化パラジウム(ＰdＯ)若しくは加熱されること
により酸化パラジウムに分解される化合物又は酸化され
て酸化パラジウムとなる金属パラジウムと、酸化銅(Ｃu
Ｏ)若しくは加熱分解により酸化銅を生ずる化合物と
を、酸化ビスマス、酸化パラジウム、酸化銅の割合がそ
れぞれ５０モル％、５０(１−ｘ)モル％、５０ｘモル％
(ここで、ｘは１を超えない正の数である)となるように
混合して、８００℃以下の温度で大気中で加熱すること
により、製造することができる。
【００１７】なお、表１に示すように、Ｂi2ＰdＯ4は８
３５℃でＢi2Ｏ3とＰdに分解してしまい、Ｂi2ＣuＯ4は
８４０℃で分解溶融してしまうため、ビスマス・パラジ
ウム・銅酸化物の製造においては、８００℃以下の温度
で加熱する必要がある。
３５℃でＢi2Ｏ3とＰdに分解してしまい、Ｂi2ＣuＯ4は
８４０℃で分解溶融してしまうため、ビスマス・パラジ
ウム・銅酸化物の製造においては、８００℃以下の温度
で加熱する必要がある。
【００１８】次に本発明の実施例を示す。
【００１９】
【実施例】いずれも純度が９９.９％以上の酸化ビスマ
ス(Ｂi2Ｏ3)と酸化パラジウム(ＰdＯ)と酸化銅(ＣuＯ)
の粉末を、それぞれの割合が５０モル％、２５モル％、
２５モル％となるように秤量し、メノウ乳鉢中で十分に
混合した。この混合物をアルミナルツボに充填し、カン
タル線発熱体電気炉に移し、室温から加熱し始め、７０
０℃で８０時間保った後、ルツボを当該電気炉から取り
出した。生成物はメノウ乳鉢中で再度混合し、同様な手
順で電気炉中で８００℃で６０時間反応させた後、取り
出した。これを分析した結果、表３に示すように正方晶
系に属するビスマス・パラジウム・銅酸化物であった。
ス(Ｂi2Ｏ3)と酸化パラジウム(ＰdＯ)と酸化銅(ＣuＯ)
の粉末を、それぞれの割合が５０モル％、２５モル％、
２５モル％となるように秤量し、メノウ乳鉢中で十分に
混合した。この混合物をアルミナルツボに充填し、カン
タル線発熱体電気炉に移し、室温から加熱し始め、７０
０℃で８０時間保った後、ルツボを当該電気炉から取り
出した。生成物はメノウ乳鉢中で再度混合し、同様な手
順で電気炉中で８００℃で６０時間反応させた後、取り
出した。これを分析した結果、表３に示すように正方晶
系に属するビスマス・パラジウム・銅酸化物であった。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一般式
一般式
【化６】 Ｂｉ２Ｐｄ１−ｘＣｕｘＯ４ で示される正方晶系の構造を有する新規なビスマス・パ
ラジウム・銅酸化物を提供できるので、センサー、触媒
等への利用が期待される。
ラジウム・銅酸化物を提供できるので、センサー、触媒
等への利用が期待される。
【図１】本発明に係る正方晶系に属する酸化物固溶体
【化７】 Ｂｉ２Ｐｄ１−ｘＣｕｘＯ４ の格子定数(ａ)のＣuＯ濃度による変化を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る正方晶系に属する酸化物固溶体
【化８】 Ｂｉ２Ｐｄ１−ｘＣｕｘＯ４ の格子定数(ｃ)のＣuＯ濃度による変化を示す図であ
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 Ｂｉ２Ｐｄ１−ｘＣｕｘＯ４ （０＜ｘ＜１） で示される正方晶系の構造を有することを特徴とするビ
スマス・パラジウム・銅酸化物。 - 【請求項２】 酸化ビスマス(Ｂi2Ｏ3)若しくは加熱さ
れることにより酸化ビスマスに分解される化合物と、酸
化パラジウム(ＰdＯ)若しくは加熱されることにより酸
化パラジウムに分解される化合物又は酸化されて酸化パ
ラジウムとなる金属パラジウムと、酸化銅(ＣuＯ)若し
くは加熱分解により酸化銅を生ずる化合物とを、酸化ビ
スマス、酸化パラジウム、酸化銅の割合がそれぞれ５０
モル％、５０(１−ｘ)モル％、５０ｘモル％(ここで、
ｘは１を超えない正の数である)となるように混合し
て、８００℃以下の温度で大気中で加熱することによ
り、一般式 【化２】 Ｂｉ２Ｐｄ１−ｘＣｕｘＯ４ で示される正方晶系の構造を有するビスマス・パラジウ
ム・銅酸化物を得ることを特徴とするビスマス・パラジ
ウム・銅酸化物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256983A JPH0725556B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 正方晶系の構造を有するビスマス・パラジウム・銅酸化物とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256983A JPH0725556B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 正方晶系の構造を有するビスマス・パラジウム・銅酸化物とその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570148A JPH0570148A (ja) | 1993-03-23 |
| JPH0725556B2 true JPH0725556B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=17300098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3256983A Expired - Lifetime JPH0725556B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 正方晶系の構造を有するビスマス・パラジウム・銅酸化物とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725556B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113957394B (zh) * | 2021-09-27 | 2023-09-26 | 山东省科学院能源研究所 | 一种p型半导体薄膜氧化铋铜及其制备方法与应用 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP3256983A patent/JPH0725556B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0570148A (ja) | 1993-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |