JPH0726195B2 - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPH0726195B2 JPH0726195B2 JP63205911A JP20591188A JPH0726195B2 JP H0726195 B2 JPH0726195 B2 JP H0726195B2 JP 63205911 A JP63205911 A JP 63205911A JP 20591188 A JP20591188 A JP 20591188A JP H0726195 B2 JPH0726195 B2 JP H0726195B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は少なくともIn,Sn,Oを含む透明導電膜の製造方
法に関する。
法に関する。
（従来の技術） 従来、In,Sn,O系からなる透明導電膜（以下、ITO膜とい
う）は、スパッタ法、蒸着法、CVD法等により作成され
ている。このうち、スパッタ法ではIn−Sn合金ターゲッ
トを用いる場合と、In2O3へSnO2を混入させた酸化物タ
ーゲットを用いる場合とがあるが、いずれの場合にも、
スパッタ中にAr等のスパッタを行なうための不活性ガス
中にO2ガスを混入させ、その混入量を調節することによ
り基板に形成されるITO膜のＯ組成を制御して良好な導
電性と透過率を得ることが行なわれている。
う）は、スパッタ法、蒸着法、CVD法等により作成され
ている。このうち、スパッタ法ではIn−Sn合金ターゲッ
トを用いる場合と、In2O3へSnO2を混入させた酸化物タ
ーゲットを用いる場合とがあるが、いずれの場合にも、
スパッタ中にAr等のスパッタを行なうための不活性ガス
中にO2ガスを混入させ、その混入量を調節することによ
り基板に形成されるITO膜のＯ組成を制御して良好な導
電性と透過率を得ることが行なわれている。
（発明が解決しようとする課題） スパッタ法によりITO膜を製造する場合、基板を室温乃
至200℃の比較低温としたまま製造出来れば耐熱性の低
い例えば合成樹脂等の基板にITO膜を形成することが可
能になって好ましい。しかしこのような低い温度では、
ITO膜は非晶質或は結晶質に非晶質が混在した状態の膜
になり勝ちで、通電時に、膜中に生ずるダングリングボ
ンドに電導電子がトラップされ、導電性が低下する不都
合がある。
至200℃の比較低温としたまま製造出来れば耐熱性の低
い例えば合成樹脂等の基板にITO膜を形成することが可
能になって好ましい。しかしこのような低い温度では、
ITO膜は非晶質或は結晶質に非晶質が混在した状態の膜
になり勝ちで、通電時に、膜中に生ずるダングリングボ
ンドに電導電子がトラップされ、導電性が低下する不都
合がある。
本発明は、室温乃至200℃の基板温度で形成されるITO膜
の導電性を改善することをその目的とするものである。
の導電性を改善することをその目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明では、スパッタ法により室温乃至200℃の基板上
に少なくともIn,Sn,Oを含む透明導電膜を形成する方法
に於て、スパッタガス中にO2とH2の混合ガスを混入させ
ることにより前記課題を解決するようにした。
に少なくともIn,Sn,Oを含む透明導電膜を形成する方法
に於て、スパッタガス中にO2とH2の混合ガスを混入させ
ることにより前記課題を解決するようにした。
（作用） スパッタ室内に室温乃至200℃に加熱した基板と例えばI
n−Sn合金ターゲットを設け、Arガス等のスパッタガス
を導入してスパッタを行ない、該基板にITO膜を形成す
る。このスパッタ法では、形成されるITO膜は前記した
ように非晶質或は結晶質に非晶質が混在した状態のもの
であり、導電性が悪いので、その改善のために本発明に
於てはスパッタガス中にH2ガスとO2ガスの混合ガスを混
入し乍らスパッタを行なうようにした。スパッタ中に前
記H2ガス等を混入させると、基板に形成される非晶質の
ITO膜中にＨ原子がとり込まれ、In、Sn、Ｏ等の原子の
ダングリングボンドが補償される。そのためITO膜への
通電時、ダングリングボンドにトラップされる電子が少
なくなり、電導電子の移動度と密度が増加するため導電
性が向上する。尚、基板温度が200℃より高温になるとI
TO膜は完全に結晶化し、Ｈ原子をとり込まなくなるので
H2ガス等の導入効果はなくなる。
n−Sn合金ターゲットを設け、Arガス等のスパッタガス
を導入してスパッタを行ない、該基板にITO膜を形成す
る。このスパッタ法では、形成されるITO膜は前記した
ように非晶質或は結晶質に非晶質が混在した状態のもの
であり、導電性が悪いので、その改善のために本発明に
於てはスパッタガス中にH2ガスとO2ガスの混合ガスを混
入し乍らスパッタを行なうようにした。スパッタ中に前
記H2ガス等を混入させると、基板に形成される非晶質の
ITO膜中にＨ原子がとり込まれ、In、Sn、Ｏ等の原子の
ダングリングボンドが補償される。そのためITO膜への
通電時、ダングリングボンドにトラップされる電子が少
なくなり、電導電子の移動度と密度が増加するため導電
性が向上する。尚、基板温度が200℃より高温になるとI
TO膜は完全に結晶化し、Ｈ原子をとり込まなくなるので
H2ガス等の導入効果はなくなる。
（実施例） 10Wt％SnO2が混入したIn2O3−SnO2酸化物ターゲットを
スパッタ室内に用意し、基板上にDCマグネトロンスパッ
タによりITO膜の試料を作成した。スパッタ中のアルゴ
ンガス圧は５×10-3Torr、作成したITO膜の厚さは1000
Åで、その成膜速度を900Å/minとした。以上の条件
は、従来行なわれているITO膜製造の最も代表的な方法
である。
スパッタ室内に用意し、基板上にDCマグネトロンスパッ
タによりITO膜の試料を作成した。スパッタ中のアルゴ
ンガス圧は５×10-3Torr、作成したITO膜の厚さは1000
Åで、その成膜速度を900Å/minとした。以上の条件
は、従来行なわれているITO膜製造の最も代表的な方法
である。
以上の条件は一定にして、Arガス中に種々の分圧でO2ガ
ス、H2ガスとO2ガスの混合ガスを混入させて室温（20
℃）の基板に成膜し、各膜の抵抗率を測定した。
ス、H2ガスとO2ガスの混合ガスを混入させて室温（20
℃）の基板に成膜し、各膜の抵抗率を測定した。
H2ガスとO2ガスの混合ガスを混入させるときは、H2ガス
の分圧を５×10-6Torr及び２×10-5Torrの２種の圧力と
し、O2ガス分圧を変化させた。これにより得られたITO
膜の抵抗率は第１図示のようであった。ガスの種類が異
なるので、抵抗率が最小になるガス圧は異なるが、最小
となる抵抗率の値はH2ガスとO2ガスの混合ガスの方がO2
ガスの場合よりも小さい値を示す。
の分圧を５×10-6Torr及び２×10-5Torrの２種の圧力と
し、O2ガス分圧を変化させた。これにより得られたITO
膜の抵抗率は第１図示のようであった。ガスの種類が異
なるので、抵抗率が最小になるガス圧は異なるが、最小
となる抵抗率の値はH2ガスとO2ガスの混合ガスの方がO2
ガスの場合よりも小さい値を示す。
次に、H2ガスをどの程度導入する必要があるかをみるた
めに、H2ガス分圧を変化させて基板にITO膜を形成し抵
抗率を測定した。その結果を第２図に示す。同図に示し
た抵抗率の値は、それぞれのH2ガス分圧においてO2ガス
分圧を変化させた時の最小値（第１図で矢印で示した）
を示している。この図から分るように導入するH2ガスは
５×10-6Torrの微量でも抵抗率を下げるに効果があり、
２×10-5Torr以上では抵抗値が一定になる。
めに、H2ガス分圧を変化させて基板にITO膜を形成し抵
抗率を測定した。その結果を第２図に示す。同図に示し
た抵抗率の値は、それぞれのH2ガス分圧においてO2ガス
分圧を変化させた時の最小値（第１図で矢印で示した）
を示している。この図から分るように導入するH2ガスは
５×10-6Torrの微量でも抵抗率を下げるに効果があり、
２×10-5Torr以上では抵抗値が一定になる。
第３図は基板温度の抵抗率に及ぼす影響を示す。この場
合も、それぞれの基板温度での最小抵抗率を求めて示し
ている。同図から分るように、基板温度が室温〜200℃
ではO2ガスを導入した場合よりもH2ガスが混入した混合
ガスを導入した場合の方が抵抗率が改善される。しか
し、200℃よりも高い温度ではO2ガスのみを導入した場
合と同等となり効果はない。
合も、それぞれの基板温度での最小抵抗率を求めて示し
ている。同図から分るように、基板温度が室温〜200℃
ではO2ガスを導入した場合よりもH2ガスが混入した混合
ガスを導入した場合の方が抵抗率が改善される。しか
し、200℃よりも高い温度ではO2ガスのみを導入した場
合と同等となり効果はない。
尚、ターゲットとしてIn2O3−SnO2酸化物ターゲットを
用いたがIn−Sn合金ターゲットを用いても同様の効果が
ある。
用いたがIn−Sn合金ターゲットを用いても同様の効果が
ある。
（発明の効果） 以上のように本発明によるときは、室温乃至200℃の基
板上にスパッタ法によりIn,Sn,O系透明導電膜を形成す
る方法に於て、スパッタガス中にO2ガスとH2ガスの混合
ガスを混入させて成膜するようにしたので、膜中にＨ原
子がとり込まれ、In、Sn、Ｏ等の原子のダングリングボ
ンドが補償され、導電性の良好なITO膜を得ることが出
来る等の効果がある。
板上にスパッタ法によりIn,Sn,O系透明導電膜を形成す
る方法に於て、スパッタガス中にO2ガスとH2ガスの混合
ガスを混入させて成膜するようにしたので、膜中にＨ原
子がとり込まれ、In、Sn、Ｏ等の原子のダングリングボ
ンドが補償され、導電性の良好なITO膜を得ることが出
来る等の効果がある。
第１図はスパッタガス中に混入したガスの種類及びガス
分圧と抵抗率の関係を示す線図、第２図はH2ガス分圧と
抵抗率の関係を示す線図、第３図は基板温度と抵抗率の
関係を示す線図である。
分圧と抵抗率の関係を示す線図、第２図はH2ガス分圧と
抵抗率の関係を示す線図、第３図は基板温度と抵抗率の
関係を示す線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−165811（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−180054（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−202418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−227082（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】スパッタ法により室温乃至200℃の基板上
に少なくともIn,Sn,O,を含む透明導電膜を形成する方法
に於て、スパッタガス中にO2とH2の混合ガスを混入させ
ることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205911A JPH0726195B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205911A JPH0726195B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254755A JPH0254755A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0726195B2 true JPH0726195B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=16514794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205911A Expired - Lifetime JPH0726195B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726195B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10023459A1 (de) | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Balzers Process Systems Gmbh | Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben |
| ES2185454B1 (es) * | 2000-08-28 | 2004-05-01 | Centro De Investigaciones Energeticas, Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) | Metodo de obtencion de oxidos conductores electricos y transparentes mediante pulverizacion catodica. |
| WO2002039504A1 (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell module and portable electronic apparatus with it |
| US20110056552A1 (en) | 2008-03-19 | 2011-03-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| EP2479797A4 (en) * | 2009-09-18 | 2013-08-07 | Sanyo Electric Co | SOLAR BATTERY, SOLAR BATTERY MODULE AND SOLAR BATTERY SYSTEM |
| JP2015084348A (ja) * | 2012-02-13 | 2015-04-30 | 長州産業株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
| CN113529034A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-10-22 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种近红外导电滤光片的镀膜方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202418A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-07 | 凸版印刷株式会社 | 透明電極基板の製造法 |
| JPH0723532B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1995-03-15 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63205911A patent/JPH0726195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254755A (ja) | 1990-02-23 |
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