JPH0726701B2 - Solenoid valve drive circuit - Google Patents
Solenoid valve drive circuitInfo
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- JPH0726701B2 JPH0726701B2 JP17727786A JP17727786A JPH0726701B2 JP H0726701 B2 JPH0726701 B2 JP H0726701B2 JP 17727786 A JP17727786 A JP 17727786A JP 17727786 A JP17727786 A JP 17727786A JP H0726701 B2 JPH0726701 B2 JP H0726701B2
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- high voltage
- solenoid valve
- coil
- current
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- Electrical Control Of Air Or Fuel Supplied To Internal-Combustion Engine (AREA)
- Magnetically Actuated Valves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、例えば電子制御式燃料噴射装置またはアンチ
スキッド制御装置の電磁弁のごとく、車載用電源により
動作する電磁弁を駆動するための電磁弁駆動回路に関す
る。[Field of Industrial Application] The present invention relates to an electromagnetic valve for driving an electromagnetic valve operated by a vehicle-mounted power source, such as an electromagnetic valve of an electronically controlled fuel injection device or an anti-skid control device. It relates to a valve drive circuit.
「従来の技術」 最近、自動車の電子制御化が進み、ディーゼルエンジン
用やガソリンエンジン用に種々の電子制御式燃料噴射装
置が開発されている。これらの装置では、電磁弁の開弁
期間や閉弁期間、または開弁時期や閉弁時期を制御する
ことにより、燃料噴射量や燃料噴射時期を決めているも
のが多い。例としては、ガソリンエンジン用には、公知
の電子式燃料噴射システムがある。ディーゼルエンジン
用には、第8図に示す燃料調量装置が発明されており、
電磁弁により燃料の溢流を制御している(特開昭58-187
537)。すなわち、フェイスカム22により回転往復運動
するプランジャ23で加圧された燃料の溢流を電磁弁21で
制御することにより、ノズルを通じて機関に噴射される
燃料量を調節するものである。また、第9図に示す様
に、古典的なインジェクタに一定高圧を加えておき、ニ
ードルのリフトを電磁弁(この例の場合は三方弁)によ
り制御する例もみられる(特開昭59-165858)。すなわ
ち電磁弁(三方弁)31の非通電時には、ポートXとポー
トYが接続され、高圧燃料がピストン33の上部に導びか
れ、その圧力によりニードル32のリフトを阻止する。電
磁弁31の通電時には、ポートXは塞がれ、ポートYとポ
ートZが接続するためピストン33にかかる圧力はポート
Y,ポートZを経て低圧側へリークする。このため、ニー
ドル32は、燃料圧力によりリフトし、燃料を噴射するも
のである。"Prior Art" Recently, electronic control of automobiles has progressed, and various electronically controlled fuel injection devices have been developed for diesel engines and gasoline engines. In many of these devices, the fuel injection amount and the fuel injection timing are determined by controlling the valve opening period and valve closing period of the solenoid valve, or the valve opening timing and valve closing timing. For example, for gasoline engines, there are known electronic fuel injection systems. For a diesel engine, the fuel metering device shown in FIG. 8 has been invented,
The overflow of fuel is controlled by a solenoid valve (Japanese Patent Laid-Open No. 58-187).
537). That is, the amount of fuel injected into the engine through the nozzle is adjusted by controlling the overflow of the fuel pressurized by the plunger 23 that rotates and reciprocates by the face cam 22 with the solenoid valve 21. Further, as shown in FIG. 9, there is also an example in which a constant high pressure is applied to a classical injector and the lift of the needle is controlled by a solenoid valve (in this case, a three-way valve) (JP-A-59-165858). ). That is, when the solenoid valve (three-way valve) 31 is not energized, the port X and the port Y are connected, the high-pressure fuel is guided to the upper portion of the piston 33, and the pressure prevents the needle 32 from lifting. When the solenoid valve 31 is energized, the port X is closed and the port Y and the port Z are connected, so the pressure applied to the piston 33 is the port.
Leak to the low pressure side via Y and port Z. Therefore, the needle 32 is lifted by the fuel pressure and injects the fuel.
上記の様なシステムでは、電磁弁21,31の動作が燃料噴
射量および噴射時期と密接に関連しており、電磁弁のオ
ン遅れ、オフ遅れは、制御タイミングのずれや、燃料噴
射量制御精度の悪化等につながる。特に、ディーゼルエ
ンジン用の燃料噴射システムでは、一般に燃料噴射圧が
高いため、電磁弁の動作遅れは、より大きい燃料噴射量
誤差につながる。In the system as described above, the operation of the solenoid valves 21 and 31 is closely related to the fuel injection amount and the injection timing, and the on-delay and the off-delay of the solenoid valve depend on the control timing deviation and the fuel injection amount control accuracy. It will lead to the deterioration of. In particular, in a fuel injection system for a diesel engine, the fuel injection pressure is generally high, so the delay in the operation of the solenoid valve leads to a larger fuel injection amount error.
本発明は、上記の様なシステムにおいて電磁弁を高速に
動作させるための駆動回路に関するものであり、特に高
速化の必要なディーゼルエンジン用燃料噴射システムに
適用されたものである。しかし、本発明の適用範囲は、
ディーゼルエンジン用燃料噴射システムに限るものでは
なく、前記電子式燃料噴射システムや、アンチスキッド
制御装置などの車両制御システムにおいても制御精度の
向上等、すぐれた効果が期待できる。The present invention relates to a drive circuit for operating a solenoid valve at high speed in the system as described above, and is particularly applied to a fuel injection system for a diesel engine that requires high speed. However, the scope of application of the present invention is
Not only the fuel injection system for a diesel engine, but also an electronic fuel injection system and a vehicle control system such as an anti-skid control device can be expected to have excellent effects such as improved control accuracy.
従来車載用の低電圧バッテリを動力源として動作する電
磁弁を高速で動かすために、さまざまの駆動回路が考え
られている。それらの中でも、ソレノイドコイルのイン
ダクタンスLや抵抗Rによる電流の立ち上がり遅れを少
なくするため、バッテリ電圧を越える高電圧を発生さ
せ、開弁時(プルーイン)にその電圧を利用し、速い駆
動電流の立ち上がりと、速い電磁弁の開弁を実現した例
が見られる。さらに、特開昭59-85434に見られる様に、
高電圧電源の小型化や、消費エネルギーの低減を目指し
て、電磁弁の動作前に間歇的に、高電圧を発生させる様
工夫した例がある。Various drive circuits have been considered in order to move a solenoid valve that operates with a low-voltage battery for vehicle installation as a power source at high speed. Among them, in order to reduce the rise delay of the current due to the inductance L and the resistance R of the solenoid coil, a high voltage exceeding the battery voltage is generated, and that voltage is used when the valve is opened (pull-in) to achieve a fast drive current rise. And there is an example of realizing the quick opening of the solenoid valve. Furthermore, as seen in JP-A-59-85434,
There is an example in which a high voltage is generated intermittently before the operation of the solenoid valve in order to downsize the high voltage power supply and reduce the energy consumption.
第10図に、従来の高電圧を利用した電磁弁駆動回路のブ
ロック図を示す。トランジスタ42をオン−オフ制御する
ことにより、コイル41に蓄積したエネルギーを、高電圧
蓄積手段としてのコンデンサ43に移している。また、コ
ンデンサ43に蓄積された電圧を検出回路44にて検出し、
フィードバック制御し、蓄積された高電圧を一定に保っ
ている。この様な例では、高電圧を検出し、フィードバ
ック制御するため、処理回路が複雑である。また、エン
ジン制御などの適用においては、一般的に電磁弁の動作
は、機関回転数と同期しており、低速回転域や始動時に
おいては動作間隔が長くなるため、蓄積された高電圧が
検出部の分圧抵抗回路などにより少しずつ消費され、一
旦目的とする高電圧を蓄積した後も、必要に応じてエネ
ルギーを追加する必要があった。さらに、エネルギー蓄
積手段としてコンデンサを採用した場合、一般に、コン
デンサの温度特性や経時変化による容量変化が非常に大
きく、一定のチャージ電圧に制御しても、蓄積エネルギ
ーを一定にできなかった。また、特開昭59-85434に見ら
れる様に、数回(2〜4回)のスイッチングでチャージ
する様に設定すると、一回のチャージで蓄積すべきエネ
ルギーの量が大きくなり、チャージ電圧をフィードバッ
クしても細かい電圧制御ができない等の問題があった。FIG. 10 shows a block diagram of a conventional solenoid valve drive circuit using high voltage. The energy stored in the coil 41 is transferred to the capacitor 43 as high voltage storage means by controlling the transistor 42 to be turned on and off. Further, the detection circuit 44 detects the voltage accumulated in the capacitor 43,
Feedback control is performed to keep the accumulated high voltage constant. In such an example, since a high voltage is detected and feedback control is performed, the processing circuit is complicated. In addition, in applications such as engine control, the operation of the solenoid valve is generally synchronized with the engine speed, and the operation interval becomes longer in the low speed rotation range and at startup, so the accumulated high voltage is detected. It was gradually consumed by the voltage dividing resistance circuit of the part, and it was necessary to add energy as needed even after the target high voltage was once accumulated. Furthermore, when a capacitor is used as the energy storage means, generally, the temperature change of the capacitor and the change in capacitance due to aging are very large, and even if the charge voltage is controlled to be constant, the stored energy cannot be made constant. Also, as set forth in Japanese Patent Laid-Open No. 59-85434, if the charging is set to be performed by switching several times (2 to 4 times), the amount of energy to be stored in one charging becomes large and the charging voltage is changed. There was a problem that even if it was fed back, fine voltage control could not be performed.
「発明が解決しようとする問題点」 本発明は、上記の問題点を解決するために考えられたも
のであり、電磁弁の応答遅れを短縮でき、また構成の簡
単な電磁弁駆動回路を提供することを目的とする。[Problems to be Solved by the Invention] The present invention has been conceived in order to solve the above problems, and provides a solenoid valve drive circuit that can shorten the response delay of a solenoid valve and has a simple configuration. The purpose is to do.
「問題点を解決するための手段」 上記目的のため、本発明によれば、電磁弁通電開始時に
高電圧を印加するための車載用電源電圧を超える高電圧
発生手段と、電磁弁に、動作状態をホールドするための
一定電流を流す定電流回路と、電磁弁の開閉を制御する
スイッチング回路とを含み、前記高電圧発生手段は、エ
ネルギーを一時蓄積するためのコイルと、高電圧を蓄積
するための高電圧蓄積手段と、コイルに蓄積したエネル
ギーを、高電圧蓄積手段に移す制御回路により構成さ
れ、前記制御回路は、コイルに流れる電流が設定値にな
った時に、コイルに一時蓄積されているエネルギーを、
高電圧蓄積手段に移す様動作し、さらに本動作を、電磁
弁への通電開始に先立って、少なくとも一回行なうこと
を特徴とする電磁弁駆動回路が提供される。"Means for Solving Problems" For the above purpose, according to the present invention, a high voltage generating means for applying a high voltage at the start of energization of a solenoid valve, a high voltage generating means exceeding a vehicle-mounted power supply voltage, and a solenoid valve are operated. The high voltage generating means includes a constant current circuit for flowing a constant current for holding a state and a switching circuit for controlling opening / closing of a solenoid valve, and the high voltage generating means stores a coil for temporarily storing energy and a high voltage. And a control circuit for transferring the energy stored in the coil to the high voltage storage means.The control circuit temporarily stores the energy in the coil when the current flowing in the coil reaches a set value. Energy
There is provided a solenoid valve drive circuit which operates so as to be transferred to the high-voltage storage means, and further performs this operation at least once before starting energization of the solenoid valve.
「作用」 本発明の上記構成によれば、あらかじめ電流値として計
量されコイルに蓄積されたエネルギーを、高電圧に変換
してコンデンサに蓄積しておき、開弁時に放電させるこ
とにより、電磁弁の応答遅れが短縮される。また、イン
ダクタンス変動の少ないコイルに一定電流を流してエネ
ルギーを計量し、コンデンサに蓄積しているため、バッ
テリ電圧やシステムの動作環境が変化しても電磁弁の応
答性のばらつきが少ない。[Operation] According to the above configuration of the present invention, energy previously measured as a current value and stored in the coil is converted into a high voltage and stored in the capacitor, and is discharged when the valve is opened. Response delay is shortened. Moreover, since a constant current is passed through a coil with a small inductance variation to measure the energy and store the energy in the capacitor, there is little variation in the responsiveness of the solenoid valve even if the battery voltage or the operating environment of the system changes.
「実施の態様」 本発明の第1の実施の態様によれば、前記高電圧発生手
段の制御回路は、コイルに蓄積したエネルギーを高電圧
蓄積手段に移すタイミングとして、コイルに流れる電流
が設定値になった時に加え、コイルに電流を流し始めて
から設定された時間だけ、経過した場合にも行なうこと
を特徴とする電磁弁駆動回路が提供される。この第1の
態様によれば、機関の始動時などの特殊な場合におい
て、バッテリ電圧がかなり低下したときでも、なおバッ
テリ電圧より高い電圧を電磁弁に掛けることが可能にな
るという利点がある。“Embodiment” According to the first embodiment of the present invention, the control circuit of the high voltage generating means is configured such that the current flowing through the coil is set to a set value as a timing for transferring the energy accumulated in the coil to the high voltage accumulating means. In addition to the above, there is provided a solenoid valve drive circuit characterized in that it is performed even when a set time has elapsed since the current started to flow through the coil. According to the first aspect, in a special case such as when the engine is started, it is possible to apply a voltage higher than the battery voltage to the solenoid valve even when the battery voltage significantly decreases.
本発明の第2の実施の態様によれば、前記高電圧発生手
段は、すべての電磁弁に通電していない時に、バッテリ
電圧を超える高電圧を発生させることを特徴とする電磁
弁駆動回路が提供される。この第2の態様によれば、電
磁弁を通電する時期にはバッテリ電圧を超える高電圧が
確実に高電圧蓄積手段に蓄えられるという利点がある。According to a second embodiment of the present invention, the high voltage generating means generates a high voltage exceeding a battery voltage when all the solenoid valves are not energized. Provided. According to the second aspect, there is an advantage that the high voltage exceeding the battery voltage is surely stored in the high voltage storage means at the time of energizing the solenoid valve.
「実施例」 次に、本発明の第1の実施例を第1図および第2図につ
いて説明する。[Embodiment] Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
第1図(a)においてブロック10は、高電圧発生部であ
り、ブロック20は、電磁弁Vの駆動制御部、ブロック30
は、電磁弁Vのプルイン後のホールド電流IHを供給する
ための定電流回路部である。高電圧発生部10は、チャー
ジ電流制御回路11および電流検出回路12を包含してい
る。端子1には電磁弁VのON−OFFを制御する駆動パル
スτが印加される。端子2には、高電圧発生部10を動作
させるためのチャージパルスPLSが印加される。第1の
実施例においては、駆動パルスτとチャージパルスPLS
は、機関の燃料噴射量、燃料噴射時期を演算する演算装
置40により、適切な位相で出力されている。すなわち、
駆動パルスτに先立って、チャージパルスPLSを入力し
た高電圧発生部10は、エネルギーを一時蓄積するための
コイルL1を流れる電流をスイッチングすることにより、
高電圧蓄積手段をなすコンデンサC1に高電圧を発生させ
る。第1図(b)におけるチャージ電圧の波形にも示す
通り、本実施例では、電圧を2度に分けて昇圧してい
る。高電圧発生部10の回路並びに動作は本発明の主たる
改良点であり後に詳述する。駆動制御部20において、駆
動パルスτが高電圧になると、MOS形電界効果トランジ
スタFET1が導通状態になる。この電界効果トランジスタ
FET1が導通すると、コンデンサC1にあらかじめ高圧蓄積
された電荷は、ダイオードD3、電磁弁V、MOS形電界効
果トランジスタFET1、および抵抗R1を通じて急速に放電
させるため、電磁弁Vを流れる電流IVも急速に立ち上が
りピーク電流IPに達する。放電を終了すると電流IVはし
だいに減衰しあらかじめ設定されているホールド電流IH
のレベルに達する。このホールド電流IHのレベルは、開
弁後の状態を保つのに十分な吸引力を発生し、かつ熱の
発生を少なくでき、MOS形電界効果トランジスタFET1の
オフ時には、電流が十分速く減衰するレベルに設定され
ている。ピーク電流IPからホールド電流IHに減衰した後
は、電磁弁Vをホールドするために一定のホールド電流
IHが定電流回路部30より電磁弁Vに供給される。この定
電流回路部30は、電磁弁電流IVを抵抗R1で検出し、フィ
ードバックしており、公知のチョッパタイプ(スイッチ
ングタイプ)の定電流回路が使用でき、ホールド電流IH
は、ダイオードD1又は、ダイオードD2を通して電磁弁V
供給される。駆動パルスτが低電位になると、MOS形電
界効果トランジスタFET1はオフし、電磁弁電流IVは遮断
される。定電圧ダイオードZD1は、電磁弁Vにより発生
されるフライバック電圧を吸収する様設置されている。In FIG. 1 (a), a block 10 is a high voltage generator, and a block 20 is a drive controller for the solenoid valve V and a block 30.
Is a constant current circuit unit for supplying the hold current IH after the pull-in of the solenoid valve V. The high voltage generator 10 includes a charge current control circuit 11 and a current detection circuit 12. A drive pulse τ for controlling ON / OFF of the solenoid valve V is applied to the terminal 1. A charge pulse PLS for operating the high voltage generator 10 is applied to the terminal 2. In the first embodiment, the drive pulse τ and the charge pulse PLS
Is output in an appropriate phase by the arithmetic unit 40 that calculates the fuel injection amount and fuel injection timing of the engine. That is,
Prior to the driving pulse τ, the high voltage generator 10 that receives the charge pulse PLS switches the current flowing through the coil L1 for temporarily storing energy,
A high voltage is generated in the capacitor C1 which is a high voltage storage means. As shown in the waveform of the charge voltage in FIG. 1B, in this embodiment, the voltage is boosted in two steps. The circuit and operation of the high voltage generator 10 are the main improvements of the present invention and will be described in detail later. In the drive control unit 20, when the drive pulse τ becomes a high voltage, the MOS field effect transistor FET1 becomes conductive. This field effect transistor
When the FET1 becomes conductive, the electric charge accumulated in high voltage in the capacitor C1 rapidly discharges through the diode D3, the solenoid valve V, the MOS field effect transistor FET1 and the resistor R1. Therefore, the current IV flowing through the solenoid valve V also rapidly. Reachs the rising peak current IP. When the discharge is completed, the current IV gradually decays and the preset hold current IH
Reach the level of. The level of this hold current IH is a level at which the attraction force sufficient to maintain the state after opening the valve can be generated, heat generation can be reduced, and when the MOS field effect transistor FET1 is off, the current decays sufficiently quickly. Is set to. After the peak current IP is attenuated to the hold current IH, a constant hold current is applied to hold the solenoid valve V.
IH is supplied to the solenoid valve V from the constant current circuit unit 30. This constant current circuit unit 30 detects the solenoid valve current IV by the resistor R1 and feeds it back, and a known chopper type (switching type) constant current circuit can be used, and the hold current IH
Is a solenoid valve V through diode D1 or diode D2.
Supplied. When the drive pulse τ becomes low potential, the MOS field effect transistor FET1 is turned off and the solenoid valve current IV is cut off. The constant voltage diode ZD1 is installed so as to absorb the flyback voltage generated by the solenoid valve V.
次に、本発明の主たる改良点である高電圧発生部10を図
に示す実施例につき説明する。第2図(a)は、第1の
実施例の詳細を示すものであり、端子3は、車載用バッ
テリの正端子に接続され、端子4は、バッテリの負端子
が接続され、回路動作の基準電位である接地レベルとな
る。iC1は回路動作上必要となる定電圧(8V)を作るた
めのレギュレータであり、たとえば、NEC製三端子レギ
ュレータμPC14308等が使用できる。コンデンサC2及びC
3は、バッテリ電圧および定電圧(8V)のリップル除去
のため、それぞれ、接地ラインとレギュレータiC1の入
出力端子との間に挿入されている。Next, a high voltage generator 10 which is a main improvement of the present invention will be described with reference to an embodiment shown in the drawings. FIG. 2 (a) shows the details of the first embodiment, in which the terminal 3 is connected to the positive terminal of the vehicle battery, the terminal 4 is connected to the negative terminal of the battery, and the circuit operation is performed. It becomes the ground level which is the reference potential. iC1 is a regulator for creating a constant voltage (8V) necessary for circuit operation, and for example, NEC three-terminal regulator μPC14308 can be used. Capacitors C2 and C
3 is inserted between the ground line and the input / output terminal of the regulator iC1 for removing ripples of the battery voltage and the constant voltage (8V).
端子2には、第2図(a)図示の高電圧発生部(10)を
動作されるためのチャージパルスPLSが印加される。第
1の実施例において、第2図(b)に示す様に、電磁弁
駆動パルスτとチャージパルスPLSは、図示しない演算
装置ECUより、時間t1と時間t2の関係で出力されてい
る。尚、時間t1,t2は電磁弁駆動パルスτの周期に比べ
十分に短かい。この様な関係を持った電磁弁駆動パルス
τとチャージパルスPLSの2種類のパルスを出力する演
算装置は、アナログ回路でも、マイクロコンピュータ等
でも簡単に構成できる。A charge pulse PLS for operating the high voltage generator (10) shown in FIG. 2A is applied to the terminal 2. In the first embodiment, as shown in FIG. 2 (b), the solenoid valve drive pulse τ and the charge pulse PLS are output from the arithmetic unit ECU (not shown) in a relationship between time t1 and time t2. The times t1 and t2 are sufficiently shorter than the cycle of the solenoid valve drive pulse τ. The arithmetic unit that outputs two kinds of pulses, the solenoid valve drive pulse τ and the charge pulse PLS, having such a relationship can be easily configured by an analog circuit or a microcomputer.
端子2に印加されたチャージパルスPLSは抵抗R4,R5を通
じてNANDゲートiC2に通じる。尚、抵抗R4とR5の接続点
においてダイオードD5,D6によって、レベルが制限され
ており、NANDゲートiC2のラッチアップや誤動作を防止
している。NANDゲートiC2は入力特性としてヒステリシ
スを持ったものが望ましく、例えば東京芝浦電気製TC40
93等のシュミットNANDゲートが使用できる。NANDゲート
iC2にて反転されたチャージパルスPLSは、NANDゲートiC
3にて再度反転されD−フリップフロップiC4(例えば東
京芝浦電気製TC−4013)のクロック端子CKに入力され
る。D−フリップフロップiC4はクロック端子CKへ印加
されたパルスの立ち上がりでD端子に接続された状態
(ハイ−レベル)をラッチする。すなわちD−フリップ
フロップiC4の端子は、第2図(b)に示す如く、チ
ャージパルスPLSの立ち上がりで、ロウ−レベルにな
る。D−フリップフロップiC4のに出力された信号は
抵抗R6を経て、トランジスタTr1のベースに接続され
る。抵抗R7はトランジスタTr1のベースとエミッタ間を
接続し、トランジスタTr1のオン−オフ動作を安定化し
ている。トランジスタTr1のエミッタは接地ラインに接
続され、コレクタ端子は、抵抗R8を介して定電圧(8V)
ラインに接続される。また、トランジスタTr1のコレク
タは抵抗R9を介して、MOS形電界効果トランジスタFET2
のゲート端子にも接続されている。電界効果トランジス
タFET2のドレインは、エネルギーを一時蓄積するための
コイルL1に接続されており、コイルL1の他の端子は、バ
ッテリの正ラインに接続されている。また、電界効果ト
ランジスタFET2のソース端子は、コイルL1,および電界
効果トランジスタFET2を流れる電流を検出するための抵
抗R3を介して接地ラインに接続される。また、電界効果
トランジスタFET2のドレイン端子と接地間には、ツェナ
ーダイオードZD3,ZD4が、カソードをトレイン側に接続
する方向で付加されている。さらに、電界効果トランジ
スタFET2のソース端子は、抵抗R10を介してコンパレー
タiC5の負入力端子へ接続される。また、コンパレータi
C5の負入力端子は、抵抗R14により定電圧(8V)にプル
アップされており、抵抗R3にて検出された電流レベルを
コンパレータiC5の動作可能入力電圧範囲まで引き上げ
ている。コンパレータiC5の正入力端子には、抵抗R13を
介して、基準電位が入力される。基準電位は定電圧ライ
ン(8V)と接地間を抵抗R11とR12で分圧することにより
作られ抵抗R12と並列に安定化のためのコンデンサC4が
付加されている。コンパレータiC5の出力と正入力端子
を接続する抵抗R15及び正入力端子と負入力端子の間に
挿入されているコンデンサC5は、ノイズによる誤動作を
防止するためのヒステリシスを与える。すなわち、コン
パレータiC5は、コイルL1,MOS形電界効果トランジスタF
ET2,および電流検出抵抗R3を流れるチャージ電流I CHG
が増加し、負入力端子のレベルが基準電位を越える様な
定電流Ioになった場合に、出力をロウレベルに反転させ
る。コンパレータIC5の出力はNANDゲートiC6の第1の入
力に接続されており、NANDゲートiC6の出力は前記D−
フリップフロップiC4のクリア端子CLに接続されてい
る。The charge pulse PLS applied to the terminal 2 is transmitted to the NAND gate iC2 through the resistors R4 and R5. The level is limited by the diodes D5 and D6 at the connection point of the resistors R4 and R5 to prevent latch-up and malfunction of the NAND gate iC2. It is desirable that the NAND gate iC2 has hysteresis as an input characteristic. For example, TC40 manufactured by Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd.
A Schmidt NAND gate such as 93 can be used. NAND gate
The charge pulse PLS inverted by iC2 is the NAND gate iC
It is inverted again at 3 and input to the clock terminal CK of the D-flip-flop iC4 (for example, TC-4013 manufactured by Tokyo Shibaura Electric). The D-flip-flop iC4 latches the state (high-level) connected to the D terminal at the rising edge of the pulse applied to the clock terminal CK. That is, the terminal of the D-flip-flop iC4 goes low at the rising edge of the charge pulse PLS, as shown in FIG. 2 (b). The signal output to the D-flip-flop iC4 is connected to the base of the transistor Tr1 via the resistor R6. The resistor R7 connects the base and emitter of the transistor Tr1 and stabilizes the on / off operation of the transistor Tr1. The emitter of the transistor Tr1 is connected to the ground line, and the collector terminal has a constant voltage (8V) via the resistor R8.
Connected to the line. The collector of the transistor Tr1 is connected to the MOS field effect transistor FET2 via the resistor R9.
It is also connected to the gate terminal of. The drain of the field effect transistor FET2 is connected to the coil L1 for temporarily storing energy, and the other terminal of the coil L1 is connected to the positive line of the battery. The source terminal of the field effect transistor FET2 is connected to the ground line via the coil L1, and the resistor R3 for detecting the current flowing through the field effect transistor FET2. Further, zener diodes ZD3 and ZD4 are added between the drain terminal of the field effect transistor FET2 and the ground in the direction of connecting the cathode to the train side. Further, the source terminal of the field effect transistor FET2 is connected to the negative input terminal of the comparator iC5 via the resistor R10. Also, the comparator i
The negative input terminal of C5 is pulled up to a constant voltage (8V) by the resistor R14, and the current level detected by the resistor R3 is raised to the operable input voltage range of the comparator iC5. The reference potential is input to the positive input terminal of the comparator iC5 via the resistor R13. The reference potential is created by dividing the voltage between the constant voltage line (8V) and ground with resistors R11 and R12, and a capacitor C4 for stabilization is added in parallel with the resistor R12. The resistor R15 that connects the output of the comparator iC5 and the positive input terminal and the capacitor C5 that is inserted between the positive input terminal and the negative input terminal provide hysteresis to prevent malfunction due to noise. That is, the comparator iC5 is composed of the coil L1 and the MOS field effect transistor F.
Charge current I CHG flowing through ET2 and current detection resistor R3
Is increased and the level of the negative input terminal becomes a constant current I o that exceeds the reference potential, the output is inverted to the low level. The output of the comparator IC5 is connected to the first input of the NAND gate iC6, and the output of the NAND gate iC6 is the D-
It is connected to the clear terminal CL of the flip-flop iC4.
チャージパルスPLSの立ち上がりによりD−フリップフ
ロップiC4のD−ラッチはトリガされ、D−フリップフ
ロップiC4の出力はロウレベルに反転する(第2図
(b)−(3))。端子がロウレベルになるとトラン
ジスタTr1はベース電流が流れないため、コレクタ,エ
ミッタ間を遮断し、その結果電界効果トランジスタFET2
のゲートにハイレベル(定電圧源8V)が印加され、ドレ
イン,リース間が導通する。電界効果トランジスタFET2
が導通すると、コイルL1,電界効果トランジスタFET2お
よび抵抗R3の経路でチャージ電流I CHGが徐々に立ち上
がる(第2図(b)−(4))。チャージ電流I CHGの
増加と共に抵抗R3にかかる電圧も上昇し、コンパレータ
iC5の負入力端子の電位が上昇する。その結果、コンパ
レータiC5の正入力端子に印加されている基準電位を超
えた所で、コンパレータiC5の出力がロウレベルに反転
し、NANDゲートiC6を通じてD−フリップフロップiC4の
クリア端子がハイレベルとなり、Q端子がハイ−レベル
になる(第2図(b)−(3),(5))。その結果、
トランジタTr1のベース電流が流れ、そのトランジスタT
r1が導通し、電界効果トランジスタFET2のゲート電位は
ロウ−レベルに落とされ、電界効果トランジスタFET2は
オフする。すなわち、コンパレータiC5の正入力端子に
加えられる基準電位を、コイルL1に流れる電流が設定値
iOに達した時に出力が反転する様設定しておけば、バッ
テリ電圧に依らず、コイルL1に(1/2)LiO2のエネルギ
ーが蓄積される毎に電界効果トランジスタFET2がオフす
る閉ループを作ることができる。The rising of the charge pulse PLS triggers the D-latch of the D-flip-flop iC4, and the output of the D-flip-flop iC4 is inverted to the low level (FIGS. 2 (b)-(3)). When the terminal becomes low level, the transistor Tr1 does not flow the base current, so the collector-emitter is cut off, resulting in the field effect transistor FET2.
A high level (constant voltage source 8V) is applied to the gate of, and the drain and lease are electrically connected. Field effect transistor FET2
Is conducted, the charge current I CHG gradually rises in the path of the coil L1, the field effect transistor FET2 and the resistor R3 (FIG. 2 (b)-(4)). As the charge current I CHG increases, the voltage applied to the resistor R3 also increases,
The potential of the negative input terminal of iC5 rises. As a result, when the reference potential applied to the positive input terminal of the comparator iC5 is exceeded, the output of the comparator iC5 is inverted to the low level, the clear terminal of the D-flip-flop iC4 becomes the high level through the NAND gate iC6, and Q The terminal becomes high-level (Figs. 2 (b)-(3), (5)). as a result,
The base current of the transistor Tr1 flows and its transistor T
The r1 becomes conductive, the gate potential of the field effect transistor FET2 is dropped to the low level, and the field effect transistor FET2 is turned off. That is, the reference potential applied to the positive input terminal of the comparator iC5 is set to the set value by the current flowing through the coil L1.
If the output is inverted when iO is reached, a closed loop that turns off the field-effect transistor FET2 each time (1/2) LiO 2 energy is stored in the coil L1 regardless of the battery voltage is created. be able to.
次に、電界効果トランジスタFET2がオフした後、コイル
L1に蓄積されていたエネルギーを、高電圧蓄積手段をな
すコンデンサC1に移す制御回路及びその動作を説明す
る。電界効果トランジスタFET2のドレイン端子には、サ
イリスタTH1のアノードが接続されており、サイリスタT
H1のカソードは、高電圧蓄積手段としてのコンデンサC1
に接続されている。サイリスタTH1のアノードとゲート
端子には第2図(a)に示す様な極性で抵抗R2,ツェナ
ーダイオードZD2,およびダイオードD4がつながってい
る。コイルL1に(1/2)LiO2のエネルギーが蓄積されて
いる状態で電界効果トランジスタFET2がオフすると、コ
イルL1により、サージ電圧による高電圧が発生する。こ
の高電圧は抵抗R2,ツェナーダイオードZD2,およびダイ
オードD4を通じてサイリスタTH1をトリガするのに十分
なレベルを持っている。このトリガによりサイリスタTH
1はターンオンし、コイルL1に蓄積されていたエネルギ
ーは、コンデンサC1に移り高電圧として蓄積される。ま
た、サイリスタTH1は、コイルL1エネルギーがなくなる
まで、すなわちコイルL1からコンデンサC1への電流が流
れ続けている間、オン状態を保持し、電流が流れなくな
った時点で自動的にターンオフする。さらに、サイリス
タTH1の採用により、第1図(a)において電界効果ト
ランジスタFET1のオン時、つまり電磁弁駆動パルスτが
ハイレベルの時に、コイルL1,ダイオードD3,電磁弁V,電
界効果トランジスタFET1,および抵抗R1の経路で、意図
しない電流が流れてしまうことが防止できる。この第1
の実施例では、前記のチャージサイクルを、複数回(こ
の場合は2回)くり返すことにより、より大きなエネル
ギーをコンデンサC1に蓄積し、高電圧を発生させている
(第2図(b)−(8))。Next, after the field effect transistor FET2 is turned off, the coil
The control circuit that transfers the energy stored in L1 to the capacitor C1 that forms the high voltage storage means and its operation will be described. The anode of the thyristor TH1 is connected to the drain terminal of the field effect transistor FET2.
The cathode of H1 is a capacitor C1 as a high voltage storage means.
It is connected to the. A resistor R2, a zener diode ZD2, and a diode D4 are connected to the anode and gate terminal of the thyristor TH1 with the polarities shown in FIG. 2 (a). When the field effect transistor FET2 is turned off in the state where the energy of (1/2) LiO 2 is accumulated in the coil L1, the coil L1 generates a high voltage due to the surge voltage. This high voltage has a sufficient level to trigger thyristor TH1 through resistor R2, zener diode ZD2, and diode D4. Thyristor TH by this trigger
1 is turned on, and the energy stored in the coil L1 is transferred to the capacitor C1 and stored as a high voltage. Further, the thyristor TH1 maintains the ON state until the energy of the coil L1 is exhausted, that is, while the current continues to flow from the coil L1 to the capacitor C1, and is automatically turned off when the current stops flowing. Further, by adopting the thyristor TH1, when the field effect transistor FET1 is turned on in FIG. 1 (a), that is, when the solenoid valve drive pulse τ is at a high level, the coil L1, the diode D3, the solenoid valve V, the field effect transistor FET1, It is possible to prevent an unintended current from flowing through the path of the resistor R1. This first
In this embodiment, by repeating the charge cycle a plurality of times (two times in this case), a larger amount of energy is stored in the capacitor C1 and a high voltage is generated (Fig. 2 (b)- (8)).
以上第1の実施例における高電圧発生部10の基本的構成
と、その動作について詳述したが、さらに本実施例に
は、始動時などバッテリ電圧低下時や、電流検出フィー
ドバックループ故障時においても、高電圧発生機能を低
下させないために、時限タイマによる保護機能が存在す
る。すなわち、NANDゲートiC3の出力は単安定マルチバ
イブレータiC7のAトリガ端子に接続される。この単安
定マルチバイブレータiC7としては、東京芝浦電気社製T
C4528等が使用でき、Aトリガ端子の立ち上がりで出力
がロウ−レベルに反転し、以後コンデンサC6,抵抗R1
6,およびダイオードD7で決定される時間だけロウ−レベ
ルを維持し、ハイ−レベルに復帰する(第2図(c)−
(6))。さらに、単安定マルチバイブレータiC7の出
力はもう一つの単安定マルチバイブレータiC8のAト
リガ端子に接続されており、同様に、単安定マルチバイ
ブレータiC7の端子の立ち上がりから、コンデンサC7,
抵抗R17,およびダイオードD8で決定される期間だけ出力
をロウ−レベルにする(第2図(c)−(7))。単
安定マルチバイブレータiC8の出力端子は前記NANDゲ
ートiC6のいま一つの入力端子に接続されている。すな
わち、これらの回路は、たとえば機関の始動時などの特
殊な場合において、バッテリ電圧がかなり低下し、コイ
ルL1の内部抵抗等の影響で、コイルL1に設定された一定
電流Ioを流せなくなったときでも、設定された時間t3を
経過後には、電界効果トランジスタFET2をオフして、チ
ャージ電流I CHGがコンデンサC1に流れ続けるのを防止
すると共に、通常の動作よりも、蓄積エネルギーは多少
減るけれども、なおバッテリ電圧より高い電圧をコンデ
ンサC1に、延いては電磁弁Vにかけることを可能にし、
悪影響を最小限にくい止めることができる。尚、設定さ
れた時間t3は、バッテリ電圧の低下も考慮して、通常の
バッテリ電圧では、設定された一定電流Ioに達する時間
よりも充分大きく取ってある。また、時間t3はチャージ
パルスPLSの周期t2よりも小さく設定されている。The basic configuration and operation of the high-voltage generator 10 in the first embodiment have been described above in detail. Further, in the present embodiment, even when the battery voltage drops, such as during start-up, or when the current detection feedback loop fails. In order to prevent the high voltage generation function from deteriorating, there is a protection function with a timed timer. That is, the output of the NAND gate iC3 is connected to the A trigger terminal of the monostable multivibrator iC7. This monostable multivibrator iC7 is a T by Shibaura Electric Co., Ltd.
C4528, etc. can be used, the output is inverted to the low level at the rising edge of the A trigger terminal, and thereafter the capacitor C6 and the resistor R1
The low level is maintained for a time determined by 6, and the diode D7, and the high level is restored (Fig. 2 (c)-
(6)). Further, the output of the monostable multivibrator iC7 is connected to the A trigger terminal of another monostable multivibrator iC8, and similarly, from the rising edge of the terminal of the monostable multivibrator iC7, the capacitor C7,
The output is set to the low level only during the period determined by the resistor R17 and the diode D8 (Fig. 2 (c)-(7)). The output terminal of the monostable multivibrator iC8 is connected to another input terminal of the NAND gate iC6. That is, in these circuits, for example, in a special case such as when starting the engine, when the battery voltage is significantly reduced and the constant current Io set in the coil L1 cannot be flowed due to the internal resistance of the coil L1 and the like. However, after the set time t 3 , the field effect transistor FET2 is turned off to prevent the charge current I CHG from continuing to flow to the capacitor C1 and the stored energy is slightly reduced as compared with the normal operation. , Yet it is possible to apply a voltage higher than the battery voltage to the capacitor C1 and thus to the solenoid valve V,
The adverse effects can be minimized. It should be noted that the set time t 3 is set to be sufficiently longer than the time to reach the set constant current Io at the normal battery voltage in consideration of the decrease in the battery voltage. Further, the time t 3 is set to be smaller than the cycle t 2 of the charge pulse PLS.
以上述べた様に、本発明の第1の実施例に依れば、電磁
弁Vのプル−イン(開弁)時に消費されるべき高電圧エ
ネルギーを各サイクル毎、計量しながら蓄積しているた
め、電磁弁Vの応答遅れ(開弁遅れ)を大幅に短縮で
き、かつバッテリ電圧に依らない応答特性を、簡単な回
路構成で実現できる。また時限回路により、バッテリ電
圧異常低下時にも、問題なく電磁弁Vの動作を保証でき
る。さらに、高電圧蓄積手段としてのコンデンサC1にも
れ電流の少ないものを採用すれば、一旦、必要エネルギ
ーをチャージした後の放電による電圧低下は少なく、再
チャージの必要がない。その結果、望ましくない位相、
たとえば電磁弁駆動パルスτがハイ−レベルであり電磁
弁に通電している時での再チャージも起り得ない。As described above, according to the first embodiment of the present invention, the high voltage energy that should be consumed when the solenoid valve V is pulled in (valve open) is accumulated while being measured in each cycle. Therefore, the response delay (valve opening delay) of the solenoid valve V can be significantly reduced, and the response characteristic independent of the battery voltage can be realized with a simple circuit configuration. Further, the operation of the solenoid valve V can be guaranteed without a problem even when the battery voltage is abnormally reduced by the time-limit circuit. Furthermore, if a capacitor with a small leakage current is used as the high-voltage storage means, the voltage drop due to discharge once the necessary energy is once charged is small and recharging is not necessary. As a result, undesired phase,
For example, the solenoid valve drive pulse τ is at a high level, and recharging cannot occur when the solenoid valve is energized.
「その他の実施例」 高電圧を発生するためのチャージパルスの回数は1回で
も複数回でも良いが、回数が少ないと、インダクタンス
の大きなコイルが必要となる。また、少量ずつの多数回
に分割すると、チャージが終了するまでの時間がかかる
ため、2〜3回に分けて、必要エネルギーを蓄積するの
が良い。Other Embodiments The number of charge pulses for generating a high voltage may be one or more, but if the number is small, a coil with a large inductance is required. Also, if the charge is divided into a large number of times, it takes time to complete the charge, so it is preferable to accumulate the required energy in two or three times.
また、第1の実施例において、パワー素子としてMOS形
電界効果トランジタを採用した回路を示したが、もちろ
んパワートランジスタでも同様の効果が期待できる。Further, in the first embodiment, the circuit in which the MOS type field effect transistor is adopted as the power element is shown, but the same effect can be expected of course with the power transistor.
コンデンサC1は必要な容量を一つの素子で実現する必要
はなく、複数個並列に実装することができる。また複数
個実装した方が、1個当りの電流容量は少なくてすむ。The capacitor C1 does not need to realize the required capacitance with one element, and a plurality of capacitors can be mounted in parallel. In addition, mounting a plurality of devices requires less current capacity.
また、高電圧を蓄積するためのコンデンサC1をサイリス
タTH1のカソードと接地間に挿入せずに、第3図に示す
第2の実施例の様にサイリスタTH1のカソードとバッテ
リ電位との間に挿入しても良い。Further, the capacitor C1 for accumulating high voltage is not inserted between the cathode of the thyristor TH1 and the ground, but is inserted between the cathode of the thyristor TH1 and the battery potential as in the second embodiment shown in FIG. You may.
第3の実施例としては第4図(a)に示す通り、演算増
幅器iC70を使用してコイルL1を流れる電流を一定に制御
し、電流が一定に制御されている任意の時間にトランジ
スタTr70をオフすることも考えられる。すなわち、第4
図(b)の様に端子2に加えられるチャージパルスPLS
がオンになると、電流制御を開始し、チャージ電流I CH
Gを一定電流Ioに制御する。その後、チャージパルスPLS
がオフするタイミングでトランジスタTr70をオフし、コ
イルL1に蓄積しているエネルギー(1/2)L Io2をコンデ
ンサC1に移すものである。この場合、第4図(b)のチ
ャージ電流I CHG波形に破線で示す様に、バッテリ電圧
により一定電流Ioに達する時間が異なるため、パルスを
出力する演算装置40において、適切なパルス幅を持った
チャージパルスPLSを出力する必要がある。As a third embodiment, as shown in FIG. 4 (a), the current flowing through the coil L1 is controlled to be constant by using the operational amplifier iC70, and the transistor Tr70 is controlled at any time when the current is controlled to be constant. It may be turned off. That is, the fourth
Charge pulse PLS applied to terminal 2 as shown in Figure (b)
When is turned on, the current control starts and the charge current I CH
Control G to constant current Io. After that, charge pulse PLS
The transistor Tr70 is turned off at the timing when is turned off, and the energy (1/2) L Io 2 accumulated in the coil L1 is transferred to the capacitor C1. In this case, as indicated by a broken line in the charge current I CHG waveform of FIG. 4 (b), since the time to reach the constant current Io varies depending on the battery voltage, the arithmetic unit 40 that outputs a pulse has an appropriate pulse width. It is necessary to output the charged pulse PLS.
第4の実施例としては、第5図(a)に示す通り、第1
の実施例において採用した時限タイマによる保護機能
を、演算回路において実現することが考えられる。すな
わち、第5図(b)に示す通り、チャージ電流が設定さ
れた一定電流Ioに達したことを検出して電界効果トラン
ジスタFET2をオフするループと共に、チャージパルスPL
Sの立ち下がりにおいても電界効果トランジスタFET2を
オフする様な保護回路を付加した例である。この場合も
第3の実施例と同様に、パルスを検出する演算装置にお
いて、適切なパルス幅を持ったチャージパルスPLSを出
力する必要がある。As a fourth embodiment, as shown in FIG.
It is conceivable to implement the protection function by the timed timer adopted in the embodiment in the arithmetic circuit. That is, as shown in FIG. 5 (b), the charge pulse PL is detected together with the loop for detecting that the charge current has reached the set constant current Io and turning off the field effect transistor FET2.
This is an example in which a protection circuit is added to turn off the field effect transistor FET2 even when S falls. Also in this case, as in the third embodiment, it is necessary to output the charge pulse PLS having an appropriate pulse width in the arithmetic unit for detecting the pulse.
また、第6図に示す第5の実施例の様にチャージパルス
PLSを、演算装置から入力せずに、駆動パルスτを基準
として一つ、または複数のパルスを出力するパルス発生
部50を設けることも考えられる。この様なパルス発生部
50は、単安定マルチバイブレータやゲートを組み合わせ
て容易に実現できる。第6図において、抵抗R90が高電
圧蓄積手段をなすコンデンサC1に並列に挿入されてい
る。この抵抗R90は、通常の電磁弁動作周期では、放電
が無視できる程度で、かつシステム停止時には、高電圧
を徐々に放電し、安全を確保できる様設定されている。In addition, as in the fifth embodiment shown in FIG.
It is also conceivable to provide the pulse generator 50 that outputs one or a plurality of pulses based on the drive pulse τ without inputting PLS from the arithmetic unit. Such a pulse generator
The 50 can be easily realized by combining a monostable multivibrator and a gate. In FIG. 6, a resistor R90 is inserted in parallel with a capacitor C1 forming a high voltage storage means. The resistor R90 is set so that discharge can be ignored in a normal electromagnetic valve operation cycle, and high voltage is gradually discharged when the system is stopped to ensure safety.
また第7図に示す第6の実施例の様に、複数の電磁弁V
1,V2…VNも同様な方法で制御することができる。Further, as in the sixth embodiment shown in FIG. 7, a plurality of solenoid valves V
1, V2 ... VN can be controlled in the same way.
「効果」 以上述べたように、本発明の電磁弁駆動回路は上記の構
成を有するから、電磁弁の応答遅れを短縮することがで
きると共に、回路構成が簡単であり、さらにバッテリ電
圧や動作環境が変化しても電磁弁の応答性のばらつきが
少ないなどの優れた効果がある。"Effects" As described above, the solenoid valve drive circuit of the present invention has the above-described configuration, so that the response delay of the solenoid valve can be shortened, the circuit configuration is simple, and the battery voltage and operating environment can be reduced. Even if the value changes, there is an excellent effect that there is little variation in the response of the solenoid valve.
第1図(a)は本発明の第1の実施例による電磁弁駆動
回路を示す回路図、第1図(b)はその第1の実施例の
各部の波形を示すタイミングチャート,第2図(a)は
第1の実施例における高電圧発生部の詳細を示す回路
図、第2図(b)は通常時における第1の実施例の動作
を説明するためのタイミングチャート、第2図(c)は
第1の実施例の保護機能を説明するためのタイミングチ
ャート、第3図は高電圧を蓄積するためのコンデンサの
挿入位置を変更した第2の実施例を示す回路図、第4図
(a)は高電圧発生部の構成を変更した第3の実施例を
示す回路図、第4図(b)はその第3の実施例の動作を
示すタイミングチャート、第5図(a)は高電圧発生部
の構成を変更した第4の実施例を示す回路図、第5図
(b)はそのタイミングチャート、第6図は本発明の第
5の実施例を示す回路図、第7図は第6の実施例を示す
回路図であり、第8図から第10図は従来例を示す図であ
る。 10:高電圧発生部、20:駆動制御部 30:定電流回路部、L1:コイル C1:コンデンサ V,V1,V2……VN:電磁弁 IC7,IC8:単安定マルチバイブレータ 11:チャージ電流制御回路 12:電流検出回路FIG. 1 (a) is a circuit diagram showing an electromagnetic valve drive circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1 (b) is a timing chart showing waveforms of respective parts of the first embodiment, and FIG. FIG. 2A is a circuit diagram showing details of the high voltage generator in the first embodiment, FIG. 2B is a timing chart for explaining the operation of the first embodiment in a normal state, and FIG. c) is a timing chart for explaining the protection function of the first embodiment, FIG. 3 is a circuit diagram showing the second embodiment in which the insertion position of the capacitor for accumulating a high voltage is changed, and FIG. FIG. 4A is a circuit diagram showing a third embodiment in which the configuration of the high voltage generator is changed, FIG. 4B is a timing chart showing the operation of the third embodiment, and FIG. FIG. 5B is a circuit diagram showing a fourth embodiment in which the configuration of the high voltage generator is changed, and FIG. A chart, FIG. 6 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the present invention, FIG. 7 is a circuit diagram showing a sixth embodiment, and FIGS. 8 to 10 are diagrams showing a conventional example. . 10: High voltage generator, 20: Drive controller, 30: Constant current circuit, L1: Coil C1: Capacitor V, V1, V2 …… VN: Solenoid valve IC7, IC8: Monostable multivibrator 11: Charge current control circuit 12: Current detection circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−203829(JP,A) 特開 昭59−220906(JP,A) 特開 昭60−50011(JP,A) 特開 昭59−85434(JP,A) 特開 昭58−187537(JP,A) 特開 昭58−165858(JP,A) 特公 昭49−46582(JP,B1) ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) Reference JP-A-57-203829 (JP, A) JP-A-59-220906 (JP, A) JP-A-60-50011 (JP, A) JP-A-59- 85434 (JP, A) JP 58-187537 (JP, A) JP 58-165858 (JP, A) JP 49-46582 (JP, B1)
Claims (3)
の電磁弁の開閉を制御する電磁弁駆動回路において、電
磁弁通電開始時に高電圧を印加するための車載用電源電
圧を超える高電圧発生手段と、 電磁弁に、動作状態をホールドするための一定電流を流
す定電流回路と、 電磁弁の開閉を制御するスイッチング回路とを含み、 前記高電圧発生手段は、エネルギーを一時蓄積するため
のコイルと、高電圧を蓄積するための高電圧蓄積手段
と、コイルに蓄積したエネルギーを、高電圧蓄積手段に
移す制御回路により構成され、 前記制御回路は、コイルに流れる電流が設定値になった
時に、コイルに一時蓄積されているエネルギーを、高電
圧蓄積手段に移す様動作し、さらに本動作を、電磁弁へ
の通電開始に先立って、少なくとも一回行なうことを特
徴とする電磁弁駆動回路。1. A solenoid valve drive circuit for controlling the opening and closing of at least one solenoid valve operated by an on-vehicle power supply, and a high voltage generating means for applying a high voltage at the start of energization of the solenoid valve, the high voltage generating means exceeding the on-vehicle power supply voltage. A constant current circuit for flowing a constant current for holding an operating state in the solenoid valve, and a switching circuit for controlling opening / closing of the solenoid valve, wherein the high voltage generating means includes a coil for temporarily storing energy. The high voltage storage means for storing a high voltage, and the energy stored in the coil is constituted by a control circuit that transfers the high voltage storage means, the control circuit, when the current flowing through the coil reaches a set value, Operate to transfer the energy temporarily stored in the coil to the high-voltage storage means, and perform this operation at least once before starting the energization of the solenoid valve. Solenoid valve drive circuit characterized by.
ルに蓄積したエネルギーを、高電圧蓄積手段に移すタイ
ミングとして、コイルに流れる電流が設定値になった時
に加え、コイルに電流を流し始めてから、設定された時
間だけ、経過した場合にも行なうことを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項記載の電磁弁駆動回路。2. The control circuit of the high voltage generating means applies a current to the coil when the current accumulated in the coil is transferred to the high voltage accumulating means when the current flowing in the coil reaches a set value. The electromagnetic valve drive circuit according to claim (1), which is performed even after a set time has elapsed since the start.
通電していない時に、バッテリ電圧を超える高電圧を発
生させることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項ま
たは第(2)項記載の電磁弁駆動回路。3. The high voltage generating means generates a high voltage exceeding the battery voltage when all the solenoid valves are not energized, and the high voltage generating means according to claim (1) or (2). ) The solenoid valve drive circuit described in the item.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17727786A JPH0726701B2 (en) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | Solenoid valve drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17727786A JPH0726701B2 (en) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | Solenoid valve drive circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334387A JPS6334387A (en) | 1988-02-15 |
| JPH0726701B2 true JPH0726701B2 (en) | 1995-03-29 |
Family
ID=16028234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17727786A Expired - Lifetime JPH0726701B2 (en) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | Solenoid valve drive circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726701B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19803414B4 (en) * | 1997-04-18 | 2009-11-19 | Mitsubishi Denki K.K. | System for controlling a fuel injection device |
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-
1986
- 1986-07-28 JP JP17727786A patent/JPH0726701B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE19803414B4 (en) * | 1997-04-18 | 2009-11-19 | Mitsubishi Denki K.K. | System for controlling a fuel injection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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