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JPH0732054B2 - Surge absorption element - Google Patents
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JPH0732054B2 - Surge absorption element - Google Patents

Surge absorption element

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Publication number
JPH0732054B2
JPH0732054B2 JP59020724A JP2072484A JPH0732054B2 JP H0732054 B2 JPH0732054 B2 JP H0732054B2 JP 59020724 A JP59020724 A JP 59020724A JP 2072484 A JP2072484 A JP 2072484A JP H0732054 B2 JPH0732054 B2 JP H0732054B2
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JP
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thin film
conductive thin
surge
absorbing element
electrodes
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JP59020724A
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隆明 伊藤
知男 浅見
敏幸 和気
薫 伊東
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Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気設備等を雷害、静電気、ノイズなどのサー
ジから保護するためのサージ吸収素子に関し、さらに詳
しくは、絶縁体の表面に間隙を介して導電性薄膜を形成
してなるサージ吸収素子の改良に関する。
The present invention relates to a surge absorbing element for protecting electrical equipment and the like from surges such as lightning damage, static electricity and noise, and more specifically, a conductive thin film is formed on the surface of an insulator via a gap. The present invention relates to improvement of a surge absorbing element formed.

本出願人は、放電おくれが少なく、静電容量が小さく、
放電性能の優れたサージ吸収素子を開発し、開示してい
る(特公昭55−43595、特公昭56−44547、特開昭53−84
8、特開昭55−128238、特開昭56−168379、実開昭56−1
30291)。
The applicant has a small discharge delay, a small capacitance,
We have developed and disclosed surge absorbing elements with excellent discharge performance (Japanese Patent Publication No. 55-43595, Japanese Patent Publication No. 56-44547, Japanese Patent Publication No. 53-84).
8, JP-A-55-128238, JP-A-56-168379, actual development Sho 56-1
30291).

これらのサージ吸収素子は、絶縁体の表面に導電性薄膜
を形成し、該導電性薄膜を間隙を介して複数個に分割
し、該分割した導電性薄膜に電気伝導度の高い金属ない
しは合金の電極をそれぞれ該導電性薄膜に密着させてな
るものである。このようなサージ吸収素子は、電極間に
サージ電圧が印加され、それがある指定値に達すると、
まず導電性薄膜の間隙部に電子が発生して放電が行わ
れ、次いで電極を形成する金属片または合金片間にアー
ク放電を生じ、これによってサージを吸収する。
In these surge absorbing elements, a conductive thin film is formed on the surface of an insulator, the conductive thin film is divided into a plurality of gaps, and the divided conductive thin film is made of a metal or an alloy having high electric conductivity. Each of the electrodes is in close contact with the conductive thin film. In such a surge absorption element, when a surge voltage is applied between the electrodes and it reaches a certain specified value,
First, electrons are generated in the gap of the conductive thin film to cause discharge, and then arc discharge is generated between the metal pieces or alloy pieces forming the electrodes, thereby absorbing the surge.

本発明は、このような優れた特性をもつサージ吸収素子
の寿命特性をさらに大幅に改善するために研究の結果、
開発されたものである。
The present invention, as a result of research for further significantly improving the life characteristics of the surge absorbing element having such excellent characteristics,
It was developed.

本発明の目的は、上記サージ吸収素子の特性を損なうこ
となく、その寿命を大幅に延長することのできるサージ
素子を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a surge element capable of significantly extending its life without impairing the characteristics of the surge absorbing element.

本発明の他の目的は、サージ吸収素子が設置される環境
が適正でない場合に、環境からの汚染による信頼性の低
下を防止することのできるサージ吸収素子を提供するこ
とにある。
Another object of the present invention is to provide a surge absorbing element capable of preventing a decrease in reliability due to contamination from the environment when the environment in which the surge absorbing element is installed is not appropriate.

本発明によれば、サージ吸収素子は、円筒状絶縁体と、
絶縁体の表面を被覆すると共に円筒の長手方向中心に対
して対称に形成され複数個の間隙を介して輪切り状に分
割された導電性薄膜と、分割した導電性薄膜の両端の薄
膜に密着した一対の電極からなり、電極には相互に対向
する対向電極を導電性薄膜より離隔した位置に導電性薄
膜を囲繞して対設し、この対向端部においてアーク放電
するので、導電性薄膜の劣化が防止される。
According to the present invention, the surge absorber is a cylindrical insulator,
A conductive thin film that covers the surface of the insulator and is symmetrically formed with respect to the longitudinal center of the cylinder, and is divided into a plurality of gaps in a ring shape, and adheres to the thin films at both ends of the divided conductive thin film. It consists of a pair of electrodes, and opposite electrodes facing each other are placed opposite to each other by surrounding a conductive thin film at a position separated from the conductive thin film, and arc discharge occurs at the opposite ends, so the conductive thin film deteriorates. Is prevented.

従って、サージ吸収素子の寿命が大幅に延長され、その
優れた放電特性と相俣って産業界に貢献するところが大
である。
Therefore, the life of the surge absorbing element is greatly extended, which contributes to the industrial world in combination with its excellent discharge characteristics.

以下、本発明を図面を参照し実施例によってさらに具体
的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以
下の実施例に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded.

第1図は、本発明の一実施例のサージ吸収素子10の縦断
面図である。
FIG. 1 is a vertical sectional view of a surge absorber 10 according to an embodiment of the present invention.

絶縁体11は、誘電率の小さいムライト磁器、フォルステ
ライト磁器、アルミナ磁器などの絶縁物質の成形体で、
その形状は特に限定されない。この絶縁体11の表面には
導電性薄膜12が付着されている。この誘電性薄膜12とし
ては、酸化錫(SnO2)、酸化ニオブ(Nb2O5)等の金属
酸化物、窒化チタン(TiN)、窒化タンタル(TaN)等の
金属窒化物、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)等の
単一金属、またはカーボン(C)等、いわゆる導電性薄
膜ならば、特にその物質は限定されない。この導電性薄
膜12を絶縁体11に着膜する方法としては、化学蒸着法、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法(特願昭57−81504)、吹き付け法等があるが、その
方法は限定されない。
The insulator 11 is a molded body of an insulating material such as mullite porcelain, forsterite porcelain, and alumina porcelain having a small dielectric constant.
The shape is not particularly limited. A conductive thin film 12 is attached to the surface of the insulator 11. Examples of the dielectric thin film 12 include metal oxides such as tin oxide (SnO 2 ) and niobium oxide (Nb 2 O 5 ), titanium nitride (TiN), metal nitrides such as tantalum nitride (TaN), and aluminum (Al). The substance is not particularly limited as long as it is a single metal such as nickel, nickel (Ni), or so-called conductive thin film such as carbon (C). As a method for depositing the conductive thin film 12 on the insulator 11, a chemical vapor deposition method,
There are vacuum vapor deposition method, sputtering method, ion plating method (Japanese Patent Application No. 57-81504), spraying method and the like, but the method is not limited.

導電性薄膜12は狭い間隙13を介して複数個に分割されて
いる。この間隙13は例えば10〜50μm程度の幅を持つも
のである。間隙13の形成方法は、例えば、絶縁体11に導
電性薄膜を着膜した後、レーザ光線またはダイヤモンド
の刃などを使用して、導電性薄膜12に切り目を設けるこ
とによって達成することができる。これらの導電性薄膜
12を分割している間隙13は一般に狭い方が好ましい。間
隙13の幅として狭いものが要求される場合は、レーザ光
線を使用すればよく、10μm幅までの安定した間隙13を
得ることができる。
The conductive thin film 12 is divided into a plurality of parts with a narrow gap 13 therebetween. The gap 13 has a width of, for example, about 10 to 50 μm. The method of forming the gap 13 can be achieved by, for example, depositing a conductive thin film on the insulator 11 and then making a cut in the conductive thin film 12 using a laser beam or a diamond blade. These conductive thin films
It is generally preferable that the gap 13 dividing 12 is narrow. If a narrow gap 13 is required, a laser beam may be used, and a stable gap 13 up to a width of 10 μm can be obtained.

導電性薄膜13の両端部に一対の電極14,14が密着して取
り付けられる。
A pair of electrodes 14, 14 are attached to both ends of the conductive thin film 13 in close contact with each other.

電極14,14は、一対の耐食性に富み、かつ電気伝導度の
高い金属ないしは合金からなる。電極14,14は、導電性
薄膜12より離隔させた位置において相互に対向する対向
電極15,15を有している。
The electrodes 14 and 14 are made of a pair of metals or alloys having high corrosion resistance and high electric conductivity. The electrodes 14 and 14 have counter electrodes 15 and 15 that face each other at positions separated from the conductive thin film 12.

この対向電極15,15は本発明のサージ吸収素子10が放電
するとき薄膜12から離れた位置でアーク放電し薄膜12の
劣化を起こさないためのものである。
The counter electrodes 15 and 15 are for preventing arcing at a position apart from the thin film 12 when the surge absorbing element 10 of the present invention discharges and causing deterioration of the thin film 12.

電極14の材料としては、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ニッケ
ル(Ni)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)などの金属、
または黄銅、燐青銅、洋白、ステンレススチールなどの
合金を使用することができる。対向電極15と電極14とは
同一材料でもよく、また異種の材料を組み合わせた構成
とすることももちろん可能である。
The material of the electrode 14 is a metal such as copper (Cu), zinc (Zn), nickel (Ni), aluminum (Al), iron (Fe),
Alternatively, alloys such as brass, phosphor bronze, nickel silver and stainless steel can be used. The opposite electrode 15 and the electrode 14 may be made of the same material, or may be of a combination of different materials.

電極14,14を形成するそれぞれの金属片または合金片の
形状や対向電極15,15の形状は限定されない。
The shape of each metal piece or alloy piece forming the electrodes 14, 14 and the shape of the counter electrodes 15, 15 are not limited.

本発明のサージ吸収素子の作用は次の通りである。The operation of the surge absorbing element of the present invention is as follows.

両端の電極14,14間にサージが印加された場合、サージ
電圧は、導電性薄膜12,12を通して間隙13の両側にかか
り、間隙13近傍に電界が集中する。従って、サージ電圧
がある値に達すると、僅かな距離で相互に分離されてい
る導電性薄膜12,12間の間隙13の部分に電子が発生し
て、まず間隙13の両側間で放電を起こす。この時、サー
ジのエネルギーによって種々の放電状態となる。まず、
サージのエネルギーが小さい場合は、間隙13の両側間で
のみ放電を生じるが、サージのエネルギーが高いと間隙
13の両側間での放電は電極14,14間のアーク放電に移行
する。このアーク放電によってサージが吸収される。
When a surge is applied between the electrodes 14 on both ends, the surge voltage is applied to both sides of the gap 13 through the conductive thin films 12 and 12, and the electric field is concentrated near the gap 13. Therefore, when the surge voltage reaches a certain value, electrons are generated in a portion of the gap 13 between the conductive thin films 12, 12 which are separated from each other by a short distance, and a discharge is first generated between both sides of the gap 13. . At this time, the energy of the surge causes various discharge states. First,
If the energy of the surge is small, discharge will occur only between the two sides of the gap 13, but if the energy of the surge is high, the gap will be discharged.
The discharge between both sides of 13 shifts to an arc discharge between electrodes 14 and 14. The surge is absorbed by this arc discharge.

本発明は、電極の構造として、アーク放電を生じる対向
電極15,15を導電性薄膜12より離れた位置に対設してお
くことによって、エネルギーの高いサージが印加された
場合、導電性薄膜12より離れた位置で電極間放電を行な
わせ、アーク放電によって発生する高熱が導電性薄膜12
に及ぼす影響を抑制し、導電性薄膜12の劣化を防止し、
このことによって、サージ吸収素子10の寿命特性を飛躍
的に改善するものである。
The present invention, as the structure of the electrode, by providing the counter electrodes 15 and 15 that generate arc discharge in a position distant from the conductive thin film 12, the conductive thin film 12 when a high energy surge is applied. The high heat generated by the arc discharge causes the conductive thin film 12
Suppresses the influence on, to prevent the deterioration of the conductive thin film 12,
As a result, the life characteristics of the surge absorbing element 10 are dramatically improved.

本発明によってサージ吸収素子の寿命が改善された一例
を第2図に示す。第2図はサージ印加回数に対する絶縁
抵抗値の推移を描いた寿命特性図で、サージとしては、
(1.2×50)μ sec,5KVの標準雷サージを印加し、サー
ジ吸収素子の絶縁抵抗の値を観測したものである。
An example in which the life of the surge absorbing element is improved by the present invention is shown in FIG. Fig. 2 is a life characteristic diagram showing the change of insulation resistance value with respect to the number of times of surge application.
A standard lightning surge of (1.2 × 50) μsec, 5KV was applied and the insulation resistance of the surge absorber was observed.

第2図中の曲線(a)は従来の構造のサージ吸収素子す
なわち導電性薄膜12から離隔した対向電極15,15を有し
ないサージ吸収素子の例であり、アーク放電を生じる電
極部分と導電性薄膜12との間に空間のないものである。
第2図中の曲線(b)は本発明によるサージ吸収素子の
例であり、電極のアーク放電を生じる対向電極15,15と
導電性薄膜12との間に空間のあるものである。
A curve (a) in FIG. 2 is an example of a surge absorbing element having a conventional structure, that is, a surge absorbing element having no opposing electrodes 15 and 15 separated from the conductive thin film 12, and the electrode portion which causes arc discharge and the conductivity. There is no space between the thin film 12 and the thin film 12.
The curve (b) in FIG. 2 is an example of the surge absorbing element according to the present invention, and there is a space between the counter electrodes 15 and 15 and the conductive thin film 12 which cause arc discharge of the electrodes.

第2図から明らかなように、雷サージのようなエネルギ
ーの高いサージを印加した場合、従来のサージ吸収素子
に比較して、本発明のサージ吸収素子では、アーク放電
が導電性薄膜に及ぼす影響が抑えられるため、寿命特性
において、大幅な改善が見られる。
As is apparent from FIG. 2, when a surge having high energy such as lightning surge is applied, the effect of arc discharge on the conductive thin film in the surge absorbing element of the present invention is higher than that in the conventional surge absorbing element. Therefore, the life characteristics are significantly improved.

本発明の別の実施例のサージ吸収素子30の縦断面図を第
3図に示す。
FIG. 3 is a vertical sectional view of a surge absorbing element 30 according to another embodiment of the present invention.

このサージ吸収素子30は円柱状のフォルステライト磁器
31と、この全表面に間隙33を介して付着された2分割の
酸化スズ薄膜32と、フォルステライト磁器31より大径の
キャップ状ニッケル電極34,34とから成る。このキャッ
プ状ニッケル電極34,34はフォルステライト磁器31の両
端に配設され、2分割された酸化スズ薄膜32の両端に密
着している。キャップ状ニッケル電極34,34の周辺部は
酸化スズ薄膜32と離隔した位置において相互に対向して
対向電極35,35を形成している。
This surge absorber 30 is a cylindrical forsterite porcelain
31, a two-divided tin oxide thin film 32 adhered to the entire surface via a gap 33, and cap-shaped nickel electrodes 34, 34 having a diameter larger than that of the forsterite porcelain 31. The cap-shaped nickel electrodes 34, 34 are arranged at both ends of the forsterite porcelain 31 and are in close contact with both ends of the tin oxide thin film 32 divided into two parts. Peripheral portions of the cap-shaped nickel electrodes 34, 34 are opposed to each other at positions separated from the tin oxide thin film 32 to form counter electrodes 35, 35.

このサージ吸収素子30は次のようにして製造される。The surge absorbing element 30 is manufactured as follows.

絶縁体として円柱状のフォルステライト磁器31を用い
て、このフォルステライト磁器31の全表面に、酸化スズ
(SnO2)薄膜32を吹き付け法にて着膜した後、該酸化ス
ズ薄膜32に、円柱状のフォルステライト磁器のほぼ中央
部の円周に沿って、YAGレーザを用いて約50μm幅の間
隙33を1本入れ、該酸化スズ薄膜32を2個の部分に分割
した後、ニッケルよりなる一対のキャップ状の電極34,3
4を2個に分割された該酸化スズ薄膜32の最両端に密着
させる。
A cylindrical forsterite porcelain 31 is used as an insulator, a tin oxide (SnO 2 ) thin film 32 is deposited on the entire surface of the forsterite porcelain 31 by a spraying method, and then the tin oxide thin film 32 is coated with a circle. A YAG laser is used along the circumference of the column-shaped forsterite porcelain to form one gap 33 of about 50 μm width, and the tin oxide thin film 32 is divided into two parts, which are then made of nickel. A pair of cap-shaped electrodes 34,3
4 is attached to the outermost ends of the tin oxide thin film 32 divided into two pieces.

この実施例では、キャップ状の電極34,34は酸化スズ薄
膜32の外径の約1.5倍の直径の周縁部を有し、この周縁
部が相互に対向電極35,35を形成しており、アーク放電
は対向電極35,35間で生じ、酸化スズ薄膜より離隔して
いるので、酸化スズの劣化が防止され、長寿命である。
In this embodiment, the cap-shaped electrodes 34, 34 have a peripheral portion having a diameter of about 1.5 times the outer diameter of the tin oxide thin film 32, and the peripheral portions form counter electrodes 35, 35 with each other. The arc discharge is generated between the counter electrodes 35, and is separated from the tin oxide thin film, so that the deterioration of tin oxide is prevented and the life is long.

第4図は、サージ吸収素子が設置される環境からの汚染
による該サージ吸収素子の信頼性の低下防止対策とし
て、サージ吸収素子40が絶縁性に富んだ材質の外被を備
えていることを特徴とする実施例である。
FIG. 4 shows that the surge absorbing element 40 has an outer cover made of a highly insulating material as a measure for preventing the reliability of the surge absorbing element from being deteriorated due to contamination from the environment in which the surge absorbing element is installed. It is a characteristic embodiment.

この実施例では、絶縁体として円柱状のムライト磁器41
を用いて該ムライト磁器41の全表面にカーボン(C)薄
膜42を吹き付け法にて着膜している。該カーボン薄膜42
にYAGレーザを用いて約30μm幅の間隙43を2本入れ、
該カーボン薄膜42は3個の部分に分割されている。
In this embodiment, a cylindrical mullite porcelain 41 is used as an insulator.
The carbon (C) thin film 42 is deposited on the entire surface of the mullite porcelain 41 by a spraying method. The carbon thin film 42
Using a YAG laser, insert two gaps 43 of about 30 μm width,
The carbon thin film 42 is divided into three parts.

ムライト磁器41が全体の中心部に位置するように、ムラ
イト磁器41の両端が嵌挿される凹凸を中央部に設けたス
テンレススチールよりなるキャップ状の電極44を、3個
に分割された上記カーボン薄膜42の両端部に密着してい
る。外部環境からの汚染によってムライト磁器41、カー
ボン薄膜42の信頼性が低下するのを防止する対策とし
て、該ムライト磁器41、該カーボン薄膜42、および該ス
テンレススチール電極44を包むように絶縁性外被45を用
いて、ステンレススチール電極44と、絶縁性外被45とを
封着部46で封着させたものである。
The carbon thin film obtained by dividing the cap-shaped electrode 44 made of stainless steel into three parts, in which the both ends of the mullite porcelain 41 are fitted in the central part so that the mullite porcelain 41 is located at the center, is divided into three parts. It sticks to both ends of 42. As a measure for preventing the reliability of the mullite porcelain 41 and the carbon thin film 42 from being deteriorated due to the contamination from the external environment, the insulating jacket 45 so as to wrap the mullite porcelain 41, the carbon thin film 42, and the stainless steel electrode 44. Is used to seal the stainless steel electrode 44 and the insulating jacket 45 at the sealing portion 46.

この場合、該絶縁性外被45の材質としては、鉛ガラス、
硬質ガラス等のガラス材、アルミナ、フォルステライ
ト、ステアタイト等のセラミックス材、エポキシ、PBT
等の樹脂材等、絶縁性に富んだ材質ならばよく、またそ
の形状も限定されない。
In this case, the material of the insulating jacket 45 is lead glass,
Glass materials such as hard glass, ceramic materials such as alumina, forsterite, steatite, epoxy, PBT
Any material having a high insulating property, such as a resin material such as, may be used, and the shape thereof is not limited.

この実施例は、絶縁性の外被45を備え、この外被45は、
絶縁体であるムライト磁器41と少なくとも対向電極47,4
7の対向する端部とを封入しており、サージ吸収素子が
設置されている環境からの汚染の影響を受けることがな
く長寿命である。
This embodiment includes an insulating jacket 45, which is
Mullite porcelain 41, which is an insulator, and at least counter electrodes 47, 4
It has a long life without being affected by contamination from the environment in which the surge absorber is installed by enclosing 7 opposite ends.

第5図に示す実施例50は、前記サージ吸収素子におい
て、被覆する絶縁性外被との密着性の良い金属もしくは
合金55,55を一対の電極54,54のそれぞれの外面に固着
し、該金属もしくは合金55,55と該絶縁性外被57とを封
着させたことを特徴とする実施例である。
In the embodiment 50 shown in FIG. 5, in the surge absorbing element, metals or alloys 55, 55 having good adhesion to the insulating outer covering are fixed to the outer surfaces of the pair of electrodes 54, 54, respectively. This is an embodiment characterized in that the metal or alloy 55, 55 and the insulating jacket 57 are sealed.

この場合、密着性の高い絶縁性外被57と金属もしくは合
金55,55との組み合わせとしては、鉛ガラスとジュメッ
ト、硬質ガラスとコバール、セラミックス(ステアタイ
ト、フォルステライト等)とコバール等の組み合わせが
好適である。しかし、これらについてもその組み合わせ
については、特に限定されるものではない。
In this case, as the combination of the highly insulating insulating jacket 57 and the metal or alloy 55, 55, a combination of lead glass and Dumet, hard glass and Kovar, ceramics (steatite, forsterite, etc.) and Kovar, etc. It is suitable. However, the combination of these is not particularly limited.

この実施例50は絶縁性外被57の密着性を高めた実施態様
であって、第5図の実施例を具体的に述べると、絶縁体
として円柱状のアルミナ磁器51を用い、該アルミナ磁器
51の全表面に窒化チタン(TiN)薄膜52をイオンプレー
ティング法にて着膜した後、この窒化チタン薄膜52にYA
Gレーザを用いて、約15μm幅の間隙53を2本入れて窒
化チタン薄膜52を3個の部分に分割した後、ステンレス
スチールよりなるキャップ状の電極54を3個に分割され
た窒化チタン薄膜52の最両端に封着させた後、円板状の
ジュメット盤55にリード線56を取り付けた構造のものを
該ステンレススチール電極54の両端より密着させ、その
後、外被57としてジュメット盤55との封着性の良い円筒
状の鉛ガラスをアルミナ磁器51、窒化チタン薄膜52、ス
テンレススチール電極54を包むように、該鉛ガラスを用
いて該ジュメット盤55と該鉛ガラスを封着部58で封着さ
せたものである。
This Example 50 is an embodiment in which the adhesiveness of the insulating jacket 57 is enhanced. Specifically, the Example of FIG. 5 will be described. A cylindrical alumina porcelain 51 is used as an insulator.
After depositing a titanium nitride (TiN) thin film 52 on the entire surface of 51 by the ion plating method, YA is formed on this titanium nitride thin film 52.
Using the G laser, the titanium nitride thin film 52 is divided into three parts by inserting two gaps 53 with a width of about 15 μm, and then the titanium nitride thin film in which the cap-shaped electrode 54 made of stainless steel is divided into three parts. After sealing at the extreme ends of 52, a disc-shaped Dumet board 55 having a structure in which lead wires 56 are attached is adhered from both ends of the stainless steel electrode 54, and then a Dumet board 55 as a jacket 57. The cylindrical lead glass having good sealing property is wrapped around the alumina porcelain 51, the titanium nitride thin film 52, and the stainless steel electrode 54, and the dumet disk 55 and the lead glass are sealed with the sealing portion 58 using the lead glass. It is a dress.

この実施例50はアーク放電を生じる対向電極59,59が窒
化チタン薄膜52から離隔しており、また、外被57とジュ
メット盤55とを封着部58で緊密に封着しており、設置環
境から保護されているので長寿命であり、また、封着が
簡単確実で製造が容易である。
In this Example 50, the counter electrodes 59, 59 that generate an arc discharge are separated from the titanium nitride thin film 52, and the jacket 57 and the Dumet board 55 are tightly sealed by the sealing portion 58, and the installation is performed. Protected from the environment, it has a long service life, and it is easy and reliable to seal and easy to manufacture.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図、第3図、第4図、第5図は、それぞれ本発明の
実施例の縦断面図、第2図は実施例と比較例の寿命特性
線図である。 10,30,40,50……本発明の実施例 11……絶縁体 12……導電性薄膜 13,33,43,53……間隙 14……電極 15,35,47,59……対向電極 31……フォルステライト磁器 32……酸化スズ薄膜 34……ニッケル電極 41……ムライト磁器 42……カーボン薄膜 44……ステンレススチール電極 45,57……絶縁性外被 46,58……封着部 51……アルミナ磁器 52……窒化チタン薄膜 54……ステンレススチール電極 55……金属または合金(ジュメット盤) 56……リード線
FIG. 1, FIG. 3, FIG. 4, and FIG. 5 are longitudinal sectional views of the embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a life characteristic diagram of the embodiment and the comparative example. 10,30,40,50 …… Examples of the present invention 11 …… Insulator 12 …… Conductive thin film 13,33,43,53 …… Gap 14 …… Electrode 15,35,47,59 …… Counter electrode 31 …… Forsterite porcelain 32 …… Tin oxide thin film 34 …… Nickel electrode 41 …… Mullite porcelain 42 …… Carbon thin film 44 …… Stainless steel electrode 45,57 …… Insulating jacket 46,58 …… Sealing part 51 …… Alumina porcelain 52 …… Titanium nitride thin film 54 …… Stainless steel electrode 55 …… Metal or alloy (Dumet board) 56 …… Lead wire

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭58−43790(JP,U) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Bibliographic references Sho 58-43790 (JP, U)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】円筒状絶縁体と、該絶縁体の表面を被覆す
ると共に該円筒の長手方向中心に対して対称に形成され
複数個の間隙を介して輪切り状に分割された導電性薄膜
と、該分割した導電性薄膜の両端の薄膜に密着した一対
の電極とから成り、該電極には相互に対向する対向電極
を前記導電性薄膜より離隔した位置に前記導電性薄膜を
囲繞して対設したことを特徴とするサージ吸収素子。
1. A cylindrical insulator, and a conductive thin film that covers the surface of the insulator and is formed symmetrically with respect to the center of the cylinder in the longitudinal direction and is divided into a plurality of gaps into a ring shape. A pair of electrodes that are in close contact with the thin films at both ends of the divided conductive thin film, and counter electrodes that face each other are surrounded by the conductive thin film at a position separated from the conductive thin film. A surge absorbing element characterized by being installed.
【請求項2】前記絶縁体と少なくとも前記対向電極の対
向する端部とを封入する絶縁性外被を備えたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載のサージ吸収素子。
2. The surge absorbing element according to claim 1, further comprising an insulating jacket enclosing the insulator and at least opposite ends of the counter electrode.
【請求項3】前記電極のそれぞれの外面に固着された、
絶縁性外被との密着性の良い金属体と、該金属体に密着
された前記絶縁性外被とを備えたことを特徴とする特許
請求の範囲第2項に記載のサージ吸収素子。
3. Fixed to each outer surface of said electrode,
The surge absorbing element according to claim 2, further comprising: a metal body having good adhesion to the insulating jacket and the insulating jacket that is in close contact with the metal body.
JP59020724A 1984-02-09 1984-02-09 Surge absorption element Expired - Lifetime JPH0732054B2 (en)

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