JPH0732095B2 - 耐熱衝撃フェライト材料 - Google Patents
耐熱衝撃フェライト材料Info
- Publication number
- JPH0732095B2 JPH0732095B2 JP3122156A JP12215691A JPH0732095B2 JP H0732095 B2 JPH0732095 B2 JP H0732095B2 JP 3122156 A JP3122156 A JP 3122156A JP 12215691 A JP12215691 A JP 12215691A JP H0732095 B2 JPH0732095 B2 JP H0732095B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal shock
- ferrite material
- ferrite
- porosity
- grain size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 16
- 230000035939 shock Effects 0.000 title claims description 14
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱衝撃性を有するフ
ェライト材料に関するものである。
ェライト材料に関するものである。
【0002】
【従来の技術】フェライトコアにコイルを施し、インダ
クターとして使用するものの中には、フェライトコアに
コイルの端末接続用のリードピンを植設し、このリード
ピンにコイルの端末を絡げ、はんだ付けしたものが広く
使用されている。
クターとして使用するものの中には、フェライトコアに
コイルの端末接続用のリードピンを植設し、このリード
ピンにコイルの端末を絡げ、はんだ付けしたものが広く
使用されている。
【0003】この様なインダクターの場合、リードピン
にコイルの端末をはんだ付けする方法として、リードピ
ンにコイルの端末を絡げた状態で、高温のはんだ槽にコ
アを挿入し、はんだ付けする方法が用いられている。こ
の場合、コアには急激な温度変化が生じ、この熱衝撃に
よりコアが割れるといった問題があった。
にコイルの端末をはんだ付けする方法として、リードピ
ンにコイルの端末を絡げた状態で、高温のはんだ槽にコ
アを挿入し、はんだ付けする方法が用いられている。こ
の場合、コアには急激な温度変化が生じ、この熱衝撃に
よりコアが割れるといった問題があった。
【0004】これに対し、従来のフェライトでは、材料
の空孔率を5%以上に高めて、熱応力の分散を図ること
により対応していた。
の空孔率を5%以上に高めて、熱応力の分散を図ること
により対応していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法、すなわ
ち、材料の空孔率を高める方法では、フェライト材料の
強度、飽和磁束密度、透磁率等が比較的小さくなり、実
用上の問題が生じ、この問題を解決しようとすると空孔
率を小さくしていく必要があり、耐熱衝撃性に優れ、し
かも強度、飽和磁束密度、透磁率等を満足するフェライ
ト材料が得られなく、そのようなフェライト材料が切望
されていた。
ち、材料の空孔率を高める方法では、フェライト材料の
強度、飽和磁束密度、透磁率等が比較的小さくなり、実
用上の問題が生じ、この問題を解決しようとすると空孔
率を小さくしていく必要があり、耐熱衝撃性に優れ、し
かも強度、飽和磁束密度、透磁率等を満足するフェライ
ト材料が得られなく、そのようなフェライト材料が切望
されていた。
【0006】これに対し、本発明者等は、特開平1―1
03953号公報に記載されているように、Ni―Zn
系のフェライトにBi2O3、PbOを所定量添加して
耐熱衝撃性を改善できることを発明している。本発明者
等は、これらのフェライト材料について、鋭意研究を重
ねた結果、低い空孔率で特定の結晶粒径のときに、高い
電磁気特性及び強度を有し、かつ耐熱衝撃性に優れたフ
ェライト材料を得ることができることを見い出したもの
である。
03953号公報に記載されているように、Ni―Zn
系のフェライトにBi2O3、PbOを所定量添加して
耐熱衝撃性を改善できることを発明している。本発明者
等は、これらのフェライト材料について、鋭意研究を重
ねた結果、低い空孔率で特定の結晶粒径のときに、高い
電磁気特性及び強度を有し、かつ耐熱衝撃性に優れたフ
ェライト材料を得ることができることを見い出したもの
である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、Fe2O3を
40〜50mol%、ZnOを10〜35mol%、C
uOを3〜10mol%、残部NiOからなるフェライ
トに、Bi2O3又はPbOを0.03〜2重量%添加
し、焼成後の空孔率を5%以下にした上、結晶組織を平
均粒径20〜60μmにコントロールしたフェライト材
料である。これにより、耐熱衝撃性に優れ、しかも強
度、飽和磁束密度、透磁率が高いフェライト材料を得る
ことができる。
40〜50mol%、ZnOを10〜35mol%、C
uOを3〜10mol%、残部NiOからなるフェライ
トに、Bi2O3又はPbOを0.03〜2重量%添加
し、焼成後の空孔率を5%以下にした上、結晶組織を平
均粒径20〜60μmにコントロールしたフェライト材
料である。これにより、耐熱衝撃性に優れ、しかも強
度、飽和磁束密度、透磁率が高いフェライト材料を得る
ことができる。
【0008】また、本発明のフェライト材料は、NiO
の多くとも1/2以下が、MgO及び/又は(1/4)
(Li2O+Fe2O3)及び/又はMn酸化物に置換
しても同様の効果を得ることができる。又、SiO2を
0〜1wt%添加しても同様の効果を得ることができ
る。
の多くとも1/2以下が、MgO及び/又は(1/4)
(Li2O+Fe2O3)及び/又はMn酸化物に置換
しても同様の効果を得ることができる。又、SiO2を
0〜1wt%添加しても同様の効果を得ることができ
る。
【0009】
【実施例】表1の組成比で各試料を秤量、混合し、85
0℃で2時間仮焼した後、振動ミルで粉砕し、1〜1.
5μmのフェライト粉末を作成した。このフェライト粉
末に、乳鉢でBi2O3、PbO、SiO2を所定量添
加混合し、これを造粒し、丸棒状コアに成形し、乾燥
後、ダイヤグラインダーで溝加工し、ドラム型コアと
し、これを空気中1100℃2時間で焼成し試料を作成
した。この試料を450℃の半田槽に全長の約半分を浸
漬し、コアの破壊率を集計し、耐熱衝撃性の評価を行な
った。又、この試料について、空孔率、結晶の平均粒
径、強度、透磁率、飽和磁束密度の測定を行なった。
0℃で2時間仮焼した後、振動ミルで粉砕し、1〜1.
5μmのフェライト粉末を作成した。このフェライト粉
末に、乳鉢でBi2O3、PbO、SiO2を所定量添
加混合し、これを造粒し、丸棒状コアに成形し、乾燥
後、ダイヤグラインダーで溝加工し、ドラム型コアと
し、これを空気中1100℃2時間で焼成し試料を作成
した。この試料を450℃の半田槽に全長の約半分を浸
漬し、コアの破壊率を集計し、耐熱衝撃性の評価を行な
った。又、この試料について、空孔率、結晶の平均粒
径、強度、透磁率、飽和磁束密度の測定を行なった。
【0010】
【表1】
【0011】この各試料の破壊率、空孔率、結晶の平均
粒径、抗折強度、μi、Bmの各特性値を表2に示す。
表2において、試料1〜10は添加物なし、試料11〜
20は、それぞれ試料1〜10にBi2O3を0.3w
t%添加したもの、試料21は、顆粒を300μm〜5
00μmとし、焼成体の空孔率を高めたものである。
粒径、抗折強度、μi、Bmの各特性値を表2に示す。
表2において、試料1〜10は添加物なし、試料11〜
20は、それぞれ試料1〜10にBi2O3を0.3w
t%添加したもの、試料21は、顆粒を300μm〜5
00μmとし、焼成体の空孔率を高めたものである。
【0012】
【表2】
【0013】この試料21を見ればわかるとおり、空孔
率を高めた場合、破壊率を小さくすることはできるが、
抗折強度、μi、Bmの低下が大きく、Bi2O3添加
により結晶粒径を20〜60μmに制御する方法が有利
であることがわかる。
率を高めた場合、破壊率を小さくすることはできるが、
抗折強度、μi、Bmの低下が大きく、Bi2O3添加
により結晶粒径を20〜60μmに制御する方法が有利
であることがわかる。
【0014】次に、試料3にBi2O3を0.3wt%
添加したものと、PbOを0.3wt%添加したもの
と、Bi2O3を0.3wt%及びSiO2を0.1w
t%添加したものとを、それぞれ焼成温度を変化させて
結晶粒径を変化させ、そのときの破壊率と空孔率を表3
に示す。また、同じものを図1に示す。この表3及び図
1から明らかなように、結晶粒径が20〜60μmであ
る時に、優れた耐熱衝撃性を有することがわかる。
添加したものと、PbOを0.3wt%添加したもの
と、Bi2O3を0.3wt%及びSiO2を0.1w
t%添加したものとを、それぞれ焼成温度を変化させて
結晶粒径を変化させ、そのときの破壊率と空孔率を表3
に示す。また、同じものを図1に示す。この表3及び図
1から明らかなように、結晶粒径が20〜60μmであ
る時に、優れた耐熱衝撃性を有することがわかる。
【0015】
【表3】
【0016】また、焼成温度を1100℃とし、添加物
(Bi2O3、PbO、SiO2)の添加量を変えたと
きの破壊率、空孔率、結晶粒径を表4に示す。添加物を
変化させても、結晶粒径が20〜60μmであれば、優
れた耐熱衝撃性を有することがわかる。
(Bi2O3、PbO、SiO2)の添加量を変えたと
きの破壊率、空孔率、結晶粒径を表4に示す。添加物を
変化させても、結晶粒径が20〜60μmであれば、優
れた耐熱衝撃性を有することがわかる。
【0017】
【表4】
【0018】
【発明の効果】本発明は、耐熱衝撃性に優れ、強度及び
電磁気特性も優れたフェライト材料を提供するものであ
る。従って、ハンダ槽、ハンダごて等により熱を直接受
けるリードピン電極付のドラムコア、チップインダクタ
等用のフェライト材料として、極めて有用であり、これ
らの部品の小型化・SMD化に対応できる。又、フェラ
イト板に回路パターンを印刷したフェライト基板等に応
用することも可能であり、各製品の製造歩留を向上し、
コストを低減することができる。
電磁気特性も優れたフェライト材料を提供するものであ
る。従って、ハンダ槽、ハンダごて等により熱を直接受
けるリードピン電極付のドラムコア、チップインダクタ
等用のフェライト材料として、極めて有用であり、これ
らの部品の小型化・SMD化に対応できる。又、フェラ
イト板に回路パターンを印刷したフェライト基板等に応
用することも可能であり、各製品の製造歩留を向上し、
コストを低減することができる。
【図1】結晶粒径と熱衝撃による破壊率との関係を示す
グラフである。
グラフである。
Claims (3)
- 【請求項1】 Fe2O3を40〜50mol%、Zn
Oを10〜35mol%、CuOを3〜10mol%、
残部NiOからなるフェライト材料に、Bi2O3、P
bOの少なくとも1種類を0.03〜2wt%含み、空
孔率が5%以下で、その結晶組織の平均粒径が20〜6
0μmであることを特徴とする耐熱衝撃フェライト材
料。 - 【請求項2】 特許請求の範囲第1項において、NiO
の多くとも1/2が、MgO及び/又は(1/4)(L
i2O+Fe2O3)及び/又はMn酸化物に置換され
ていることを特徴とする耐熱衝撃フェライト材料。 - 【請求項3】 特許請求の範囲第1項において、SiO
2を0〜1wt%(但し、0wt%を含まない)添加し
たことを特徴とする耐熱衝撃フェライト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122156A JPH0732095B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122156A JPH0732095B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323806A JPH04323806A (ja) | 1992-11-13 |
| JPH0732095B2 true JPH0732095B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14828988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3122156A Expired - Fee Related JPH0732095B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732095B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI303073B (en) | 2003-09-03 | 2008-11-11 | Tdk Corp | Ferrite material, ferrite sintered body, and inductor |
| KR102463333B1 (ko) * | 2017-10-24 | 2022-11-04 | 삼성전기주식회사 | 코일 전자 부품 |
| JP7227737B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2023-02-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧粉磁心 |
| JP7227736B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2023-02-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧粉磁心 |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP3122156A patent/JPH0732095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04323806A (ja) | 1992-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2674623B2 (ja) | 高周波用磁性材料 | |
| JPH09306716A (ja) | フェライト焼結体およびその製造方法 | |
| JP2002104873A (ja) | フェライト材料およびこれを用いたフェライト基板並びに電磁波吸収部材 | |
| JPH0732095B2 (ja) | 耐熱衝撃フェライト材料 | |
| JP3492802B2 (ja) | 低損失フェライト材料 | |
| JPH01103953A (ja) | 耐熱衝撃フェライト材料 | |
| JP3201529B2 (ja) | 耐熱衝撃フェライト材料 | |
| JPH08325056A (ja) | フェライト材料 | |
| EP1231614A1 (en) | Oxide magnetic material and core using the same | |
| US3532630A (en) | Nickel-zinc ferrite containing lead silicate | |
| JP3554050B2 (ja) | 高強度フェライトとこれを用いたフェライト基板及び電磁波吸収部材 | |
| JP2599887B2 (ja) | チップ部品用磁性材料 | |
| JP3554046B2 (ja) | 耐熱衝撃性フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア | |
| JP7238511B2 (ja) | Ni系フェライトおよびそれを用いたコイル部品 | |
| JPH0521222A (ja) | ニツケル−亜鉛系フエライトの製造方法 | |
| JPH097816A (ja) | Ni−Cu−Zn系酸化物磁性材料 | |
| JP2727579B2 (ja) | 低損失フェライト | |
| JP2022061823A (ja) | フェライト焼結体および巻線型コイル部品 | |
| JP4631348B2 (ja) | Ni−Zn−Cu系フェライト材料及びインダクタ素子 | |
| JPH0391209A (ja) | チップインダクタ | |
| JP2802839B2 (ja) | 酸化物軟質磁性材料 | |
| JPH0366254B2 (ja) | ||
| US3066102A (en) | Ferrite containing neodymium | |
| JP2001348226A (ja) | 磁性フェライト材料 | |
| JPH08268719A (ja) | フェライト材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090410 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090410 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100410 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110410 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |