JPH0732441B2 - Image sensor chip cutting method - Google Patents
Image sensor chip cutting methodInfo
- Publication number
- JPH0732441B2 JPH0732441B2 JP59118448A JP11844884A JPH0732441B2 JP H0732441 B2 JPH0732441 B2 JP H0732441B2 JP 59118448 A JP59118448 A JP 59118448A JP 11844884 A JP11844884 A JP 11844884A JP H0732441 B2 JPH0732441 B2 JP H0732441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- cutting
- sensor chip
- chip
- cutting method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はイメージセンサに関し、特に原稿情報を高速で
かつ高解像度で読み取ることを可能にした長尺状イメー
ジセンサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image sensor, and more particularly to an elongated image sensor capable of reading document information at high speed and high resolution.
従来例の構成とその問題点 近年、オフィスオートメーション機器の発展にともな
い、ファクシミリ,事務機器やコンピュータの入力端末
用としての各種のイメージセンサ(光学的読み取り装
置)の開発が進められている、光学的読み取り装置を大
きくわけると縮小型と密着型に分けられる。縮小型光学
的読み取り装置では、原稿情報を縮小レンズ系を通して
20mm〜40mm長のイメージセンサ上(CCDイメージセンサ
やMOSイメージセンサ等)に結像して原稿情報を光学的
に読み取っている。この場合、縮小レンズ系を用いるた
め長い光路長(A4サイズでは約50cm)が必要となる。こ
のため装置の小型化,高解像度化,調整の容易性という
点で問題があった。Configuration of Conventional Example and Its Problems In recent years, with the development of office automation equipment, various image sensors (optical reading devices) for facsimiles, office equipment and input terminals of computers have been developed. The reading device is roughly divided into a reduction type and a contact type. In the reduction type optical reader, the document information is passed through the reduction lens system.
The image is read on the image on a 20 mm to 40 mm long image sensor (CCD image sensor, MOS image sensor, etc.) to optically read the document information. In this case, since a reduction lens system is used, a long optical path length (about 50 cm for A4 size) is required. Therefore, there are problems in that the device is downsized, the resolution is increased, and the adjustment is easy.
この問題の解決法として密着型イメージセンサの開発が
進められている。密着型イメージセンサは1:1で原稿情
報をイメージセンサ上に結像するため、光路長は10〜50
mmですみ、又、全範囲にわたり高解像度が得られるとい
う特徴を有する。しかし、1:1で結像するため原稿長と
同一サイズ(A4なら216mm,A3なら296mm)のイメージセ
ンサが必要となる。A contact image sensor is being developed as a solution to this problem. The contact-type image sensor forms the document information on the image sensor at a ratio of 1: 1, so the optical path length is 10 to 50.
It has a feature that only mm is required and high resolution can be obtained over the entire range. However, an image sensor of the same size as the original length (216 mm for A4, 296 mm for A3) is required to form a 1: 1 image.
現在、シリコン結晶を用いる場合、センサ長はシリコン
ウエハーサイズで決まり長尺化は困難である。また多チ
ップを千鳥状に配列した長尺化を目指すアプローチもあ
るが、チップのマウント法や各チップからの出力のライ
ン処理やライン処理用のメモリが必要である。At present, when a silicon crystal is used, the sensor length is determined by the size of the silicon wafer, and it is difficult to increase the length. There is also an approach aiming at lengthening by arranging multiple chips in a zigzag manner, but a chip mounting method and line processing of output from each chip and a memory for line processing are required.
これら結晶を用いる方法に対し、長尺化の容易な薄膜型
としてCdS系やa−Si系イメージセンサがある。CdS系は
読み取り速度が遅い,a−Si系は高速であるが、実装面で
走査用のLSIとのハイブリッドタイプになり、トータル
コストが高くなるという問題がある。In contrast to the method using these crystals, there are CdS-based and a-Si-based image sensors as a thin film type that can be easily elongated. The CdS system has a slow reading speed, and the a-Si system has a high reading speed, but there is a problem in that the total cost becomes high because it is a hybrid type with a scanning LSI in terms of mounting.
発明の目的 本発明は結晶型のイメージセンサを複数個直線状に高精
度で配列して長尺化し、原稿情報を高速かつ高解像度で
読み取りを可能とするイメージセンサチップの切断方法
を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a method of cutting an image sensor chip, which enables a plurality of crystal type image sensors to be arranged linearly with high accuracy and lengthened to read original information at high speed and high resolution. With the goal.
発明の構成 本発明のイメージセンサの切断方法は、イメージセンサ
チップを長尺化するために複数のイメージセンサチップ
を直線状配列を可能にするイメージセンサチップの高精
度切断方法を実施することにより接続部でも、センサピ
ッチを一定の誤差の範囲内にあることを可能にするもの
である。これにより、原稿情報を高速でかつ原稿の全領
域を高解像度で読み取ることが可能になる。Configuration of the Invention An image sensor cutting method of the present invention connects by performing a high-precision cutting method of an image sensor chip that enables a linear arrangement of a plurality of image sensor chips in order to elongate the image sensor chip. The section also allows the sensor pitch to be within a certain error range. This makes it possible to read the document information at high speed and with high resolution over the entire area of the document.
実施例の説明 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。Description of Embodiments An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図はイメージセンサを形成したウエハーをダイシン
グソーを用いて高精度切断したイメージセンサチップの
図を示す。第1図において、1は切断箇所、2は光セン
サアレイ、3は走査回路部、である。直線状配列を可能
にするため、切断箇所近傍まで光センサを配置してい
る。切断の際、チップ両側,すなわち切断箇所1に近い
光センサもしくは素子をチッピングやクラック等で破損
することなく切断する必要がある。FIG. 1 shows a diagram of an image sensor chip obtained by precisely cutting a wafer on which an image sensor is formed with a dicing saw. In FIG. 1, 1 is a cut portion, 2 is an optical sensor array, and 3 is a scanning circuit unit. In order to enable a linear array, the optical sensor is arranged up to the vicinity of the cutting point. At the time of cutting, it is necessary to cut on both sides of the chip, that is, the optical sensor or the element near the cutting point 1 without being damaged by chipping or cracks.
次にチッピングやクラック等の少ない切断について述べ
る。Next, cutting with few chippings and cracks will be described.
又、第2図は酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の強
度に富む材料で切断ブレードのガイドを設けた図であ
る。7は酸化シリコン等で設けた切断ブレードのガイド
である。第3図は切断後の図である。このガイドを用い
る方法によって、切断ブレードの振れが少なくなり、チ
ッピングやクラック等の発生は少なく切断面近傍の光セ
ンサや素子を破損することなく高精度切断が可能とな
る。Further, FIG. 2 is a view in which a guide of a cutting blade is provided with a material having high strength such as a silicon oxide film or a silicon nitride film. Reference numeral 7 is a guide of a cutting blade made of silicon oxide or the like. FIG. 3 is a view after cutting. By using this guide, the swing of the cutting blade is reduced, chipping and cracks are less likely to occur, and high-precision cutting can be performed without damaging the optical sensor or elements near the cutting surface.
以上のような方法で高精度切断されたイメージセンサチ
ップを複数個直線状に配列する方法を説明する。第4図
は上記の方法で高精度に切断されたイメージセンサチッ
プの接続部の図である。イは接続部の左側、ロは接続部
の右側のイメージセンサチップを示す。a,a′は一番端
の光センサの中心からチップ端までの距離、b,b′は各
光センサの間隔、c,c′は光センサの中心から下端XI,
XI′までの距離、d,d′は光センサの中心から上端XII,X
II′までの距離である。ウエハーからの切断の際、上記
の方法で高精度切断しているため、a=a′,c=c′,d
=d′,b,b′はマスクパターンに依存してb=b′とな
る。解像度16dots/mmの場合、b=b′=62.5μmであ
るから =31.25μmとなるように切断すればイ,ロを接続した
場合、接続部における光センサの間隔はa+a′=bと
なり、他の光センサ間隔と同一となり、解像の誤差はな
くなる。すなわち図に示す横方向の誤差はなくなる。こ
の接続のようすを第5図に示す。図中のチップ下端、イ
ではXI,ロではXI′を一致させればよい。すなわち副走
査方向の基準となるものにXI,XI′を一致させれば、c
=c′の関係より副走査方向の配列の誤差はなくなる。
チップ上端XII,XII′で行なう場合においてもd=d′
の関係より、同様に行なうことができる。A method of arranging a plurality of image sensor chips, which are cut with high precision by the above method, in a straight line will be described. FIG. 4 is a view of the connection portion of the image sensor chip cut with high accuracy by the above method. B indicates the image sensor chip on the left side of the connecting portion, and B indicates the image sensor chip on the right side of the connecting portion. a, a'is the distance from the center of the optical sensor at the end to the chip end, b, b'is the distance between the optical sensors, and c, c'is the center of the optical sensor and the bottom edge X I ,
The distance to X I ′, d, d ′ is from the center of the optical sensor to the upper end X II , X
It is the distance to II '. When cutting from a wafer, a = a ', c = c', d because it is cut with high precision by the above method.
= D ', b, b' is b = b 'depending on the mask pattern. When the resolution is 16 dots / mm, b = b '= 62.5 μm When disconnecting so as to be 31.25 μm, when a and b are connected, the distance between the photosensors at the connecting portion becomes a + a ′ = b, which is the same as the other photosensor intervals, and there is no resolution error. That is, the horizontal error shown in the figure disappears. This connection is shown in FIG. Chips lower in the figure, X I is i, it is sufficient to match the X I 'in Russia. That is, if X I and X I ′ match the reference in the sub-scanning direction, c
= C ', the error in the arrangement in the sub-scanning direction is eliminated.
D = d 'even when the chip tops X II and X II ′ are used
The same can be done from the relationship of.
実際にマウントする際のようすを第6図に示すある副走
査方向の基準8に、n個のイメージセンサチップ9を配
置する。これで副走査方向の配列が完了する。次に両端
チップ(図中では、chip1とchip n)に矢印の方向に適
度の力を加えれば、接続部のすき間がなくなり、chip1
からchip nまでの光センサの間隔がすべて同一となる
(16dots/mmの場合は62.5μm)これで主走査方向の配
列が完了する。In the actual mounting, n image sensor chips 9 are arranged on a reference 8 in the sub-scanning direction shown in FIG. This completes the arrangement in the sub-scanning direction. Next, if a moderate force is applied to the chips on both ends (chip1 and chip n in the figure) in the direction of the arrow, the gap between the connection parts is eliminated and chip1
The intervals of the photosensors from to chip n are all the same (62.5 μm in the case of 16 dots / mm). This completes the array in the main scanning direction.
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明は、センサチッ
プの切断箇所に沿って強度に富む材料でガイドを設けて
ガイド間の溝に沿って切断することによりチッピングや
クラックの少ない高精度な切断が可能となる。また高精
度切断を施こしたイメージセンサチップを長尺状にする
ため複数個のイメージセンサチップを直線状に配列する
ように構成しているため、光センサ群が直線状に配置さ
れ、同一ラインの読み取りが可能となり、出力信号のラ
イン処理やそのためのメモリが不用となる。また光セン
サ群が直線状に配置されていることから、結像レンズ系
(ロッドレンズアレイ)の中心を用いることが可能とな
り、ライン処理なしで高速で高解像度の読み取りが可能
となる優れた効果が得られる。EFFECTS OF THE INVENTION As is clear from the above description, according to the present invention, by providing a guide with a material having high strength along the cut portion of the sensor chip and cutting along the groove between the guides, it is possible to reduce chipping and cracks. Precise cutting is possible. In addition, since multiple image sensor chips are arranged in a straight line in order to make the image sensor chip that has been subjected to high-precision cutting long, the optical sensor group is arranged in a straight line and the same line Can be read, and the line processing of the output signal and the memory therefor are unnecessary. In addition, since the optical sensor group is arranged in a straight line, it is possible to use the center of the imaging lens system (rod lens array), and it is possible to read at high speed and high resolution without line processing. Is obtained.
また各イメージセンサチップは高精度切断をしているた
め、実装の際、基準となる場所に並べ、両側から適切な
力を加えるというきわめて簡単な手法で高精度の配列が
可能となる効果が得られる。Also, since each image sensor chip is cut with high precision, it is possible to achieve a highly accurate arrangement by arranging them at a reference location during mounting and applying an appropriate force from both sides. To be
本発明は、性能上最も実績のあるシリコン単結晶を用い
て高速で高解像度の密着型イメージセンサを可能にする
ものであり、産業上の効果は大なるものである。INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention enables a high-speed, high-resolution contact image sensor using a silicon single crystal, which has the most proven performance, and has a great industrial effect.
第1図は高精度切断を施こしたイメージセンサチップを
示す図、第2図は酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等
の強度に富む材料で切断レードのガイドを設けた図、第
3図は第2図の切断後を示す図、第4図は高精度切断さ
れたイメージセンサチップの接続部を示す図、第5図は
第4図において接続部を示す図、第6図はイメージセン
サチップのマウント状態を示す図である。 1……高精度切断箇所、2……光センサアレイ、3……
走査回路、7……ガイド用材料、8……配列用基準、9
……イメージセンサチップ、5……結晶基板、6……切
断箇所。FIG. 1 is a diagram showing an image sensor chip subjected to high precision cutting, FIG. 2 is a diagram in which a guide for a cutting blade is provided with a material having high strength such as a silicon oxide film or a silicon nitride film, and FIG. FIG. 2 is a diagram showing a state after cutting, FIG. 4 is a diagram showing a connecting portion of an image sensor chip which is highly accurately cut, FIG. 5 is a diagram showing a connecting portion in FIG. 4, and FIG. 6 is a diagram showing the image sensor chip. It is a figure which shows a mounted state. 1 ... High-precision cutting point, 2 ... Optical sensor array, 3 ...
Scanning circuit, 7 ... Guide material, 8 ... Arrangement reference, 9
...... Image sensor chip, 5 ...... Crystal substrate, 6 ...... Cutting point.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 泰永 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭49−98512(JP,A) 特開 昭54−77087(JP,A) 特開 昭58−166741(JP,A) 特開 昭58−137228(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasunaga Yamamoto 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A-49-98512 (JP, A) JP-A-54- 77087 (JP, A) JP 58-166741 (JP, A) JP 58-137228 (JP, A)
Claims (1)
配列して長尺化したイメージセンサの各センサチップの
切断に際し、切断箇所に沿って酸化シリコン膜または窒
化シリコン膜などの強度に富む材料からなるガイドを設
け、前記ガイド間の溝に沿って切断するイメージセンサ
チップの切断方法。1. A material having a high strength such as a silicon oxide film or a silicon nitride film along a cut portion when cutting each sensor chip of an image sensor elongated by arranging a plurality of image sensor chips in a straight line. A method of cutting an image sensor chip, in which a guide made of is provided and cutting is performed along the groove between the guides.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118448A JPH0732441B2 (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Image sensor chip cutting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118448A JPH0732441B2 (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Image sensor chip cutting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261245A JPS60261245A (en) | 1985-12-24 |
| JPH0732441B2 true JPH0732441B2 (en) | 1995-04-10 |
Family
ID=14736892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118448A Expired - Lifetime JPH0732441B2 (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Image sensor chip cutting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732441B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0763087B2 (en) * | 1986-01-29 | 1995-07-05 | 富士ゼロックス株式会社 | Method of manufacturing image sensor |
| JP2832600B2 (en) * | 1987-04-27 | 1998-12-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | Contact image sensor |
| US5696626A (en) * | 1995-10-12 | 1997-12-09 | Xerox Corporation | Photosensitive silicon chip having a ridge near an end photosite |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4998512A (en) * | 1973-01-22 | 1974-09-18 | ||
| JPS5477087A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of photo sensor array |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59118448A patent/JPH0732441B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261245A (en) | 1985-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61253861A (en) | Manufacture of image sensor and scan array | |
| JPS6139674A (en) | Handy scanning and inputting unit and system | |
| US5552828A (en) | Geometries for photosites in a photosensitive silicon chip | |
| KR101379853B1 (en) | Image sensor ic and contact image sensor using same | |
| JP3013189B2 (en) | Contact image sensor | |
| JPH0732441B2 (en) | Image sensor chip cutting method | |
| US7847984B2 (en) | Line sensor and image information reading apparatus | |
| EP0070620A2 (en) | High density imager | |
| JPS60157236A (en) | Dicing method | |
| JPS6318862A (en) | Traveling body position detection device for document reading device | |
| JPH0414367A (en) | Optical sensor array for image reading | |
| JP2502129B2 (en) | Image sensor | |
| JP2754803B2 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
| JPH04354372A (en) | Electronic device and its manufacturing method | |
| JPS6220033Y2 (en) | ||
| JPH06178044A (en) | Contact image sensor and image processing method thereof | |
| JPH0888726A (en) | Driving method of image reading device | |
| JPS613556A (en) | Linear image sensor device | |
| JPS61161068A (en) | Digital image reading device | |
| JPH0292149A (en) | Original reading device | |
| JPH03160758A (en) | Image sensor and driving method therefor | |
| JPH03139958A (en) | Image sensor and its producing device | |
| JPS62219748A (en) | Contact type image sensor | |
| JPH04150259A (en) | Multi-chip image sensor and its manufacturing method | |
| JPS63275133A (en) | Image sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |