JPH073336B2 - 距離算出方法 - Google Patents
距離算出方法Info
- Publication number
- JPH073336B2 JPH073336B2 JP30596488A JP30596488A JPH073336B2 JP H073336 B2 JPH073336 B2 JP H073336B2 JP 30596488 A JP30596488 A JP 30596488A JP 30596488 A JP30596488 A JP 30596488A JP H073336 B2 JPH073336 B2 JP H073336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distance
- light
- signal
- output
- measured
- Prior art date
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は距離算出方法に関し、特に位置検出用受光素子
の両端部に位置する電極より出力される電流の値を用
い、三角測量の原理により被測定物への距離を算出する
ことのできる距離算出方法に関するものである。
の両端部に位置する電極より出力される電流の値を用
い、三角測量の原理により被測定物への距離を算出する
ことのできる距離算出方法に関するものである。
光学的に被計測物体の空間的な位置座標を計測するもの
としては、電子的な走査によるテレビジョン用撮像管ま
たは固体撮像素子などのイメージデバイスによるもの、
ミラー、レティクル等の機械的走査によるものなど、基
本的には画像の走査技術に立脚した方法がほとんどであ
った。このような走査方式の場合、計測のサンプリング
レートは毎秒像数により決定され、制限される問題点が
ある。画像の走査を行わないで、照射された入射光の位
置を検出する方式として、半導体表面における“Latera
l Photo Effect"を利用した位置検出用受光素子(以下P
SDと略記する)が採用されている。
としては、電子的な走査によるテレビジョン用撮像管ま
たは固体撮像素子などのイメージデバイスによるもの、
ミラー、レティクル等の機械的走査によるものなど、基
本的には画像の走査技術に立脚した方法がほとんどであ
った。このような走査方式の場合、計測のサンプリング
レートは毎秒像数により決定され、制限される問題点が
ある。画像の走査を行わないで、照射された入射光の位
置を検出する方式として、半導体表面における“Latera
l Photo Effect"を利用した位置検出用受光素子(以下P
SDと略記する)が採用されている。
PSDは走査を行なわずに入射光の位置情報を含んだ信号
が得られるものであり、CCD(電荷結合素子)、MOSなど
の固体撮像素子と比較して構造および製法が比較的簡
単である。無限に小さな画素が2次元的に無数に分布
しているものと見なされ、画素間のデッドゾーンもない
ことから、きわめて高い位置分解能をもつ。位置信号
の演算や、素子の駆動も比較的簡単である。高いサン
プリングレートが得られる。被計測点に付した光源な
どを時分割点灯することにより、多点の位置計測が容易
に行える、などがあげられる(『O plus E』,1981年3
月号の非走査形ポジションセンサー、倉沢一男他)。
が得られるものであり、CCD(電荷結合素子)、MOSなど
の固体撮像素子と比較して構造および製法が比較的簡
単である。無限に小さな画素が2次元的に無数に分布
しているものと見なされ、画素間のデッドゾーンもない
ことから、きわめて高い位置分解能をもつ。位置信号
の演算や、素子の駆動も比較的簡単である。高いサン
プリングレートが得られる。被計測点に付した光源な
どを時分割点灯することにより、多点の位置計測が容易
に行える、などがあげられる(『O plus E』,1981年3
月号の非走査形ポジションセンサー、倉沢一男他)。
第3図にPSDの断面の一構成例を示す。PSDの表面にはp
型抵抗層が設けられており、裏面はn+層よりなる。使用
基板としては出きるだけ高抵抗で均一な比抵抗であるこ
とが要求される。高抵抗基板を用いることにより、応答
速度が速く、低雑音、直線性に優れた素子が得られる。
基板としては例えば、高抵抗Si基板が用いられる。
型抵抗層が設けられており、裏面はn+層よりなる。使用
基板としては出きるだけ高抵抗で均一な比抵抗であるこ
とが要求される。高抵抗基板を用いることにより、応答
速度が速く、低雑音、直線性に優れた素子が得られる。
基板としては例えば、高抵抗Si基板が用いられる。
次に、特公昭58−42411号公報および浜松ホトニクス
(株)カタログ−半導体位置検出素子の原理・特長を参
照して、動作原理について述べる。
(株)カタログ−半導体位置検出素子の原理・特長を参
照して、動作原理について述べる。
PSDに光スポットが入射すると、入射位置には入射エネ
ルギーに比例した電荷が発生する。発生した電荷は光電
流としてp型抵抗層を通り、電極Aおよび電極Bからそ
れぞれI1およびI2の電流が取り出される。PSDの電極A
およびBの間の距離を2L、PSDの中心を原点とし、PSDの
中心軸から光入射位置までの距離をXAとした場合 が成り立つ。また、PSDの一方の電極A側の端部を原点
とし、電極Aから光入射位置までの距離をXBとした場
合、 が成り立つ。従って、I1およびI2より光入射位置を求め
ることができる。
ルギーに比例した電荷が発生する。発生した電荷は光電
流としてp型抵抗層を通り、電極Aおよび電極Bからそ
れぞれI1およびI2の電流が取り出される。PSDの電極A
およびBの間の距離を2L、PSDの中心を原点とし、PSDの
中心軸から光入射位置までの距離をXAとした場合 が成り立つ。また、PSDの一方の電極A側の端部を原点
とし、電極Aから光入射位置までの距離をXBとした場
合、 が成り立つ。従って、I1およびI2より光入射位置を求め
ることができる。
一方、第4図に示すように、投光レンズ1から被測定対
象物4までの距離をa、受光レンズ2からPSD3の受光面
までの距離をb、投光レンズ1の光軸と受光レンズ2の
光軸との間の距離をB、受光レンズ2の光軸からPSD3の
光入射位置5までの距離をXとする。投光レンズ1、受
光レンズ2およびPSD3の相互の位置関係は固定されてい
る。ここで、3角測量の原理に基づくと、 が成り立つ。従って、 である。ここで、受光レンズ2の光軸からPSD3の右端ま
での距離をXO、PSD3の右端から光入射位置5までの距離
をXBとすれば、 X=XO+XB (4) である。従って、(1)式または(2)式より光入射位
置を求めることができるので、(3)式および(4)式
より被測定対象物4までの距離を求めることができる。
しかし従来は、PSD3の設定位置を考慮に入れていないた
めに被測定範囲が広くなると、PSD3の位置誤差が大きく
なり、出力の直線性が悪いという問題点を有していた。
象物4までの距離をa、受光レンズ2からPSD3の受光面
までの距離をb、投光レンズ1の光軸と受光レンズ2の
光軸との間の距離をB、受光レンズ2の光軸からPSD3の
光入射位置5までの距離をXとする。投光レンズ1、受
光レンズ2およびPSD3の相互の位置関係は固定されてい
る。ここで、3角測量の原理に基づくと、 が成り立つ。従って、 である。ここで、受光レンズ2の光軸からPSD3の右端ま
での距離をXO、PSD3の右端から光入射位置5までの距離
をXBとすれば、 X=XO+XB (4) である。従って、(1)式または(2)式より光入射位
置を求めることができるので、(3)式および(4)式
より被測定対象物4までの距離を求めることができる。
しかし従来は、PSD3の設定位置を考慮に入れていないた
めに被測定範囲が広くなると、PSD3の位置誤差が大きく
なり、出力の直線性が悪いという問題点を有していた。
PSDの出力の直線性を良くするために、折線近以回路を
付加したり、例えば、特開昭61−112902号公報に示され
ているように、PSDより出力される光電流を(I1+KI2)
/(I1+KI2)あるいは(I1−I2)/(I1+KI2)(Kは
1でない定数)によって変位出力せしめることにより、
補正回路を設けずに直線性の改善を図ることが提案され
ている。しかし、簡単な方法で広い測定範囲にわたって
良好な出力の直線性を得ることはできなかった。
付加したり、例えば、特開昭61−112902号公報に示され
ているように、PSDより出力される光電流を(I1+KI2)
/(I1+KI2)あるいは(I1−I2)/(I1+KI2)(Kは
1でない定数)によって変位出力せしめることにより、
補正回路を設けずに直線性の改善を図ることが提案され
ている。しかし、簡単な方法で広い測定範囲にわたって
良好な出力の直線性を得ることはできなかった。
そこで、本発明の目的は、上述した問題点を解消し、広
い測定範囲にわたって出力の直線性を有し、位置検出用
受光素子の両端部の電極から出力される電流より被測定
対象物までの距離を簡単に算出することのできる距離算
出方法を提供することにある。
い測定範囲にわたって出力の直線性を有し、位置検出用
受光素子の両端部の電極から出力される電流より被測定
対象物までの距離を簡単に算出することのできる距離算
出方法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、被測定物
に光ビームを投光し、被測定物からの反射光を、両端部
にそれぞれ電極を有し該両電極間の受光面に光を受けた
時受光位置と電極との距離に応じた電流I1およびI2を電
極のそれぞれから出力する位置検出用受光素子によって
受光し、下式 または (各式において、A,B,C,D,Eは投受光系および位置検出
用受光素子の構造によって定まる定数)によって被測定
物までの距離を算出することを特徴とする。
に光ビームを投光し、被測定物からの反射光を、両端部
にそれぞれ電極を有し該両電極間の受光面に光を受けた
時受光位置と電極との距離に応じた電流I1およびI2を電
極のそれぞれから出力する位置検出用受光素子によって
受光し、下式 または (各式において、A,B,C,D,Eは投受光系および位置検出
用受光素子の構造によって定まる定数)によって被測定
物までの距離を算出することを特徴とする。
本発明の原理について述べる。3角測量の原理に基づく
と、前述したように、距離aは で与えられる。
と、前述したように、距離aは で与えられる。
一方、(2)式をXBについて解くと となる。ここで(4)式に上述のXBの式を代入すれば、 となる。さらに、(5)式を(3)式に代入すれば となる。XO,b,Bは設計によって決定される定数であり、
Lは使用するPSD3により決まる定数であるから、 XO+L=A,L=B,b・B=C と置くと、(6)式は次式となる。
Lは使用するPSD3により決まる定数であるから、 XO+L=A,L=B,b・B=C と置くと、(6)式は次式となる。
PSD3の出力I1およびI2を計測することにより、(7)式
より投光レンズ1から被測定対象物4までの距離aを求
めることができる。
より投光レンズ1から被測定対象物4までの距離aを求
めることができる。
本発明においては、(5)式に示したようにPSDの取り
付け位置を考慮した演算方法となっているため、測定距
離と出力との間の直線性が良い。
付け位置を考慮した演算方法となっているため、測定距
離と出力との間の直線性が良い。
被測定距離はPSD3の受光位置の変化によって求められる
が、受光位置が中心から大きくはずれると、測定距離と
出力との間の直線性が失なわれる。受光位置がPSDの中
心位置にある時の距離を中心検出距離という。従来の装
置においては、中心検出距離が16mmに対して出力が直線
性を保つ範囲は±12%程度であったが、本発明によれ
ば、出力の直線性を保ち得る測定距離を、同じ中心検出
距離16mmに対して±100%近くまで拡大することができ
た。
が、受光位置が中心から大きくはずれると、測定距離と
出力との間の直線性が失なわれる。受光位置がPSDの中
心位置にある時の距離を中心検出距離という。従来の装
置においては、中心検出距離が16mmに対して出力が直線
性を保つ範囲は±12%程度であったが、本発明によれ
ば、出力の直線性を保ち得る測定距離を、同じ中心検出
距離16mmに対して±100%近くまで拡大することができ
た。
以下、図面を参照して本発明を適用した実施例を詳細に
説明する。
説明する。
実施例1 第1図は(7)式を実現するための回路構成の一例を示
すブロック図である。PSD3より出力される電流I1および
電流I2を、それぞれ電流電圧変換器6Aおよび6Bにより電
圧に変換してS(I1)信号およびS(I2)信号とする。
S(I1)信号およびS(I2)信号は加算器7および減算
器8に入力され、それぞれS(I1+I2)およびS(I2−
I1)信号が出力される。次にS(I1+I2)信号をC倍に
増幅する増幅器9を通し、およびS(I1+I2)信号をA
倍し、かつS(I2−I1)信号をB倍して、両者を加算す
る加算器10を通す。S(C・(I1+I2))信号およびS
(A(I1+I2)+B(I2−I1)信号を割算器11に入力す
れば、aを求めることができる。
すブロック図である。PSD3より出力される電流I1および
電流I2を、それぞれ電流電圧変換器6Aおよび6Bにより電
圧に変換してS(I1)信号およびS(I2)信号とする。
S(I1)信号およびS(I2)信号は加算器7および減算
器8に入力され、それぞれS(I1+I2)およびS(I2−
I1)信号が出力される。次にS(I1+I2)信号をC倍に
増幅する増幅器9を通し、およびS(I1+I2)信号をA
倍し、かつS(I2−I1)信号をB倍して、両者を加算す
る加算器10を通す。S(C・(I1+I2))信号およびS
(A(I1+I2)+B(I2−I1)信号を割算器11に入力す
れば、aを求めることができる。
(6)式の分母および分子をXO+Lで割れば、 となり、A=1とすることができ倍率の調整を減らすこ
とができる。
とができる。
分子の係数は(I1+I2)に依存しない、言いかえれば、
光学的な機械寸法によって決定される。従って、例えば
分子の係数を1と置いても演算上出力がn倍に変化する
のみで、距離の算出には何ら影響を与えないことは
(6)式より明白である。従って、増幅器9を省略する
ことができる。
光学的な機械寸法によって決定される。従って、例えば
分子の係数を1と置いても演算上出力がn倍に変化する
のみで、距離の算出には何ら影響を与えないことは
(6)式より明白である。従って、増幅器9を省略する
ことができる。
実施例2 第2図は本発明を適用した他の実施例を示すブロック図
である。(6)式の分母のかっこを払うと、 となる。分母、分子をLで割れば、 となる。ここで、(b・B)/L=D,XO/L=Eと置くと、 となる。
である。(6)式の分母のかっこを払うと、 となる。分母、分子をLで割れば、 となる。ここで、(b・B)/L=D,XO/L=Eと置くと、 となる。
まず、PSD3より出力される電流I1および電流I2を、それ
ぞれ電流電圧変換器6Aおよび6Bにより電圧に変換してS
(I1)信号およびS(I2)信号とする。S(I1)信号お
よびS(I2)信号は加算器7を通すことにより、S(I1
+I2)信号が出力される。
ぞれ電流電圧変換器6Aおよび6Bにより電圧に変換してS
(I1)信号およびS(I2)信号とする。S(I1)信号お
よびS(I2)信号は加算器7を通すことにより、S(I1
+I2)信号が出力される。
一方、S(I2)信号を増幅器12により2倍してS(2
I2)信号とする。次に、加算器13によりS(I1+I2)信
号をE倍し、S(E(I1+I2))信号とS(2I2)信号
とを加算する。
I2)信号とする。次に、加算器13によりS(I1+I2)信
号をE倍し、S(E(I1+I2))信号とS(2I2)信号
とを加算する。
割算器14に、S(I1+I2)信号とS(E(I1+I2)+2
I2)信号を入力し、割算して得られた出力をD倍すると
aを求めることができる。
I2)信号を入力し、割算して得られた出力をD倍すると
aを求めることができる。
なお、A,B,C,D,Eは増幅器の係数で増幅してあるが、
(8)式より減衰器で構成しても何ら問題はないことは
明白である。よって、増幅器9の代わりに減衰器として
もよい。さらに、加算器10および13は演算増幅回路の重
み付け加算回路で実現できることは明白である。
(8)式より減衰器で構成しても何ら問題はないことは
明白である。よって、増幅器9の代わりに減衰器として
もよい。さらに、加算器10および13は演算増幅回路の重
み付け加算回路で実現できることは明白である。
従来例においては、中心検出距離40mmに対して、測定距
離と出力との間の直線性が得られる範囲が±5mmと非常
に狭かったのに比較し、本発明においては中心検出距離
16mmに対して±8mmと広い検出範囲にもかかわらず、測
定距離と出力との間の直線性は±3%以内であった。
離と出力との間の直線性が得られる範囲が±5mmと非常
に狭かったのに比較し、本発明においては中心検出距離
16mmに対して±8mmと広い検出範囲にもかかわらず、測
定距離と出力との間の直線性は±3%以内であった。
以上説明したように、本発明によれば、PSDの取り付け
位置の補正を考慮に入れたので、広い測定範囲にわたっ
て測定距離と出力との直線性が得られるという効果を奏
する。
位置の補正を考慮に入れたので、広い測定範囲にわたっ
て測定距離と出力との直線性が得られるという効果を奏
する。
第1図は本発明を適用した実施例を示すブロック図、 第2図は本発明を適用した他の実施例を示すブロック
図、 第3図は位置検出用受光素子の原理を示す説明図、 第4図は測定対象物への距離の求め方を示す説明図であ
る。 1…投光レンズ、2…受光レンズ、3…PSD、4…被測
定対象物、5…光入射位置、6A,6B…電流電圧変換器、
7…加算器、8…減算器、9…増幅器、10…増幅加算
器、11…割算器、12…増倍器、13…加算器、14…割算
器。
図、 第3図は位置検出用受光素子の原理を示す説明図、 第4図は測定対象物への距離の求め方を示す説明図であ
る。 1…投光レンズ、2…受光レンズ、3…PSD、4…被測
定対象物、5…光入射位置、6A,6B…電流電圧変換器、
7…加算器、8…減算器、9…増幅器、10…増幅加算
器、11…割算器、12…増倍器、13…加算器、14…割算
器。
Claims (1)
- 【請求項1】被測定物に光ビームを投光し、該被測定物
からの反射光を、両端部にそれぞれ電極を有し該両電極
間の受光面に光を受けた時該受光位置と電極との距離に
応じた電流I1およびI2を前記電極のそれぞれから出力す
る位置検出用受光素子によって受光し、下式 または (各式において、A,B,C,D,Eは投受光系および位置検出
用受光素子の構造によって定まる定数)によって前記被
測定物までの距離を算出することを特徴とする距離算出
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30596488A JPH073336B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 距離算出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30596488A JPH073336B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 距離算出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151709A JPH02151709A (ja) | 1990-06-11 |
| JPH073336B2 true JPH073336B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=17951420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30596488A Expired - Lifetime JPH073336B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 距離算出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073336B2 (ja) |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP30596488A patent/JPH073336B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02151709A (ja) | 1990-06-11 |
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