JPH0736213B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0736213B2 JPH0736213B2 JP60041082A JP4108285A JPH0736213B2 JP H0736213 B2 JPH0736213 B2 JP H0736213B2 JP 60041082 A JP60041082 A JP 60041082A JP 4108285 A JP4108285 A JP 4108285A JP H0736213 B2 JPH0736213 B2 JP H0736213B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は磁気記録媒体、特に金属薄膜型磁気記録媒体に
関するものである。
関するものである。
従来の磁気記録媒体は非磁性支持体に磁性塗料を塗布す
るいわゆる塗布型が中心であつたが、近年高密度記録へ
の要求が高まるにつれて、非磁性支持体に磁性金属薄膜
を形成した金属薄膜型媒体が注目をあつめている。これ
は1ミクロン以下の厚みの磁性金属薄膜に記録するもの
で、塗布型に比して極めて高密度な記録を可能とするの
である。
るいわゆる塗布型が中心であつたが、近年高密度記録へ
の要求が高まるにつれて、非磁性支持体に磁性金属薄膜
を形成した金属薄膜型媒体が注目をあつめている。これ
は1ミクロン以下の厚みの磁性金属薄膜に記録するもの
で、塗布型に比して極めて高密度な記録を可能とするの
である。
薄膜型媒体の製造方法としては、蒸着法、スパツタ法、
湿式メツキ法等が知られている。このうち蒸着法、スパ
ツタ法等は真空中にて製膜するため量産性に欠け、コス
トも割高という問題点を有している。これに対して湿式
メツキ法は簡単な設備で量産が可能であるため多くの研
究が行われている。
湿式メツキ法等が知られている。このうち蒸着法、スパ
ツタ法等は真空中にて製膜するため量産性に欠け、コス
トも割高という問題点を有している。これに対して湿式
メツキ法は簡単な設備で量産が可能であるため多くの研
究が行われている。
湿式メツキ法は大別して電解メツキ法と無電解メツキ法
の2つがある。電解メツキ法は膜の析出速度が速いが、
プラスチックフイルム等の非導電体基体にはメツシでき
ず、一般には非導電性基体へ直接メツキするには無電解
メツキ法が利用されている。
の2つがある。電解メツキ法は膜の析出速度が速いが、
プラスチックフイルム等の非導電体基体にはメツシでき
ず、一般には非導電性基体へ直接メツキするには無電解
メツキ法が利用されている。
無電解メツキ法にて非導電性基体、たとえばプラスチッ
クフイルムにメツキするために重要な工程は、無電解メ
ツキに先立つて行われるエツチング工程である。この工
程は、特にメツキ膜の基体への密着性向上には不可欠と
されてきたもので、通常はクロム酸、クロム酸混液、あ
るいは水酸化ナトリウム等の溶液に基体を浸せきし、表
面を物理的、化学的に粗化し、メツキ膜に対するアンカ
ー効果を得て密着力を得るものである。しかしこのエツ
チング工程により充分な密着力を得るためには激しい物
理的粗化が必要なため、できあがつたメツキ膜の表面性
は非常に劣化してしまう。通常の装飾用等の目的では外
観上美しい光沢があればそれでも充分であるが、短波長
記録となる高密度記録用媒体としては、表面性劣化は致
命的であつた。そのため、より良い方法の開発が必要と
されていた。この解答の1つとして塩化ビニリデン等を
基体上に下塗りして、そしてエツチング工程を省略する
方法が提案されている(特公昭58−6781)。しかし、こ
の方法では充分な密着力を得ることはできなかつた。
クフイルムにメツキするために重要な工程は、無電解メ
ツキに先立つて行われるエツチング工程である。この工
程は、特にメツキ膜の基体への密着性向上には不可欠と
されてきたもので、通常はクロム酸、クロム酸混液、あ
るいは水酸化ナトリウム等の溶液に基体を浸せきし、表
面を物理的、化学的に粗化し、メツキ膜に対するアンカ
ー効果を得て密着力を得るものである。しかしこのエツ
チング工程により充分な密着力を得るためには激しい物
理的粗化が必要なため、できあがつたメツキ膜の表面性
は非常に劣化してしまう。通常の装飾用等の目的では外
観上美しい光沢があればそれでも充分であるが、短波長
記録となる高密度記録用媒体としては、表面性劣化は致
命的であつた。そのため、より良い方法の開発が必要と
されていた。この解答の1つとして塩化ビニリデン等を
基体上に下塗りして、そしてエツチング工程を省略する
方法が提案されている(特公昭58−6781)。しかし、こ
の方法では充分な密着力を得ることはできなかつた。
本発明者らは、スルホン酸基またはスルホン酸塩基を含
有する化合物を含む下塗り層を形成することにより、従
来のエツチングを無くしてメツキ析出能の向上した、か
つ密着性の良いメツキ膜を得る方法を提案している(特
願昭60−14370号)。本発明者らはさらに研究を進め、
さらに密着性の良い磁性層を探求した結果本発明を想到
するに到つた。
有する化合物を含む下塗り層を形成することにより、従
来のエツチングを無くしてメツキ析出能の向上した、か
つ密着性の良いメツキ膜を得る方法を提案している(特
願昭60−14370号)。本発明者らはさらに研究を進め、
さらに密着性の良い磁性層を探求した結果本発明を想到
するに到つた。
本発明は疎水性非導電性支持体に無電解メツキ磁性層を
高い密着強度で形成した高密度磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。本発明は特に支持体に対する磁性層
の密着性を高めるすぐれた下塗り層を有する磁気記録媒
体を提供することを目的とする。
高い密着強度で形成した高密度磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。本発明は特に支持体に対する磁性層
の密着性を高めるすぐれた下塗り層を有する磁気記録媒
体を提供することを目的とする。
本発明は疎水性非導電性支持体(例えばプラスチツクベ
ース)の少なくとも片面に下塗り層を設け、この下塗り
層中に50〜500オングストロームの微粒子を混入させ、
活性化処理によつて下塗り層の活性化を計ると共に一部
の微粒子の脱落を生じさせ、その表面に無電解メツキ磁
性層(例えばコバルト合金膜)を形成したことを特徴と
する磁気記録媒体である。
ース)の少なくとも片面に下塗り層を設け、この下塗り
層中に50〜500オングストロームの微粒子を混入させ、
活性化処理によつて下塗り層の活性化を計ると共に一部
の微粒子の脱落を生じさせ、その表面に無電解メツキ磁
性層(例えばコバルト合金膜)を形成したことを特徴と
する磁気記録媒体である。
本発明の磁気記録媒体の磁性層の密着性は、下塗り層が
活性化されているためだけではなく、活性化処理の際に
粒子の一部が欠落して下塗り層表面の局部的な粗化が生
じているために大きく向上する。しかし、その一方で表
面性は通常の表面粗化に比べてはるかに平滑に保つこと
ができ、磁性層の表面平滑性を大きくすることができ
る。
活性化されているためだけではなく、活性化処理の際に
粒子の一部が欠落して下塗り層表面の局部的な粗化が生
じているために大きく向上する。しかし、その一方で表
面性は通常の表面粗化に比べてはるかに平滑に保つこと
ができ、磁性層の表面平滑性を大きくすることができ
る。
従来無電解メツキを析出せしめるため、下塗り層を設け
ることが知られている(特公昭39−15251、特公昭39−1
6467、特公昭58−6781等)。本発明でもこれら公知の下
塗り層組成物から適宜選択する。このような下塗り層は
一般に部分加水分解した化合物や活性な官能基を有し、
活性化工程におけるアクチベータの作用で一部が加水分
解するなどして表面が活性化される性質を有する。
ることが知られている(特公昭39−15251、特公昭39−1
6467、特公昭58−6781等)。本発明でもこれら公知の下
塗り層組成物から適宜選択する。このような下塗り層は
一般に部分加水分解した化合物や活性な官能基を有し、
活性化工程におけるアクチベータの作用で一部が加水分
解するなどして表面が活性化される性質を有する。
下塗り層には直径50〜500オングストロームの微粒子が
分散されている。すなわち、下塗り層組成物中にあらか
じめ微粒子を混入分散し、その後これをポリエステル、
ポリイミドフイルム等の疎水性非導電性基体の表面に塗
布、乾燥することにより下塗り剤基体を得る。
分散されている。すなわち、下塗り層組成物中にあらか
じめ微粒子を混入分散し、その後これをポリエステル、
ポリイミドフイルム等の疎水性非導電性基体の表面に塗
布、乾燥することにより下塗り剤基体を得る。
微粒子としては、たとえばAl2O3、SiO2、FeO3、CaCO3、
Au、Ni等のコロイド粒子、或いはこれらを核として得ら
れるコロイド粒子など多くの知られた微粒子から適宜選
択する。微粒子は下塗り層の活性化の後に残留するもの
は重要でなく、微粒子が脱落して残る凹部の方が重要で
ある。このような凹部はパラジウム等の下地金属や磁性
合金粒子のアンカーとして役立つ。この凹部の寸法が大
きいと表面性が劣化するため微粒子の寸法は500オング
ストローム以下、好ましくは100オングストローム以下
とする。
Au、Ni等のコロイド粒子、或いはこれらを核として得ら
れるコロイド粒子など多くの知られた微粒子から適宜選
択する。微粒子は下塗り層の活性化の後に残留するもの
は重要でなく、微粒子が脱落して残る凹部の方が重要で
ある。このような凹部はパラジウム等の下地金属や磁性
合金粒子のアンカーとして役立つ。この凹部の寸法が大
きいと表面性が劣化するため微粒子の寸法は500オング
ストローム以下、好ましくは100オングストローム以下
とする。
下塗り層をプラスチツクフイルム等を疎水性非導性基体
上へ形成する方法は例えば特開昭58−68227号公報など
に詳しく記載されている。これらは従来真空法により金
属薄膜型磁気記録媒体の走行性、ドロップアウト特性改
善のために利用されていたもので、構成上からは同様で
あつても本発明の下塗り層とはその作用が非常にちが
う。本発明では微粒子の部分的脱落を利用する。下塗り
層はグラビアコーテイング、リバースコーテイング、ス
ピンコーテイング等どのような塗布方法によつても良
く、基体が2軸延伸型ポリエステルフイルムの場合には
延伸の途中で塗布して均一に薄くすることも可能であ
る。
上へ形成する方法は例えば特開昭58−68227号公報など
に詳しく記載されている。これらは従来真空法により金
属薄膜型磁気記録媒体の走行性、ドロップアウト特性改
善のために利用されていたもので、構成上からは同様で
あつても本発明の下塗り層とはその作用が非常にちが
う。本発明では微粒子の部分的脱落を利用する。下塗り
層はグラビアコーテイング、リバースコーテイング、ス
ピンコーテイング等どのような塗布方法によつても良
く、基体が2軸延伸型ポリエステルフイルムの場合には
延伸の途中で塗布して均一に薄くすることも可能であ
る。
下振り層は、乾燥の後に、エツチング工程を行うことな
く活性化工程で活性化される。この工程では塩酸等の酸
を含むアクチベータが用いられ、例えば塩酸の作用によ
り下塗り層の一部が加水分解を起こし表面が化学活性化
し、パラジウム等の下地金属粒子を密着良く吸着する。
それに加えて、本発明では活性化処理中に周囲のバイン
ダーの加水分解反応等により一部の微粒子が欠落し、局
所的に下塗り層表面の物理的粗化も行われ、パラジウム
等をその表面にさらに強く吸着されることになる。
く活性化工程で活性化される。この工程では塩酸等の酸
を含むアクチベータが用いられ、例えば塩酸の作用によ
り下塗り層の一部が加水分解を起こし表面が化学活性化
し、パラジウム等の下地金属粒子を密着良く吸着する。
それに加えて、本発明では活性化処理中に周囲のバイン
ダーの加水分解反応等により一部の微粒子が欠落し、局
所的に下塗り層表面の物理的粗化も行われ、パラジウム
等をその表面にさらに強く吸着されることになる。
しかる後に、下塗り層の上に無電解メツキ浴にて金属膜
を形成する。メツキ浴としてはコバルトまたはコバルト
合金などの磁性目を析出させることができる公知の浴を
用いれば良い。金属または合金磁性膜は、下塗り層の活
性化された表面及びパラジウムに結合し、さらに微粒子
欠落の微小な穴による非常に強いアンカー効果により、
従来の方法では得られなかつた密着性の良い磁性膜を得
ることができるものである。
を形成する。メツキ浴としてはコバルトまたはコバルト
合金などの磁性目を析出させることができる公知の浴を
用いれば良い。金属または合金磁性膜は、下塗り層の活
性化された表面及びパラジウムに結合し、さらに微粒子
欠落の微小な穴による非常に強いアンカー効果により、
従来の方法では得られなかつた密着性の良い磁性膜を得
ることができるものである。
本発明の方法と従来のエツチング工程を経て形成された
メツキ膜を比較すると、本発明の方が良い表面性を有す
る。高密着度磁気記録媒体に要求される平均表面あらさ
は0.05μm以下、好ましくは0.03μm以下であるが、本
方法ではこのレベルが可能となる。また、表面あらさは
このように小さいにも拘らず、微粒子の欠落した後は深
い凹所となつているから、強いアンカー効果を生み、高
い密着性を保証するのである。これに対し、一般のエツ
チング方法においては、このような深い凹部を得ようと
すると面全体が大きく荒れてしまう。部分的な凹部の場
合にはヘツドとのタツチも良好なまま保たれ、比較的悪
影響は少なく、メツキ型磁気記録媒体にとつて致命的な
密着性の問題を大きく改善できる利点がある。上記を模
型的に示したのが第1図であり、メツキ直前の基体表面
状態は通常のエツチング法では第1図(a)、従来の下
塗り法では第1図(b)、及び本発明の微粒子型下塗り
法では第1図(c)のようになつている。
メツキ膜を比較すると、本発明の方が良い表面性を有す
る。高密着度磁気記録媒体に要求される平均表面あらさ
は0.05μm以下、好ましくは0.03μm以下であるが、本
方法ではこのレベルが可能となる。また、表面あらさは
このように小さいにも拘らず、微粒子の欠落した後は深
い凹所となつているから、強いアンカー効果を生み、高
い密着性を保証するのである。これに対し、一般のエツ
チング方法においては、このような深い凹部を得ようと
すると面全体が大きく荒れてしまう。部分的な凹部の場
合にはヘツドとのタツチも良好なまま保たれ、比較的悪
影響は少なく、メツキ型磁気記録媒体にとつて致命的な
密着性の問題を大きく改善できる利点がある。上記を模
型的に示したのが第1図であり、メツキ直前の基体表面
状態は通常のエツチング法では第1図(a)、従来の下
塗り法では第1図(b)、及び本発明の微粒子型下塗り
法では第1図(c)のようになつている。
実施例1、比較例1、2 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体(塩化ビニリデン
/塩化ビニル=30/70、重合度400、軟化点130℃)から
酢酸ブチルを溶剤として用いた固形分2wt%の溶液を、
厚さ1000オングストロームとなるように、12ミクロンの
ポリエチレテレフタレートフイルム(PET)上にリパー
ス塗布した。これを試料aとする。次に、上記バインダ
ー中に、60オングストローム径のコロイダルシリカ(Si
O2粒子)を粒子固形分で15wt%混入し分散した後、同様
にPET上にリパース塗布し、試料bとする。次に、同じP
ETを60℃、10%NaOH溶液で20分間アルカリエツチングし
たものを試料cとする。
/塩化ビニル=30/70、重合度400、軟化点130℃)から
酢酸ブチルを溶剤として用いた固形分2wt%の溶液を、
厚さ1000オングストロームとなるように、12ミクロンの
ポリエチレテレフタレートフイルム(PET)上にリパー
ス塗布した。これを試料aとする。次に、上記バインダ
ー中に、60オングストローム径のコロイダルシリカ(Si
O2粒子)を粒子固形分で15wt%混入し分散した後、同様
にPET上にリパース塗布し、試料bとする。次に、同じP
ETを60℃、10%NaOH溶液で20分間アルカリエツチングし
たものを試料cとする。
これらの試料を以下の方法にて、無電解メツキを行つた
後、8ミリ幅にスリツトし、磁気テープを得た。それぞ
れ、aからのテープをA(比較例1)、bからのテープ
をB(実施例1)、cからのテープをC(比較例2)と
する。
後、8ミリ幅にスリツトし、磁気テープを得た。それぞ
れ、aからのテープをA(比較例1)、bからのテープ
をB(実施例1)、cからのテープをC(比較例2)と
する。
(1) アクチベーター 濃塩酸 30部 PN−PS(ワールドメタル社) 15部 蒸留水 55部 40℃、1分間 (2) アクセレーター 濃硫酸 20部 蒸留水 80部 常温、1分間 (3) 無電解メツキ浴 硫酸コバルト 0.06モル/ 硫酸ニツケル 0.04モル/ 次亜リン酸ナトニウム 0.2 モル/ 酒石酸カリウムナトリウム 0.5 モル/ 硫安 0.5 モル/ NaOH アルカリ化 pH9.5 70℃、2分間 蒸留水にて十分に水洗した後、乾燥した。
実施例2、比較例3 エポキシ化ポリジメチルシクロキサンエマルジヨン、塩
化マグネシウムエマルジヨン、酸化チタンコロイドを含
む水溶性エマルジヨンを50μm厚のポリイミドフイルム
に塗布、乾燥した。走査電子顕微鏡、及び超薄膜切片に
よる透過電子顕微鏡等により、このサンプルを測定した
ところ、下塗り層の厚みは、800オングストロールで、7
0オングストローム径の微粒子が約2000万ケ/mm2で均一
に分散していた。このサンプルをdとする。次に、上記
エマルジヨンから微粒子成分を除いた組成物を同様に塗
布し、サンプルeとする。この試料を以下の方法にて無
電解メツキを行つた後、5インチ径の磁気デイスクを得
た。dよりのデイスクをD(実施例2)、eよりのもの
をE(比較例3)とする。
化マグネシウムエマルジヨン、酸化チタンコロイドを含
む水溶性エマルジヨンを50μm厚のポリイミドフイルム
に塗布、乾燥した。走査電子顕微鏡、及び超薄膜切片に
よる透過電子顕微鏡等により、このサンプルを測定した
ところ、下塗り層の厚みは、800オングストロールで、7
0オングストローム径の微粒子が約2000万ケ/mm2で均一
に分散していた。このサンプルをdとする。次に、上記
エマルジヨンから微粒子成分を除いた組成物を同様に塗
布し、サンプルeとする。この試料を以下の方法にて無
電解メツキを行つた後、5インチ径の磁気デイスクを得
た。dよりのデイスクをD(実施例2)、eよりのもの
をE(比較例3)とする。
(1) アクチベーター 実施例1と同様 (2) アクセレーター 実施例2と同様 (3) 下地用無電解ニツケルメツキ浴 ブルーシューマー(日本カニゼン社) 70℃、1分間 (4) 磁性無電解メツキ浴 硫酸コバルト 1.00モル/ 次亜リン酸ナトリウム 0.2 モル/ クエン酸ナトリウム 0.3 モル/ 硫安 0.8 モル/ NaOHアルカリ化 pH10.0 65℃、3分間 次に、実施例及び比較例の結果を示す。
表1の評価方法について、、保磁力はVSM(東英工業
製)にて、密着性は触指によるラビングテスト、出力安
定性は、それぞれ8ミリビデオデツキ(コダツク社)、
及び5インチフロツピーデイスクユニツトを用いて評価
した。表面あらさは、触針型あらさ測定器(タリステツ
プ、Taylor−Hobson社)で測定した。
製)にて、密着性は触指によるラビングテスト、出力安
定性は、それぞれ8ミリビデオデツキ(コダツク社)、
及び5インチフロツピーデイスクユニツトを用いて評価
した。表面あらさは、触針型あらさ測定器(タリステツ
プ、Taylor−Hobson社)で測定した。
尚、密着性及び出力安定性は以下のランクで表わされて
いる。
いる。
比較例4、5 実施例に記載の試料b(微粒子含有下塗層有)の活性
化、めっき前のPETフィルムの片面に厚さ50オングスト
ロームの金薄膜をスパッタ法にて成膜した。金は触媒活
性があるために、活性化処理(アクチベーター、アクセ
レーター)は行わず、試料ab、cと同様の無電解めっき
浴に浸漬し、磁性層を成膜した。このテープ試料をテー
プF(比較例4)とした。
化、めっき前のPETフィルムの片面に厚さ50オングスト
ロームの金薄膜をスパッタ法にて成膜した。金は触媒活
性があるために、活性化処理(アクチベーター、アクセ
レーター)は行わず、試料ab、cと同様の無電解めっき
浴に浸漬し、磁性層を成膜した。このテープ試料をテー
プF(比較例4)とした。
次に試料aと同じバインダー中に600オングストローム
(0.06μm)径のアルミナ粒子を粒子固形分で10wt%混
入し、同様にテープ上に塗布し、試料gとした。試料
a、b、cと同様に活性化処理の後、無電解めっきを行
い、この試料gからのテープをテープG(比較例5)と
した。これらの試料の諸特性を測定したところ表3の結
果を得た。
(0.06μm)径のアルミナ粒子を粒子固形分で10wt%混
入し、同様にテープ上に塗布し、試料gとした。試料
a、b、cと同様に活性化処理の後、無電解めっきを行
い、この試料gからのテープをテープG(比較例5)と
した。これらの試料の諸特性を測定したところ表3の結
果を得た。
以上の結果より、微粒子を下塗り層中に混在せしめるこ
とにより、強い密着力が得られ、その結果、安定した出
力が得られることが明確である。
とにより、強い密着力が得られ、その結果、安定した出
力が得られることが明確である。
第1図は、メツキ浴前(活性化処理後)の表面のあれ方
を視覚的にわかりやすく示したものである。
を視覚的にわかりやすく示したものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 久恵 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テイ ーデイーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−56509(JP,A) 特開 昭58−68227(JP,A)
Claims (4)
- 【請求項1】疎水性非導電性支持体の少なくとも片面に
設けた500オングストローム以下の直径の微粒子を含む
下塗り層であって、微小凹所を形成したものの上に、無
電解めっき磁性層を設けたことを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項2】微小凹所は磁性層の表面層から前記微粒子
が部分的に脱落した凹所である前記第1項記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項3】磁性層がコバルト合金でありかつ表面粗さ
が0.05μm以下である前記第1項または第2項記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項4】微粒子の粒径が100オングストローム未満
である前記第1項ないし第3項のいずれかに記載の磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60041082A JPH0736213B2 (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60041082A JPH0736213B2 (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202323A JPS61202323A (ja) | 1986-09-08 |
| JPH0736213B2 true JPH0736213B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=12598540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60041082A Expired - Lifetime JPH0736213B2 (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736213B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4936535B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2012-05-23 | 株式会社岩田レーベル | 容器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5256509A (en) * | 1975-11-04 | 1977-05-10 | Tdk Corp | Magnetic recording material |
| JPS5868227A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP60041082A patent/JPH0736213B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61202323A (ja) | 1986-09-08 |
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