JPH0737670B2 - ライン式プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
ライン式プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0737670B2 JPH0737670B2 JP3124990A JP12499091A JPH0737670B2 JP H0737670 B2 JPH0737670 B2 JP H0737670B2 JP 3124990 A JP3124990 A JP 3124990A JP 12499091 A JP12499091 A JP 12499091A JP H0737670 B2 JPH0737670 B2 JP H0737670B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- chamber
- processing substrate
- processing chamber
- plate electrode
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハーやガラス基板
等の処理基板を複数同時に処理することのできるライン
処理式プラズマＣＶＤ装置に関する。
等の処理基板を複数同時に処理することのできるライン
処理式プラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来技術】ウエハーやガラス基板等の処理基板の表面
に薄膜を形成するＣＶＤ装置として、従来、減圧ＣＶＤ
装置やプラズマＣＶＤ装置が使用されている。この場
合、処理室内を数Torrの減圧状態を維持しなければなら
ないが、減圧を維持した状態での処理基板の連続的な搬
送が難しいことから、従来ではバッチ処理するようにし
ていた。ところが、バッチ処理システムでは、処理基板
を処理室に搬入した後に、減圧、処理ガスの注入、処理
ガスの排除、昇圧を順に行わなければならず、処理サイ
クルに時間がかかり、生産効率が低いという問題があっ
た。
に薄膜を形成するＣＶＤ装置として、従来、減圧ＣＶＤ
装置やプラズマＣＶＤ装置が使用されている。この場
合、処理室内を数Torrの減圧状態を維持しなければなら
ないが、減圧を維持した状態での処理基板の連続的な搬
送が難しいことから、従来ではバッチ処理するようにし
ていた。ところが、バッチ処理システムでは、処理基板
を処理室に搬入した後に、減圧、処理ガスの注入、処理
ガスの排除、昇圧を順に行わなければならず、処理サイ
クルに時間がかかり、生産効率が低いという問題があっ
た。
【０００３】そこで従来、平板で形成したプラズマ電極
を垂直に配置し、処理基板を垂直姿勢に保持した状態で
連続搬送するように構成したプラズマＣＶＤ装置が提供
されている。
を垂直に配置し、処理基板を垂直姿勢に保持した状態で
連続搬送するように構成したプラズマＣＶＤ装置が提供
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この場合、
平板電極と処理基板との間に形成されるプラズマ空間内
での処理ガスに対流効果が生じ、垂直に保持されている
処理基板の下部と上部とで加熱ムラが生じたり、形成し
た薄膜に厚さムラが発生したりするという問題があっ
た。このため、従来の連続処理式プラズマＣＶＤ装置で
は、上下方向で加熱量を制御したり、ガス供給量を制御
したりしなければならず、その制御がめんどうであると
いう問題があった。本発明はこのような点に着目してな
されたもので、複数の処理基板をライン処理方式で連続
的に処理することのできるプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
平板電極と処理基板との間に形成されるプラズマ空間内
での処理ガスに対流効果が生じ、垂直に保持されている
処理基板の下部と上部とで加熱ムラが生じたり、形成し
た薄膜に厚さムラが発生したりするという問題があっ
た。このため、従来の連続処理式プラズマＣＶＤ装置で
は、上下方向で加熱量を制御したり、ガス供給量を制御
したりしなければならず、その制御がめんどうであると
いう問題があった。本発明はこのような点に着目してな
されたもので、複数の処理基板をライン処理方式で連続
的に処理することのできるプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、処理基板載せ換え部、予備加熱室、処
理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室内の下部に
平板電極を配置するとともに、平板電極に対向させて処
理室の上部にクオーツウインドウを介して加熱ヒータを
配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理基板載置台
の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で間欠移動す
る処理基板載置台に複数の段付孔を透設して処理基板保
持部を構成し、処理室内での処理基板載置台の停止位置
に対応させてシールド装置を配置し、このシールド装置
を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む状態で
配置したことを特徴としている。
めに、本発明は、処理基板載せ換え部、予備加熱室、処
理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室内の下部に
平板電極を配置するとともに、平板電極に対向させて処
理室の上部にクオーツウインドウを介して加熱ヒータを
配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理基板載置台
の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で間欠移動す
る処理基板載置台に複数の段付孔を透設して処理基板保
持部を構成し、処理室内での処理基板載置台の停止位置
に対応させてシールド装置を配置し、このシールド装置
を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む状態で
配置したことを特徴としている。
【０００５】
【作用】本発明では、処理基板載せ換え部、予備加熱
室、処理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室内の
下部に平板電極を配置するとともに、平板電極に対向さ
せて処理室の上部にクオーツウインドウを介して加熱ヒ
ータを配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理基板
載置台の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で間欠
移動する処理基板載置台に複数の段付孔を透設して処理
基板保持部を構成しているので、複数の処理基板は処理
基板載置台に搭載された状態で搬送されることになり、
搬送中に各処理基板の搬送姿勢を平行に維持できる。こ
れにより、特別な加熱ヒータでの加熱制御や処理ガスの
供給量制御を行うことなく、各処理基板に均一な厚さの
薄膜を形成することができる。
室、処理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室内の
下部に平板電極を配置するとともに、平板電極に対向さ
せて処理室の上部にクオーツウインドウを介して加熱ヒ
ータを配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理基板
載置台の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で間欠
移動する処理基板載置台に複数の段付孔を透設して処理
基板保持部を構成しているので、複数の処理基板は処理
基板載置台に搭載された状態で搬送されることになり、
搬送中に各処理基板の搬送姿勢を平行に維持できる。こ
れにより、特別な加熱ヒータでの加熱制御や処理ガスの
供給量制御を行うことなく、各処理基板に均一な厚さの
薄膜を形成することができる。
【０００６】さらに、処理室内での処理基板載置台の停
止位置に対応させてシールド装置を配置し、このシール
ド装置を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む
状態で配置していることから、クオーツウインドウ側に
処理ガスが廻り込んで処理基板の裏面側を汚染したりク
オーツウインドウを汚染したりすることがなくなる。
止位置に対応させてシールド装置を配置し、このシール
ド装置を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む
状態で配置していることから、クオーツウインドウ側に
処理ガスが廻り込んで処理基板の裏面側を汚染したりク
オーツウインドウを汚染したりすることがなくなる。
【０００７】
【実施例】図面は本発明の実施例を示し、図１は処理室
での縦断面図、図２はプラズマＣＶＤ装置のレイアウト
を示す概略構成図、図３は要部の取り出し拡大図であ
る。
での縦断面図、図２はプラズマＣＶＤ装置のレイアウト
を示す概略構成図、図３は要部の取り出し拡大図であ
る。
【０００８】このプラズマＣＶＤ装置は、図２に示すよ
うに、処理基板載せ換え部(１)と、予備加熱室(２)と、
処理室(３)及び搬送室(４)とを平面内で閉ループに配置
し、処理基板載せ換え部(１)で処理基板(５)を載置した
処理基板載置台(６)を搬送機構で間欠移動させることに
より、処理基板(５)を各室で連続的に処理するライン処
理方式に構成してある。そして、処理基板載せ換え部
(１)はクリーンルーム内に開口しており、予備加熱室
(２)、処理室(３)、搬送室(４)の各部屋は気密室に形成
してあり、減圧状態に維持されている。
うに、処理基板載せ換え部(１)と、予備加熱室(２)と、
処理室(３)及び搬送室(４)とを平面内で閉ループに配置
し、処理基板載せ換え部(１)で処理基板(５)を載置した
処理基板載置台(６)を搬送機構で間欠移動させることに
より、処理基板(５)を各室で連続的に処理するライン処
理方式に構成してある。そして、処理基板載せ換え部
(１)はクリーンルーム内に開口しており、予備加熱室
(２)、処理室(３)、搬送室(４)の各部屋は気密室に形成
してあり、減圧状態に維持されている。
【０００９】処理室(３)は図１に示すように、下部に平
板電極(７)を配置するとともに、上部にハロゲンランプ
で構成した加熱ヒータ(８)をクオーツウインドウ(９)を
介して配置してあり、クオーツウインドウ(９)と平板電
極(７)との間を処理基板載置台(６)の移動路(10)に形成
してある。そして、平行電極(７)の上面にはシランガス
等の処理ガス(プロセスガス)を噴出するガス噴出孔が多
数形成してある。また、平板電極(７)の外周部を覆う状
態でシールド板(11)が処理室(３)の底壁部分から一体に
突設してある。
板電極(７)を配置するとともに、上部にハロゲンランプ
で構成した加熱ヒータ(８)をクオーツウインドウ(９)を
介して配置してあり、クオーツウインドウ(９)と平板電
極(７)との間を処理基板載置台(６)の移動路(10)に形成
してある。そして、平行電極(７)の上面にはシランガス
等の処理ガス(プロセスガス)を噴出するガス噴出孔が多
数形成してある。また、平板電極(７)の外周部を覆う状
態でシールド板(11)が処理室(３)の底壁部分から一体に
突設してある。
【００１０】処理基板載置台(６)は、図４に示すよう
に、アルミニユーム製の基台(12)に多数の処理基板保持
孔(13)を透設するとともに、基台(12)の下面両側端部に
搬送ローラ挿嵌溝(14)を凹設して形成してある。そし
て、処理基板保持孔(13)はテーパー孔で形成した大径部
(15)を上側に、円筒孔で形成した小径部(16)を下側に配
置し、大径部(15)と小径部(16)の接続部に段部(17)を形
成した段付孔で形成してあり、この段部(17)に処理基板
(５)をその下面が平板電極(７)に対向する状態で載置す
ることにより、処理基板(５)の下面を処理面(成膜面)と
した状態で保持するようにしてある。
に、アルミニユーム製の基台(12)に多数の処理基板保持
孔(13)を透設するとともに、基台(12)の下面両側端部に
搬送ローラ挿嵌溝(14)を凹設して形成してある。そし
て、処理基板保持孔(13)はテーパー孔で形成した大径部
(15)を上側に、円筒孔で形成した小径部(16)を下側に配
置し、大径部(15)と小径部(16)の接続部に段部(17)を形
成した段付孔で形成してあり、この段部(17)に処理基板
(５)をその下面が平板電極(７)に対向する状態で載置す
ることにより、処理基板(５)の下面を処理面(成膜面)と
した状態で保持するようにしてある。
【００１１】処理室(３)内での処理基板載置台(６)の搬
送機構は、処理基板載置台(６)の移動方向に沿う処理室
(３)の各側壁(18)部分に回転軸(19)を磁気カップリング
(20)を介して片持ち状に支持させ、各回転軸(19)の処理
室(３)内に位置する端部に前記処理基板載置台(６)の搬
送ローラ挿嵌溝(14)と嵌り合うステンレス鋼製ローラ(2
1)をそれぞれ固定し、両回転軸(19)を駆動用モータ(22)
にタイミングベルト(23)を介してそれぞれ接続し、各駆
動用モータ(22)を制御装置(24)で同期回転させることに
より、処理基板載置台(６)を水平姿勢を維持したまま移
動させるように構成してある。
送機構は、処理基板載置台(６)の移動方向に沿う処理室
(３)の各側壁(18)部分に回転軸(19)を磁気カップリング
(20)を介して片持ち状に支持させ、各回転軸(19)の処理
室(３)内に位置する端部に前記処理基板載置台(６)の搬
送ローラ挿嵌溝(14)と嵌り合うステンレス鋼製ローラ(2
1)をそれぞれ固定し、両回転軸(19)を駆動用モータ(22)
にタイミングベルト(23)を介してそれぞれ接続し、各駆
動用モータ(22)を制御装置(24)で同期回転させることに
より、処理基板載置台(６)を水平姿勢を維持したまま移
動させるように構成してある。
【００１２】また、処理室(３)内での処理基板載置台
(６)の停止位置に対応させてシールド装置(25)が配置し
てある。このシールド装置(25)は処理室(３)の上壁にク
オーツウインドウ(９)を取り囲む状態で配置した２重ベ
ロース(26)と、この２重ベロース(26)の下端に固定した
板枠(27)及び２重ベロース(26)の内部に配置した板枠昇
降駆動具(28)とで構成してある。なお、このシールド装
置(25)は板枠(27)を下降させたシールド姿勢において、
板枠(27)の下面と処理基板載置台(６)の上面との間にわ
ずかな隙間を残すようにしてある。そして、シールド装
置(25)で囲われている空間に水素ガス等のパージガスを
供給することにより、この空間を僅かな陽圧に形成し、
パージガスを前記隙間から流出させるようにしてある。
なお、符号(29)はチャンバー内を減圧するための排気路
である。
(６)の停止位置に対応させてシールド装置(25)が配置し
てある。このシールド装置(25)は処理室(３)の上壁にク
オーツウインドウ(９)を取り囲む状態で配置した２重ベ
ロース(26)と、この２重ベロース(26)の下端に固定した
板枠(27)及び２重ベロース(26)の内部に配置した板枠昇
降駆動具(28)とで構成してある。なお、このシールド装
置(25)は板枠(27)を下降させたシールド姿勢において、
板枠(27)の下面と処理基板載置台(６)の上面との間にわ
ずかな隙間を残すようにしてある。そして、シールド装
置(25)で囲われている空間に水素ガス等のパージガスを
供給することにより、この空間を僅かな陽圧に形成し、
パージガスを前記隙間から流出させるようにしてある。
なお、符号(29)はチャンバー内を減圧するための排気路
である。
【００１３】
【発明の効果】本発明では、処理基板載せ換え部、予備
加熱室、処理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室
内の下部に平板電極を配置するとともに、平板電極に対
向させて処理室の上部にクオーツウインドウを介して加
熱ヒータを配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理
基板載置台の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で
間欠移動する処理基板載置台に複数の段付孔を透設して
処理基板保持部を構成しているので、複数の処理基板は
処理基板載置台に搭載された状態で搬送されることにな
り、搬送中に各処理基板の搬送姿勢を平行に維持でき
る。これにより、特別な加熱ヒータでの加熱制御や処理
ガスの供給量制御を行うことなく、各処理基板に均一な
厚さの薄膜を形成することができる。
加熱室、処理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室
内の下部に平板電極を配置するとともに、平板電極に対
向させて処理室の上部にクオーツウインドウを介して加
熱ヒータを配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理
基板載置台の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で
間欠移動する処理基板載置台に複数の段付孔を透設して
処理基板保持部を構成しているので、複数の処理基板は
処理基板載置台に搭載された状態で搬送されることにな
り、搬送中に各処理基板の搬送姿勢を平行に維持でき
る。これにより、特別な加熱ヒータでの加熱制御や処理
ガスの供給量制御を行うことなく、各処理基板に均一な
厚さの薄膜を形成することができる。
【００１４】さらに、処理室内での処理基板載置台の停
止位置に対応させてシールド装置を配置し、このシール
ド装置を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む
状態で配置していることから、クオーツウインドウ側に
処理ガスが廻り込んで処理基板の裏面側を汚染したり、
クオーツウインドウを汚染したりすることを無くすこと
ができる。
止位置に対応させてシールド装置を配置し、このシール
ド装置を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む
状態で配置していることから、クオーツウインドウ側に
処理ガスが廻り込んで処理基板の裏面側を汚染したり、
クオーツウインドウを汚染したりすることを無くすこと
ができる。
【図１】処理室での縦断面図である。
【図２】プラズマＣＶＤ装置のレイアウト図である。
【図３】要部の取り出し拡大図である。
【図４】処理基板載置台の搬送系を示す斜視図である。
１…処理基板載せ換え部、 ２…予備加熱
室、３…処理室、 ４…搬送室、６…処理基板載置
台、 ７…平板電極、８…加熱ヒー
タ、 ９…クオーツウインドウ、
10…処理基板の移動路、 13…処理基板
保持部、25…シールド装置。
室、３…処理室、 ４…搬送室、６…処理基板載置
台、 ７…平板電極、８…加熱ヒー
タ、 ９…クオーツウインドウ、
10…処理基板の移動路、 13…処理基板
保持部、25…シールド装置。
Claims (1)
- 【請求項１】 処理基板載せ換え部(１)、予備加熱室
(２)、処理室(３)、搬送室(４)とを閉ループに配置し、
処理室(３)内の下部に平板電極(７)を配置するととも
に、平板電極(７)に対向させて処理室(３)の上部にクオ
ーツウインドウ(９)を介して加熱ヒータ(８)を配置し、
平板電極(７)と加熱ヒータ(８)との間に処理基板載置台
(６)の移動路(10)を形成し、この移動路(10)を水平姿勢
で間欠移動する処理基板載置台(６)に複数の段付孔を透
設して処理基板保持部(13)を構成し、処理室(３)内での
処理基板載置台(６)の停止位置に対応させてシールド装
置(25)を配置し、このシールド装置(25)を処理室(３)の
上壁にクオーツウインドウ(９)を取り囲む状態で配置し
たライン式プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124990A JPH0737670B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ライン式プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124990A JPH0737670B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ライン式プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04325687A JPH04325687A (ja) | 1992-11-16 |
| JPH0737670B2 true JPH0737670B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=14899181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124990A Expired - Lifetime JPH0737670B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ライン式プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737670B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8268074B2 (en) | 2005-02-03 | 2012-09-18 | Rec Scan Wafer As | Method and device for producing oriented solidified blocks made of semi-conductor material |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10141142B4 (de) * | 2001-08-24 | 2004-11-11 | Roth & Rau Ag | Einrichtung zur reaktiven Plasmabehandlung von Substraten und Verfahren zur Anwendung |
| EP1760170B1 (en) | 2005-09-05 | 2011-04-06 | Japan Pionics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3124990A patent/JPH0737670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8268074B2 (en) | 2005-02-03 | 2012-09-18 | Rec Scan Wafer As | Method and device for producing oriented solidified blocks made of semi-conductor material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04325687A (ja) | 1992-11-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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