JPH0738388B2 - Pattern formation method - Google Patents
Pattern formation methodInfo
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- JPH0738388B2 JPH0738388B2 JP7789687A JP7789687A JPH0738388B2 JP H0738388 B2 JPH0738388 B2 JP H0738388B2 JP 7789687 A JP7789687 A JP 7789687A JP 7789687 A JP7789687 A JP 7789687A JP H0738388 B2 JPH0738388 B2 JP H0738388B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、基板上に、直接またはレジストでなる第１の
膜を介して、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、そ
の第２の膜上にパターン化され且つレジストでなる第３
の膜を形成し、そして、第２の膜に対する上記第３の膜
をマスクとするエッチングガスを用いたエッチング処理
によって、その第２の膜から、そのパターン化された第
４の膜を形成するという、パターン形成法の改良に関す
る。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention forms a second film made of a silicone resin on a substrate directly or through a first film made of a resist, and the second film. Third patterned and made of resist on top
Film is formed, and the patterned fourth film is formed from the second film by an etching process using an etching gas for the second film using the third film as a mask. That is, regarding the improvement of the pattern forming method.
従来の技術 従来、第１図を伴って次に述べるパターン形成法が提案
されている。2. Description of the Related Art Conventionally, the following pattern formation method has been proposed with reference to FIG.
すなわち、基板１上にシリコン樹脂でなる膜２を、基板
１の表面に段差を有するとしても、表面が平坦になるよ
うに、比較的厚い厚さに、スピン法によって塗布形成す
る（第１図Ａ）。That is, a film 2 made of a silicon resin is formed on the substrate 1 by a spin method so that the surface is flat even if the surface of the substrate 1 has a step (see FIG. 1). A).
次に、その膜２上に、紫外線レジスト、電子線レジス
ト、Ｘ線レジストなどのレジストでなる膜３を形成する
（第１図Ｂ）。Next, a film 3 made of a resist such as an ultraviolet resist, an electron beam resist, an X-ray resist is formed on the film 2 (FIG. 1B).
次に、その膜３に対する、紫外線などを用いた露光処
理、続く現像処理によって、その膜３から、パターン化
され且つレジストでなる膜４を形成する（第１図Ｃ）。Next, a patterned and resist film 4 is formed from the film 3 by an exposure process using ultraviolet rays or the like for the film 3 and a subsequent development process (FIG. 1C).
次に、膜２に対する、膜４をマスクとするエッチングガ
スを用いたエッチング処理によって、膜４から、そのパ
ターン化された膜５を形成する（第１図Ｄ）。Next, the patterned film 5 is formed from the film 4 by etching the film 2 with the etching gas using the film 4 as a mask (FIG. 1D).
以上が、従来提案されているパターン形成法（これを、
従来の第１のパターン形成法と称す）である。The above is the pattern formation method conventionally proposed (this is
This is a conventional first pattern formation method).
このようなパターン形成法によれば、基板１の表面に段
差を有していても、膜３が各部均一な厚さを有し且つ平
坦な表面を有するものとして形成されるので、その膜３
から得られる膜４を、所望のパターンに、微細且つ高精
度に容易に形成することができ、よって、膜５を微細且
つ高精度に容易に形成することができる。なお、この膜
５は、これをマスクとして用いて、基板１の表面をエッ
チングするのに用いられるものである。According to such a pattern forming method, even if there is a step on the surface of the substrate 1, the film 3 is formed as having a uniform thickness in each part and a flat surface.
The film 4 obtained from the above can be easily formed in a desired pattern finely and with high precision, and thus the film 5 can be easily formed finely and with high precision. The film 5 is used for etching the surface of the substrate 1 by using it as a mask.
また、従来、第２図を伴って次に述べるパターン形成法
も提案されている。Further, conventionally, a pattern forming method described below with reference to FIG. 2 has also been proposed.
すなわち、基板１上に、第１図で上述した膜３と同様の
またはそれとは異種のレジストでなる膜６を、基板１の
表面に段差を有するとしても、表面が平坦になるように
比較的厚い厚さに形成し、次に、その膜６上に、第１図
で上述した膜２と同様のシリコン樹脂でなる膜７を形成
し、次に、その膜７上に、第１図で上述した膜３と同様
のレジストでなる膜８を形成する（第２図Ａ）。That is, a film 6 made of a resist similar to or different from the film 3 described above with reference to FIG. 1 is formed on the substrate 1 so that even if the surface of the substrate 1 has a step, the surface is relatively flat. It is formed to a large thickness, and then a film 7 made of the same silicon resin as the film 2 described above in FIG. 1 is formed on the film 6, and then formed on the film 7 in FIG. A film 8 made of the same resist as the film 3 described above is formed (FIG. 2A).
次に、第１図の場合において膜３から膜４を形成すると
同様の処理によって、膜８から、パターン化され且つレ
ジストでなる膜９を形成する（第２図Ｂ）。Next, a film 9 made of a patterned resist is formed from the film 8 by the same process as that for forming the films 3 to 4 in the case of FIG. 1 (FIG. 2B).
次に、膜７に対する、膜９をマスクとするエッチングガ
スを用いたエッチング処理によって、膜７から、そのパ
ターン化された膜10を形成する（第２図Ｃ）。Next, the patterned film 10 is formed from the film 7 by etching the film 7 with the etching gas using the film 9 as a mask (FIG. 2C).
以上が従来提案されているパターン形成法の他の実施例
（これを従来の第２のパターン形成法と称す）である。The above is another embodiment of the conventionally proposed pattern forming method (this is referred to as a conventional second pattern forming method).
このような従来の第２のパターン形成法によれば、基板
１の表面に段差を有していても、膜８が、従来の第１の
パターン形成法の膜３と同様に、各部均一な厚さを有し
且つ平坦な表面を有するものとして形成されるので、そ
の膜９から得られる膜９を、従来の第１のパターン形成
法の膜４と同様に、所望のパターンに、微細且つ高精度
に容易に形成することができ、よって、膜10を、従来の
第１のパターン形成法の膜５と同様に、微細且つ高精度
に容易に形成することができる。なお、この膜10は、こ
れをマスクとして用いて、膜６をエッチングし、次で、
基板１をエッチングするのに用いられるものである。According to such a conventional second pattern forming method, even if there is a step on the surface of the substrate 1, the film 8 is uniform in each part like the film 3 of the conventional first pattern forming method. Since the film 9 is formed to have a thickness and a flat surface, the film 9 obtained from the film 9 is formed into a desired pattern in a fine and fine manner, like the film 4 of the conventional first pattern forming method. The film 10 can be easily formed with high precision, and therefore, the film 10 can be easily formed with fineness and high precision, like the film 5 of the conventional first pattern forming method. This film 10 is used as a mask to etch the film 6 and then,
It is used for etching the substrate 1.
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述した従来の第１のパターン形成法の
場合、シリコン樹脂でなる膜２からそれに対する、パタ
ーン化され且つレジストでなる膜４をマスクとするエッ
チング処理によって、パターン化され且つシリコン樹脂
でなる膜５を形成するのに用いるエッチングガスが、膜
２及び４とのエッチング速度比を十分大きくとれないガ
スであったので、膜２から膜５を形成するエッチング処
理時、膜４の幅が初期の幅から狭くなったりするため、
膜５を所期のパターンに微細且つ高精度に形成するのに
一定の限度を有していた。DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention However, in the case of the above-described first conventional pattern forming method, by the etching process using the film 2 made of the silicon resin, the film 4 made of the patterned resist is used as a mask, Since the etching gas used to form the patterned and silicon resin film 5 is a gas that does not have a sufficiently large etching rate ratio with the films 2 and 4, an etching process for forming the film 2 from the film 2 is performed. At this time, the width of the film 4 becomes narrower than the initial width,
There was a certain limit in forming the film 5 in a desired pattern finely and with high precision.
また、上述した従来の第１のパターン形成法の場合も、
シリコン樹脂でなる膜７からそれに対する、パターン化
され且つレジストでなる膜９をマスクとするエッチング
処理によって、パターン化され且つシリコン樹脂でなる
膜10を形成するのに用いるエッチングガスが、従来の第
１のパターン形成法の場合と同様に、膜７及び９とのエ
ッチング速度比を十分大きくとれないガスであったの
で、膜７から膜10を形成するエッチング処理時、従来の
第１のパターン形成法の場合と同様に、膜10の幅が初期
の幅から狭くなったりするため、膜５を所期のパターン
に微細且つ高精度に形成するのに一定の限度を有してい
た。Also, in the case of the above-mentioned conventional first pattern forming method,
The etching gas used to form the patterned and silicon resin film 10 from the silicon resin film 7 by the etching process using the patterned and resist film 9 as a mask is the same as the conventional etching gas. As in the case of the pattern formation method of No. 1, since the gas is a gas that cannot sufficiently increase the etching rate ratio with the films 7 and 9, the conventional first pattern formation is performed during the etching process for forming the film 7 from the film 7. As in the case of the method, since the width of the film 10 becomes narrower than the initial width, there is a certain limit for forming the film 5 in a desired pattern finely and with high precision.
問題点を解決するための手段 よって、本発明はは、上述した欠点のない、新規なパタ
ーン形成法を提案せんとするものである。Therefore, the present invention proposes a novel patterning method which does not have the above-mentioned drawbacks.
本願第１番目の発明によるパターン形成法は、第１図及
び第２図で上述した従来のパターン形成法の場合と同様
に、基板上に直接またはレジストでなる第１の膜を介し
て、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、その第２の
膜上にパターン化され且つレジストでなる第３の膜を形
成し、そして、第２の膜に対する第３の膜をマスクとす
るエッチングガスを用いたエッチング処理によって、第
２の膜から、そのパターン化された第４の膜を形成す
る。The pattern formation method according to the first invention of the present application is similar to the case of the conventional pattern formation method described above with reference to FIGS. Forming a second film made of resin, forming a patterned third film made of a resist on the second film, and etching gas using the third film as a mask for the second film The patterned fourth film is formed from the second film by an etching process using.
しかしながら、本願第１番目の発明によるパターン形成
法は、このようなパターン形成法において、エッチング
ガスとして、CBrF3を含むガスを用いる。However, the pattern forming method according to the first invention of the present application uses a gas containing CB r F 3 as an etching gas in such a pattern forming method.
また、本願第２番目の発明によるパターン形成法は、上
述したパターン形成法において、エッチングガスとし
て、CBrF3と、窒素、酸素または不活性ガスとを含むガ
スを用いる。Further, in the pattern forming method according to the second aspect of the present invention, in the pattern forming method described above, a gas containing CB r F 3 and nitrogen, oxygen or an inert gas is used as an etching gas.
作用・効果 上述した本願第１番目の発明によるパターン形成法によ
れば、エッチングガスとして、CBrF3を含むガスを用い
るため、そのエッチングガスが、第２の膜と、第３の膜
とのエッチング速度比を、前述した従来の第１及び第２
のパターン形成法に用いているエッチングガスに比し、
十分大きくとれ、従って、第２の膜から、第４の膜を形
成するエッチング処理時、第３の膜の幅が、初期の幅か
ら不必要に狭くなったりせず、このため、第４の膜を、
所期のパターンに微細且つ高精度に、従来の第１及び第
２のパターン形成法の場合に比し良好に、形成すること
ができる。Function and Effect According to the pattern forming method according to the first invention of the present application, since the gas containing CB r F 3 is used as the etching gas, the etching gas is the second film and the third film. The etching rate ratio of the above-mentioned conventional first and second
Compared to the etching gas used in the pattern formation method of
Therefore, the width of the third film is not unnecessarily narrowed from the initial width during the etching process for forming the fourth film from the second film. The membrane
It is possible to form a desired pattern finely and with high accuracy, and better than in the case of the conventional first and second pattern forming methods.
また、上述した本願第２番目の発明によるパターン形成
法によれば、エッチングガスとして、CBrF3と、窒素、
酸素または不活性ガスとを含むガスを用いているので、
そのエッチングガスのCBrF3によって、本願第１番目の
発明によるパターン形成法の場合と同様の作用、効果が
得られる外、第３の膜になるレジストでなる膜から、第
３の膜の形成する時、その第３の膜の外、第３の膜にな
るレジストでなる膜の一部が、第２の膜上に残留層とし
て残留し、また、エッチング処理時、その残留層上に
（CFx）ｎポリマーでなる層が堆積しても、その残留層
を、エッチングガスの窒素、酸素または不活性ガスによ
って、効果的にエッチング除去するので、第３の膜の形
成時、第２の膜上に上述した残留層が残留していても、
第４の膜を、所期のパターンに微細に且つ高精度に形成
することができる。Further, according to the pattern forming method according to the second aspect of the present invention described above, as the etching gas, CB r F 3 , nitrogen,
Since a gas containing oxygen or an inert gas is used,
By the CB r F 3 of the etching gas, the same action and effect as in the case of the pattern forming method according to the first invention of the present application can be obtained, and from the resist film which becomes the third film to the third film At the time of forming, a part of the resist film which becomes the third film in addition to the third film remains as a residual layer on the second film, and also at the time of etching treatment, on the residual layer. Even if a layer made of (CFx) n polymer is deposited, the remaining layer is effectively removed by etching with nitrogen, oxygen, or an inert gas as an etching gas. Even if the above-mentioned residual layer remains on the film,
The fourth film can be formed in a desired pattern minutely and with high precision.
実施例１ 次に、本願第１番目の発明によるパターン形成法の第１
の実施例を述べよう。Example 1 Next, the first pattern formation method according to the first invention of the present application
Examples of
本願第１番目の発明によるパターン形成法の第１の実施
例においては、第１図で上述したと同様に、基板１上に
シリコン樹脂でなる膜２を、基板１の表面に段差を有す
るとしても、表面が平坦になるように、比較的厚い厚さ
に、スピン法によって塗布形成し（第１図Ａ）、次に、
その膜２上に、紫外線レジスト、電子線レジスト、Ｘ線
レジストなどのレジストでなる膜３を形成し（第１図
Ｂ）、次に、その膜３に対する、紫外線などを用いた露
光処理、続く現像処理によって、その膜３から、パター
ン化され且つレジストでなる膜４を形成し（第１図
Ｃ）、次に、膜２に対する、膜４をマスクとするエッチ
ングガスを用いたエッチング処理によって、膜４から、
そのパターン化された膜５を形成した（第１図Ｄ）。In the first embodiment of the pattern forming method according to the first invention of the present application, as in the case described above with reference to FIG. In order to make the surface flat, a spin coating method is applied to form a relatively thick film (FIG. 1A), and then
A film 3 made of a resist such as an ultraviolet resist, an electron beam resist or an X-ray resist is formed on the film 2 (FIG. 1B), and then the film 3 is subjected to an exposure treatment using ultraviolet light or the like. A patterned and resist film 4 is formed from the film 3 by the development process (FIG. 1C), and then the film 2 is etched using an etching gas with the film 4 as a mask. From membrane 4
The patterned film 5 was formed (FIG. 1D).
ただし、この場合、基板１として、表面に、アルミニウ
ムからなる配線パターンを形成している基板を用いた。However, in this case, as the substrate 1, a substrate having a wiring pattern made of aluminum formed on its surface was used.
また、膜２を、トーレ・シリコン社製SR-2400でなるシ
リコン樹脂を、２μの厚さに塗布し、次で、その塗布層
を、窒素雰囲気中で、150℃、30分加熱して形成した。Further, the film 2 is formed by applying a silicone resin made of Torre Silicon Co. SR-2400 to a thickness of 2μ and then heating the applied layer in a nitrogen atmosphere at 150 ° C. for 30 minutes. did.
さらに、膜３を、東京応化会社製紫外線レジストOFPR-8
00でなるレジストを、１μの厚さに塗布して形成した。In addition, the film 3 is a UV resist OFPR-8 manufactured by Tokyo Ohka Company.
A resist of 00 was applied to a thickness of 1 μm.
また、膜４を、紫外線（ｇ線）を用いた露光、続く有機
アルカリによる現像処理によって、相隣る部間の間隔が
１μになるように形成した。Further, the film 4 was formed by exposure using ultraviolet rays (g rays) and subsequent development treatment with an organic alkali so that the interval between adjacent portions was 1 μm.
さらに、膜５を、１×10-2Pa以下に排気された後、CBrF
3でなるガスがエッチングガスとして50sccm導入されて6
Paの圧力を有している室内で、そのエッチングガスに、
13.56MHzの高周波100Wを印加して、そのエッチングガス
をプラズマ化し、その状態を50分間保つという、エッチ
ング処理によって形成した。Furthermore, after evacuating the membrane 5 to 1 × 10 -2 Pa or less, CB r F
A gas consisting of 3 was introduced as 50sccm as an etching gas and 6
In the chamber that has the pressure of Pa, to the etching gas,
A high frequency of 100 W of 13.56 MHz was applied, the etching gas was turned into plasma, and the state was maintained for 50 minutes.
しかるときは、膜５が、相隣る部間の距離を１μとして
いる、膜４のパターンに忠実なパターンに形成された。At that time, the film 5 was formed in a pattern faithful to the pattern of the film 4 in which the distance between adjacent portions was 1 μm.
なお、このときのCBrF3でなるエッチングガスは、膜２
及び４に対し、それぞれ第１表に示すエッチング速度を
呈し、従って、第１表に示す膜２と膜４とのエッチング
速度比を呈するものである。At this time, the etching gas composed of CB r F 3 is
And 4 exhibit the etching rates shown in Table 1, and hence the etching rate ratios of the film 2 and the film 4 shown in Table 1.
ちなみに、エッチングガスが、CF4ガス、SF6ガス、CCl2
F2ガスでなる場合、そのエッチングガスは、膜２及び４
に対し、それぞれ第１表に示すエッチング速度を呈し、
従って、第１表に示す、膜２と膜４とのエッチング速度
比を呈するものである。By the way, the etching gas is CF 4 gas, SF 6 gas, CCl 2 gas.
When the etching gas is F 2 gas, the etching gas is the films 2 and 4
In contrast, the etching rates shown in Table 1 are exhibited,
Therefore, the etching rate ratio between the film 2 and the film 4 shown in Table 1 is exhibited.
実施例２ 次に、本願第１番目の発明によるパターン形成法の第２
の実施例を述べよう。 Second Embodiment Next, the second pattern formation method according to the first invention of the present application will be described.
Examples of
本願第１番目の発明によるパターン形成法の第２の実施
例においては、第２図で上述したと同様に、基板１上
に、第１図で上述した膜３と同様のまたはそれとは異種
のレジストでなる膜６を、基板１の表面に段差を有する
としても、表面が平坦になるように比較的厚い厚さに形
成し、次に、その膜６上に、第１図で上述した膜２と同
様のシリコン樹脂でなる膜７を形成し、次に、その膜７
上に、第１図で上述した膜３と同様のレジストでなる膜
８を形成し（第２図Ａ）、次に、第１図の場合において
膜３から膜４を形成すると同様の処理によって、膜８か
ら、パターン化され且つレジストでなる膜９を形成し
（第２図Ｂ）、次に、膜７に対する、膜９をマスクとす
るエッチングガスを用いたエッチング処理によって、膜
７から、そのパターン化された膜10を形成した（第２図
Ｃ）。In the second embodiment of the pattern forming method according to the first invention of the present application, the same as or different from the film 3 described above in FIG. 1 is formed on the substrate 1 in the same manner as described above in FIG. A film 6 made of a resist is formed to have a relatively large thickness so that the surface is flat even if the surface of the substrate 1 has a step, and then the film 6 described above with reference to FIG. 1 is formed on the film 6. A film 7 made of the same silicone resin as that of No. 2 is formed, and then the film 7 is formed.
A film 8 made of the same resist as the film 3 described above with reference to FIG. 1 is formed on the upper surface (FIG. 2A), and then the same process is performed to form the films 3 to 4 in the case of FIG. , A patterned film 9 made of a resist is formed from the film 8 (FIG. 2B), and then the film 7 is subjected to an etching process using an etching gas with the film 9 as a mask, The patterned film 10 was formed (Fig. 2C).
ただし、基板１として、本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様のものを用い、
また、膜２、３及び４を本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例１の場合と同様に形成し、さ
らに、エッチングガスとして、本願第１番目の発明によ
るパターン形成法の第１の実施例の場合と同様のガスを
用いた。However, as the substrate 1, the same substrate as in the case of the first embodiment of the pattern forming method according to the first invention of the present application is used,
Further, the films 2, 3 and 4 are formed in the same manner as in the case of the first embodiment 1 of the pattern forming method according to the first invention of the present application, and the pattern forming method according to the first invention of the present application is used as an etching gas. A gas similar to that used in the first example of was used.
しかるときも、膜10が、本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様に、膜９のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。Even then, the film 10 was formed in a pattern faithful to the pattern of the film 9 as in the case of the first embodiment of the pattern forming method according to the first invention of the present application.
実施例３ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第１
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋５％O2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。Third Embodiment Next, a first pattern forming method according to the second invention of the present application will be described.
As an etching gas, (CB r F 3
A film 5 was formed by the same method as in the first example of the pattern forming method according to the first invention of the present application, except that + 5% O 2 ) gas was used.
しかるときも、膜５が、本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の場合と同様に、膜４のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。Also in this case, the film 5 was formed in a pattern faithful to the pattern of the film 4, as in the case of the pattern forming method according to the first invention of the present application.
なお、このときの（CBrF3＋５％O2）でなるエッチング
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。The etching gas composed of (CB r F 3 + 5% O 2 ) at this time exhibited the etching rates shown in Table 2 with respect to the films 2 and 4, and therefore the films 2 and 4 shown in Table 2 were used. And an etching rate ratio with.
実施例４ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第２
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋５％O2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。 Fourth Embodiment Next, the second pattern formation method according to the second invention of the present application will be described.
As an etching gas, (CB r F 3
A film 5 was formed by the same method as in the first example of the pattern forming method according to the first invention of the present application, except that + 5% O 2 ) gas was used.
しかるときも、膜10が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の第２の実施例場合と同様に、膜９のパター
ンに忠実なパターンに形成された。Even then, the film 10 was formed in a pattern faithful to the pattern of the film 9 as in the case of the second embodiment of the pattern forming method according to the second aspect of the present invention.
実施例５ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第３
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％N2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。Fifth Embodiment Next, a third method of pattern formation according to the second invention of the present application
As an etching gas, (CB r F 3
A film 5 was formed by the same method as in the second example of the pattern forming method according to the first invention of the present application, except that + 10% N 2 ) gas was used.
しかるときも、膜５が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の場合と同様に、膜４のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。Even then, the film 5 was formed in a pattern faithful to the pattern of the film 4, as in the case of the pattern forming method according to the second invention of the present application.
なお、このときの（CBrF3＋10％N2）でなるエッチング
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。The etching gas composed of (CB r F 3 + 10% N 2 ) at this time exhibited the etching rates shown in Table 2 with respect to the films 2 and 4, and therefore the films 2 and 4 shown in Table 2 were used. And an etching rate ratio with.
実施例６ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第４
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％N2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜10を形成した。Embodiment 6 Next, a fourth method of pattern formation according to the second invention of the present application
As an etching gas, (CB r F 3
A film 10 was formed by the same method as in the second example of the pattern forming method according to the second invention of the present application, except that + 10% N 2 ) gas was used.
しかるときも、膜10が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の第２の実施例の場合と同様に、膜９のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。Even then, the film 10 was formed in a pattern faithful to the pattern of the film 9 as in the case of the second embodiment of the pattern forming method according to the second aspect of the present invention.
実施例７ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第５
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％Ar）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。Embodiment 7 Next, a fifth method of pattern formation according to the second invention of the present application
As an etching gas, (CB r F 3
A film 5 was formed by the same method as in the first example of the pattern forming method according to the second aspect of the present invention described above, except that + 10% A r ) gas was used.
しかるときも、膜５が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様に、膜４のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。Even then, the film 5 was formed in a pattern faithful to the pattern of the film 4, as in the case of the first embodiment of the pattern forming method according to the second invention of the present application.
なお、このときの（CBrF3＋10％Ar）でなるエッチング
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。The etching gas composed of (CB r F 3 + 10% A r ) at this time exhibited the etching rates shown in Table 2 with respect to the films 2 and 4, and therefore, the films 2 and 4 shown in Table 2 were obtained. And an etching rate ratio with.
実施例８ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第６
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％Ar）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜10を形成した。Embodiment 8 Next, a sixth method of pattern formation according to the second invention of the present application
As an etching gas, (CB r F 3
A film 10 was formed by the same method as in the second example of the pattern forming method according to the second aspect of the present invention described above, except that + 10% A r ) gas was used.
しかるときも、膜10が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の場合と同様に、膜９のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。Also in this case, the film 10 was formed in a pattern faithful to the pattern of the film 9 as in the case of the pattern forming method according to the second invention of the present application.
第１図及び第２図は、従来のパターン形成法を示す順次
の工程における略線的断面図である。 １……基板 ２、３、４、５……膜 ６、７、８、９、10……膜1 and 2 are schematic cross-sectional views in sequential steps showing a conventional pattern forming method. 1 ... Substrate 2, 3, 4, 5 ... Membrane 6, 7, 8, 9, 10 ... Membrane
Claims (2)
の膜を介して、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、
該第２の膜上にパターン化され且つレジストでなる第３
の膜を形成し、上記第２の膜に対する上記第３の膜をマ
スクとするエッチングガスを用いたエッチング処理によ
って、上記第２の膜から、そのパターン化された第４の
膜を形成するパターン形成法において、 上記エッチングガスとして、CBrF3を含むガスを用いる
ことを特徴とするパターン形成法。1. A first resist formed directly or on a substrate.
A second film made of silicon resin is formed through the film of
A third patterned and resist on the second film
Pattern for forming a patterned fourth film from the second film by performing an etching process on the second film using the etching gas with the third film as a mask. In the forming method, a gas containing CB r F 3 is used as the etching gas, which is a pattern forming method.
の膜を介して、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、
該第２の膜上にパターン化され且つレジストでなる第３
の膜を形成し、上記第２の膜に対する上記第３の膜をマ
スクとするエッチングガスを用いたエッチング処理によ
って、上記第２の膜から、そのパターン化された第４の
膜を形成するパターン形成法において、 上記エッチングガスとして、CBrF3と、窒素、酸素また
は不活性ガスとを含むガスを用いることを特徴とするパ
ターン形成法。2. A first resist formed directly or on a substrate.
A second film made of silicon resin is formed through the film of
A third patterned and resist on the second film
Pattern for forming a patterned fourth film from the second film by performing an etching process on the second film using the etching gas with the third film as a mask. In the forming method, a gas containing CB r F 3 and nitrogen, oxygen or an inert gas is used as the etching gas, which is a pattern forming method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7789687A JPH0738388B2 (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Pattern formation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7789687A JPH0738388B2 (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Pattern formation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244738A JPS63244738A (en) | 1988-10-12 |
| JPH0738388B2 true JPH0738388B2 (en) | 1995-04-26 |
Family
ID=13646838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7789687A Expired - Lifetime JPH0738388B2 (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Pattern formation method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738388B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100768363B1 (en) * | 1999-06-24 | 2007-10-17 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device |
| JP2004101794A (en) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Toray Ind Inc | Flattening composition for semiconductor device |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7789687A patent/JPH0738388B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63244738A (en) | 1988-10-12 |
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