JPH0738528B2 - Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 - Google Patents
Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置Info
- Publication number
- JPH0738528B2 JPH0738528B2 JP60150431A JP15043185A JPH0738528B2 JP H0738528 B2 JPH0738528 B2 JP H0738528B2 JP 60150431 A JP60150431 A JP 60150431A JP 15043185 A JP15043185 A JP 15043185A JP H0738528 B2 JPH0738528 B2 JP H0738528B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- yig
- magnetic
- temperature
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、YIG（イットリウム・鉄・ガーネット）薄膜
のフェリ磁性共鳴を用いたマイクロ波素子に直流バイア
ス磁界を印加する手段を具備するYIG薄膜マイクロ波装
置に係わる。
のフェリ磁性共鳴を用いたマイクロ波素子に直流バイア
ス磁界を印加する手段を具備するYIG薄膜マイクロ波装
置に係わる。
本発明はYIG薄膜のフェリ磁性共鳴を用いたマイクロ波
素子に直流バイアス磁界を印加する磁気回路に特定の磁
気特性を有する永久磁石を用いるものであり、これによ
り、温度特性の良好なYIG薄膜マイクロ波装置を構成す
る。
素子に直流バイアス磁界を印加する磁気回路に特定の磁
気特性を有する永久磁石を用いるものであり、これによ
り、温度特性の良好なYIG薄膜マイクロ波装置を構成す
る。
マイクロ波装置として、GGG（ガドリニウム・ガリウム
・ガーネット）非磁性基板上に、フェリ磁性体であるYI
G（イットリウム・鉄・ガーネット）薄膜を液相エピタ
キシャル成長（以下LPEという）させたYIG薄膜をフォト
リソグラフィー技術による選択的エッチングによって円
形或いは矩形等の所要形状に加工し、これのフェリ磁性
共鳴を利用することによってフィルタ、オシレータ等の
マイクロ波装置を構成るものが提案されている。これら
マイクロ波装置は、マイクロストリップライン等を伝送
線路としてマイクロ波集積回路を作製することが可能で
あり、他のマイクロ波集積回路とハイブリッド接続を容
易に行なうことができるという利点がある。
・ガーネット）非磁性基板上に、フェリ磁性体であるYI
G（イットリウム・鉄・ガーネット）薄膜を液相エピタ
キシャル成長（以下LPEという）させたYIG薄膜をフォト
リソグラフィー技術による選択的エッチングによって円
形或いは矩形等の所要形状に加工し、これのフェリ磁性
共鳴を利用することによってフィルタ、オシレータ等の
マイクロ波装置を構成るものが提案されている。これら
マイクロ波装置は、マイクロストリップライン等を伝送
線路としてマイクロ波集積回路を作製することが可能で
あり、他のマイクロ波集積回路とハイブリッド接続を容
易に行なうことができるという利点がある。
また、YIG薄膜磁気共鳴によるマイクロ波素子は、上述
したようにLPEとリソグラフィー技術によって作製する
ことができることから量産性にすぐれている。
したようにLPEとリソグラフィー技術によって作製する
ことができることから量産性にすぐれている。
このようにYIG薄膜磁気共鳴素子によるマイクロ波装置
は、従前のYIG球を用いたものに比し、実用上の多くの
利点を有する。
は、従前のYIG球を用いたものに比し、実用上の多くの
利点を有する。
ところが、このようなYIG薄膜のフェリ磁性共鳴を利用
したマイクロ波装置は、YIG薄膜のフェリ磁性共鳴周波
数ｆの温度Ｔの依存性が大であることから温度特性が悪
いという実用上に大きな問題点がある。
したマイクロ波装置は、YIG薄膜のフェリ磁性共鳴周波
数ｆの温度Ｔの依存性が大であることから温度特性が悪
いという実用上に大きな問題点がある。
以下、これについて説明する。
YIG薄膜のフェリ磁性共鳴周波数ｆは、異方性磁界の寄
与が小さいとしてこれを無視すると、キッテル（Kitte
l）の式を用いて、次式（１）のように表すことができ
る。
与が小さいとしてこれを無視すると、キッテル（Kitte
l）の式を用いて、次式（１）のように表すことができ
る。
ｆ（Ｔ）＝γ｛Hg（Ｔ）−NZ Y4πMS Y（Ｔ）｝ ・・・
（１） 但し、γは磁気回転比でγ＝2.8MHz/0e、Hgは直流バイ
アス磁界、NZ YはYIG薄膜の反磁界係数で静磁モード理論
を用いて計算される値、４πMS YはYIGの飽和磁化であ
る。f,Hg,4πMS Yは全て温度Ｔの関数となる。具体例と
しては、アスペクト比（厚み／直径）が、0.01のYIG円
板の垂直共鳴では、NZ Y＝0.9774であり、仮にバイアス
磁界Hgが温度によらず一定とした場合、４πMS Yは、−2
0℃で1916G（ガウス）、＋60℃では、1622Gとなるから
共鳴周波数ｆはこの温度範囲で、823MHzもの変化をす
る。
（１） 但し、γは磁気回転比でγ＝2.8MHz/0e、Hgは直流バイ
アス磁界、NZ YはYIG薄膜の反磁界係数で静磁モード理論
を用いて計算される値、４πMS YはYIGの飽和磁化であ
る。f,Hg,4πMS Yは全て温度Ｔの関数となる。具体例と
しては、アスペクト比（厚み／直径）が、0.01のYIG円
板の垂直共鳴では、NZ Y＝0.9774であり、仮にバイアス
磁界Hgが温度によらず一定とした場合、４πMS Yは、−2
0℃で1916G（ガウス）、＋60℃では、1622Gとなるから
共鳴周波数ｆはこの温度範囲で、823MHzもの変化をす
る。
このようなYIG薄膜マイクロ波装置において、外囲温度
による共鳴周波数の変動を回避する方法としては、YIG
薄膜磁気共鳴素子を恒温槽内に配置して素子自体を一定
の温度に保持するとか電磁石によって温度に依存して磁
界を変化させて素子の共鳴周波数を一定に保持させるな
どの方法が考えられるが、これらは、電流制御など外部
からのエネルギー供給を必要とすることからその構成は
複雑となる。
による共鳴周波数の変動を回避する方法としては、YIG
薄膜磁気共鳴素子を恒温槽内に配置して素子自体を一定
の温度に保持するとか電磁石によって温度に依存して磁
界を変化させて素子の共鳴周波数を一定に保持させるな
どの方法が考えられるが、これらは、電流制御など外部
からのエネルギー供給を必要とすることからその構成は
複雑となる。
本発明は上述した問題点が解消された、すなわち、温度
特性を補償するための外部回路を必要とせず、更にこれ
に伴って温度特性を補償するための電力消費がなく、し
かも固定周波数、可変周波数の両方のYIG薄膜マイクロ
波装置に適用できて、広範囲の使用周波数のYIG薄膜マ
イクロ波装置において温度特性の補償を良好に行なうこ
とができるようにするものである。
特性を補償するための外部回路を必要とせず、更にこれ
に伴って温度特性を補償するための電力消費がなく、し
かも固定周波数、可変周波数の両方のYIG薄膜マイクロ
波装置に適用できて、広範囲の使用周波数のYIG薄膜マ
イクロ波装置において温度特性の補償を良好に行なうこ
とができるようにするものである。
本発明の説明に先立って本発明の理解を容易にするため
に、永久磁石および磁気回路について説明する。
に、永久磁石および磁気回路について説明する。
磁性材料の磁気特性は、磁化曲線および磁気履歴曲線に
よりそのほとんどが示される。よく知られているよう
に、全く磁化されていない材料に外部から磁界を作用さ
せ、その磁界の強さを種々変えていくと、これによって
材料中に誘起される磁束密度の状況は、第４図に示す磁
化曲線に示す経路を辿り、いわゆる磁気履歴曲線すなわ
ち磁気ヒステリシス曲線を描くことになる。永久磁石
は、一旦飽和まで磁化されたのち、磁界を取り去ること
により、その残留している磁気を利用するものであるか
ら、その磁気的状態は、第４図中Br（このBrを残留磁束
密度ないしはレマネンスと呼ぶ）の状態にあると考えら
れる。
よりそのほとんどが示される。よく知られているよう
に、全く磁化されていない材料に外部から磁界を作用さ
せ、その磁界の強さを種々変えていくと、これによって
材料中に誘起される磁束密度の状況は、第４図に示す磁
化曲線に示す経路を辿り、いわゆる磁気履歴曲線すなわ
ち磁気ヒステリシス曲線を描くことになる。永久磁石
は、一旦飽和まで磁化されたのち、磁界を取り去ること
により、その残留している磁気を利用するものであるか
ら、その磁気的状態は、第４図中Br（このBrを残留磁束
密度ないしはレマネンスと呼ぶ）の状態にあると考えら
れる。
永久磁石は、外部に磁界を供給する目的で使用するもの
であるから、その磁気回路中には、必ず磁気空隙（磁気
ギャップ）が設けられるものであり、この磁気ギャップ
は磁石内部に反対方向の磁界すなわち反磁界を発生させ
ることになる。したがって、永久磁石の動作点は、第４
図の磁気履歴曲線の第２象限、すなわち減磁曲線と呼ば
れるレマネンスBr点から保磁力Hcに至部分の曲線上にく
るこになる。フェライトおよび希土類磁石の減磁特性
は、ほとんど真空の透磁率に等しい傾斜すなわちリコイ
ル透磁率μｒをもつ直線部分と、急激に垂下していく直
線部分との２つからなっており、２部分を分つ屈曲点を
クニック点と呼ぶ。
であるから、その磁気回路中には、必ず磁気空隙（磁気
ギャップ）が設けられるものであり、この磁気ギャップ
は磁石内部に反対方向の磁界すなわち反磁界を発生させ
ることになる。したがって、永久磁石の動作点は、第４
図の磁気履歴曲線の第２象限、すなわち減磁曲線と呼ば
れるレマネンスBr点から保磁力Hcに至部分の曲線上にく
るこになる。フェライトおよび希土類磁石の減磁特性
は、ほとんど真空の透磁率に等しい傾斜すなわちリコイ
ル透磁率μｒをもつ直線部分と、急激に垂下していく直
線部分との２つからなっており、２部分を分つ屈曲点を
クニック点と呼ぶ。
さらに、いま、第５図に示すようにヨーク３の磁気ギャ
ップｇに永久磁石４が配置されて閉磁路１が形成された
磁気回路２についての磁界計算について説明する。
ップｇに永久磁石４が配置されて閉磁路１が形成された
磁気回路２についての磁界計算について説明する。
この場合、マックスウエルの方程式 を第５図の回路に適用する。
ここで、永久磁石４の断面積をAm、磁気ギャップの断面
積をAg、永久磁石４の厚さをそれぞれ 磁気ギャップ長をlg永久磁石（４）及び磁気ギャップｇ
内の磁束密度を永久磁石（４）及び磁気ギャップｇ内の
磁界をHm及びHgとし、ヨークの透磁率を無限大と仮定す
ると、ヨーク内の磁界は０であるから、 いまの場合Am＝Agであるから、 〔問題点を解決するための手段〕 第１図はYIG薄膜マイクロ波装置の構成図で、図中
（１）はYIG薄膜によるマイクロ波素子、（２）はこの
マイクロ波素子（１）にバイアス磁界を与える磁気回路
で、この磁気回路（２）は、例えばコ字状ヨーク（３）
とその両端部の相対向する面に、夫々厚さlmの永久磁石
（４）が配置され、両磁石（４）及び（４）間に間隔lg
をもって磁気ギャプｇが形成され、この磁気ギャップｇ
内にマイクロ波素子（１）が配置される。
積をAg、永久磁石４の厚さをそれぞれ 磁気ギャップ長をlg永久磁石（４）及び磁気ギャップｇ
内の磁束密度を永久磁石（４）及び磁気ギャップｇ内の
磁界をHm及びHgとし、ヨークの透磁率を無限大と仮定す
ると、ヨーク内の磁界は０であるから、 いまの場合Am＝Agであるから、 〔問題点を解決するための手段〕 第１図はYIG薄膜マイクロ波装置の構成図で、図中
（１）はYIG薄膜によるマイクロ波素子、（２）はこの
マイクロ波素子（１）にバイアス磁界を与える磁気回路
で、この磁気回路（２）は、例えばコ字状ヨーク（３）
とその両端部の相対向する面に、夫々厚さlmの永久磁石
（４）が配置され、両磁石（４）及び（４）間に間隔lg
をもって磁気ギャプｇが形成され、この磁気ギャップｇ
内にマイクロ波素子（１）が配置される。
本発明においては、この磁気回路（２）中の磁石（４）
として、f0を使用周波数、γを磁気回転比、NZ YをYIG薄
膜の反磁界係数、４πMS▲Y O▼を室温におけるYIGの飽
和磁化、α1 Yを室温付近におけるYIGの飽和磁化の１次
の温度係数とするとき、室温でのレマネンスBrが（f0/
γ）＋NZ Y4πMS▲Y O▼以上で、且つ室温付近でのBrの１
次の温度係数が の±５％以内に入るような永久磁石とする。
として、f0を使用周波数、γを磁気回転比、NZ YをYIG薄
膜の反磁界係数、４πMS▲Y O▼を室温におけるYIGの飽
和磁化、α1 Yを室温付近におけるYIGの飽和磁化の１次
の温度係数とするとき、室温でのレマネンスBrが（f0/
γ）＋NZ Y4πMS▲Y O▼以上で、且つ室温付近でのBrの１
次の温度係数が の±５％以内に入るような永久磁石とする。
尚、ここに使用周波数f0とは、マイクロ波装置の使用周
波数が固定である場合は、その周波数を指称し、可変と
するときは、固定のバイアス磁界に重畳して磁気回路に
図示していないが電磁コイルへの通電制御によってバイ
アス磁界が可変されるようになされているが、この電磁
コイルへの通電電流をオフとしたときの周波数を指称す
る。
波数が固定である場合は、その周波数を指称し、可変と
するときは、固定のバイアス磁界に重畳して磁気回路に
図示していないが電磁コイルへの通電制御によってバイ
アス磁界が可変されるようになされているが、この電磁
コイルへの通電電流をオフとしたときの周波数を指称す
る。
第１図に示す磁気回路において、磁束はすべて磁気ギャ
ップｇ内を通り、このギャップｇ内の磁界は一様であ
り、またヨークの透磁率が無限大であるとすると、前述
したように、マックスウェルの方程式により次式が成り
立つ。
ップｇ内を通り、このギャップｇ内の磁界は一様であ
り、またヨークの透磁率が無限大であるとすると、前述
したように、マックスウェルの方程式により次式が成り
立つ。
Bm＝Bg ・・・（２） lmHm＝lgHg ・・・（３） 但し、Bm及びBgは、夫々永久磁石（４）及び磁気ギャッ
プ内の磁束密度、Hm及びHgは、夫々同様に永久磁石
（４）及び磁気ギャップｇ内の磁界で、Hmはその向きが
Hg,Bm,Bgの向きと逆となる。
プ内の磁束密度、Hm及びHgは、夫々同様に永久磁石
（４）及び磁気ギャップｇ内の磁界で、Hmはその向きが
Hg,Bm,Bgの向きと逆となる。
更に、第４図で定義したように、永久磁石（４）がクニ
ック点を持たないものであって、リコイル透磁率μｒが
一定、つまり減磁特性が直線性を示すものと定義する
と、次式（４）が成立する。
ック点を持たないものであって、リコイル透磁率μｒが
一定、つまり減磁特性が直線性を示すものと定義する
と、次式（４）が成立する。
（３）式、及び（４）式よりギャップ磁界Hgが次式
（５）のように求められる。
（５）のように求められる。
今、熱膨脹による磁気回路の寸法変化の寄与は、充分小
さく無視できると仮定すると、ギャップ磁界Hgは、温度
Ｔの関数として次式（６）のように表わすことができ
る。
さく無視できると仮定すると、ギャップ磁界Hgは、温度
Ｔの関数として次式（６）のように表わすことができ
る。
一方、永久磁石のレマネンスBr及びYIGの飽和磁化４πM
S Yは、室温T0を中心として±数＋℃の温度範囲で、具体
的には±40℃の温度範囲では、夫々２次までの温度係数
α1 B,α2 B及びα1 Y,α2 Yを考慮すれば、充分精度良く表
現することが可能である。
S Yは、室温T0を中心として±数＋℃の温度範囲で、具体
的には±40℃の温度範囲では、夫々２次までの温度係数
α1 B,α2 B及びα1 Y,α2 Yを考慮すれば、充分精度良く表
現することが可能である。
Br（Ｔ）＝BrO｛１＋α1 B（Ｔ−TO）＋α2 B（Ｔ−TO）
２｝ ・・・（７） ４πMS Y（Ｔ）＝４πMSO Y｛１＋α1 Y（Ｔ−TO）＋α2 Y
（Ｔ−TO）２｝ ・・・（８） そして、共鳴周波数ｆ（Ｔ）が温度Ｔに依存せず、一定
の値f0になるためには、（１）式と（６）式とにより次
式（９）が成立する必要がある。
２｝ ・・・（７） ４πMS Y（Ｔ）＝４πMSO Y｛１＋α1 Y（Ｔ−TO）＋α2 Y
（Ｔ−TO）２｝ ・・・（８） そして、共鳴周波数ｆ（Ｔ）が温度Ｔに依存せず、一定
の値f0になるためには、（１）式と（６）式とにより次
式（９）が成立する必要がある。
この（９）式に（７）式及び（８）式を代入し、温度Ｔ
についての０次、１次及び２次の各項を等しいとするこ
とにより次式が求められる。
についての０次、１次及び２次の各項を等しいとするこ
とにより次式が求められる。
（10）式から BrO＞（f0/γ）＋NZ Y4πMS▲Y O▼ ・・・（13） の条件が必要であることが分る。
また、（11）式、及び（12）式をみると、永久磁石
（４）のレマネンスBrの１次及び２次の温度係数α1 B,
α2 Bの最適値は、共鳴周波数f0、YIG薄膜の反磁界係数N
Z Y,YIGの飽和磁化４πMS▲Y O▼及びその温度係数α1 Yだ
けから求められることが分る。具体例としてアスペクト
比が、0.01のYIG円板の垂直共鳴では、NZ Y＝0.9774であ
り、TO＝20℃（室温）でのYIGの飽和磁化及びその温度
係数は、４πMS▲Y O▼＝1771.8G,α1 Y＝−2.07×10-3,
α2 Y＝−0.996×10-6となるので、これらからレマネン
スBrの１次及び２次の温度係数α1 B及びα2 Bを（11）式
及び（12）式から計算して求めると、第２図の表に示す
通りになる。
（４）のレマネンスBrの１次及び２次の温度係数α1 B,
α2 Bの最適値は、共鳴周波数f0、YIG薄膜の反磁界係数N
Z Y,YIGの飽和磁化４πMS▲Y O▼及びその温度係数α1 Yだ
けから求められることが分る。具体例としてアスペクト
比が、0.01のYIG円板の垂直共鳴では、NZ Y＝0.9774であ
り、TO＝20℃（室温）でのYIGの飽和磁化及びその温度
係数は、４πMS▲Y O▼＝1771.8G,α1 Y＝−2.07×10-3,
α2 Y＝−0.996×10-6となるので、これらからレマネン
スBrの１次及び２次の温度係数α1 B及びα2 Bを（11）式
及び（12）式から計算して求めると、第２図の表に示す
通りになる。
しかしながら現実の問題として、YIG薄膜マイクロ波装
置の使用周波数f0が決められたとき、上述したように、
（11）式及び（12）式から求められるα1 B及びα2 Bの値
を同時に実現できる永久磁石材料を用意することは容易
ではない。しかしながら、第２図において２次の温度係
数α2 Bをみると、これについては、f0の比較的小さい変
化に対しては、α1 Bに比してその変化が小さいことから
一次の温度係数α1 Bだけについてみると、このα1 Bの
（11）式から決る理想値（α1 B）０としたとき、この値
（α1 B）０から±５％の値のα1 Bを得る永久磁石材料を
用意することは、それほど困難ではない。そして、この
ときの永久磁石のレマネンスBr及び室温におけるYIGの
飽和磁化の１次の温度係数の寄与だけから決る周波数変
化Δｆは、 となる。
置の使用周波数f0が決められたとき、上述したように、
（11）式及び（12）式から求められるα1 B及びα2 Bの値
を同時に実現できる永久磁石材料を用意することは容易
ではない。しかしながら、第２図において２次の温度係
数α2 Bをみると、これについては、f0の比較的小さい変
化に対しては、α1 Bに比してその変化が小さいことから
一次の温度係数α1 Bだけについてみると、このα1 Bの
（11）式から決る理想値（α1 B）０としたとき、この値
（α1 B）０から±５％の値のα1 Bを得る永久磁石材料を
用意することは、それほど困難ではない。そして、この
ときの永久磁石のレマネンスBr及び室温におけるYIGの
飽和磁化の１次の温度係数の寄与だけから決る周波数変
化Δｆは、 となる。
この（14）式から通常要求される温度変化ΔＴ＝±40℃
において、Δα1 B/（α1 B）０＝±５％としたときのΔ
ｆを求めるとΔｆ＝±20MHzに収まる。つまり、良好な
温度特性が実現できることが確かめられる。
において、Δα1 B/（α1 B）０＝±５％としたときのΔ
ｆを求めるとΔｆ＝±20MHzに収まる。つまり、良好な
温度特性が実現できることが確かめられる。
第１図の構成において、f0＝6GHzのYIG薄膜マイクロ波
装置を得る場合について説明する。この場合、永久磁石
（４）としてそのレマネンスBrが6000G、１次の温度係
数α1 Bが−0.9×10-3、α2 Bが０のCeCo5の磁石を用い
る。
装置を得る場合について説明する。この場合、永久磁石
（４）としてそのレマネンスBrが6000G、１次の温度係
数α1 Bが−0.9×10-3、α2 Bが０のCeCo5の磁石を用い
る。
このとき、２次の温度係数までを考慮しても、−20℃〜
＋60℃の温度変化の範囲でΔｆ＝±11.5MHzの良好な温
度特性を実現することができる。
＋60℃の温度変化の範囲でΔｆ＝±11.5MHzの良好な温
度特性を実現することができる。
次に、本発明を周波数可変型のYIG薄膜マイクロ波装置
に適用する場合について説明する。第３図は、その一例
を示し、第１図と対応する部分には同一符号を付して重
複説明を省略するが、この場合、ヨーク（３）にＮ巻回
数のコイル（５）を巻回した場合である。
に適用する場合について説明する。第３図は、その一例
を示し、第１図と対応する部分には同一符号を付して重
複説明を省略するが、この場合、ヨーク（３）にＮ巻回
数のコイル（５）を巻回した場合である。
この場合、前記（３）式に対応する式として次の（15）
式が成立する。
式が成立する。
lmHm＋Nl＝lgHg ・・・（15） 但し、Ｉはコイル電流である。
また、前記（６）式に対応する式として次の（16）式が
成立する。
成立する。
そして、第１図の場合と同じように、（９）式を満たす
ように、永久磁石（４）の材料と厚さを選定すれば（1
6）式から、次式（17）が成立する。
ように、永久磁石（４）の材料と厚さを選定すれば（1
6）式から、次式（17）が成立する。
（１）式及び（17）式から共鳴周波数ｆは、次式（18）
のように、温度に依存せず、コイル電流Ｉだけで決るこ
とが分る。
のように、温度に依存せず、コイル電流Ｉだけで決るこ
とが分る。
すなわち、中心の周波数を上述したように永久磁石
（４）の特性によって本発明による構成によってその温
度補償をなせば、コイル（５）への通電による発熱によ
る影響が大きくないとすれば、可変型のYIG薄膜マイク
ロ波装置においても有効であることが分る。
（４）の特性によって本発明による構成によってその温
度補償をなせば、コイル（５）への通電による発熱によ
る影響が大きくないとすれば、可変型のYIG薄膜マイク
ロ波装置においても有効であることが分る。
上述したように本発明によれば、第１図に示したように
YIG薄膜による磁気共鳴を利用するマイクロ波素子
（１）に対してバイアス磁界を与えるための磁気回路中
に、室温でのレマネンスBrが（f0/γ）＋NZ Y4πMS▲Y O
▼以上で、且つ室温付近でのBrの１次の温度係数が の±５％以内に入るような１種類の永久磁石材料を用い
ることによって良好な温度特性を有するマイクロ波装置
が実現できる。
YIG薄膜による磁気共鳴を利用するマイクロ波素子
（１）に対してバイアス磁界を与えるための磁気回路中
に、室温でのレマネンスBrが（f0/γ）＋NZ Y4πMS▲Y O
▼以上で、且つ室温付近でのBrの１次の温度係数が の±５％以内に入るような１種類の永久磁石材料を用い
ることによって良好な温度特性を有するマイクロ波装置
が実現できる。
したがって冒頭に述べたように量産性にすぐれたYIG薄
膜によるマイクロ波装置の特徴を活かして、よりその利
用度が高められその工業的利益は大である。
膜によるマイクロ波装置の特徴を活かして、よりその利
用度が高められその工業的利益は大である。
第１図及び第３図は夫々本発明によるYIG薄膜マイクロ
波装置の各例の構成図、第２図はその使用周波数と温度
係数α1 B,α2 Bの計算値表図、第４図は磁化曲線図、第
５図は磁気回路図である。 （１）はマイクロ波素子、（２）は磁気回路、ｇはその
磁気ギャップ、（３）はヨーク、（４）は永久磁石、
（５）はコイルである。
波装置の各例の構成図、第２図はその使用周波数と温度
係数α1 B,α2 Bの計算値表図、第４図は磁化曲線図、第
５図は磁気回路図である。 （１）はマイクロ波素子、（２）は磁気回路、ｇはその
磁気ギャップ、（３）はヨーク、（４）は永久磁石、
（５）はコイルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 誠吾 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 玉田 仁志 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 山田 敏郎 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】YIG薄膜のフェリ磁性共鳴を利用したマイ
クロ波素子にバイアス磁界を与える磁気回路中に、f0を
使用周波数（固定周波数ではその周波数、可変周波数装
置では周波数制御用の電磁石コイルに電流を通じない状
態での周波数）、γを磁気回転比、NZ YをYIG薄膜の反磁
界係数、４πMSO Yを室温におけるYIGの飽和磁化、α1 Y
を室温付近におけるYIGの飽和磁化の１次温度係数とす
るとき、室温でのレマネンスBrが（f0/γ）＋NZ Y4πMSO
Y以上で、且つ室温付近でのBrの１次の温度係数が の±５％以内に入るような永久磁石が用いられて成るYI
G薄膜マイクロ波装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150431A JPH0738528B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 |
| CA000513293A CA1266101A (en) | 1985-07-09 | 1986-07-08 | Yig thin film microwave apparatus |
| EP86305293A EP0208547B1 (en) | 1985-07-09 | 1986-07-09 | Yig thin film microwave apparatus |
| US06/883,605 US4745380A (en) | 1985-07-09 | 1986-07-09 | YIG thin film microwave apparatus |
| DE8686305293T DE3687929T2 (de) | 1985-07-09 | 1986-07-09 | Mikrowellenvorrichtung mit duennschichtigem yttrium-eisen-granat. |
| KR1019860005541A KR950005158B1 (ko) | 1985-07-09 | 1986-07-09 | Yig 박막 마이크로파 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150431A JPH0738528B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211303A JPS6211303A (ja) | 1987-01-20 |
| JPH0738528B2 true JPH0738528B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15496775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150431A Expired - Fee Related JPH0738528B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738528B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2694440B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-12-24 | 日立金属株式会社 | 磁気装置 |
| JP2910015B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1999-06-23 | 日立金属株式会社 | マイクロ波発振器 |
| JPH0697224B2 (ja) * | 1988-07-13 | 1994-11-30 | 鐘紡株式会社 | 摩擦帯電圧測定装置 |
| JP2507024B2 (ja) * | 1989-02-17 | 1996-06-12 | 日産自動車株式会社 | エンジンのケ―シング装置 |
| JP2001295618A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-10-26 | Yamaha Motor Co Ltd | 内燃エンジンのオイルポンプ配置構造 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3713210A (en) * | 1970-10-15 | 1973-01-30 | Westinghouse Electric Corp | Temperature stabilized composite yig filter process |
| JPS5570101A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-27 | Hitachi Metals Ltd | Microwave ferrite element |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60150431A patent/JPH0738528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6211303A (ja) | 1987-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2946025A (en) | Nonreciprocal attenuator | |
| JPH0628332B2 (ja) | 受信機 | |
| JPH0738528B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| EP0157216B1 (en) | Magnetic apparatus | |
| JPH0738527B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| KR950005157B1 (ko) | Yig 박막 마이크로파 장치 | |
| JPH07105648B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| JP2694440B2 (ja) | 磁気装置 | |
| KR950005158B1 (ko) | Yig 박막 마이크로파 장치 | |
| Murakami et al. | A bandpass filter using YIG film grown by LPE | |
| JP2000001317A (ja) | 非可逆回路素子の相互変調積を制御する方法 | |
| JP2000001317A5 (ja) | ||
| US3063028A (en) | Enhanced gyromagnetic effect in nonreciprocal wave transmission | |
| JP2672434B2 (ja) | 磁気装置 | |
| RU1459560C (ru) | Двухмодовый ферритовый фазовращатель с магнитной памятью | |
| JPS62200709A (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| JP2723375B2 (ja) | 磁気装置 | |
| JPH05175710A (ja) | 温度補償型静磁表面波フィルタ | |
| JPS6019161B2 (ja) | フエリ磁性体回路素子 | |
| JPH05315817A (ja) | 磁気装置 | |
| JPH04332106A (ja) | 静磁波素子 | |
| JPH07202517A (ja) | 可変バンドパスフィルター | |
| JPH0613803A (ja) | Ｓ／ｎエンハンサ | |
| JPS59139613A (ja) | チヨ−ク用磁心 | |
| HJ et al. | Proposal of Multi-frequency-band Operation of Bottom Mounting Type Isolator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |