JPH0739398B2 - 液晶性ピラジン誘導体 - Google Patents
液晶性ピラジン誘導体Info
- Publication number
- JPH0739398B2 JPH0739398B2 JP61236958A JP23695886A JPH0739398B2 JP H0739398 B2 JPH0739398 B2 JP H0739398B2 JP 61236958 A JP61236958 A JP 61236958A JP 23695886 A JP23695886 A JP 23695886A JP H0739398 B2 JPH0739398 B2 JP H0739398B2
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- JP
- Japan
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- pyrazine
- kbr
- same manner
- liquid crystal
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、新規な液晶性ピラジン誘導体に関する。さら
に詳しくは本発明は、液晶として優れた性質を示す光学
活性炭素を有する置換基が結合したピラジン誘導体に関
する。
に詳しくは本発明は、液晶として優れた性質を示す光学
活性炭素を有する置換基が結合したピラジン誘導体に関
する。
[発明の背景] 近年、表示方法として液晶表示が盛んに用いられている
が、現在における液晶表示方式としてはTN型表示方式が
一般的である。このTN型表示方式にはネマチック液晶性
の化合物が一般的に用いられている。
が、現在における液晶表示方式としてはTN型表示方式が
一般的である。このTN型表示方式にはネマチック液晶性
の化合物が一般的に用いられている。
しかしながら、ネマチック液晶性の化合物を用いるTN型
表示方式は、応答速度が遅いこと、および高マルチプレ
ックス駆動には無理があるとの基本的な問題点を有して
おり、昨今においては、このような問題点の少ないスメ
クチック液晶性の化合物を利用する表示方法の研究が盛
んに行なわれている。
表示方式は、応答速度が遅いこと、および高マルチプレ
ックス駆動には無理があるとの基本的な問題点を有して
おり、昨今においては、このような問題点の少ないスメ
クチック液晶性の化合物を利用する表示方法の研究が盛
んに行なわれている。
特に、光学活性炭素(不斉炭素)を分子内に有するスメ
クチック液晶性化合物が示すカイラルスメクチックC相
(以下、単に「SmC*相」と記載することもある)は強
誘電性を示すので、高速応答性を有することが知られて
いる。また、例えばこのような化合物を厚さ1μm程度
の薄いセルに注入した場合においてメモリー性を有する
ようになるとの報告があり、この性質を利用した新たな
表示素子の開発も進められている[エヌ・エイ・クラー
ク(N.A.Clark)ら:アプライド・フィジクス・レター
(Applied Phys.lett.),36,899(1980)参照]。
クチック液晶性化合物が示すカイラルスメクチックC相
(以下、単に「SmC*相」と記載することもある)は強
誘電性を示すので、高速応答性を有することが知られて
いる。また、例えばこのような化合物を厚さ1μm程度
の薄いセルに注入した場合においてメモリー性を有する
ようになるとの報告があり、この性質を利用した新たな
表示素子の開発も進められている[エヌ・エイ・クラー
ク(N.A.Clark)ら:アプライド・フィジクス・レター
(Applied Phys.lett.),36,899(1980)参照]。
SmC*相を呈する液晶性化合物として最初に報告された
ものは、1975年マイヤー(Meyer)らにより開発されたD
OBAMBC[(S)−2−メチルブチル=p−(p−n−デ
シルオキシベンジリデンアミノ)シンナメート]である
が、その後の開発により、現在ではDOBAMBCに類似する
構造を有する液晶性化合物以外にも、シッフ塩基系、エ
ステル系およびビフェニル系などの新たな種類の液晶性
化合物が開発されている。
ものは、1975年マイヤー(Meyer)らにより開発されたD
OBAMBC[(S)−2−メチルブチル=p−(p−n−デ
シルオキシベンジリデンアミノ)シンナメート]である
が、その後の開発により、現在ではDOBAMBCに類似する
構造を有する液晶性化合物以外にも、シッフ塩基系、エ
ステル系およびビフェニル系などの新たな種類の液晶性
化合物が開発されている。
たとえば、特開昭60−92276号公報には、ピラジンに光
学活性炭素を有する置換基を導入したピラジン誘導体の
発明が開示され、この誘導体がカイラルスメクチックC
相を呈することが示されている。この発明で開示されて
いるピラジン誘導体は、液晶性化合物として上述した優
れた特性を有するが、化合物の構造上、例えば高温下に
長時間保存させた場合などの過酷な条件下における安定
性が充分でないとの問題がある。
学活性炭素を有する置換基を導入したピラジン誘導体の
発明が開示され、この誘導体がカイラルスメクチックC
相を呈することが示されている。この発明で開示されて
いるピラジン誘導体は、液晶性化合物として上述した優
れた特性を有するが、化合物の構造上、例えば高温下に
長時間保存させた場合などの過酷な条件下における安定
性が充分でないとの問題がある。
[発明の目的] 本発明は、新規な液晶性ピラジン誘導体を提供すること
を目的とする。
を目的とする。
[発明の要旨] 本発明が新たに提供するピラジン誘導体は、下記一般式
(I)で表わされる。
(I)で表わされる。
ただし、一般式(I)において、R1は、炭素数1〜18の
アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、p−アル
キルベンゾイルオキシ基、またはp−アルコキシベンゾ
イルオキシ基、そしてR2は、炭素数1〜18のアルキル基
またはアルコキシ基であって、R1およびR2のうちの少な
くとも一方は光学活性を示す基である。
アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、p−アル
キルベンゾイルオキシ基、またはp−アルコキシベンゾ
イルオキシ基、そしてR2は、炭素数1〜18のアルキル基
またはアルコキシ基であって、R1およびR2のうちの少な
くとも一方は光学活性を示す基である。
[発明の詳細な記述] 本発明が提供する光学活性液晶のピラジン誘導体は、一
般式(I)で表わされる。
般式(I)で表わされる。
R1は、炭素数1〜18のアルキル基、アルコキシ基、アシ
ルオキシ基、p−アルキルベンゾイルオキシ基、または
p−アルコキシベンゾイルオキシ基を表わし、その例と
しては、メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、
2−メチルブチル、n−ペンチル、3−メチルペンチ
ル、n−ヘキシル、4−メチルヘキシル、n−ヘプチ
ル、5−メチルヘプチル、n−オクチル、2−オクチ
ル、6−メチルオクチル、n−ノニル、7−メチルノニ
ル、n−デシル、8−メチルデシル、n−ウンデシル、
n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n
−ペンタデシル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル
およびn−オクタデシルのようなアルキル基;メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、n−ブトキシ、2−メチル
ブトキシ、n−ペンチルオキシ、3−メチルペンチルオ
キシ、n−ヘキシルオキシ、4−メチルヘキシルオキ
シ、n−ヘプチルオキシ、5−メチルヘプチルオキシ、
n−オクチルオキシ、2−オクチルオキシ、6−メチル
オクチルオキシ、n−ノニルオキシ、7−メチルノニル
オキシ、n−デシルオキシ、8−メチルデシルオキシ、
n−ウンデシルオキシ、n−ドデシルオキシ、n−トリ
デシルオキシ、n−テトラデシルオキシ、n−ペンタデ
シルオキシ、n−ヘキサデシルオキシ、n−ヘプタデシ
ルオキシまたはn−オクタデシルオキシのようなアルコ
キシ基;エタノイルオキシ、プロパノイルオキシ、ブタ
ノイルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキ
シ、ヘプタノイルオキシ、オクタノイルオキシ、ノナノ
イルオキシ、デカノイルオキシ、ウンデカノイルオキ
シ、ドデカノイルオキシ、トリデカノイルオキシ、テト
ラデイカノイルオキシ、ペンタデカノイルオキシ、ヘキ
サデカノイルオキシ、ヘプタデカノイルオキシ、オクタ
デカノイルオキシのようなアシルオキシ基;p−メチルベ
ンゾイルオキシ、p−エチルベンゾイルオキシ、p−プ
ロピルベンゾイルオキシ、p−ブチルベンゾイルオキ
シ、p−(2−メチルブチル)ベンゾイルオキシ、p−
ペンチルベンゾイルオキシ、p−ヘキシルベンゾイルオ
キシ、p−ヘプチルベンゾイルオキシ、p−オクチルベ
ンゾイルオキシ、p−ノニルベンゾイルオキシ、p−デ
シルベンゾイルオキシ、p−ウンデシルベンゾイルオキ
シのようなp−アルキルベンゾイルオキシ基;およびp
−メトキシベンゾイルオキシ、p−エトキシベンゾイル
オキシ、p−プロポキシベンゾイルオキシ、p−ブトキ
シベンゾイルオキシ、p−(2−メチルブトキシ)ベン
ゾイルオキシ、p−ペンチルオキシベンゾイルオキシ、
p−(3−メチルペンチルオキシ)ベンゾイルオキシ、
p−ヘキシルオシベンゾイルオキシ、p−ヘプチルオキ
シベンゾイルオキシ、p−(4−メチルヘキシルオキ
シ)ベンゾイルオキシ、p−オクチルオキシベンゾイル
オキシ、p−(2−オクチルオキシ)ベンゾイルオキ
シ、p−ノニルオキシベンゾイルオキシ、p−デシルオ
キシベンゾイルオキシ、p−ウンデシルオキシベンゾイ
ルオキシのようなp−アルコキシベンゾイルオキシ基を
挙げることができる。ただし、各基におけるアルキル鎖
中のメチレン基の一つは酸素原子に置き換えられていて
もよい。
ルオキシ基、p−アルキルベンゾイルオキシ基、または
p−アルコキシベンゾイルオキシ基を表わし、その例と
しては、メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、
2−メチルブチル、n−ペンチル、3−メチルペンチ
ル、n−ヘキシル、4−メチルヘキシル、n−ヘプチ
ル、5−メチルヘプチル、n−オクチル、2−オクチ
ル、6−メチルオクチル、n−ノニル、7−メチルノニ
ル、n−デシル、8−メチルデシル、n−ウンデシル、
n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n
−ペンタデシル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル
およびn−オクタデシルのようなアルキル基;メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、n−ブトキシ、2−メチル
ブトキシ、n−ペンチルオキシ、3−メチルペンチルオ
キシ、n−ヘキシルオキシ、4−メチルヘキシルオキ
シ、n−ヘプチルオキシ、5−メチルヘプチルオキシ、
n−オクチルオキシ、2−オクチルオキシ、6−メチル
オクチルオキシ、n−ノニルオキシ、7−メチルノニル
オキシ、n−デシルオキシ、8−メチルデシルオキシ、
n−ウンデシルオキシ、n−ドデシルオキシ、n−トリ
デシルオキシ、n−テトラデシルオキシ、n−ペンタデ
シルオキシ、n−ヘキサデシルオキシ、n−ヘプタデシ
ルオキシまたはn−オクタデシルオキシのようなアルコ
キシ基;エタノイルオキシ、プロパノイルオキシ、ブタ
ノイルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキ
シ、ヘプタノイルオキシ、オクタノイルオキシ、ノナノ
イルオキシ、デカノイルオキシ、ウンデカノイルオキ
シ、ドデカノイルオキシ、トリデカノイルオキシ、テト
ラデイカノイルオキシ、ペンタデカノイルオキシ、ヘキ
サデカノイルオキシ、ヘプタデカノイルオキシ、オクタ
デカノイルオキシのようなアシルオキシ基;p−メチルベ
ンゾイルオキシ、p−エチルベンゾイルオキシ、p−プ
ロピルベンゾイルオキシ、p−ブチルベンゾイルオキ
シ、p−(2−メチルブチル)ベンゾイルオキシ、p−
ペンチルベンゾイルオキシ、p−ヘキシルベンゾイルオ
キシ、p−ヘプチルベンゾイルオキシ、p−オクチルベ
ンゾイルオキシ、p−ノニルベンゾイルオキシ、p−デ
シルベンゾイルオキシ、p−ウンデシルベンゾイルオキ
シのようなp−アルキルベンゾイルオキシ基;およびp
−メトキシベンゾイルオキシ、p−エトキシベンゾイル
オキシ、p−プロポキシベンゾイルオキシ、p−ブトキ
シベンゾイルオキシ、p−(2−メチルブトキシ)ベン
ゾイルオキシ、p−ペンチルオキシベンゾイルオキシ、
p−(3−メチルペンチルオキシ)ベンゾイルオキシ、
p−ヘキシルオシベンゾイルオキシ、p−ヘプチルオキ
シベンゾイルオキシ、p−(4−メチルヘキシルオキ
シ)ベンゾイルオキシ、p−オクチルオキシベンゾイル
オキシ、p−(2−オクチルオキシ)ベンゾイルオキ
シ、p−ノニルオキシベンゾイルオキシ、p−デシルオ
キシベンゾイルオキシ、p−ウンデシルオキシベンゾイ
ルオキシのようなp−アルコキシベンゾイルオキシ基を
挙げることができる。ただし、各基におけるアルキル鎖
中のメチレン基の一つは酸素原子に置き換えられていて
もよい。
R2は炭素数1〜18のアルキル基、アルコキシ基を表わ
し、その例としては、メチル、エチル、n−プロピル、
n−ブチル、2−メチルブチル、n−ペンチル、3−メ
チルペンチル、n−ヘキシル、4−メチルヘキシル、n
−ヘプチル、n−オクチル、2−オクチル、6−メチル
オクチル、n−ノニル、n−デシル、8−メチルデシ
ル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、
n−デトラデシル、n−ペンタデシル、n−ヘキサデシ
ル、n−ヘプタデシルおよびn−オクタデシルのような
アルキル基;およびメトキシ、エトキシ、プロポキシ、
n−ブトキシ、2−メチルブトキシ、n−ペンチルオキ
シ、3−メチルペンチルオキシ、n−ヘキシルオキシ、
4−メチルヘキシルオキシ、n−ヘプチルオキシ、n−
オクチルオキシ、2−オクチルオキシ、6−メチルオク
チルオキシ、n−ノニルオキシ、n−デシルオキシ、8
−メチルデシルオキシ、n−ウンデシルオキシ、n−ド
デシルオキシ、n−トリデシルオキシ、n−テトラデシ
ルオキシ、n−ペンタデシルオキシ、n−ヘキサデシル
オキシ、n−ヘプタデシルオキシまたはn−オクタデシ
ルオキシのようなアルコキシ基を挙げることができる。
ただし、各基におけるアルキル鎖中のメチレン基の一つ
は酸素原子に置き換えられていてもよい。
し、その例としては、メチル、エチル、n−プロピル、
n−ブチル、2−メチルブチル、n−ペンチル、3−メ
チルペンチル、n−ヘキシル、4−メチルヘキシル、n
−ヘプチル、n−オクチル、2−オクチル、6−メチル
オクチル、n−ノニル、n−デシル、8−メチルデシ
ル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、
n−デトラデシル、n−ペンタデシル、n−ヘキサデシ
ル、n−ヘプタデシルおよびn−オクタデシルのような
アルキル基;およびメトキシ、エトキシ、プロポキシ、
n−ブトキシ、2−メチルブトキシ、n−ペンチルオキ
シ、3−メチルペンチルオキシ、n−ヘキシルオキシ、
4−メチルヘキシルオキシ、n−ヘプチルオキシ、n−
オクチルオキシ、2−オクチルオキシ、6−メチルオク
チルオキシ、n−ノニルオキシ、n−デシルオキシ、8
−メチルデシルオキシ、n−ウンデシルオキシ、n−ド
デシルオキシ、n−トリデシルオキシ、n−テトラデシ
ルオキシ、n−ペンタデシルオキシ、n−ヘキサデシル
オキシ、n−ヘプタデシルオキシまたはn−オクタデシ
ルオキシのようなアルコキシ基を挙げることができる。
ただし、各基におけるアルキル鎖中のメチレン基の一つ
は酸素原子に置き換えられていてもよい。
また、R1とR2の少なくとも一方は、不斉炭素を有する光
学活性な基である必要がある。この光学活性基は(S)
−2−メチル−ブトキシ基、(S)−4−メチルヘキシ
ルオキシ基、(R)−2−オクチルオキシ基、(S)−
2−オクチルオキシ基、(S)−8−メチルデシルオキ
シ基、(S)−2−メチルブチル基、(S)−4−メチ
ルヘキシル基、(R)−2−オクチル基、(S)−2−
オクチル基および(S)−8−メチルデシル基からなる
群より選ばれる基であることが好ましい。
学活性な基である必要がある。この光学活性基は(S)
−2−メチル−ブトキシ基、(S)−4−メチルヘキシ
ルオキシ基、(R)−2−オクチルオキシ基、(S)−
2−オクチルオキシ基、(S)−8−メチルデシルオキ
シ基、(S)−2−メチルブチル基、(S)−4−メチ
ルヘキシル基、(R)−2−オクチル基、(S)−2−
オクチル基および(S)−8−メチルデシル基からなる
群より選ばれる基であることが好ましい。
本発明のピラジン誘導体は、例えば以下に述べる方法に
よって製造することができる。
よって製造することができる。
イ)一般式(I)で、R1がアルキル基またはアルコキシ
基であって、R2がアルキル基またはアルコキシ基である
場合 すなわち、5−(4−置換フェニル)ピラジノールを、
ジメチルアニリン中で、POCl3などを用いて塩素化し、
次いでこれに、グリニア試薬(R2=アルキル基の場
合)、またはナトリウムアルコキシド(R2=アルコキシ
基の場合)を作用させて目的のピラジン誘導体(I)を
得ることができる。
基であって、R2がアルキル基またはアルコキシ基である
場合 すなわち、5−(4−置換フェニル)ピラジノールを、
ジメチルアニリン中で、POCl3などを用いて塩素化し、
次いでこれに、グリニア試薬(R2=アルキル基の場
合)、またはナトリウムアルコキシド(R2=アルコキシ
基の場合)を作用させて目的のピラジン誘導体(I)を
得ることができる。
ロ)一般式(I)で、R1がアルコキシ基、アシルオキシ
基、p−アルキルベンゾイルオキシ基あるいはp−アル
コキシベンゾイルオキシ基であって、R2がアルキル基で
ある場合 すなわち、5−(p−メトキシフェニル)−2−アルキ
ルピラジンを臭化水素酸で加水分解して得られる5−
(p−ヒドロキシフェニル)−2−アルキルピラジン
を、臭化アルキルでエーテル化したり、カルボン酸クロ
リドやカルボン酸無水物でエステル化することによって
得ることができる。
基、p−アルキルベンゾイルオキシ基あるいはp−アル
コキシベンゾイルオキシ基であって、R2がアルキル基で
ある場合 すなわち、5−(p−メトキシフェニル)−2−アルキ
ルピラジンを臭化水素酸で加水分解して得られる5−
(p−ヒドロキシフェニル)−2−アルキルピラジン
を、臭化アルキルでエーテル化したり、カルボン酸クロ
リドやカルボン酸無水物でエステル化することによって
得ることができる。
ハ)一般式(I)で、R1がアルコキシ基、アシルオキシ
基、p−アルキルベンゾイルオキシ基またはp−アルコ
キシベンゾイルオキシ基であってR2がアルコキシ基であ
る場合 すなわち、2−クロロ−5−(p−メトキシフェニル)
ピラジンを臭化水素酸で加水分解して得られる2−ブロ
モ−5−(p−ヒドロキシフェニル)ピラジンに、過剰
のナトリウムアルコキシドを反応させて2−アルコキシ
−5−(p−ヒドロキシフェニル)ピラジンを得る。こ
れを臭化アルキルでエーテル化したり、カルボン酸クロ
リド等でエステル化して目的のピラジン誘導体(I)を
得ることができる。
基、p−アルキルベンゾイルオキシ基またはp−アルコ
キシベンゾイルオキシ基であってR2がアルコキシ基であ
る場合 すなわち、2−クロロ−5−(p−メトキシフェニル)
ピラジンを臭化水素酸で加水分解して得られる2−ブロ
モ−5−(p−ヒドロキシフェニル)ピラジンに、過剰
のナトリウムアルコキシドを反応させて2−アルコキシ
−5−(p−ヒドロキシフェニル)ピラジンを得る。こ
れを臭化アルキルでエーテル化したり、カルボン酸クロ
リド等でエステル化して目的のピラジン誘導体(I)を
得ることができる。
本発明のピラジン誘導体は熱的に非常に安定であり、特
に水との接触下における高温条件下の長期の保存におい
ても高い安定性を示すとの特徴がある。しかも、本発明
のピラジン誘導体は他の化合物(SmC*相、SmF*相ある
いはコレステリック相を有する液晶性化合物、あるいは
公知の液晶組成物に導入されている化合物)との相溶性
に優れているとの利点もある。
に水との接触下における高温条件下の長期の保存におい
ても高い安定性を示すとの特徴がある。しかも、本発明
のピラジン誘導体は他の化合物(SmC*相、SmF*相ある
いはコレステリック相を有する液晶性化合物、あるいは
公知の液晶組成物に導入されている化合物)との相溶性
に優れているとの利点もある。
また、本発明のピラジン誘導体はカイラルな化合物であ
るため、これを液晶性組成物の添加剤として使用した場
合にも、他の液晶性化合物の自発分極を低下させること
が少ない。
るため、これを液晶性組成物の添加剤として使用した場
合にも、他の液晶性化合物の自発分極を低下させること
が少ない。
従って、本発明のピラジン誘導体を液晶組成物の成分と
して使用することにより、良好なメモリー性を有する素
子を製造することができ、また高速応答性を有する素子
を製造することができるなどの利点がある。
して使用することにより、良好なメモリー性を有する素
子を製造することができ、また高速応答性を有する素子
を製造することができるなどの利点がある。
次に本発明のピリジン誘導体の合成例を示す。
[実施例1] 2−((S)−2−メチルブトキシ)−5−(p−オク
チルオキシフェニル)ピラジンの製造 2−クロロ−5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラ
ジン(特開昭61−129171号公報参照)3.19gのテトラヒ
ドロフラン(THF)20ml溶液をナトリウム(S)−2−
メチルブトキシドのTHF溶液((S)−2−メチルブタ
ノール2.64g、NaH0.96gおよびTHF40mlから調整したも
の)に加え、50℃で1時間撹拌した。この反応液に水20
mlを滴下後、ベンゼン(50ml×2)で抽出した。乾燥
後、溶媒を留去して得た結晶を、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開液:ベンゼン)にかけ、さらにエ
タノールから再結晶をくり返して、2−((S)−2−
メチルブトキシ)−5−(p−オクチルオキシフェニ
ル)ピラジンの白色結晶1.69gを得た。この化合物(C23
H34N2O2として)の元素分析値は、下記のように計算値
とよく一致していた。
チルオキシフェニル)ピラジンの製造 2−クロロ−5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラ
ジン(特開昭61−129171号公報参照)3.19gのテトラヒ
ドロフラン(THF)20ml溶液をナトリウム(S)−2−
メチルブトキシドのTHF溶液((S)−2−メチルブタ
ノール2.64g、NaH0.96gおよびTHF40mlから調整したも
の)に加え、50℃で1時間撹拌した。この反応液に水20
mlを滴下後、ベンゼン(50ml×2)で抽出した。乾燥
後、溶媒を留去して得た結晶を、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開液:ベンゼン)にかけ、さらにエ
タノールから再結晶をくり返して、2−((S)−2−
メチルブトキシ)−5−(p−オクチルオキシフェニ
ル)ピラジンの白色結晶1.69gを得た。この化合物(C23
H34N2O2として)の元素分析値は、下記のように計算値
とよく一致していた。
N H N 実測値: 74.38% 9.31% 7.70% 計算値: 74.56% 9.25% 7.55% IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1605、1455、1335、
1290、1260、1170、1050、1015、830、815 [実施例2] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−(p
−オクチルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例1において使用した(S)−2−メチルブタノー
ルの代りに、(S)−4−メチルヘキサノールを使用し
た以外は同様にして製造を行なった。
1290、1260、1170、1050、1015、830、815 [実施例2] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−(p
−オクチルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例1において使用した(S)−2−メチルブタノー
ルの代りに、(S)−4−メチルヘキサノールを使用し
た以外は同様にして製造を行なった。
IR(KBr)cm-1:2950、2930、2860、1610、1465、1320、
1295、1250、1180、1020、835、820 [実施例3] 2−((S)−8−メチルデシルオキシ)−5−(p−
オクチルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例1で使用した(S)−2−メチルブタノールの代
りに、下記の(S)−8−メチルデカノールを用いた以
外は同様にして標記化合物を製造した。
1295、1250、1180、1020、835、820 [実施例3] 2−((S)−8−メチルデシルオキシ)−5−(p−
オクチルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例1で使用した(S)−2−メチルブタノールの代
りに、下記の(S)−8−メチルデカノールを用いた以
外は同様にして標記化合物を製造した。
元素分析 C H N 実測値: 76.48% 10.26% 6.16% 計算値: 76.60 10.20 6.11 (C29H46N2O2として) IR(KBr)cm-1:2920、2850、1610、1510、1460、1360、
1350、1300、1245、840 NMR(CDCl3)ppm: 0.85(9H,J=6.3Hz) 1.0〜1.9(27H,m) 4.00(2H,J=6.3Hz) 4.33(2H,J=6.8Hz) 6.98(2H,J=8.8Hz) 7.83(2H,J=8.8Hz) 8.23(1H,J=1.0Hz) 8.42(1H,J=1.0Hz) (S)−8−メチルデカノールの製造 250mlのメタノールに1.6−ジブロモヘキサン454g(1.82
5モル)を溶解した溶液に、ナトリウムメトキシド(Na4
2.8g、1.825モルから調製したもの)のメタノール500ml
溶液を加え、4時間加熱還流した。沈殿物を濾過し、濾
液を濃縮後水400mlを加えてエーテル(300ml×1、100m
l×1)で抽出した。溶媒留去後、分留して144.6gの留
分(98〜111℃/29mmHg、ガスクロマトグラフィー(GC)
分析より1,6−ジメトキシヘキサン14.9%、1−ブロモ
−6−メトキシヘキサン81.8%、1.6−ジブロモヘキサ
ン3.3%の混合物と確認された)を得た。
1350、1300、1245、840 NMR(CDCl3)ppm: 0.85(9H,J=6.3Hz) 1.0〜1.9(27H,m) 4.00(2H,J=6.3Hz) 4.33(2H,J=6.8Hz) 6.98(2H,J=8.8Hz) 7.83(2H,J=8.8Hz) 8.23(1H,J=1.0Hz) 8.42(1H,J=1.0Hz) (S)−8−メチルデカノールの製造 250mlのメタノールに1.6−ジブロモヘキサン454g(1.82
5モル)を溶解した溶液に、ナトリウムメトキシド(Na4
2.8g、1.825モルから調製したもの)のメタノール500ml
溶液を加え、4時間加熱還流した。沈殿物を濾過し、濾
液を濃縮後水400mlを加えてエーテル(300ml×1、100m
l×1)で抽出した。溶媒留去後、分留して144.6gの留
分(98〜111℃/29mmHg、ガスクロマトグラフィー(GC)
分析より1,6−ジメトキシヘキサン14.9%、1−ブロモ
−6−メトキシヘキサン81.8%、1.6−ジブロモヘキサ
ン3.3%の混合物と確認された)を得た。
上記留分144.6%を、Mg22.2gを含有するTHF260mlに滴
下、加熱して調製したグリニア試薬の溶液を、(S)−
2−メチルブチルトルエンスルホナート125.2gのTHF200
ml溶液に加え、続いてLi2CuCl4(LiCl0.10gとCuCl20.16
gを混合して得たもの)のTHF20ml溶液を加え、7時間還
流加熱した。冷却後、飽和NH4Cl水溶液800mlと2N塩酸30
0mlを加えた後、エーテル(200ml×5)で抽出した。乾
燥、濃縮後、分留して、沸点91〜106℃/8mmHzの留分(G
C分析により、(S)−8−メチル−1−メトキシデカ
ン含量が95.5%と確認)を81.9g得た。
下、加熱して調製したグリニア試薬の溶液を、(S)−
2−メチルブチルトルエンスルホナート125.2gのTHF200
ml溶液に加え、続いてLi2CuCl4(LiCl0.10gとCuCl20.16
gを混合して得たもの)のTHF20ml溶液を加え、7時間還
流加熱した。冷却後、飽和NH4Cl水溶液800mlと2N塩酸30
0mlを加えた後、エーテル(200ml×5)で抽出した。乾
燥、濃縮後、分留して、沸点91〜106℃/8mmHzの留分(G
C分析により、(S)−8−メチル−1−メトキシデカ
ン含量が95.5%と確認)を81.9g得た。
上記留分81.9gに47%臭化水素酸(d=1.48)50mlと酢
酸350mlとを加え7.5時間、還流加熱した。減圧下に濃
縮、炭酸ソーダで中和後、エーテル抽出した。乾燥、濃
縮後に分留して、沸点122〜128℃/9mmHgの留分(GC分析
により、(S)−8−メチルデシルブロミド13.6%と
(S)−8−メチルデシルアセタート86.4%との混合物
であると確認された)を47.9g得た。
酸350mlとを加え7.5時間、還流加熱した。減圧下に濃
縮、炭酸ソーダで中和後、エーテル抽出した。乾燥、濃
縮後に分留して、沸点122〜128℃/9mmHgの留分(GC分析
により、(S)−8−メチルデシルブロミド13.6%と
(S)−8−メチルデシルアセタート86.4%との混合物
であると確認された)を47.9g得た。
カ性ソーダ220gを溶かしたメタノール300mlの溶液に上
記留分47.9gを加え、室温で2時間撹拌後、濃縮し、水
を加え、エーテルで抽出した。乾燥、濃縮して得た液体
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液;エー
テルヘキサン)にかけて(S)−8−メチルデカノール
を31.5g得た。
記留分47.9gを加え、室温で2時間撹拌後、濃縮し、水
を加え、エーテルで抽出した。乾燥、濃縮して得た液体
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液;エー
テルヘキサン)にかけて(S)−8−メチルデカノール
を31.5g得た。
IR(液膜)cm-1:3400、2940、2900、2840、1450、137
0、1050 NMR(CDCl3)ppm: 0.851(6H,J=5.9Hz) 1.04〜1.16(2H,m) 1.287(10H,bs) 1.558(2H,J=6.4Hz) 2.099(1H,s) 3.618(3H,J=6.4Hz) ▲α25 D▼=+7.07゜(neat)。
0、1050 NMR(CDCl3)ppm: 0.851(6H,J=5.9Hz) 1.04〜1.16(2H,m) 1.287(10H,bs) 1.558(2H,J=6.4Hz) 2.099(1H,s) 3.618(3H,J=6.4Hz) ▲α25 D▼=+7.07゜(neat)。
[実施例4] 2−((S)−2−メチルブトキシ)−5−(p−ドデ
シルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例1において使用した2−クロロ−5−(p−オク
チルオキシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5
−(p−ドデシルオキシフェニル)−2−ピラジンを用
いた以外は同様にして標記化合物を製造した。
シルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例1において使用した2−クロロ−5−(p−オク
チルオキシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5
−(p−ドデシルオキシフェニル)−2−ピラジンを用
いた以外は同様にして標記化合物を製造した。
元素分析 C H N 実測値: 76.30% 10.06% 6.56% 計算値: 76.01 9.92 6.57 (C27H42N2O2として) IR(KBr)cm-1:2950、2910、2840、1600、1460、1335、
1290、1245、1175、1050、1010、990、825 [実施例5] 2−((S)−3−メチルペンチルオキシ)−5−(p
−ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例4で使用した(S)−2−メチルブタノールの代
りに、下記の(S)−3−メチルペンタノールを用いた
以外は同様にして標記化合物を製造した。
1290、1245、1175、1050、1010、990、825 [実施例5] 2−((S)−3−メチルペンチルオキシ)−5−(p
−ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例4で使用した(S)−2−メチルブタノールの代
りに、下記の(S)−3−メチルペンタノールを用いた
以外は同様にして標記化合物を製造した。
元素分析 C H N 実測値 76.56% 9.99% 6.45% 計算値 76.32 10.06 6.36 (C28H44N2O2として) IR(KBr)cm-1:2930、2860、1615、1470、1300、1250、
1180、1020、835 (S)−3−メチルペンタノールの製造 (S)−2−メチルブチルブロミド[α=+3.90(nea
t)]37.8g、Mg6.9gおよびエーテル100mlから調製した
グリニア試薬に、オルトギ酸メチル32.7gのエーテル40m
l溶液を40分間で滴下した。5時間還流加熱後、エーテ
ルを留去し、氷冷下に3N塩酸200ml、濃塩酸50mlを加
え、1時間還流加熱した。エーテル(50ml×5)で抽出
し、エーテル液を乾燥後、分留(沸点115〜120℃)して
(S)−3−メチルペンタナール9.3g(GC純度:89.5
%)を得た。
1180、1020、835 (S)−3−メチルペンタノールの製造 (S)−2−メチルブチルブロミド[α=+3.90(nea
t)]37.8g、Mg6.9gおよびエーテル100mlから調製した
グリニア試薬に、オルトギ酸メチル32.7gのエーテル40m
l溶液を40分間で滴下した。5時間還流加熱後、エーテ
ルを留去し、氷冷下に3N塩酸200ml、濃塩酸50mlを加
え、1時間還流加熱した。エーテル(50ml×5)で抽出
し、エーテル液を乾燥後、分留(沸点115〜120℃)して
(S)−3−メチルペンタナール9.3g(GC純度:89.5
%)を得た。
LiAlH40.63gのエーテル30ml懸濁液に、上記の(S)−
3−メチルペンタナールを滴下した。1時間撹拌後、氷
冷下水20mlを滴下し、10%硫酸36mlを加えたのち、エー
テル層を分液し、水層をエーテル(50ml×2)で抽出し
た。エーテル液を乾燥後、分留(沸点:142〜150℃)し
て(S)−3−メチルペンタノール3.37g(GC純度:84.3
%、▲α22 D▼=+8.44゜)を得た。
3−メチルペンタナールを滴下した。1時間撹拌後、氷
冷下水20mlを滴下し、10%硫酸36mlを加えたのち、エー
テル層を分液し、水層をエーテル(50ml×2)で抽出し
た。エーテル液を乾燥後、分留(沸点:142〜150℃)し
て(S)−3−メチルペンタノール3.37g(GC純度:84.3
%、▲α22 D▼=+8.44゜)を得た。
[実施例6] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−(p
−ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例2において使用した2−クロロ−5−(p−オク
チルオキシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5
−(p−ドデシルオキシフェニル)−2−ピラジンを用
いた以外は同様にして標記化合物を製造した。
−ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例2において使用した2−クロロ−5−(p−オク
チルオキシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5
−(p−ドデシルオキシフェニル)−2−ピラジンを用
いた以外は同様にして標記化合物を製造した。
IR(KBr)cm-1:2950、2910、2840、1600、1460、1330、
1260、1170、1045、1010、990、830 元素分析 C H N 実測値: 76.49% 10.08% 6.25% 計算値: 76.60 10.19 6.16 (C29H46N2O2として) [実施例7] 2−((S)−8−メチルデシルオキシ)−5−(p−
ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例3において使用した2−クロロ−5−(p−オク
チルオキシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5
−(p−ドデシルオキシフェニル)−2−ピラジンを用
いた以外は同様にして標記化合物を製造した。
1260、1170、1045、1010、990、830 元素分析 C H N 実測値: 76.49% 10.08% 6.25% 計算値: 76.60 10.19 6.16 (C29H46N2O2として) [実施例7] 2−((S)−8−メチルデシルオキシ)−5−(p−
ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例3において使用した2−クロロ−5−(p−オク
チルオキシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5
−(p−ドデシルオキシフェニル)−2−ピラジンを用
いた以外は同様にして標記化合物を製造した。
IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1605、1465、1340、
1260、1175、1055、1015、1000、830 元素分析 C H N 実測値: 77.80% 10.67% 5.47% 計算値: 77.60 10.66 5.48 (C33H54N2O2として) [実施例8] 2−((S)−1−メチルヘプチルオキシ)−5−(p
−ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例4で使用した(S)−2−メチルブタノールの代
りに(S)−2−オクタノールを用いた以外は同様にし
て標記化合物を製造した。
1260、1175、1055、1015、1000、830 元素分析 C H N 実測値: 77.80% 10.67% 5.47% 計算値: 77.60 10.66 5.48 (C33H54N2O2として) [実施例8] 2−((S)−1−メチルヘプチルオキシ)−5−(p
−ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例4で使用した(S)−2−メチルブタノールの代
りに(S)−2−オクタノールを用いた以外は同様にし
て標記化合物を製造した。
C H N 実測値 77.13% 10.43% 6.05% 計算値 76.88 10.32 5.98 (C30H48N2O2として) IR(KBr)cm-1:2950、2910、2845、1605、1465、1295、
1245、1175、1015、835 [実施例9] 2−((S)−2−メチルブトキシ)−5−(p−オク
タノイルオキシフェニル)ピラジンの製造 5−(p−メトキシフェニル)−2−クロロピラジン7g
を48%臭化水素酸100mlおよび酢酸100mlと混合し、6時
間還流加熱した。減圧下に濃縮後、水200mlを加えて得
られた黒褐色固体に、エーテル200mlを加え、不溶部を
濾過除去した。エーテル液を濃縮乾固して得られた黄色
結晶をメタノール(50ml)から再結晶して4.2gの5−
(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラジン(MS
分析からクロロ体も少量混合しているのを確認)を得
た。
1245、1175、1015、835 [実施例9] 2−((S)−2−メチルブトキシ)−5−(p−オク
タノイルオキシフェニル)ピラジンの製造 5−(p−メトキシフェニル)−2−クロロピラジン7g
を48%臭化水素酸100mlおよび酢酸100mlと混合し、6時
間還流加熱した。減圧下に濃縮後、水200mlを加えて得
られた黒褐色固体に、エーテル200mlを加え、不溶部を
濾過除去した。エーテル液を濃縮乾固して得られた黄色
結晶をメタノール(50ml)から再結晶して4.2gの5−
(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラジン(MS
分析からクロロ体も少量混合しているのを確認)を得
た。
IR(KBr)cm-1:3300、1600、1580、1500、1445,1430、1
320、1300、1270、1210、1160、1110、1010、830、77
0、550、490 Na0.67gを溶かしたS−2−メチルブタノール6.8gの溶
液に5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラ
ジン2.0gを加え4時間100℃で撹拌した。希塩酸(濃塩
酸13ml+水20ml)で酸性にした後、エーテル(40ml×
3)で抽出した。エーテル液を濃縮して得た結晶をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:エーテル3
%−ヘキサン)にかけて5−(p−ヒドロキシフェニ
ル)−2−((S)−2−メチルブトキシ)ピラジン
(1.96g)を得た。
320、1300、1270、1210、1160、1110、1010、830、77
0、550、490 Na0.67gを溶かしたS−2−メチルブタノール6.8gの溶
液に5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラ
ジン2.0gを加え4時間100℃で撹拌した。希塩酸(濃塩
酸13ml+水20ml)で酸性にした後、エーテル(40ml×
3)で抽出した。エーテル液を濃縮して得た結晶をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:エーテル3
%−ヘキサン)にかけて5−(p−ヒドロキシフェニ
ル)−2−((S)−2−メチルブトキシ)ピラジン
(1.96g)を得た。
IR(KBr)cm-1:2950、2870、1600、1505、1460、1335、
1290、1255、1170、1050、1010、1000、825 上記化合物を塩化オクタノイルでエステル化して標記化
合物を得た。
1290、1255、1170、1050、1010、1000、825 上記化合物を塩化オクタノイルでエステル化して標記化
合物を得た。
C H N 実測値 71.99% 8.50% 7.33% 計算値 71.84 8.39 7.29 (C23H32N2O3として) IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1750、1455、1330、
1205、1165、1135、1005、845 [実施例10] 2−((S)−2−メチルブチルオキシ)−5−(p−
ドデカノイルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例9と同一の方法で得られた5−(p−ヒドロキシ
フェニル)−2−((S)−2−メチルブトキシ)ピラ
ジンを塩化ドデカノイルでエステル化して標記化合物を
得た。
1205、1165、1135、1005、845 [実施例10] 2−((S)−2−メチルブチルオキシ)−5−(p−
ドデカノイルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例9と同一の方法で得られた5−(p−ヒドロキシ
フェニル)−2−((S)−2−メチルブトキシ)ピラ
ジンを塩化ドデカノイルでエステル化して標記化合物を
得た。
C H N 実測値 73.53% 9.11% 6.47% 計算値 73.60 9.15 6.35 (C27H40N2O3として) IR(KBr)cm-1:2940、2900、2830、1740、1450、1320、
1280、1200、1160、1120、1100、1000、900、840 [実施例11] 2−((S)−2−メチルブトキシ)−5−[p−
(p′−ヘプチルベンゾイルオキシ)フェニル]ピラジ
ンの製造 実施例9と同一の方法で得られた5−(p−ヒドロキシ
フェニル)−2−((S)−2−メチルブトキシ)ピラ
ジンを塩化p−ヘプチルベンゾイルでエステル化して標
記化合物を得た。
1280、1200、1160、1120、1100、1000、900、840 [実施例11] 2−((S)−2−メチルブトキシ)−5−[p−
(p′−ヘプチルベンゾイルオキシ)フェニル]ピラジ
ンの製造 実施例9と同一の方法で得られた5−(p−ヒドロキシ
フェニル)−2−((S)−2−メチルブトキシ)ピラ
ジンを塩化p−ヘプチルベンゾイルでエステル化して標
記化合物を得た。
C H N 実測値 76.02% 7.89% 6.13% 計算値 75.62 7.88 6.08 (C29H36N2O3として) IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1730、1600、1460、
1280、1260、1210、1180、1060、1000、870 [実施例12] 2−((S)−2−メチルブチルオキシ)−5−(p−
ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例1で使用した2−クロロ−5−(p−オクチルオ
キシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5−(p
−ドデシルフェニル)ピラジンを用いた以外は同様にし
て標記化合物を得た。
1280、1260、1210、1180、1060、1000、870 [実施例12] 2−((S)−2−メチルブチルオキシ)−5−(p−
ドデシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例1で使用した2−クロロ−5−(p−オクチルオ
キシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5−(p
−ドデシルフェニル)ピラジンを用いた以外は同様にし
て標記化合物を得た。
C H N 実測値 78.84% 10.39% 6.87% 計算値 79.00 10.30 6.82 (C27H42N2Oとして) IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1460、1340、1290、
1170、1050、1010 [実施例13] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−(p
−ドデシルフェニル)ピラジンの製造 実施例2で使用した2−クロロ−5−(p−オクチルオ
キシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5−(p
−ドデシルフェニル)ピラジンを用いた以外は同様にし
て標記化合物を得た。
1170、1050、1010 [実施例13] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−(p
−ドデシルフェニル)ピラジンの製造 実施例2で使用した2−クロロ−5−(p−オクチルオ
キシフェニル)ピラジンの代りに2−クロロ−5−(p
−ドデシルフェニル)ピラジンを用いた以外は同様にし
て標記化合物を得た。
C H N 実測値 79.13% 10.41% 6.32% 計算値 79.39 10.57 6.39 (C29H46N2Oとして) IR(KBr)cm-1:2950、2910、2850、1610、1460、1330、
1140、1020、1010 [実施例14] 2−オクチルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブ
トキシフェニル)ピラジンの製造 KOH44.1gを、エタノール1000mlと水15mlとの混合液に溶
かしたアルカリ溶液に、p−ヒドロキシアセトフェノン
145.6gを加え、次いで(S)−2−メチルブチル=トル
エンスルホナート172.7gを加えて7時間、還流下に加熱
した。エタノールを減圧下に留去し、水700mlを加えた
後、エーテル(200ml×3)で抽出した。エーテル抽出
液を10%カ性ソーダ水溶液で洗浄後、濃縮して得た褐色
液体を減圧蒸留して、p−(S)−2−メチルブトキシ
アセトフェノン100g(沸点145℃/4mmHg)を得た。
1140、1020、1010 [実施例14] 2−オクチルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブ
トキシフェニル)ピラジンの製造 KOH44.1gを、エタノール1000mlと水15mlとの混合液に溶
かしたアルカリ溶液に、p−ヒドロキシアセトフェノン
145.6gを加え、次いで(S)−2−メチルブチル=トル
エンスルホナート172.7gを加えて7時間、還流下に加熱
した。エタノールを減圧下に留去し、水700mlを加えた
後、エーテル(200ml×3)で抽出した。エーテル抽出
液を10%カ性ソーダ水溶液で洗浄後、濃縮して得た褐色
液体を減圧蒸留して、p−(S)−2−メチルブトキシ
アセトフェノン100g(沸点145℃/4mmHg)を得た。
二酸化セレン50gをジオキサン640mlと水27mlとの混合溶
媒に溶かした溶液に、上記のp−(S)−2−メチルブ
トキシアセトフェノン100gを加え、7.5時間還流加熱
後、黒色沈澱物(Se)を濾別し、濾液を減圧下に濃縮し
てp−(S)−2−メチルブトキシフェニルグリオキザ
ール水和物の黄色液体115gを得た。
媒に溶かした溶液に、上記のp−(S)−2−メチルブ
トキシアセトフェノン100gを加え、7.5時間還流加熱
後、黒色沈澱物(Se)を濾別し、濾液を減圧下に濃縮し
てp−(S)−2−メチルブトキシフェニルグリオキザ
ール水和物の黄色液体115gを得た。
IR(液膜)cm-1:3700〜3000、3000〜2800、1670、159
0、1500 このグリオキザール水和物115g、グリシンアミド塩酸塩
64gメタノール1.6の混合物に、−40℃でカ性ソーダ水
溶液(NaOH45g、水116ml)を滴下(1時間)した。その
後、徐々に昇温(−40℃から10℃まで3時間かけて昇
温)させ、次いで10℃で12時間撹拌した。塩酸で酸性に
して得られた沈澱物を濾取、充分に水洗、乾燥して、5
−(p−(S)−2−メチルブチルオキシフェニル)−
2−ピラジノールの茶褐色粉末42.3gを得た。
0、1500 このグリオキザール水和物115g、グリシンアミド塩酸塩
64gメタノール1.6の混合物に、−40℃でカ性ソーダ水
溶液(NaOH45g、水116ml)を滴下(1時間)した。その
後、徐々に昇温(−40℃から10℃まで3時間かけて昇
温)させ、次いで10℃で12時間撹拌した。塩酸で酸性に
して得られた沈澱物を濾取、充分に水洗、乾燥して、5
−(p−(S)−2−メチルブチルオキシフェニル)−
2−ピラジノールの茶褐色粉末42.3gを得た。
上記の5−(p−(S)−2−メチルブチルオキシフェ
ニル)−2−ピラジノールを用い、特開昭61−129171号
公報記載の方法により、2−クロロ−(p−(S)−2
−メチルブチルオキシフェニル)ピラジンとした。
ニル)−2−ピラジノールを用い、特開昭61−129171号
公報記載の方法により、2−クロロ−(p−(S)−2
−メチルブチルオキシフェニル)ピラジンとした。
上記の2−クロロ−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジンとナトリウムオクチルオキシドとを
原料として、実施例1と同様の方法により標記の2−オ
クチルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジンを得た。
フェニル)ピラジンとナトリウムオクチルオキシドとを
原料として、実施例1と同様の方法により標記の2−オ
クチルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジンを得た。
C H N 実測値 74.91% 9.50% 7.23% 計算値 74.56 9.25 7.56 (C23H34N2O2として) IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1600、1505、1460、
1350、1290、1255、1235、1170、1045、1010、980、82
5、610 [実施例15] 2−ノニルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブト
キシフェニル)ピラジンの製造 実施例14で得られた2−クロロ−(p−(S)−2−メ
チルブトキシフェニル)ピラジンとナトリウムノニルオ
キシドとを原料として、実施例1と同様の方法により標
記の2−ノニルオキシ−5−(p−(S)−2−メチル
ブトキシフェニル)ピラジンを得た。
1350、1290、1255、1235、1170、1045、1010、980、82
5、610 [実施例15] 2−ノニルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブト
キシフェニル)ピラジンの製造 実施例14で得られた2−クロロ−(p−(S)−2−メ
チルブトキシフェニル)ピラジンとナトリウムノニルオ
キシドとを原料として、実施例1と同様の方法により標
記の2−ノニルオキシ−5−(p−(S)−2−メチル
ブトキシフェニル)ピラジンを得た。
C H N 実測値 75.02% 9.59% 7.28% 計算値 74.96 9.44 7.28 (C24H36N2O2として) IR(KBr)cm-1:2940、2900、2840、1600、1500、1455、
1340、1290、1255、1240、1165、1045、825 [実施例16] 2−ドデシルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブ
トキシフェニル)ピラジンの製造 実施例14で得られた2−クロロ−(p−(S)−2−メ
チルブチルオキシフェニル)ピラジンとナトリウムドデ
シルオキシドとを原料として、実施例1と同様の方法に
より標記の2−ドデシルオキシ−5−(p−(S)−2
−メチルブトキシフェニル)ピラジンを得た。
1340、1290、1255、1240、1165、1045、825 [実施例16] 2−ドデシルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブ
トキシフェニル)ピラジンの製造 実施例14で得られた2−クロロ−(p−(S)−2−メ
チルブチルオキシフェニル)ピラジンとナトリウムドデ
シルオキシドとを原料として、実施例1と同様の方法に
より標記の2−ドデシルオキシ−5−(p−(S)−2
−メチルブトキシフェニル)ピラジンを得た。
C H N 実測値 76.04% 10.04% 6.54% 計算値 76.01 9.92 6.57 (C27H42N2O2として) IR(KBr)cm-1:2950、2900、2850、1600、1500、1460、
1340、1255、1240、1165、1050、1010、820 [実施例17] 2−オクチルオキシ−5−(p−(S)−4−メチルヘ
キシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例14において使用した(S)−2−メチルブチル=
p−トルエンスルホナートの代りに(S)−4−メチル
ヘキシル=p−トルエンスルホナートを用いた以外は同
様にして標記化合物を得た。
1340、1255、1240、1165、1050、1010、820 [実施例17] 2−オクチルオキシ−5−(p−(S)−4−メチルヘ
キシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例14において使用した(S)−2−メチルブチル=
p−トルエンスルホナートの代りに(S)−4−メチル
ヘキシル=p−トルエンスルホナートを用いた以外は同
様にして標記化合物を得た。
C H N 実測値 75.36% 9.58% 7.03% 計算値 75.33 9.61 7.03 (C25H38N2O2として) IR(KBr)cm-1:2920、2850、1610、1510、1465、1350、
1300、1245、1180、835 [実施例18] 2−ドデシルオキシ−5−(p−(R)−2−オクチル
オキシフェニル)ピラジンの製造 5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラジン
とナトリウムドデシルオキシドから得た5−(p−ヒド
ロキシフェニル)−2−ドデシルオキシピラジン1.50g
と(S)−2−オクチル=p−トルエンスルホナート1.
28gをジメチルホルムアミド(DMF)10mlに加え、次いで
K2CO30.58gの存在下にて3時間100℃で撹拌した。次
に、水100mlを加え、エーテル(50ml×5)で抽出し
た。エーテル液を水洗、乾燥後、濃縮して得た黄色結晶
2.0gをヘキサンに溶かし、不溶物を濾過したのち、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:ヘキサン9:
酢酸エチル1)にかけて得た結晶を、ヘキサンから再結
晶して標記化合物0.70gを得た。
1300、1245、1180、835 [実施例18] 2−ドデシルオキシ−5−(p−(R)−2−オクチル
オキシフェニル)ピラジンの製造 5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラジン
とナトリウムドデシルオキシドから得た5−(p−ヒド
ロキシフェニル)−2−ドデシルオキシピラジン1.50g
と(S)−2−オクチル=p−トルエンスルホナート1.
28gをジメチルホルムアミド(DMF)10mlに加え、次いで
K2CO30.58gの存在下にて3時間100℃で撹拌した。次
に、水100mlを加え、エーテル(50ml×5)で抽出し
た。エーテル液を水洗、乾燥後、濃縮して得た黄色結晶
2.0gをヘキサンに溶かし、不溶物を濾過したのち、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:ヘキサン9:
酢酸エチル1)にかけて得た結晶を、ヘキサンから再結
晶して標記化合物0.70gを得た。
C H N 実測値 76.91% 10.25% 5.97% 計算値 76.88 10.32 5.98 (C30H48N2O2として) IR(KBr)cm-1:2920、2850、1615、1520、1470、1350、
1265、1250、1180、1020、840、820 [実施例19] 2−ドデシルオキシ−5−(p−(S)−4−メチルヘ
キシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例18で用いた(S)−2−オクチル=p−トルエン
スルホナートの代りに(S)−4−メチルヘキシル=p
−トルエンスルホナートを用いた以外は同様にして標記
化合物を得た。
1265、1250、1180、1020、840、820 [実施例19] 2−ドデシルオキシ−5−(p−(S)−4−メチルヘ
キシルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例18で用いた(S)−2−オクチル=p−トルエン
スルホナートの代りに(S)−4−メチルヘキシル=p
−トルエンスルホナートを用いた以外は同様にして標記
化合物を得た。
C H N 実測値 76.70% 10.31% 6.20% 計算値 76.61 10.20 6.16 (C29H46N2O2として) IR(KBr)cm-1:2925、2850、1610、1510、1465、1355、
1300、1245、1180、1020、835 [実施例20] 2−オクチルオキシ−5−(p−(S)−8−メチルデ
シルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例18で用いたナトリウムドデシルオキシドの代りに
ナトリウムオクチルオキシドを、(S)−2−オクチル
=p−トルエンスルホナートの代りに(S)−8−メチ
ルデシル=p−トルエンスルホナートを用いた以外は同
様にして標記化合物を得た。
1300、1245、1180、1020、835 [実施例20] 2−オクチルオキシ−5−(p−(S)−8−メチルデ
シルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例18で用いたナトリウムドデシルオキシドの代りに
ナトリウムオクチルオキシドを、(S)−2−オクチル
=p−トルエンスルホナートの代りに(S)−8−メチ
ルデシル=p−トルエンスルホナートを用いた以外は同
様にして標記化合物を得た。
C H N 実測値 76.43% 10.45% 6.23% 計算値 76.60 10.20 6.16 (C29H46N2O2として) IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1605、1465、1340、
1295、1245、1180、1015、835 [実施例21] 2−ドデシルオキシ−5−(p−(S)−8−メチルデ
シルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例19で用いた(S)−4−メチルヘキシル=p−ト
ルエンスルホナートの代りに(S)−8−メチルデシル
=p−トルエンスルホナートを用いた以外は同様にして
標記化合物を得た。
1295、1245、1180、1015、835 [実施例21] 2−ドデシルオキシ−5−(p−(S)−8−メチルデ
シルオキシフェニル)ピラジンの製造 実施例19で用いた(S)−4−メチルヘキシル=p−ト
ルエンスルホナートの代りに(S)−8−メチルデシル
=p−トルエンスルホナートを用いた以外は同様にして
標記化合物を得た。
C H N 実測値 77.87% 10.73% 5.53% 計算値 76.60 10.66 5.48 (C33H54N2O2として) IR(KBr)cm-1:2930、2850、1610、1470、1340、1300、
1250、1180、1020、840 [実施例22] 2−オクチルオキシ−5−[p−(p′−(S)−2−
メチルブトキシベンゾイルオキシ)フェニル]ピラジン
の製造 5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラジン
から実施例9と同様にして5−(p−ヒドロキシフェニ
ル)−2−オクチルオキシピラジンを得た。ついでp−
((S)−2−メチルブトキシベンゾイル)クロリドで
エステル化して、標記化合物を得た。
1250、1180、1020、840 [実施例22] 2−オクチルオキシ−5−[p−(p′−(S)−2−
メチルブトキシベンゾイルオキシ)フェニル]ピラジン
の製造 5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラジン
から実施例9と同様にして5−(p−ヒドロキシフェニ
ル)−2−オクチルオキシピラジンを得た。ついでp−
((S)−2−メチルブトキシベンゾイル)クロリドで
エステル化して、標記化合物を得た。
IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1720、1600、1500、
1460、1250、1210、1160、1070、1000、870、840、760 [実施例23] 2−ヘプチル−5−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジンの製造 実施例14において得られた5−(p−(S)−2−メチ
ルブトキシフェニル)−2−クロロピラジンと、ヘプチ
ルマグネシウムブロミドを塩化第二鉄、テトラブチルア
ンモニウムクロリドの存在下にて反応させて(特開昭61
−129171号参照)、標記化合物を得た。
1460、1250、1210、1160、1070、1000、870、840、760 [実施例23] 2−ヘプチル−5−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジンの製造 実施例14において得られた5−(p−(S)−2−メチ
ルブトキシフェニル)−2−クロロピラジンと、ヘプチ
ルマグネシウムブロミドを塩化第二鉄、テトラブチルア
ンモニウムクロリドの存在下にて反応させて(特開昭61
−129171号参照)、標記化合物を得た。
IR(KBr)cm-1:2950、2910、2850、1600、1475、1240、
1170、1015、825 [実施例24] 2−オクチル−5−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジンの製造 実施例14において得られた5−(p−(S)−2−メチ
ルブトキシフェニル)−2−クロロピラジンと、オクチ
ルマグネシウムブロミドを塩化第二鉄、テトラブチルア
ンモニウムクロリドの存在下にて反応させて(特開昭61
−129171号参照)、標記化合物を得た。
1170、1015、825 [実施例24] 2−オクチル−5−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジンの製造 実施例14において得られた5−(p−(S)−2−メチ
ルブトキシフェニル)−2−クロロピラジンと、オクチ
ルマグネシウムブロミドを塩化第二鉄、テトラブチルア
ンモニウムクロリドの存在下にて反応させて(特開昭61
−129171号参照)、標記化合物を得た。
IR(KBr)cm-1:2950、2900、2840、1600、1475、1460、
1240、1165、1015、820 [実施例25] 2−ドデシル−5−(p−(S)−2−メチルブチルオ
キシフェニル)ピラジンの製造 実施例14において得られた5−(p−(S)−2−メチ
ルブトキシフェニル)−2−クロロピラジンと、ドデシ
ルマグネシウムブロミドを塩化第二鉄、テトラブチルア
ンモニウムクロリドの存在下にて反応させて(特開昭61
−129171号参照)、標記化合物を得た。
1240、1165、1015、820 [実施例25] 2−ドデシル−5−(p−(S)−2−メチルブチルオ
キシフェニル)ピラジンの製造 実施例14において得られた5−(p−(S)−2−メチ
ルブトキシフェニル)−2−クロロピラジンと、ドデシ
ルマグネシウムブロミドを塩化第二鉄、テトラブチルア
ンモニウムクロリドの存在下にて反応させて(特開昭61
−129171号参照)、標記化合物を得た。
IR(KBr)cm-1:2950、2900、2840、1600、1480、1460、
1240、1030、820 [実施例26] 2−オクチル−5−(p−(S)−4−メチルヘキシル
フェニル)ピラジンの製造 実施例24で使用した5−(p−(S)−2−メチルブト
キシフェニル)−2−クロロピラジンの代りに5−(p
−メトキシフェニル)−2−クロロピラジンを用いた以
外は同様にして得た5−(p−メトキシフェニル)−2
−オクチルピラジンを実施例9と同様に加水分解して5
−(p−ヒドロキシフェニル)−2−オクチルピラジン
を得た。
1240、1030、820 [実施例26] 2−オクチル−5−(p−(S)−4−メチルヘキシル
フェニル)ピラジンの製造 実施例24で使用した5−(p−(S)−2−メチルブト
キシフェニル)−2−クロロピラジンの代りに5−(p
−メトキシフェニル)−2−クロロピラジンを用いた以
外は同様にして得た5−(p−メトキシフェニル)−2
−オクチルピラジンを実施例9と同様に加水分解して5
−(p−ヒドロキシフェニル)−2−オクチルピラジン
を得た。
IR(KBr)cm-1:2920、2850、1605、1480、1470、1260、
1150、1020、830 上記の5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−オクチル
ピラジンと(S)−4−メチルヘキシル=p−トルエン
スルホナートとから、実施例18と同様にして標記化合物
を製造した。
1150、1020、830 上記の5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−オクチル
ピラジンと(S)−4−メチルヘキシル=p−トルエン
スルホナートとから、実施例18と同様にして標記化合物
を製造した。
C H N 実測値 78.32% 9.92% 7.37% 計算値 78.49 10.01 7.32 (C25H38N2Oとして) IR(KBr)cm-1:2970、2925、2850、1610、1485、1470、
1300、1270、1250、1180、1025、850 [実施例27] 2−ドデシル−5−(p−(S)−4−メチルヘキシル
オキシフェニル)ピラジンの製造 実施例25で使用した5−(p−(S)−2−メチルブト
キシフェニル)−2−クロロピラジンの代りに5−(p
−メトキシフェニル)−2−クロロピラジンを用いた以
外は同様にして5−(p−メトキシフェニル)−2−ド
デシルピラジンを得、ついで実施例9と同様に加水分解
して5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ドデシルピ
ラジンを得た。
1300、1270、1250、1180、1025、850 [実施例27] 2−ドデシル−5−(p−(S)−4−メチルヘキシル
オキシフェニル)ピラジンの製造 実施例25で使用した5−(p−(S)−2−メチルブト
キシフェニル)−2−クロロピラジンの代りに5−(p
−メトキシフェニル)−2−クロロピラジンを用いた以
外は同様にして5−(p−メトキシフェニル)−2−ド
デシルピラジンを得、ついで実施例9と同様に加水分解
して5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ドデシルピ
ラジンを得た。
IR(KBr)cm-1:2920、2850、1610、1485、1465、1260、
1150、1020、830、715 5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ドデシルピラジ
ンと(S)−4−メチルヘキシル=p−トルエンスルホ
ナートとから、実施例18と同様にして標記化合物を製造
した。
1150、1020、830、715 5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ドデシルピラジ
ンと(S)−4−メチルヘキシル=p−トルエンスルホ
ナートとから、実施例18と同様にして標記化合物を製造
した。
C H N 実測値 79.30% 10.68% 6.46% 計算値 79.40 10.57 6.39 (C29H46N2Oとして) IR(KBr)cm-1:2970、2930、2850、1610、1485、1465、
1275、1250、1175、1020、830 [実施例28] 2−エチル−5−[p−(p′−(S)−2−メチルブ
トキシベンゾイルオキシ)フェニル]ピラジンの製造 実施例23と同様にして得た5−(p−メトキシフェニ
ル)−2−エチルピラジンを、実施例9と同様に加水分
解して、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−エチル
ピラジンを得た。ついで、エステル化して標記化合物を
製造した。
1275、1250、1175、1020、830 [実施例28] 2−エチル−5−[p−(p′−(S)−2−メチルブ
トキシベンゾイルオキシ)フェニル]ピラジンの製造 実施例23と同様にして得た5−(p−メトキシフェニ
ル)−2−エチルピラジンを、実施例9と同様に加水分
解して、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−エチル
ピラジンを得た。ついで、エステル化して標記化合物を
製造した。
IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1720、1600、1500、
1460、1250、1200、1160、1070、870、760 [実施例29] 2−ウンデシル−5−[p−(p′−(S)−2−メチ
ルブトキシベンゾイルオキシ)フェニル]ピラジンの製
造 実施例23と同様にして得た5−(p−メトキシフェニ
ル)−2−ウンデシルピラジンを、実施例9と同様にし
て加水分解して、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2
−ウンデシルピラジンを得た。ついで、エステル化して
標記化合物を製造した。
1460、1250、1200、1160、1070、870、760 [実施例29] 2−ウンデシル−5−[p−(p′−(S)−2−メチ
ルブトキシベンゾイルオキシ)フェニル]ピラジンの製
造 実施例23と同様にして得た5−(p−メトキシフェニ
ル)−2−ウンデシルピラジンを、実施例9と同様にし
て加水分解して、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2
−ウンデシルピラジンを得た。ついで、エステル化して
標記化合物を製造した。
IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1720、1600、1500、
1480、1250、1200、1160、1070、870、840、760 得られた化合物の相転移温度を第1表に示す。
1480、1250、1200、1160、1070、870、840、760 得られた化合物の相転移温度を第1表に示す。
註)第1表において、『C』は結晶相を、 『SmC*』はカイラルスメクチックC相を、 『SmA』はスメクチックA相を、 『Ch』コレステリック相をそれぞれ示す。
また、『−』はその化合物が単独ではその相を呈しない
ことを、『呈』は、単独でその相を呈することを示す。
さらに、記載されている数字は、その数字の記載された
欄の相からその欄の右に記載された欄のうちの存在する
相への転移温度を示し、カッコ内の数字は逆方向の転移
温度を示す。
ことを、『呈』は、単独でその相を呈することを示す。
さらに、記載されている数字は、その数字の記載された
欄の相からその欄の右に記載された欄のうちの存在する
相への転移温度を示し、カッコ内の数字は逆方向の転移
温度を示す。
[参考例1] 本発明の化合物が、混合系においても液晶の性質を有
し、かつ、融点の降下によって室温付近においてもSmC
*を示す例を以下に挙げる。
し、かつ、融点の降下によって室温付近においてもSmC
*を示す例を以下に挙げる。
実施例2で得た2−((S)−4−メチルヘキシルオキ
シ−5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラジンと実
施例3で得た2−((S)−8−メチルデシルオキシ)
−5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラジンの混合
した系の相図を第1図に示す。測定値は降温過程のもの
である。
シ−5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラジンと実
施例3で得た2−((S)−8−メチルデシルオキシ)
−5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラジンの混合
した系の相図を第1図に示す。測定値は降温過程のもの
である。
第1図からわかるように実施例2の化合物1重量部と実
施例3の化合物1重量部とを混合した液晶組成物は30℃
付近でもSmC*相を示す。
施例3の化合物1重量部とを混合した液晶組成物は30℃
付近でもSmC*相を示す。
[使用例1] 上記参考例1に示した、実施例2で得られた化合物と実
施例3で得られた化合物から成る混合液晶組成物(重量
組成比1:1)を、ラビング処理を施した透明電極を有す
る2枚の基板間に加熱封入し、セル厚が2μmとなるよ
うに電気光学セルを組み立てた。
施例3で得られた化合物から成る混合液晶組成物(重量
組成比1:1)を、ラビング処理を施した透明電極を有す
る2枚の基板間に加熱封入し、セル厚が2μmとなるよ
うに電気光学セルを組み立てた。
本セルを互いに直交する2枚の偏光板の間に挟持し、±
10V、0.5Hzの交流電解を印加すると、電解の向きに応じ
て表示状態が変化するのが確認できた。
10V、0.5Hzの交流電解を印加すると、電解の向きに応じ
て表示状態が変化するのが確認できた。
また、30℃において、±15Vの交流電解を印加したとき
の応答は、3.5msであり、マルチプレックス駆動時のコ
ントラストは1:10であった。
の応答は、3.5msであり、マルチプレックス駆動時のコ
ントラストは1:10であった。
[参考例2] 参考例6で得た2−((S)−4−メチルヘキシルオキ
シ)−5−(p−ドデシルオキシフェニル)ピラジンと
実施例3で得た2−((S)−8−メチルデシルオキ
シ)−5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラジンの
混合した系の相図を第2図に示す。測定値は降温過程の
ものである。
シ)−5−(p−ドデシルオキシフェニル)ピラジンと
実施例3で得た2−((S)−8−メチルデシルオキ
シ)−5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラジンの
混合した系の相図を第2図に示す。測定値は降温過程の
ものである。
第2図からわかるように、上記実施例5の化合物1重量
部と実施例3の化合物1重量部とを混合した液晶組成物
は、30℃付近でもSmC*相を示す。
部と実施例3の化合物1重量部とを混合した液晶組成物
は、30℃付近でもSmC*相を示す。
[使用例2] 上記参考例2に示した実施例5で得られた化合物と実施
例3で得た化合物から成る混合液晶組成物(重量組成比
1:1)を、ラビング処理を施した透明電極を有する2枚
の基板間に加熱封入し、セル厚が2μmとなるように電
気光学セルを組み立てた。
例3で得た化合物から成る混合液晶組成物(重量組成比
1:1)を、ラビング処理を施した透明電極を有する2枚
の基板間に加熱封入し、セル厚が2μmとなるように電
気光学セルを組み立てた。
本セルを互いに直交する2枚の偏光板の間に挟持し、±
10V、0.5Hzの交流電界を印加すると電界の向きに応じて
表示状態が変化するのが確認できた。
10V、0.5Hzの交流電界を印加すると電界の向きに応じて
表示状態が変化するのが確認できた。
また、30℃において±15Vの交流電解を印加したときの
応答は、3.5msであり、マルチプレックス駆動時のコン
トラストは1:10であった。
応答は、3.5msであり、マルチプレックス駆動時のコン
トラストは1:10であった。
[発明の効果] 本発明により提供されるピラジン誘導体は、強誘電性液
晶の性質を示し、強誘電性液晶組成物の成分として使用
することができる。
晶の性質を示し、強誘電性液晶組成物の成分として使用
することができる。
また、本発明の液晶化合物を混合する事で融点の降下が
達成でき、室温以下でSmC*相を示す液晶組成物を提供
することができる。
達成でき、室温以下でSmC*相を示す液晶組成物を提供
することができる。
第1図と第2図は、本発明のピラジン誘導体を混合した
系の相図(降温過程)の例を示す。
系の相図(降温過程)の例を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横尾 泰日児 千葉県市原市五井南海岸8番の1 宇部興 産株式会社千葉研究所内 (72)発明者 本間 貴志 千葉県市原市五井南海岸8番の1 宇部興 産株式会社千葉研究所内 (72)発明者 青木 和雄 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 池上 房子 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】一般式(I): [ただし、R1は、炭素数1〜18のアルキル基、アルコキ
シ基、アシルオキシ基、p−アルキルベンゾイルオキシ
基、またはp−アルコキシベンゾイルオキシ基、そして
R2は、炭素数1〜18のアルキル基またはアルコキシ基で
あって、R1およびR2のうちの少なくとも一方は光学活性
基である]で表わされる液晶性ピラジン誘導体。 - 【請求項2】光学活性基が、(s)−2−メチル−ブト
キシ基、(s)−4−メチルヘキシルオキシ基、(R)
−2−オクチルオキシ基、(S)−2−オクチルオキシ
基、および(s)−8−メチルデシルオキシ基からなる
群より選ばれる基であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のピラジン誘導体。 - 【請求項3】光学活性基が、(s)−2−メチルブチル
基、(s)−4−メチルヘキシル基、(R)−2−オク
チル基、(S)−2−オクチル基、および(S)−8−
メチルデシル基からなる群より選ばれる基であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のピラジン誘導
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236958A JPH0739398B2 (ja) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | 液晶性ピラジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236958A JPH0739398B2 (ja) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | 液晶性ピラジン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6391377A JPS6391377A (ja) | 1988-04-22 |
| JPH0739398B2 true JPH0739398B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17008284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61236958A Expired - Lifetime JPH0739398B2 (ja) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | 液晶性ピラジン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0739398B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464941A (en) * | 1994-10-19 | 1995-11-07 | Hoechst Celanese Corporation | Biphenyl pyrazine compounds |
| PL365238A1 (en) * | 2000-02-16 | 2004-12-27 | Neurogen Corporation | Substituted arylpyrazines |
-
1986
- 1986-10-04 JP JP61236958A patent/JPH0739398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6391377A (ja) | 1988-04-22 |
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